JPS619890A - 磁気装置 - Google Patents
磁気装置Info
- Publication number
- JPS619890A JPS619890A JP59131718A JP13171884A JPS619890A JP S619890 A JPS619890 A JP S619890A JP 59131718 A JP59131718 A JP 59131718A JP 13171884 A JP13171884 A JP 13171884A JP S619890 A JPS619890 A JP S619890A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- magnetic film
- magnetized
- garnet
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は磁気メモリに係り、特に磁性膜の磁化されてい
る方向を高速で反転さゼ、スイッチングする磁気装置に
関するものである。
る方向を高速で反転さゼ、スイッチングする磁気装置に
関するものである。
ＧｄＧａガーネ・ノド基板上にモザイク状に形成され同
一方向に磁化された磁性ガーネット膜に反転磁化させて
情報を書込み、磁性カーネットの磁化されている方向に
よって偏光面が異なった方向に回転することを利用して
、該基板に偏光された光を照射し、入射光と反対側に検
光子を配置すると磁性ガーネット上に書き込まれた情報
に対応して、光が透過または遮断されるのでディスプレ
ーとして利用できる。
一方向に磁化された磁性ガーネット膜に反転磁化させて
情報を書込み、磁性カーネットの磁化されている方向に
よって偏光面が異なった方向に回転することを利用して
、該基板に偏光された光を照射し、入射光と反対側に検
光子を配置すると磁性ガーネット上に書き込まれた情報
に対応して、光が透過または遮断されるのでディスプレ
ーとして利用できる。
また、前記情報の書き込まれた基板に偏光された光を照
射し、基板の入射光と反対側に検光子と受光素子を置く
ことにより各種の図形認識装置への入力装置として利用
できる。
射し、基板の入射光と反対側に検光子と受光素子を置く
ことにより各種の図形認識装置への入力装置として利用
できる。
ＧｄＧａガーネット基板上に形成された磁性ガーネット
膜の磁化されている方向を外部磁Ｗだけで反転させるに
は非常に強い磁界が必要であり、またモザイク状に形成
された磁気膜の領域を選択的に反転させる装置には適さ
ない。
膜の磁化されている方向を外部磁Ｗだけで反転させるに
は非常に強い磁界が必要であり、またモザイク状に形成
された磁気膜の領域を選択的に反転させる装置には適さ
ない。
そのため、反転させようとする方向にバイアス磁界をか
け、磁性ガーネット膜上に配設された抵抗体を加熱する
ことにより、これがきっかけとなって磁性ガーネット膜
を反転磁化させる方法が採られている。
け、磁性ガーネット膜上に配設された抵抗体を加熱する
ことにより、これがきっかけとなって磁性ガーネット膜
を反転磁化させる方法が採られている。
」二記従来の抵抗加熱方式では抵抗加熱体に直接電極を
接続して電流を流す必要があり構造が複雑になる。また
抵抗体の加熱に時間を要し、反転磁化させるために約２
０μｓとスイッチング速度が遅いという問題かあった。
接続して電流を流す必要があり構造が複雑になる。また
抵抗体の加熱に時間を要し、反転磁化させるために約２
０μｓとスイッチング速度が遅いという問題かあった。
本発明は、上記問題点を解消した短時間で磁性膜の磁化
の方向を反転できる磁気装置の構造を捉供するもので、
その手段は、基板上に形成された磁性膜」二に逆圧電素
子層と該逆圧電素子層を挟んで１対の電極を配設した積
層板に反転しようとする方向にバイアス磁界を印加し、
かつ前記逆圧電素子層に電界を加えることによってなさ
れる。
の方向を反転できる磁気装置の構造を捉供するもので、
その手段は、基板上に形成された磁性膜」二に逆圧電素
子層と該逆圧電素子層を挟んで１対の電極を配設した積
層板に反転しようとする方向にバイアス磁界を印加し、
かつ前記逆圧電素子層に電界を加えることによってなさ
れる。
上記構成の積層板にあっては、逆圧電素子層は電界が加
えられると弾性変形を起こし、この逆圧電素子層と密着
している磁性膜にも弾性変形が生ぜせしめられ、反転し
ようとする方向に印加されたバイアス磁界に対して前記
弾性変形がきっかけとなって短時間で反転磁化される。
えられると弾性変形を起こし、この逆圧電素子層と密着
している磁性膜にも弾性変形が生ぜせしめられ、反転し
ようとする方向に印加されたバイアス磁界に対して前記
弾性変形がきっかけとなって短時間で反転磁化される。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の磁気基板の要部平面図と側
断面図である。ＧｄＧａガーネット（以下ＧＧＧと略す
）基板５上に液層成長法等周知の方法で磁気異方性を有
するＢｉＮ換Ｇｄ鉄ガーネット磁性膜１ （以下磁性膜
と略す）がモザイク状に形成され、該磁性膜１上の一部
に延伸と分極処理して逆圧電効果をもたせたポリビニリ
デンフルオライド膜２ （逆圧電素子）か配設され、そ
の両端は電界印加用の導電体３，４に接続されている。
断面図である。ＧｄＧａガーネット（以下ＧＧＧと略す
）基板５上に液層成長法等周知の方法で磁気異方性を有
するＢｉＮ換Ｇｄ鉄ガーネット磁性膜１ （以下磁性膜
と略す）がモザイク状に形成され、該磁性膜１上の一部
に延伸と分極処理して逆圧電効果をもたせたポリビニリ
デンフルオライド膜２ （逆圧電素子）か配設され、そ
の両端は電界印加用の導電体３，４に接続されている。
更に、導電体３と４間の絶縁用スペーサと磁性膜１の保
護を兼ねたコーティング層６が設＆Ｊられている。
護を兼ねたコーティング層６が設＆Ｊられている。
第２図は本発明の磁気基板に印加するバイアス磁界Ｈｇ
、電界■および磁性ｎｕ ｌの磁化Ｍの関係を示す図で
、縦軸は磁界または電界の方向を示し、横軸は時間を示
