JP2008028677A - 固体撮像装置、及び制御システム - Google Patents

固体撮像装置、及び制御システム Download PDF

Info

Publication number
JP2008028677A
JP2008028677A JP2006198635A JP2006198635A JP2008028677A JP 2008028677 A JP2008028677 A JP 2008028677A JP 2006198635 A JP2006198635 A JP 2006198635A JP 2006198635 A JP2006198635 A JP 2006198635A JP 2008028677 A JP2008028677 A JP 2008028677A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
imaging device
state imaging
substrate
substrate voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006198635A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5125010B2 (ja
JP2008028677A5 (ja
Inventor
Maki Satou
麻紀 佐藤
Yoshiharu Kudo
義治 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2006198635A priority Critical patent/JP5125010B2/ja
Priority to US11/879,444 priority patent/US8735952B2/en
Publication of JP2008028677A publication Critical patent/JP2008028677A/ja
Publication of JP2008028677A5 publication Critical patent/JP2008028677A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5125010B2 publication Critical patent/JP5125010B2/ja
Priority to US14/253,576 priority patent/US9749505B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/71Circuitry for evaluating the brightness variation
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
    • H04N25/622Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/14Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
    • H04N3/15Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
    • H04N3/155Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
    • H04N3/1568Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for disturbance correction or prevention within the image-sensor, e.g. biasing, blooming, smearing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14654Blooming suppression

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

【課題】より望ましいブルーミング対策を可能にしたCMOS型の固体撮像装置、及び制御システムを提供するものである。
【解決手段】半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域と半導体基板の基板電圧を制御する制御手段を有し、画素は、光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、半導体基板の基板電圧を上げてブルーミングを抑制する。
【選択図】図5

