JPH0451187A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0451187A JPH0451187A JP16067890A JP16067890A JPH0451187A JP H0451187 A JPH0451187 A JP H0451187A JP 16067890 A JP16067890 A JP 16067890A JP 16067890 A JP16067890 A JP 16067890A JP H0451187 A JPH0451187 A JP H0451187A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔概 要〕
液晶表示装置に係り、高速応答、高コントラスト表示を
可能とする液晶表示装置の改良された構造に関し、 表示コントラストを低下させることなく、液晶の応答を
高速にすることを目的とし、 一対の絶縁性基板間に液晶を挟持する実効値応答型液晶
パネルに、超音波発生手段を設け、該超音波発生手段に
より前記液晶に超音波を印加して液晶の粘度を低下させ
るようにした構成とし、また、液晶パネルのスキャンラ
イン対応に温度制御手段を設け、選択されたスキャンラ
インにスキャン信号を印加するタイミングに、対応する
温度制御手段を作動させ、前記選択されたスキャンライ
ン近傍の液晶の温度を相対的に低下させるようにした構
成とする。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示装置に係り、高速応答、高コントラ
スト表示を可能とする液晶表示装置の改良された構造に
関する。 〔従来の技術〕 従来の実効値応答型液晶表示装置は、液晶パネル温度低
下時、液晶の粘度が高くなり、応答速度が遅くなるとい
う欠点があった。 また、単純マトリクス形式にあっては、スキャン電圧パ
ルス印加時と、非印加時の液晶の電圧以外の外場状態が
同じであったため、高速応答を実現するためには、高速
応答の液晶を使用する必要があった。しかし、スキャン
電圧パルス非印加時の、液晶の状態変化が大きく、コン
トラストが低下するという問題があった。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は、表示コントラストを低下させることなく、実
効値応答型液晶表示装置の応答速度、特に、液晶の応答
を高速にすることを目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、一対の絶縁性基板間に液晶を挟持する実効値
応答型液晶表示パネルに、超音波発生手段を設けた。 この超音波発生手段は、パネル全面に設けてもよく、各
スキャンライン対応に設けてもよい。 更に、上記スキャンライン対応に温度制御手段を設けた
構成とすることもできる。 この温度制御手段は、各スキャンライン対応に発熱電極
を設けた構成、或いは、各スキャンライン対応に第１の
物質からなる第１の電極を設けるとともに、この第１の
物質とペルチェ効果を有する第２の物質からなる第２の
電極により上記第１の電極間を橋絡した構成とする。 〔作 用〕 液晶に超音波または熱を加えることによって、液晶の粘
度が低下し、高速応答が実現する。 特に、選択されたスキャンライン付近の液晶のみに超音
波または熱を加えて、選択されたセルの液晶の粘度を低
下させることにより、電界の作用による、液晶のＯＮか
らＯＦＦ、またはＯＦＦからＯＮへの状態の変化が速く
なり、高速応答が実現する。 選択ライン以外の領域の液晶には超音波あるいは熱が加
わらないようにすれば、漢訳ライン近傍以外の領域では
、液晶の粘度は高いままである。 そのため、液晶の状態の変化は遅く、そのままの状態を
保持しようとする。従って、高コントラスト動作が可能
となる。 〔実 施 例〕 以下本発明を単純マトリクス型液晶パネルに適用した実
施例により詳細に説明する。
可能とする液晶表示装置の改良された構造に関し、 表示コントラストを低下させることなく、液晶の応答を
高速にすることを目的とし、 一対の絶縁性基板間に液晶を挟持する実効値応答型液晶
パネルに、超音波発生手段を設け、該超音波発生手段に
より前記液晶に超音波を印加して液晶の粘度を低下させ
るようにした構成とし、また、液晶パネルのスキャンラ