している。
、電界■および磁性ｎｕ ｌの磁化Ｍの関係を示す図で
、縦軸は磁界または電界の方向を示し、横軸は時間を示
している。
いま、下向きに硼化（−Ｍ）されている磁性膜１に、バ
イアス磁界を上向き（＋ＨＩりに印加しても磁気膜１の
磁化されている方向は下向き（−Ｍ）のままで変わらな
い。
イアス磁界を上向き（＋ＨＩりに印加しても磁気膜１の
磁化されている方向は下向き（−Ｍ）のままで変わらな
い。
このバイアス磁界を上向き（＋Ｈｎ）に印加した状態で
導電体３．４を介してポリビニリデンフルオライド膜２
に電界（Ｖ）をＩｈ（１すると、ポリビニリデンフルオ
ライド膜２がひずみ、磁性膜１はポリビニリデンフルオ
ライド１１９２に接触した部分で弾性変形を受け、その
瞬間、磁性膜１は印加されているバイアス磁界（十ＨＢ
）と同し力向（＋Ｍ）に反転磁化される。この反転磁
化は弾性変形をうけた部分から順次拡がり、モザイク状
に区切られた磁性膜１の１つの領域全面のわたって起こ
る。
導電体３．４を介してポリビニリデンフルオライド膜２
に電界（Ｖ）をＩｈ（１すると、ポリビニリデンフルオ
ライド膜２がひずみ、磁性膜１はポリビニリデンフルオ
ライド１１９２に接触した部分で弾性変形を受け、その
瞬間、磁性膜１は印加されているバイアス磁界（十ＨＢ
）と同し力向（＋Ｍ）に反転磁化される。この反転磁
化は弾性変形をうけた部分から順次拡がり、モザイク状
に区切られた磁性膜１の１つの領域全面のわたって起こ
る。
次に、上向きに磁化されている磁性膜１に対してバイア
ス磁界の方向を下向き（ＨＢ）に変えても磁性膜１の磁
化されている方向は上向き（十Ｍ）のまま変わらないが
、このバイアス磁界を印加した状態で導電体３．４を介
してポリビニリデンフルオライド膜２に電界（Ｖ）を印
加すると、前記同様の過程で磁性膜１は下向き（−Ｍ）
に反転磁化される。
ス磁界の方向を下向き（ＨＢ）に変えても磁性膜１の磁
化されている方向は上向き（十Ｍ）のまま変わらないが
、このバイアス磁界を印加した状態で導電体３．４を介
してポリビニリデンフルオライド膜２に電界（Ｖ）を印
加すると、前記同様の過程で磁性膜１は下向き（−Ｍ）
に反転磁化される。
このように、電界はポリビニリデンフルオライド膜２に
ひずみを与え、磁性膜１の磁化されている方向をバイア
ス磁界の方向に反転させるトリガーの役目を果たすもの
である故、導電体３，４とポリビニリデンフルオライド
膜２とは必ずしも直接電気的に接触する必要はない。
ひずみを与え、磁性膜１の磁化されている方向をバイア
ス磁界の方向に反転させるトリガーの役目を果たすもの
である故、導電体３，４とポリビニリデンフルオライド
膜２とは必ずしも直接電気的に接触する必要はない。
上記説明は磁性膜の上に配設された弾性変形か可能な膜
を介して磁性膜に応力を与える方法について記述したが
、磁性膜に直接超音波、フォノンおよび振動子からの弾
性波を照射して磁化の方向を反転させることも可能であ
る。
を介して磁性膜に応力を与える方法について記述したが
、磁性膜に直接超音波、フォノンおよび振動子からの弾
性波を照射して磁化の方向を反転させることも可能であ
る。
以上説明したように本発明によれば、磁性膜の磁化され
ている方向を反転させるきっかけとして磁性膜に応力を
与えるので、従来の熱方式に比べ非常に高速に磁化方向
を反転でき、また抵抗体の加熱のように直接電気的接触
の必要がないので製作が簡単になるといった効果がある
。
ている方向を反転させるきっかけとして磁性膜に応力を
与えるので、従来の熱方式に比べ非常に高速に磁化方向
を反転でき、また抵抗体の加熱のように直接電気的接触
の必要がないので製作が簡単になるといった効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の磁気基板の要部平面図と側
断面図、 第２図は本発明の詳細な説明するための閏である。 図において、 １は磁性膜、 ２は逆圧電効果素子、３．４は
導電体、 ５はＧＧＧ基板、Ｇはコーディング層、 をそれぞれ示す。 第１図 （Ｑ） 第２図
断面図、 第２図は本発明の詳細な説明するための閏である。 図において、 １は磁性膜、 ２は逆圧電効果素子、３．４は
導電体、 ５はＧＧＧ基板、Ｇはコーディング層、 をそれぞれ示す。 第１図 （Ｑ） 第２図
Claims (4)
- （１）基板上に形成された膜面に垂直方向に磁気異方性
を有する膜面に、垂直方向にバイアス磁界を印加する手
段と、上記磁気異方性を有する膜の少なくとも一部に機
械的応力を加える手段とが設けられて成ることを特徴と
する磁気装置。 - （２）上記機械的応力を加える手段において、弾性波が
加えられることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
に記載の磁気装置。 - （３）上記機械的応力を加える手段において、該磁気異
方性を有する膜の少なくとも一部に弾性変形が可能な膜
が形成され、該弾性変形が可能な膜に機械的応力が発生
せしめられることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項に記載の磁気装置。 - （４）上記弾性変形が可能な膜において、電気的ひずみ
効果または逆圧電効果を有する膜で構成されて成ること