Description

本発明は、ブルーミング対策を施した固体撮像装置、及び制御システムに関する。
本発明は、特に、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部を画素内に含む固体撮像装置、例えばCMOSセンサ等に関する。ここで、CMOSセンサとは、CMOSプロセスを応用して、又は部分的に使用して作製されたセンサである。
また、固体撮像装置の形態としては、ワンチップで構成されたもの、あるいは複数のチップから構成されたものであっても良い。
固体撮像装置としては、CMOSセンサ、CCDセンサが知られている。通常、固体撮像装置を製造するにあたり、ブルーミングが問題となっている。ブルーミングは、混色や色ぼけの原因となるため、その対策が必要である。CMOSセンサの場合は、不要電荷が隣接画素に漏れ込むことによるブルーミングとして表れ、CCDセンサの場合は、光電変換部であるフォトダイオードから垂直転送レジスタに溢れることによる縦筋として表れる。
特に、夜景モードで撮影した星空(暗時の輝点が存在する被写体)や、逆に光強度が強い明るい場所にある黒点など明暗差が大きい場合に、映像が鮮明でなくなるため、ブルーミング対策が必要となる。
飽和電荷量(Qssat)に達する場合のブルーミング対策として、受光量に応じて電荷蓄積時間を変化させる(=Auto Exposer)方法は一般的である。それ以外に、基板電圧を制御してオーバーフローポテンシャルバリア(以下、オーバーフローバリアという)を変化させる方法がある。このオーバーフローバリアを変化させる場合に、より多くの電荷が蓄積できるように、つまり飽和電荷量(Qssat)をさらに稼ぐために、基板電源(電圧)を下げてオーバーフローバリアを上げる方法(特許文献1、2参照)と、不要電荷(電子)を基板側へ排出し易くするように基板方向のオーバーフローバリアを低くし、基板電源を上げる方法の2種類の考え方がある。
CCDセンサでは、基板電圧を制御してブルーミング対策を行う方法が考えられている。CCDセンサの場合は、使用電源電圧が高いため(10V以上)、前者の基板電源を下げてオーバーフローバリアを高くする方法が有効的である。
一方、CMOSセンサでのブルーミング対策は、基板電圧を一定として半導体基板に形成される半導体ウェル領域(いわゆるセンサウェル領域)の不純物濃度を制御してオーバーフローバリアを設定して行われるのが一般的であった。
特開2003ー153084号公報 特開平9ー139486号公報
また、CMOSセンサでは、その動作方式から全画素同時の電子シャッタ(基板側へ電荷を排出する)で基本的に基板電圧を制御することは、一般的には行われていない。
前述したように、CMOSセンサの場合は、不要電荷が隣接画素に漏れ込むことがブルーミングとなって現れる。具体的に説明すると、本来は、フォトダイオードから溢れた不要電荷を半導体基板に排出させたい、つまりフォトダイオードからフォトダイオード下部のウエル領域を飛び越えて半導体基板側に不要電荷を排出したいが、縦方向のオーバーフローバリアと横方向のオーバーフローバリアの差があまりついていないために、現実は、不要電荷が横方向のウエル領域を飛び越えて隣接画素へ漏れ込む事も多く、これがブルーミングになってしまっている。
本発明は、上述の点に鑑み、不要電荷を半導体基板方向に排出し易くし、より望ましいブルーミング対策を可能にしたCMOS型の固体撮像装置、及び制御システムを提供するものである。
本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、画素は光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、半導体基板の基板電圧を制御してブルーミングを抑制することを特徴とする。
本発明の固体撮像装置では、基板電圧が制御され、すなわちオーバーフローバリアを下げる方向に制御されてブルーミングが制御される。このとき、光電変換部に蓄積された電荷を空にするわけではないので、基板電圧を変化させても蓄積電荷に影響を与えない。
本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、画素は、光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、暗い被写体の撮影時に、輝度に応じて基板電圧を初期設定電圧より昇圧してオーバーフローバリアを低く制御することを特徴とする。
ここで、半導体基板の初期設定電圧は、周辺回路のアナルク回路、デジタル回路を駆動する電源、いわゆるCMOSアナログ/デジタル電源と同じ電源で与えられる。
本発明の固体撮像装置では、暗い被写体の撮影時にその輝度に応じて基板電圧を初期設定電圧より昇圧してオーバーフローバリアを低く制御することにより、輝点が存在してもブルーミングを抑制することができる。
本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、画素は、光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、被写体の明るさに応じて基板電圧を昇圧してオーバーフローバリアを低く制御することを特徴とする。
本発明の固体撮像装置では、被写体の明るさ(明るい/暗い)に応じて基板電圧を昇圧してオーバーフローバリアを低く制御することにより、ブルーミングを抑制することができる。
本発明に係る制御システムは、固体撮像素子と、固体撮像素子の出力信号を処理する画像処理手段と、固体撮像素子からの出力信号により被写体の明るさを判定する判定手段と、判定回路からの判定結果に基づき基板電圧を制御する基板電圧制御手段とを有し、被写体の明るさに対応して基板電圧制御手段からの制御信号により、固体撮像素子の基板電圧を制御することを特徴とする。
本発明の制御システムでは、被写体の明るさを判定してその判定結果に基いて、基板電圧制御手段からの制御信号で、自動的に固体撮像素子の基板電圧が制御される。この基板電圧の制御でオーバーフローバリアが下げられ、ブルーミングが抑制される。
本発明に係る固体撮像装置によれば、特にCMOS型の固体撮像装置において、よりブルーミングを抑制することができる。
本発明に係る制御システムによれば、特にCMOS型の固体撮像素子を備えた制御システムにおいて、被写体の明るさに応じて自動的にブルーミングを抑制することができる。