イン対応に温度制御手段を設け、選択されたスキャンラ
インにスキャン信号を印加するタイミングに、対応する
温度制御手段を作動させ、前記選択されたスキャンライ
ン近傍の液晶の温度を相対的に低下させるようにした構
成とする。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示装置に係り、高速応答、高コントラ
スト表示を可能とする液晶表示装置の改良された構造に
関する。 〔従来の技術〕 従来の実効値応答型液晶表示装置は、液晶パネル温度低
下時、液晶の粘度が高くなり、応答速度が遅くなるとい
う欠点があった。 また、単純マトリクス形式にあっては、スキャン電圧パ
ルス印加時と、非印加時の液晶の電圧以外の外場状態が
同じであったため、高速応答を実現するためには、高速
応答の液晶を使用する必要があった。しかし、スキャン
電圧パルス非印加時の、液晶の状態変化が大きく、コン
トラストが低下するという問題があった。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は、表示コントラストを低下させることなく、実
効値応答型液晶表示装置の応答速度、特に、液晶の応答
を高速にすることを目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、一対の絶縁性基板間に液晶を挟持する実効値
応答型液晶表示パネルに、超音波発生手段を設けた。 この超音波発生手段は、パネル全面に設けてもよく、各
スキャンライン対応に設けてもよい。 更に、上記スキャンライン対応に温度制御手段を設けた
構成とすることもできる。 この温度制御手段は、各スキャンライン対応に発熱電極
を設けた構成、或いは、各スキャンライン対応に第１の
物質からなる第１の電極を設けるとともに、この第１の
物質とペルチェ効果を有する第２の物質からなる第２の
電極により上記第１の電極間を橋絡した構成とする。 〔作 用〕 液晶に超音波または熱を加えることによって、液晶の粘
度が低下し、高速応答が実現する。 特に、選択されたスキャンライン付近の液晶のみに超音
波または熱を加えて、選択されたセルの液晶の粘度を低
下させることにより、電界の作用による、液晶のＯＮか
らＯＦＦ、またはＯＦＦからＯＮへの状態の変化が速く
なり、高速応答が実現する。 選択ライン以外の領域の液晶には超音波あるいは熱が加
わらないようにすれば、漢訳ライン近傍以外の領域では
、液晶の粘度は高いままである。 そのため、液晶の状態の変化は遅く、そのままの状態を
保持しようとする。従って、高コントラスト動作が可能
となる。 〔実 施 例〕 以下本発明を単純マトリクス型液晶パネルに適用した実
施例により詳細に説明する。
【第１の実施例】
第１図に、本発明一実施例のセル構造を示す。
透明電極５を形成したガラス基板６と、スキャンライン
３との間に、ＰＶＤＦ （二弗化ポリビニル）のような
強誘電性ポリマー層４を重ね合わせ、スキャンライン３
に印加した電圧で、強誘電性ポリマー層４から超音波を
発生させ、この超音波が付近の液晶に伝わるようにする
。なお、１はガラス基板、２は透明電極からなるデータ
ライン、７は液晶である。 第２図に本実施例の動作原理を示す。 スキャン電圧パルスとして、バースト状の矩形波１２を
用い、このスキャン電圧をスキャンライン３に印加する
。ガラス基板６上に設けた透明電極５は接地しであるの
で、このスキャン電圧は強誘電性ポリマー層４に印加さ
れて超音波を発生し、この超音波はその近傍の液晶に伝
わり、液晶の粘度を低下させる。なお、１１はデータ電
圧パルス波形である。 第３図に本実施例の表示パネル駆動系の構成を示す。 スキャンパルスを発生するゲート回路２２に入力する駆
動電圧を、予めチョッパ回路２１で振動周波数ｆ〔参照
符号２４〕でチョップする。選択するスキャンライン３
には、対応するゲート回路２２はＯＮとなって上記振動
周波数ｆで変化する駆動電圧〔参照符号２５〕が印加さ
れる。強誘電性ポリマー層４は、振動周波数ｆに従って
振動し、超音波を発生して液晶の粘度を低下させ、液晶
分子を動きやすくする。なお２３はデータパルス発生回
路である。 第４図に本実施例における液晶の状態遷移を示す。同図
の縦軸は透過率を、横軸は時間である。 同図の期間Ｂはスキャンライン３に超音波とスキャン電
