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Claims (10)

  1. 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
    前記画素は、光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
    前記半導体基板の基板電圧を制御してブルーミングを抑制する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 被写体の明るさを判定し、前記基板電圧を輝度に対応して制御する
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  3. 第１導電型の前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体ウェル領域と、
    前記半導体ウェル領域内に形成された前記光電変換部を有し、
    被写体の明るさを判定し、前記基板電圧を輝度に応じて制御する
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  4. 被写体の明るさを有効画素領域全域の平均出力から判定し、前記基板電圧を輝度に対応して制御する
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  5. 被写体の明るさを有効画素領域を分割した所要の分割領域の平均出力から判定し、前記基板電圧を制御する
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  6. 輝点が存在する暗い被写体を撮影するモード選択に対応して、前記基板電圧を制御する
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  7. 動画撮影において、１フレームあるいは数フレーム前の１フレーム出力、あるいは数フレーム分の平均出力を用いて光量を判定し、輝度に対応して前記基板電圧を制御する
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  8. 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
    前記画素は、光電変換部と、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
    暗い被写体の撮影時に、輝度に応じて前記基板電圧を初期設定電圧より昇圧してオーバーフローバリアを低く制御する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  9. 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
    前記画素は、光電変換部と、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
    被写体の明るさに応じて基板電圧を昇圧してオーバーフローバリアを低く制御する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  10. 固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置の出力信号を処理する画像処理手段と、
    前記固体撮像装置からの出力信号により被写体の明るさを判定する判定手段と、
    前記判定回路からの判定結果に基づき基板電圧を制御する基板電圧制御手段とを有し、
    被写体の明るさに対応して前記基板電圧制御手段からの制御信号により、前記固体撮像装置の基板電圧を制御する
    ことを特徴とする制御システム。
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