本発明に係る実施の形態は、基板電圧制御回路をもつシステムを特徴とする。そして、本実施の形態は、自動露出時間検出器(以下、AE:Auto Exposerという)で明るさ(明るい/暗い)を判定し露光時間調整後、(1)平均出力が低く暗いと判断できるときには一律に、(2)光量が多いときには飽和電荷量(例えば電子量)に達した時点で、基板制御回路を用いて基板電源を昇圧させ、オーバーフローバリアを低くすることを特徴とする。または、本実施の形態は、モード選択に対応して、基板電圧制御回路を用いて基板電源を昇圧させ、オーバーフローバリアを低くすることを特徴とする。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳述する。
図1に、本発明に適用される固体撮像装置、すなわちCMOS固体撮像装置(イメージセンサ)の一実施の形態の概略構成を示す。本実施の形態に係る固体撮像装置1は、半導体基板例えばシリコン基板上に、複数の光電変換部を含む画素2が規則的に2次元アレイ状に配列された撮像領域3と、その周辺回路としての垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を有して構成される。
図2は、画素2の一例の等価回路図である。画素2は、光電変換部を構成する例えばフォトダイオード21と、このフォトダイオード21での光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部となるMOSトランジスタを含んで成る。すなわち、画素21は、フォトダイオード21と複数のMOSトランジスタを有して構成される。複数のMOSトランジスタは、例えばnチャネルMOSトランジスタにより形成され、フォトダイオード21の電荷をフローティング・ディフージョン部FDに転送する転送トランジスタ22、フローティング・ディフージョン部FDの電位をリセットするリセットトランジスタ23、フォトダイオード21で生成された電荷を画素信号に変換する増幅トランジスタ24、及び選択トランジスタ25で構成される。フローティング・ディフージョン部FDは、後述の画素断面構造で示すように、転送トランジスタ22のドレイン領域で構成される。
制御回路8は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基いて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6などの動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成し、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6等に入力する。
垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、撮像領域3の各画素2を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線9を通して各画素2の光電変換部(フォトダイオード)21において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号をカラム信号処理回路5に供給する。
カラム信号処理回路5は、画素2の例えば列ごとに配置されており、1行分の画素2から出力される信号を画素列ごとに黒基準画素(図示しないが、有効画素領域の周囲に形成される)からの信号によってノイズ除去や信号増幅等の信号処理を行う。カラム信号処理回路5の出力段には、水平選択スイッチ(図示せず)が水平信号線10との間に接続されて設けられる。
水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から画素信号を水平信号線10に出力させる。
出力回路7は、カラム信号処理回路5の各々から水平信号線10を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。
図3は、画素2の要部の模式的断面図である。この画素2では、第1導電型の本例ではn型のシリコン基板100に、第2導電型の本例ではp型の第1半導体ウェル領域(いわゆるp型センサウェル領域)101、p型の第2半導体ウェル領域102が形成され、このp型第2半導体ウェル領域102にフォトダイオード(PD)21と、複数のMOSトランジスタ(図では転送トランジスタ22のみを示す)とが形成される。フォトダイオード21は、電荷を蓄積するn型半導体領域103と、その表面にp+ アキュミュレーション層104とを有するHAD(Hole Accumulation Diode)センサとして構成される。転送トランジスタ22は、フローティング・ディフージョン(FD)となるn型半導体領域(ドレインに相当)105と、フォトダイオード21のn型半導体領域103(ソースに相当)と、ゲート絶縁膜106を介して形成したゲート電極107とから構成される。
p型第1半導体ウェル領域101は低濃度(p− )であり、p型第2半導体ウェル領域102は第1半導体ウェル領域101よりも高濃度(p+ )である。このp型第1半導体ウェル領域102の不純物濃度によって、基板厚み方向でのオーバーフローバリアが調整される。
なお、図示しないが、基板100の上方には、層間絶縁膜を介して多層配線層が形成され、その上に平坦化膜を介してカラーフィルタ、さらにその上にオンチップレンズが形成される。
〔第1実施の形態〕
本実施の形態に係る固体撮像装置は、図1、図3に示す固体撮像装置1において、シリコン基板100の基板電圧Vを制御する制御手段、すなわち制御回路を有し、この制御回路を介して基板で圧Vを制御してブルーミングを抑制するようになす。すなわち、基板電圧Vを昇圧することにより、p型第1半導体ウェル領域101におけるオーバーフローバリア閾値を下げ、オーバーフローバリア閾値を越える電荷、本例では電子を基板100側に逃がす。これにり、ブルーミングを抑制することができる。
半導体基板100には、撮像領域3の周辺回路でアナログ回路、デジタル回路を駆動する電源である、いわゆるCMOSアナログ/デジタル電源と同じ電源から初期設定電圧が与えられる。本実施の形態では、この初期設定電圧を基準に基板電圧を昇圧させてオーバーフローベリア閾値を低くしブルーミング制御を行う。