圧パルスが同時に印加された状態、期間Ａ、Ｃは隣接ス
キャンラインが発生した超音波により、°液晶の粘度が
低（なった状態、期間りはスキャン電圧も超音波も加わ
らない状態を示す。 また、ＩはＶｏｆｆの状態からＶｏｎの状態に遷移する
様子を、■はＶｏｎ平衡状態、■はＶｏｆｆ平衡状態、
■はＶａｎの状態からＶｏｆｆの状態に液晶が遷移する
様子を示す。 領域Ｂで駆動電圧Ｙｏｎとともに超音波が液晶に加わる
ので、液晶の粘度が低下し、液晶の状態は速く変化する
。超音波の影響も少なく、スキャン電圧が印加されない
領域りでは、液晶の粘度が高（、従って液晶の状態はＶ
ｏｆｆへゆっくり変化する。 次に、本実施例の製造方法を第５図により説明する。 同図ｆａ）に示すガラス基板６上に、（ｂ）に示すよう
に、スパッタリング法によりＩＴＯからなる透明電極５
．塗布法によりＰＶＤＦのような強誘電性ポリマー層４
′、スパッタリング法によりＩＴ○膜３°をこの順に形
成する。 次いでその上に、同図ｆｃ）に示す如く所定のパターン
を有するレジスト膜８を形成する。 このレジスト膜８をマスクとして、上記ＩＴＯ膜３゛２
強誘電性ポリマー層４゛を順次エツチングして、同図（
ｄ）に示すように、スキャンライン３と、各スキャンラ
イン３直下に強誘電性ポリマー層４を形成する。 次いで同図ｆｅ）に見られる如く、上記レジスト膜８を
除去する。 本実施例は、透明電極５と強誘電性ポリマー層４および
スキャンライン３により、超音波発生手段を構成した例
である。 なお、上記第１の実施例で用いた強誘電性物質としてＰ
ＶＤＦに変えて、強誘電性セラミックを使用してもよい
。
３との間に、ＰＶＤＦ （二弗化ポリビニル）のような
強誘電性ポリマー層４を重ね合わせ、スキャンライン３
に印加した電圧で、強誘電性ポリマー層４から超音波を
発生させ、この超音波が付近の液晶に伝わるようにする
。なお、１はガラス基板、２は透明電極からなるデータ
ライン、７は液晶である。 第２図に本実施例の動作原理を示す。 スキャン電圧パルスとして、バースト状の矩形波１２を
用い、このスキャン電圧をスキャンライン３に印加する
。ガラス基板６上に設けた透明電極５は接地しであるの
で、このスキャン電圧は強誘電性ポリマー層４に印加さ
れて超音波を発生し、この超音波はその近傍の液晶に伝
わり、液晶の粘度を低下させる。なお、１１はデータ電
圧パルス波形である。 第３図に本実施例の表示パネル駆動系の構成を示す。 スキャンパルスを発生するゲート回路２２に入力する駆
動電圧を、予めチョッパ回路２１で振動周波数ｆ〔参照
符号２４〕でチョップする。選択するスキャンライン３
には、対応するゲート回路２２はＯＮとなって上記振動
周波数ｆで変化する駆動電圧〔参照符号２５〕が印加さ
れる。強誘電性ポリマー層４は、振動周波数ｆに従って
振動し、超音波を発生して液晶の粘度を低下させ、液晶
分子を動きやすくする。なお２３はデータパルス発生回
路である。 第４図に本実施例における液晶の状態遷移を示す。同図
の縦軸は透過率を、横軸は時間である。 同図の期間Ｂはスキャンライン３に超音波とスキャン電
圧パルスが同時に印加された状態、期間Ａ、Ｃは隣接ス
キャンラインが発生した超音波により、°液晶の粘度が
低（なった状態、期間りはスキャン電圧も超音波も加わ
らない状態を示す。 また、ＩはＶｏｆｆの状態からＶｏｎの状態に遷移する
様子を、■はＶｏｎ平衡状態、■はＶｏｆｆ平衡状態、
■はＶａｎの状態からＶｏｆｆの状態に液晶が遷移する
様子を示す。 領域Ｂで駆動電圧Ｙｏｎとともに超音波が液晶に加わる
ので、液晶の粘度が低下し、液晶の状態は速く変化する
。超音波の影響も少なく、スキャン電圧が印加されない
領域りでは、液晶の粘度が高（、従って液晶の状態はＶ
ｏｆｆへゆっくり変化する。 次に、本実施例の製造方法を第５図により説明する。 同図ｆａ）に示すガラス基板６上に、（ｂ）に示すよう
に、スパッタリング法によりＩＴＯからなる透明電極５
．塗布法によりＰＶＤＦのような強誘電性ポリマー層４
′、スパッタリング法によりＩＴ○膜３°をこの順に形
成する。 次いでその上に、同図ｆｃ）に示す如く所定のパターン
を有するレジスト膜８を形成する。 このレジスト膜８をマスクとして、上記ＩＴＯ膜３゛２
強誘電性ポリマー層４゛を順次エツチングして、同図（