を特徴とする特許請求の範囲第（２）項に記載の磁気装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131718A JPS619890A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131718A JPS619890A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619890A true JPS619890A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0215951B2 JPH0215951B2 (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=15064574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59131718A Granted JPS619890A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619890A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0573989A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-03-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電歪性／磁歪性薄膜メモリ |
| EP1318523A1 (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-11 | Korea Advanced Institute of Science and Technology | Method of controlling magnetization easy axis in ferromagnetic films using voltage, ultrahigh-density, low power, nonvolatile magnetic memory using the control method and method of writing information on the magnetic memory |
| JP2008034087A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-14 | Seagate Technology Llc | マルチフェロイック記録媒体を使用する電界アシスト書き込み |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51138129A (en) * | 1975-05-09 | 1976-11-29 | Ibm | Optical processor |
| JPS5456332A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Fuji Xerox Co Ltd | Display device |
| JPS5456331A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Fuji Xerox Co Ltd | Magnetic bubble display unit |
| JPS54124643A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-27 | Fuji Xerox Co Ltd | Magnetic bubble device |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP59131718A patent/JPS619890A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51138129A (en) * | 1975-05-09 | 1976-11-29 | Ibm | Optical processor |
| JPS5456332A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Fuji Xerox Co Ltd | Display device |
| JPS5456331A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Fuji Xerox Co Ltd | Magnetic bubble display unit |
| JPS54124643A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-27 | Fuji Xerox Co Ltd | Magnetic bubble device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0573989A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-03-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電歪性／磁歪性薄膜メモリ |
| EP1318523A1 (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-11 | Korea Advanced Institute of Science and Technology | Method of controlling magnetization easy axis in ferromagnetic films using voltage, ultrahigh-density, low power, nonvolatile magnetic memory using the control method and method of writing information on the magnetic memory |
| JP2008034087A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-14 | Seagate Technology Llc | マルチフェロイック記録媒体を使用する電界アシスト書き込み |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0215951B2 (ja) | 1990-04-13 |
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