図4及び図5に、n型基板100の基板電源と基板厚み方向のオーバーフローバリアの関係を示す。両図共に、図3のAーA線上(フォトダイオード21を通り、基板厚み方向に沿う線上)のポテンシャル分布を示す。図4は、p型第1半導体ウェル領域101の不純物濃度が濃い場合、図5はp型第1半導体ウェル領域101の不純物濃度が薄い場合である。
また、図6は、図3のB−B線上(フォトダイオード21、ゲート部及びフローティング・ディフージョン部を通る横方向に沿う線上)の断面ポテンシャル図である。ゲート部がオフ状態のポテンシャル図であり、ゲート部下のポテンシャル電位φ5は、図4及び図5のオーバーフローバリアφ1〜φ4より高く形成される。本実施の形態では、φ5の値とφ1〜φ4の値に差をつけている(すなわち、縦方向のオーバーフローバリアと横方向のオーバーフローバリアに差を付けている)ので、不要電荷が隣接画素へ漏れ込むことが少ない。
例えばCMOSセンサの場合、基板電圧Vを、通常のCMOSアナログ/ロッジク基板印加電源(2〜5V)からCCDセンサと同等の10〜15V程度に制御すると、オーバーフローバリアがφ1、φ3からφ2、φ4に低くなる。φ1、φ2、φ3、φ4は、V_Maxの変極点の最大値である。なお、p型第1半導体ウェル領域101の濃度が高い場合(図4)には、p型第1半導体ウェル領域101とn型基板100の境界付近のポテンシャル電位が高くなるので、オーバーフローバリアを下げるためには、より高い電圧を掛ける必要がある。
〔第2実施の形態〕
本実施の形態に係る固体撮像装置は、図1、図3に示す固体撮像装置1において、被写体の明るさを判定し、基板電圧を輝度に対応して制御し、ブルーミングを抑制するようになす。例えば、撮像カメラに内蔵されているAEで被写体の明るさ(明るい/暗い)を判定し、露光時間調整後に、基板電圧Vを輝度に対応して変化させるようになす。
図7に光量と基板電圧の関係図を示し、図8に電子数(電荷量)と光量の関係を示す。AEで明るさ(明るい/暗い)を判定し露光時間を調整後、有効画素領域からの平均出力が低く、「暗い」と判断できる場合(図7の光量Aより光量が少ない領域31に相当する)には一律に、基板電源を昇圧させ、オーバーフローバリアを低くする。例えば、撮影モードに対応して基板電圧を上げてオーバーフローバリアを低くする。すなわち、CMOSセンサを用いて、夜景モードで星空(暗時の輝点が存在する)を撮影した場合(図9参照)、基板電源を昇圧させると、輝度部分から隣接画素へのブルーミングは少なくなり、鮮明な画像になる。また、光量が多い場合(図7の領域32に相当する)は、飽和電子量に達した時点(図7、図8のA点)で、制御回路すなわち基板電圧制御回路を用いて基板電源を昇圧させ、すなわち図7の初期設定電圧V0(CMOSアナログ/デジタル電源と同じ)より昇圧させ、オーバーフローバリアを低くする。これにより、ブルーミングが抑制される。
図8に示すように、赤(R),緑(G),青(B)の色光に応じて飽和電子量に達する蓄積時間が異なる。光量が多い場合には、ある一色、本例では先に達する赤(R)が飽和電子量に達した時点Aで、制御回路を動作させることにより、ブルーミングによる混色防止ができる。
本実施の形態に係る固体撮像装置では、図7の光量Aよりも光量が少ない暗い被写体の撮影時だけに、その輝度に応じて基板電圧を初期設定電圧よりも昇圧してオーバーフローバリアを低くし、ブルーミングを制御するように構成することもできる。あるいは、本実施の形態に係る固体撮像装置では、図7の光量Aよりも光量が少ない領域(暗い被写体)から光量Aよりも光量が多い領域(明るい被写体)の全光量域における被写体の明るさ(明るい/暗い)に対応して基板電圧を昇圧してオーバーフローバリアを低くし、ブルーミングを抑制するように構成することもできる。
〔第3実施の形態〕
図10に、本実施の形態に係る制御装置(制御システ)を備えた固体撮像装置を示す。本実施の形態に係る固体撮像装置41は、固体撮像装置本体(図1の固体撮像装置1に相当)42と、固体撮像装置本体42からの出力を記憶するメモリ回路43と、メモリ回路からの信号を画像処理する画像処理回路44と、固体撮像装置本体42からの出力で被写体の明るさを判定する判定手段、すなわち明るさ判定回路45と、明るさ判定回路45の判定結果に基いて基板電圧を制御する基板電圧制御手段、すなわち基板電圧制御回路46とを備えて成る。固体撮像装置本体42は、図1の撮像領域3、カラム信号処理回路5、水平信号線10及び出力回路7などに対応するCMOSセンサ部47と、図1の垂直駆動回路4、水平駆動回路6、制御回路8などに対応する通常制御回路48で構成される。本実施の形態の固体撮像装置41は、1チップ49で構成される。
本実施の形態では、固体撮像装置本体42からの出力信号が一旦メモリ回路43に格納される。そして、メモリ回路43からの出力信号が画像処理回路44で画像処理されて出力される。一方、固体撮像装置本体42の出力信号が明るさ判定回路45に入力され、出力信号に応じて明るさ、すなわち輝度が判定される。その判定結果は基板電圧制御回路46に入力され、この回路46で輝度に対応した制御信号が出力される。基板電圧制御回路46で得られた制御信号は、基板電源にフィードバックされ、基板電源電圧を制御して、固体撮像装置本体42の基板電圧を制御する。これにより、輝度に応じてオーバーフローバリアが制御され、ブルーミング抑制がなされる。基板電源は独立印加であるため、基板電圧のみを制御することは可能である。
図11に、制御装置(制御システム)を備えた固体撮像装置の変形例を示す。本変形例の固体撮像装置51は、CMOSセンサ部47及び通常制御回路48を備えた固体撮像装置本体42を1つのチップ52に形成し、その他のDSP(Digtal Signal
Processor)を構成する、メモリ回路43、画像処理回路44、明るさの判定回路45及び基板電圧制御回路46を纏めて他の1つのチップ53に形成して、2チップ(52、53)で構成する。制御動作は、前述の図10と同様であるので、重複説明を省略する。
図12に、制御装置(制御システム)を備えた固体撮像装置の変形例を示す。本変形例の固体撮像装置55は、CMOSセンサ部47及び通常制御回路48を備えた固体撮像装置本体42と、明るさの判定回路45及び基板電圧制御回路46とを1つのチップ56に形成し、その他のメモリ回路43及び画像処理回路44を他の1つのチップ57に形成して、2チップ(56、57)で構成する。制御動作は、前述の図10と同様であるので、重複説明を省略する。