ｄ）に示すように、スキャンライン３と、各スキャンラ
イン３直下に強誘電性ポリマー層４を形成する。 次いで同図ｆｅ）に見られる如く、上記レジスト膜８を
除去する。 本実施例は、透明電極５と強誘電性ポリマー層４および
スキャンライン３により、超音波発生手段を構成した例
である。 なお、上記第１の実施例で用いた強誘電性物質としてＰ
ＶＤＦに変えて、強誘電性セラミックを使用してもよい
。
【第２の実施例】
第６図に発明明部２の実施例のセル構造を示す。
ガラス基板６上に発熱電極３７．絶縁層３６．スキャン
ライン３．配向膜３４の順に形成する。熱電極に電流を
流すことによって、発熱電極３７上の液晶の温度を上昇
させるようにする。、１はガラス基板、２はデータライ
ン、３８は配向膜、７は液晶である。 第７図に本実施例の動作原理を示す。なお、同図にはパ
ネル構造は模式的に描いである。 スキャン電圧パルス４２とともに、発熱電極３７に電流
４３を流して発熱させ、熱を液晶に伝える。なお、４１
はデータ電圧パルスである。 第８図に本実施例の表示パネル駆動系の構成を示す。 ５１はスキャンパルス発生回路であり、５２は加熱用電
圧パルス発生回路であ、る。５３はデータパルス発生回
路である。 選択されたスキャンライン３にスキャンパルス５４を印
加するのと同期して、上記選択されたスキャンラインに
対応する発熱電極３７に、加熱用電圧パルス発生回路５
２から加熱用電圧パルス５５を印加する。これにより、
選択されたライン近傍の液晶の温度が上昇して粘度が低
下するので、液晶の応答が高速となり、しかも、選択さ
れたライン近傍以外の領域では液晶の温度は上昇しない
ので、その粘度は高く保たれ、応答は選択されたライン
近傍に比較して遅い。そのため、コントラストが向上す
る。 本実施例の液晶の状態遷移も、前述の第１の実施例で説
明した状態遷移〔第４図参照〕と同様である。
ライン３．配向膜３４の順に形成する。熱電極に電流を
流すことによって、発熱電極３７上の液晶の温度を上昇
させるようにする。、１はガラス基板、２はデータライ
ン、３８は配向膜、７は液晶である。 第７図に本実施例の動作原理を示す。なお、同図にはパ
ネル構造は模式的に描いである。 スキャン電圧パルス４２とともに、発熱電極３７に電流
４３を流して発熱させ、熱を液晶に伝える。なお、４１
はデータ電圧パルスである。 第８図に本実施例の表示パネル駆動系の構成を示す。 ５１はスキャンパルス発生回路であり、５２は加熱用電
圧パルス発生回路であ、る。５３はデータパルス発生回
路である。 選択されたスキャンライン３にスキャンパルス５４を印
加するのと同期して、上記選択されたスキャンラインに
対応する発熱電極３７に、加熱用電圧パルス発生回路５
２から加熱用電圧パルス５５を印加する。これにより、
選択されたライン近傍の液晶の温度が上昇して粘度が低
下するので、液晶の応答が高速となり、しかも、選択さ
れたライン近傍以外の領域では液晶の温度は上昇しない
ので、その粘度は高く保たれ、応答は選択されたライン
近傍に比較して遅い。そのため、コントラストが向上す
る。 本実施例の液晶の状態遷移も、前述の第１の実施例で説
明した状態遷移〔第４図参照〕と同様である。
【第３の実施例】
第９図に本発明の第３の実施例として、ペルチェ効果を
利用した電子冷却素子を具備する液晶パネルの構造を示
す。 放熱板７０上にペルチェ効果を生じる第１の物質からな
る第１層７８．７９を、相互に電気的に絶縁して形成す
る。この２つの第１の層７８．７９間の溝内に、絶縁性
の平滑剤８１を充填する。その上にペルチェ効果を生じ
る第２の物質からなる第２の層７７を形成する。その上
に絶縁層７６を形成し、更に、スキャンライン３．配向
膜７４の順で形成する。 なお、１はガラス基板、２はデータライン、７３は配向
膜、７は液晶である。 スキャン電圧パルスが印加されたスキャンライン３の下
層の第１の層７８と第２の層７７との接合部が発熱効果
を、直前にスキャン電圧パルスが印加されたスキャンラ
イン３の下層の第１の層７９と第２の層７７との接合部
が吸熱効果を示すような方向に電流が流れるような電圧
を、第２の層７８と第１の層７９間に加えることによっ
て、選択されたスキャンライン付近の液晶の温度を高く
、また、非選択のスキャンライン付近の液晶の温度を低
くする。 このように本実施例でも、選択されたスキャンライン近