明るさの判定では、画素の信号量をデジタル化して、そのデジタル値で明るさ(光量)の判定を行うのが望ましい。すなわち、画素信号をカラムADC(A/Dコンバータ)でデジタル化し、カラムADCで明るさの判定を行うこともできる。デジタル値の方が判定し易い利点がある。
これらの固体撮像装置41、51、55は、光学レンズ系と組合せて、例えば撮像カメラあるいはカメラ機能を有する電子機器に適用される、カメラモジュールあるいは電子機器モジュールとして構成することができる。
上述の固体撮像装置41、51、55を動画撮影に適用した場合は、固体撮像装置本体42から得られる1フレーム前あるいは数フレーム前の1フレームの出力、あるいは数フレーム(複数フレーム)分の平均出力、好ましくは1フレーム前の1フレーム出力を用いて、明るさの判定回路45において光量を判断し、基板電源電圧を輝度に対応して制御させるようになす。1フレーム前の1フレーム出力で光量を判断するときは、時間的なずれが最も小さく、被写体の位置ずれが少ないので、現状フレームに最も類似した光量となり、高精度に明るさの判定が得られる。
AEで明るさ(明るい/暗い)を判定する際には、有効画素領域全域の平均出力から得るか、あるいは有効画素領域を複数分割し、そのうちの1つの分割領域の平均出力、或いはそのうちの複数分の分割領域の平均出力を用いて判定することができる。この判定結果に基いて基板電源電圧を輝度に対応して制御する。なお、1フレームの走査が始まって途中で光量を検出する、すなわち走査中の前半の光量を検出して明るさの判定に用いることも可能である。
静止画の場合は、被写体の位置ずれがないので、複数フレーム分の平均出力を用いる方が、より正確に明るさの判定ができる。
光量の判定には2通りある。第1の方法は、ある値に設定してその基準の値との比較で光量を判定する方法。第2の方法は、1つ前のフレームの光量と比較して光量を判定する方法。
〔第4実施の形態〕
本実施の形態に係る固体撮像装置は、基板電流をモニタして、その基板電流に応じて基板電圧を制御するようになす。すなわち、ある画素が飽和電荷量(電子量)に達しオーバーフローした場合を検知する方法として、基板電流をモニタし、基板電流が検知できた時点で基板電圧を昇圧させるように基板電圧を制御することができる。この基板電流は、電荷(電子)が基板側に流れることによる電流である。この基板電流が増えた時点で基板電圧を変えることになる。
〔第5実施の形態〕
本実施の形態に係る固体撮像装置は、基板電源をCMOSアナログ/ロジック電源よりも高い電圧に設定して構成する。CMOSセンサの場合、前述したように、CMOSアナログ/ロジック電源と基板電源など供給電源はすべて同一(例えば、3.3V,5.0Vなど)の印加電圧であることが一般的である。ところで、図13に示すように、予め基板電源(電圧)をCOSアナログ/ロジック電源(電圧)IIより高く、例えばCCDセンサの基板電源程度(10〜15V)の電圧Iに設定しておけば、ブルーミングを低減することができる。
上述した本発明の実施の形態によれば、暗時の輝点に隣接する箇所、あるいは明るい場所にある黒点など明暗差が大きい場合に、または飽和電荷量(例えば電子量)に達した場合に、基板電源を昇圧しオーバーフローバリアを下げることにより、混色の原因となるブルーミングを抑制することができ、明暗差が鮮明になる。また、電流印加はしないので、基板電源を昇圧させることによる消費電力の増大はない。
ところで、CMOSイメージセンサの製造方法は、CMOSトランジスタとCMOSセンサ部を同時に形成することにより製造しているが、MOSトランジスタの高速化に伴いゲート酸化膜が薄膜化し、電源電圧がさらに低電圧化する傾向にある。また、CMOSアナログ/ロッジク電源と基板電源の供給電源は、同一の印加電圧(例えば、3.3V、5.0Vなど)であることが一般的である。低電圧化すると前述の図4、図5に示すようにオーバーフローバリアが高くなる方向なのでブルーミングは起きやすくなる。そかし、上述した本実施の形態の基板電圧を上げてオーバーフローバリアを下げてブルーミングを制御する構成は、低電圧化に有効な手段となる。
本発明に適用される固体撮像装置の一実施の形態を示す概略構成図である。 図1の単位画素の一例を示す等価回路図である。 図1の単位画素の一例を示す要部の断面図である。 本発明の実施の形態の説明に供する基板電圧とオーバーフローバリアの関係を示すポテンシャル分布図である。 本発明の実施の形態の説明に供する基板電圧とオーバーフローバリアの関係を示すポテンシャル分布図である。 図3のB−B線上の断面ポテンシャル図である。 本発明の実施の形態の説明に供する光量と基板電圧の関係を示す説明図である。 本発明の実施の形態の説明に供する電子数と蓄積時間の関係を示す説明図である。 本発明の実施の形態の説明に供する暗時の輝点を示す説明図である。 本発明の実施の形態に係る制御システムを備えた固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。 本発明の実施の形態に係る制御システムを備えた固体撮像装置の他の例を示す概略構成図である。 本発明の実施の形態に係る制御システムを備えた固体撮像装置の更に他の例を示す概略構成図である。 本発明の実施の形態の説明に供する光量と基板電圧の関係を示す説明図である。
符号の説明
1・・固体撮像装置、2・・画素、3・・撮像領域、4・・垂直駆動回路、5・・カラム信号処理回路、6・・水平駆動回路、7・・出力回路、8・・制御回路、9・・垂直信号線、10・・水平信号線、41、51、55・・固体撮像装置、42・・固体撮像装置本体43・・メモリ回路、44・・画像処理回路、45・・明るさ判定回路、46・・基板電圧制御回路、47・・CMOSセンサ、48・・通常制御回路49、52、53、56、57・・チップ、100・・半導体基板、101・・第1半導体ウェル領域、102・・第2半導体ウェル領域、21・・フォトダイオード、22・・転送トランジスタ、103・・n型半導体領域、104・・アキュミュレーション層、105・・フローティング・ディフージョン部、106・・ゲート絶縁膜、107・・ゲート電極