傍の液晶の粘度を低下させ、一方、その他の領域の液晶
の粘度を高く保って、高速応答とともに高コントラスト
表示が可能となる。 上記ペルチェ効果を示す２つの物質は、例えば、Ｂｉ２
Ｔｅ、＋Ｓｂ２Ｔｅ３ （ｐ型）Ｂ Ｉ Ｚ Ｔ ｅ
３＋ Ｓ ｂ２ Ｓ ｅ３ （ｎ型）等を用いること
ができる。 上記第３の実施例の構成では、これのうち前者を第１の
物質とし、後者を第２の物質として用いる。 本実施例は第２の物質からなる第２の層を、第１の層を
橋絡する構造としたが、第２の層を各部１の層ごとに独
立して設けてもよい。 このように電子冷却・発熱素子を各スキャンライン対応
に設け、選択されたスキャンラインの近傍を加熱する発
熱素子として用いても、また、選択されたスキャンライ
ン近傍を除く他の領域の液晶を冷却する電子冷却素子と
して用いてもよい。 次に第１０図により上記第３の実施例の製造方法を説明
する。 まず、同図（ａｌに示すように、放熱板としてセラミッ
ク基板７０を用い、これの上に第１の物質層７８゜を形
成する。 次いで、その上にレジスト膜９０を形成し、これをマス
クとして上記第１の物質層７８゛ の露出部を除去して
、同図（ｂ）に示すように、第１の層７８をスキャンラ
イン対応に分離する。 次いで、上記レジスト膜９０を除去した後、平滑剤８１
を塗布して、同図（Ｃ）に示すように分離された第１の
層７８間の溝を充填する。 次いで、同図（ｄ）に示すように、第２の物質を蒸着し
て、第２の層７７を形成する。 次いで、同図（Ｅｌ）に示すように、絶縁層７６を塗布
法により形成する。 以上で本実施例のパネル基板が完成する。 なお、上記実施例は単純マトリクス型パネルについて説
明したが、本発明はこの他、アクティブマトリクス型パ
ネル、セグメント型パネルにも適用可能である。 〔発明の効果〕 以上説明した如く本発明によれば、選択されたスキャン
ライン付近のみ液晶の粘度が低下するので、液晶の応答
速度が速くなり、高コントラスト表示が可能となる。
利用した電子冷却素子を具備する液晶パネルの構造を示
す。 放熱板７０上にペルチェ効果を生じる第１の物質からな
る第１層７８．７９を、相互に電気的に絶縁して形成す
る。この２つの第１の層７８．７９間の溝内に、絶縁性
の平滑剤８１を充填する。その上にペルチェ効果を生じ
る第２の物質からなる第２の層７７を形成する。その上
に絶縁層７６を形成し、更に、スキャンライン３．配向
膜７４の順で形成する。 なお、１はガラス基板、２はデータライン、７３は配向
膜、７は液晶である。 スキャン電圧パルスが印加されたスキャンライン３の下
層の第１の層７８と第２の層７７との接合部が発熱効果
を、直前にスキャン電圧パルスが印加されたスキャンラ
イン３の下層の第１の層７９と第２の層７７との接合部
が吸熱効果を示すような方向に電流が流れるような電圧
を、第２の層７８と第１の層７９間に加えることによっ
て、選択されたスキャンライン付近の液晶の温度を高く
、また、非選択のスキャンライン付近の液晶の温度を低
くする。 このように本実施例でも、選択されたスキャンライン近
傍の液晶の粘度を低下させ、一方、その他の領域の液晶
の粘度を高く保って、高速応答とともに高コントラスト
表示が可能となる。 上記ペルチェ効果を示す２つの物質は、例えば、Ｂｉ２
Ｔｅ、＋Ｓｂ２Ｔｅ３ （ｐ型）Ｂ Ｉ Ｚ Ｔ ｅ
３＋ Ｓ ｂ２ Ｓ ｅ３ （ｎ型）等を用いること
ができる。 上記第３の実施例の構成では、これのうち前者を第１の
物質とし、後者を第２の物質として用いる。 本実施例は第２の物質からなる第２の層を、第１の層を
橋絡する構造としたが、第２の層を各部１の層ごとに独
立して設けてもよい。 このように電子冷却・発熱素子を各スキャンライン対応
に設け、選択されたスキャンラインの近傍を加熱する発
熱素子として用いても、また、選択されたスキャンライ
ン近傍を除く他の領域の液晶を冷却する電子冷却素子と
して用いてもよい。 次に第１０図により上記第３の実施例の製造方法を説明
する。 まず、同図（ａｌに示すように、放熱板としてセラミッ
ク基板７０を用い、これの上に第１の物質層７８゜を形
成する。 次いで、その上にレジスト膜９０を形成し、これをマス
クとして上記第１の物質層７８゛ の露出部を除去して
、同図（ｂ）に示すように、第１の層７８をスキャンラ
イン対応に分離する。 次いで、上記レジスト膜９０を除去した後、平滑剤８１
を塗布して、同図（Ｃ）に示すように分離された第１の
層７８間の溝を充填する。 次いで、同図（ｄ）に示すように、第２の物質を蒸着し
て、第２の層７７を形成する。 次いで、同図（Ｅｌ）に示すように、絶縁層７６を塗布
法により形成する。 以上で本実施例のパネル基板が完成する。 なお、上記実施例は単純マトリクス型パネルについて説
明したが、本発明はこの他、アクティブマトリクス型パ
ネル、セグメント型パネルにも適用可能である。 〔発明の効果〕 以上説明した如く本発明によれば、選択されたスキャン
ライン付近のみ液晶の粘度が低下するので、液晶の応答
速度が速くなり、高コントラスト表示が可能となる。
第１図は本発明筒１の実施例構成説明図、第２図は上記
第１の実施例の動作原理説明図、第３図は上記第１の実
施例の表示パネル駆動系を示す図、 第４図は上記第１の実施例における液晶の状態遷移を示
す図、 第５図は本発明筒１の実施例の製造方法を示す図、 第６図は本発明筒２の実施例のセル構造を示す図、 第７図は上記第２の実施例の動作原理を示す図、第８図
は上記第２の実施例の表示パネル駆動系を示す図、 第９図は本発明筒３の実施例の構成説明図、第１０図は
上記第３の実施例の製造方法の説明図である。 図において、１．６は絶縁性基板（ガラス基板）、３は
スキャンライン、４は強誘電性ポリマー５は透明電極、
７は液晶、３７は発熱電極、７７は第２の層、７８．７
９は第１の層を示す。 訓トｉとロ月琴Ｔ？プ乙）ρ例そｔｄ’ｊン１１１１２
１第１− ンラミシ鱒１３２Ｕｎそイル−噌７ズ１作斥Ｔ１−討明
こ２１第２ｍ ／￥−シｑ１＋、＊オ←θツＩＬ八へｊシ腐品＾イ太゛
罠ミ遷才今第４ＷＪ １０月＄１３＊λ色ダ・１の１（末へ−子ル耳ど１プロ
Ｅ第 図 不イ鵞日ｒｑｌｚｑ寅ン侠ダ１のセル精旦シト所ざｇ耳
昇２？突太舎イｆＪｎ衣ネハ・ネル５巾、訃第８図 シ中ζｅｇ８ｖ、ｚ、ｉ３そ七イッ１自“号？り・イ１
；、召ど理３、発萌壓釦１ｕｆむ蹟賎゛α明図 第９図 ォ・廃明羊３３史婚側めへ造方既 ＩＮ １０図
第１の実施例の動作原理説明図、第３図は上記第１の実
施例の表示パネル駆動系を示す図、 第４図は上記第１の実施例における液晶の状態遷移を示
す図、 第５図は本発明筒１の実施例の製造方法を示す図、 第６図は本発明筒２の実施例のセル構造を示す図、 第７図は上記第２の実施例の動作原理を示す図、第８図
は上記第２の実施例の表示パネル駆動系を示す図、 第９図は本発明筒３の実施例の構成説明図、第１０図は
上記第３の実施例の製造方法の説明図である。 図において、１．６は絶縁性基板（ガラス基板）、３は
スキャンライン、４は強誘電性ポリマー５は透明電極、
７は液晶、３７は発熱電極、７７は第２の層、７８．７
９は第１の層を示す。 訓トｉとロ月琴Ｔ？プ乙）ρ例そｔｄ’ｊン１１１１２
１第１− ンラミシ鱒１３２Ｕｎそイル−噌７ズ１作斥Ｔ１−討明
こ２１第２ｍ ／￥−シｑ１＋、＊オ←θツＩＬ八へｊシ腐品＾イ太゛
罠ミ遷才今第４ＷＪ １０月＄１３＊λ色ダ・１の１（末へ−子ル耳ど１プロ
Ｅ第 図 不イ鵞日ｒｑｌｚｑ寅ン侠ダ１のセル精旦シト所ざｇ耳
昇２？突太舎イｆＪｎ衣ネハ・ネル５巾、訃第８図 シ中ζｅｇ８ｖ、ｚ、ｉ３そ七イッ１自“号？り・イ１
；、召ど理３、発萌壓釦１ｕｆむ蹟賎゛α明図 第９図 ォ・廃明羊３３史婚側めへ造方既 ＩＮ １０図
Claims (8)
- （１）一対の絶縁性基板（１、６）間に液晶（７）を挟
持する実効値応答型液晶表示パネルに、超音波発生手段
を設け、該超音波発生手段により前記液晶に超音波を印
加して液晶の粘度を低下させるようにしたことを特徴と
する液晶表示装置。 - （２）前記液晶表示パネルが単純マトリクス型パネルで
あり、超音波発生手段が前記液晶表示パネルのスキャン
ライン（３）対応に設けられ、選択されたスキャンライ
ンに印加するスキャン信号に同期して対応する超音波発
生手段を作動させ、前記選択されたスキャンライン近傍
の液晶の粘度を低下させるようにしたことを特徴とする
請求項１記載の液晶表示装置。 - （３）前記液晶表示パネルが単純マトリクス型パネルで
あり、前記超音波発生手段が前記絶縁性基板の一方（６
）の表面に設けた電極（５）と強誘電性ポリマー層（４
）と前記スキャンライン（３）との積層体で構成され、