Claims (16)

  1. 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
    前記画素は、光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
    前記半導体基板の基板電圧を制御してブルーミングを抑制する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 被写体の明るさを判定し、前記基板電圧を輝度に対応して制御する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 第1導電型の前記半導体基板に形成された第2導電型の半導体ウェル領域と、
    前記半導体ウェル領域内に形成された前記光電変換部を有し、
    被写体の明るさを判定し、前記基板電圧を輝度に応じて制御する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  4. 被写体の明るさを有効画素領域全域の平均出力から判定し、前記基板電圧を輝度に対応して制御する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  5. 被写体の明るさを有効画素領域を分割した所要の分割領域の平均出力から判定し、前記基板電圧を制御する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  6. 輝点が存在する暗い被写体を撮影するモード選択に対応して、前記基板電圧を制御する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  7. 有効画素領域からの平均出力から暗い被写体と判定したとき、一律に前記基板電圧を昇圧さてオーバーフローバリアを低くする
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  8. 入射光量が多い場合、飽和電荷量に達した時点で制御回路により前記基板電圧を昇圧さてオーバーフローバリアを低くする
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  9. 入射光量が多い場合、ある一色が飽和電荷量に達した後、制御回路により前記基板電圧を昇圧させてオーバーフローバリアを低くする
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  10. 動画撮影において、1フレームあるいは数フレーム前の1フレーム出力、あるいは数フレーム分の平均出力を用いて光量を判定し、輝度に対応して前記基板電圧を制御する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  11. 基板電流を検知し、該基板電流に応じて前記基板電圧を昇圧側に制御する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  12. 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
    前記画素は、光電変換部と、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
    暗い被写体の撮影時に、輝度に応じて前記基板電圧を初期設定電圧より昇圧してオーバーフローバリアを低く制御する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  13. 前記暗い被写体が、輝点が存在する暗い被写体である
    ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。
  14. 前記初期設定電圧は、撮像領域の周辺回路のCMOSアナログ/ロジック電源と同じ電源で与えられる
    ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。
  15. 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
    前記画素は、光電変換部と、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
    被写体の明るさに応じて基板電圧を昇圧してオーバーフローバリアを低く制御する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  16. 固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置の出力信号を処理する画像処理手段と、
    前記固体撮像装置からの出力信号により被写体の明るさを判定する判定手段と、
    前記判定回路からの判定結果に基づき基板電圧を制御する基板電圧制御手段とを有し、
    被写体の明るさに対応して前記基板電圧制御手段からの制御信号により、前記固体撮像装置の基板電圧を制御する
    ことを特徴とする制御システム。
JP2006198635A 2006-07-20 2006-07-20 固体撮像装置、及び制御システム Expired - Fee Related JP5125010B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006198635A JP5125010B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 固体撮像装置、及び制御システム
US11/879,444 US8735952B2 (en) 2006-07-20 2007-07-17 Solid-state imaging device and control system
US14/253,576 US9749505B2 (en) 2006-07-20 2014-04-15 Solid-state imaging device and control system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006198635A JP5125010B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 固体撮像装置、及び制御システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008028677A true JP2008028677A (ja) 2008-02-07
JP2008028677A5 JP2008028677A5 (ja) 2009-08-27
JP5125010B2 JP5125010B2 (ja) 2013-01-23