前記電極を所定の電位に保ち、前記スキャンラインを選
択するに際しては、バースト状のスキャン信号を印加し
、該スキャン信号により前記強誘電性ポリマー層から超
音波を発生するようにしたことを特徴とする請求項１記
載の液晶表示装置。 - （４）前記超音波発生手段を、前記絶縁性基板（６）の
一方の表面に設けた電極（５）と強誘電性セラミック層
と前記スキャンライン（３）との積層体で構成し、前記
電極を所定の電位に保ち、前記スキャンラインを選択す
るに際しては、バースト状のスキャン信号を印加し、該
スキャン信号により前記強誘電性セラミック層から超音
波を発生するようにしたことを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。 - （５）一対の絶縁性基板（１、６）間に液晶（７）を挟
持する実効値応答型単純マトリクス液晶パネルに、スキ
ャンライン（３）対応に温度制御手段を設け、選択され
たスキャンラインにスキャン信号を印加するタイミング
に、対応する温度制御手段を作動させ、前記選択された
スキャンライン近傍の液晶の温度を相対的に低下させる
ようにしたことを特徴とする液晶表示装置。 - （６）前記温度制御手段を、スキャンライン（３）対応
に設けた発熱手段（３７）としたことを特徴とする請求
項５記載の液晶表示装置。 - （７）前記温度制御手段を、ペルチェ効果を示す第１の
物質と第２の物質との接合を具備してなる電子冷却・発
熱素子としたことを特徴とする請求項５記載の液晶表示
装置。 - （８）前記電子冷却・発熱素子を、スキャンライン対応
に設けた第１の物質からなる第１の層と、該第１層間を
橋絡する第２の層からなる構成としたことを特徴とする
請求項７記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16067890A JPH0451187A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16067890A JPH0451187A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451187A true JPH0451187A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15720105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16067890A Pending JPH0451187A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451187A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017073320A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 学校法人同志社 | 液晶分子配向制御方法および液晶デバイス |
| US10418603B2 (en) | 2010-09-16 | 2019-09-17 | Fdk Corporation | Circuit-substrate supporting device and a battery unit with the same |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP16067890A patent/JPH0451187A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10418603B2 (en) | 2010-09-16 | 2019-09-17 | Fdk Corporation | Circuit-substrate supporting device and a battery unit with the same |
| WO2017073320A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 学校法人同志社 | 液晶分子配向制御方法および液晶デバイス |
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