Family

ID=38970616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006198635A Expired - Fee Related JP5125010B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 固体撮像装置、及び制御システム

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8735952B2 (ja)
JP (1) JP5125010B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010263440A (ja) * 2009-05-07 2010-11-18 Canon Inc 撮像装置、撮像装置の制御方法、及びプログラム
JP2011107628A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hoya Corp 焦点検出装置
US8653620B2 (en) 2010-12-08 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Back side illumination type solid state imaging device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2109143B1 (en) * 2008-04-09 2013-05-29 Sony Corporation Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device
US8093541B2 (en) 2008-06-05 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Anti-blooming protection of pixels in a pixel array for multiple scaling modes
US20140299273A1 (en) * 2013-04-08 2014-10-09 Lam Research Corporation Multi-segment electrode assembly and methods therefor
JP6282080B2 (ja) * 2013-10-30 2018-02-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6529387B2 (ja) * 2015-08-25 2019-06-12 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223156A (ja) * 1985-07-24 1987-01-31 Hitachi Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JPH11150680A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光制御装置
JP2003142677A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Sony Corp 固体撮像装置
JP2003153084A (ja) * 2001-11-08 2003-05-23 Sony Corp 固体撮像素子の制御装置および制御方法
JP2003218344A (ja) * 2002-01-28 2003-07-31 Sony Corp 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法
JP2004147208A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Olympus Corp 電子カメラ
JP2004221339A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
JP2005311733A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Olympus Corp 画像補正装置、画像補正方法、及びプログラム
JP2006108379A (ja) * 2004-10-05 2006-04-20 Sony Corp 固体撮像素子及びその駆動方法
JP2006147758A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3934161A (en) * 1974-04-29 1976-01-20 Texas Instruments Incorporated Electronic shutter for a charge-coupled imager
US4306785A (en) * 1979-02-01 1981-12-22 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Camera exposure time control circuit
JPH0723774Y2 (ja) * 1988-01-25 1995-05-31 富士写真フイルム株式会社 カメラ
JP2720478B2 (ja) * 1988-10-18 1998-03-04 株式会社ニコン 縦型オーバーフロードレインを備える固体撮像素子を用いた測光装置
JPH0377486A (ja) * 1989-08-18 1991-04-03 Matsushita Electron Corp 電荷転送型固体撮像装置
US5978024A (en) * 1994-04-15 1999-11-02 Lg Semicon Co., Ltd. Auto variable anti-blooming bias control circuit and method
US5751354A (en) * 1994-04-28 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus and method with exposure performed based on focus evaluation values
JPH09139486A (ja) 1995-11-16 1997-05-27 Sony Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法
US6452633B1 (en) * 1998-02-26 2002-09-17 Foveon, Inc. Exposure control in electronic cameras by detecting overflow from active pixels
US6778214B1 (en) * 1998-03-04 2004-08-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Charge generation of solid state image pickup device
JP4307602B2 (ja) * 1998-11-24 2009-08-05 オリンパス株式会社 撮像装置及び撮像装置の動作モード設定方法
US6947089B1 (en) * 1999-05-14 2005-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
US20060033831A1 (en) * 1999-09-14 2006-02-16 Nikon Corporation Electronic still camera
US7102680B2 (en) * 2000-03-13 2006-09-05 Olympus Corporation Image pickup device capable of adjusting the overflow level of the sensor based on the read out mode
US20020171752A1 (en) * 2001-05-18 2002-11-21 Baer Richard L. Apparatus and method for reducing saturation artifacts in digital images captured using frame-transfer CCD sensor with reduced-height storage area
US7292274B2 (en) * 2001-11-06 2007-11-06 Eastman Kodak Company Solid-state image pickup device driving method and image capturing apparatus for outputting high-resolution signals for still images and moving images of improved quality at a high frame rate
US6768784B1 (en) * 2001-11-07 2004-07-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray image enhancement
JP2003333416A (ja) * 2002-05-17 2003-11-21 Minolta Co Ltd デジタルカメラ
US7365785B2 (en) * 2002-10-11 2008-04-29 Olympus Corporation Electronic camera
JP3878575B2 (ja) * 2003-04-28 2007-02-07 松下電器産業株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
CN1820295A (zh) * 2003-05-07 2006-08-16 东芝松下显示技术有限公司 El显示装置及其驱动方法
JP3838222B2 (ja) * 2003-05-30 2006-10-25 コニカミノルタフォトイメージング株式会社 撮像装置
JP2005020472A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd 固体撮像素子の個体情報設定方法、及び固体撮像素子、撮像装置
US20050083421A1 (en) * 2003-10-16 2005-04-21 Vladimir Berezin Dynamic range enlargement in CMOS image sensors
JP2005130045A (ja) * 2003-10-21 2005-05-19 Konica Minolta Photo Imaging Inc 撮像装置及びこれに用いる撮像素子
JP4184930B2 (ja) * 2003-11-19 2008-11-19 株式会社リコー 撮像装置および撮像方法および記録媒体
JP2005167598A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、固体撮像装置を駆動する駆動装置、駆動方法、及び、固体撮像システム
US7496293B2 (en) * 2004-01-14 2009-02-24 Elbit Systems Ltd. Versatile camera for various visibility conditions
CN1670962A (zh) * 2004-03-17 2005-09-21 三洋电机株式会社 电荷耦合元件的电压控制装置及控制方法
JP4530961B2 (ja) * 2005-06-30 2010-08-25 オリンパスイメージング株式会社 電子的ぶれ補正装置
JP2007036609A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の駆動方法および固体撮像装置
JP5046355B2 (ja) * 2005-12-26 2012-10-10 東北パイオニア株式会社 映像信号の表示制御装置および表示制御方法
JP2008036220A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置及びそれを用いた内視鏡装置
US7969490B2 (en) * 2006-08-25 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Method, apparatus, and system providing an imager with pixels having extended dynamic range
JP4984981B2 (ja) * 2007-03-08 2012-07-25 ソニー株式会社 撮像方法および撮像装置並びに駆動装置
CN101472076B (zh) * 2007-12-28 2010-09-29 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像拍摄装置及其拍摄控制方法
CN101534395B (zh) * 2008-03-14 2011-02-02 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 屏幕亮度调节系统和方法
US8130294B2 (en) * 2008-12-08 2012-03-06 BAE Systems Imaging Solutions, Inc. Imaging array with non-linear light response
JP2012195734A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Sony Corp 固体撮像装置、撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の駆動方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223156A (ja) * 1985-07-24 1987-01-31 Hitachi Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JPH11150680A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光制御装置
JP2003142677A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Sony Corp 固体撮像装置
JP2003153084A (ja) * 2001-11-08 2003-05-23 Sony Corp 固体撮像素子の制御装置および制御方法
JP2003218344A (ja) * 2002-01-28 2003-07-31 Sony Corp 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法
JP2004147208A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Olympus Corp 電子カメラ
JP2004221339A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
JP2005311733A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Olympus Corp 画像補正装置、画像補正方法、及びプログラム
JP2006108379A (ja) * 2004-10-05 2006-04-20 Sony Corp 固体撮像素子及びその駆動方法
JP2006147758A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010263440A (ja) * 2009-05-07 2010-11-18 Canon Inc 撮像装置、撮像装置の制御方法、及びプログラム
JP2011107628A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hoya Corp 焦点検出装置
US8653620B2 (en) 2010-12-08 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Back side illumination type solid state imaging device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5125010B2 (ja) 2013-01-23
US20140226051A1 (en) 2014-08-14
US8735952B2 (en) 2014-05-27
US20080017901A1 (en) 2008-01-24
US9749505B2 (en) 2017-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI661544B (zh) 用於發光二極體之無閃爍偵測的每像素具有雙浮動擴散之cmos影像感測器
US8901618B2 (en) Solid-state image pickup element, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP5125010B2 (ja) 固体撮像装置、及び制御システム
KR101162555B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 제어 방법
US8902341B2 (en) Solid-state imaging device, driving method of solid-state imaging device, and electronic apparatus
US7619670B2 (en) Rolling shutter for prevention of blooming
US10250828B1 (en) Global shutter image sensor with anti-blooming pixel and knee point self-calibration
US20120085888A1 (en) Back-side illuminated solid-state imaging device
US7268331B2 (en) Solid-state imaging device, method for driving the same, and camera
US9986191B2 (en) Image capturing apparatus and image capturing system
JP2006074009A (ja) 固体撮像装置及び同固体撮像装置を用いたカメラ
JP2009268083A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
US20180240840A1 (en) Solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus
JP2007329658A (ja) 撮像装置及び撮像装置の駆動方法
JP2009032950A (ja) 固体撮像装置
JP2023054013A (ja) 撮像装置およびカメラシステム、ならびに、撮像装置の駆動方法
US11683600B2 (en) Solid-state imaging apparatus, imaging apparatus, and imaging method
US7388611B2 (en) Solid-state image-taking apparatus, solid-state image-taking system, and apparatus and method for driving the solid-state image-taking apparatus
US20080087925A1 (en) Solid-State Imaging Device and Method for Driving the Same
US20220368842A1 (en) Imaging device and image processing method
JP2006197425A (ja) 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および撮像装置
US10091449B2 (en) Imaging device and imaging system capable of performing a global electronic shutter operation
JP2008177593A (ja) 固体撮像素子及びカメラ装置
JP6598941B2 (ja) 撮像装置、および、撮像システム
JP2004112474A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090709

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090709

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111108

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120227

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120306

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121002

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121015

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees