JP2008028677A - 固体撮像装置、及び制御システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域と半導体基板の基板電圧を制御する制御手段を有し、画素は、光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、半導体基板の基板電圧を上げてブルーミングを抑制する。
【選択図】図5
Description
本発明は、特に、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部を画素内に含む固体撮像装置、例えばCMOSセンサ等に関する。ここで、CMOSセンサとは、CMOSプロセスを応用して、又は部分的に使用して作製されたセンサである。
また、固体撮像装置の形態としては、ワンチップで構成されたもの、あるいは複数のチップから構成されたものであっても良い。
ここで、半導体基板の初期設定電圧は、周辺回路のアナルク回路、デジタル回路を駆動する電源、いわゆるCMOSアナログ/デジタル電源と同じ電源で与えられる。
出力回路7は、カラム信号処理回路5の各々から水平信号線10を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。
本実施の形態に係る固体撮像装置は、図1、図3に示す固体撮像装置1において、シリコン基板100の基板電圧Vを制御する制御手段、すなわち制御回路を有し、この制御回路を介して基板で圧Vを制御してブルーミングを抑制するようになす。すなわち、基板電圧Vを昇圧することにより、p型第1半導体ウェル領域101におけるオーバーフローバリア閾値を下げ、オーバーフローバリア閾値を越える電荷、本例では電子を基板100側に逃がす。これにり、ブルーミングを抑制することができる。
本実施の形態に係る固体撮像装置は、図1、図3に示す固体撮像装置1において、被写体の明るさを判定し、基板電圧を輝度に対応して制御し、ブルーミングを抑制するようになす。例えば、撮像カメラに内蔵されているAEで被写体の明るさ(明るい/暗い)を判定し、露光時間調整後に、基板電圧Vを輝度に対応して変化させるようになす。
図10に、本実施の形態に係る制御装置(制御システ)を備えた固体撮像装置を示す。本実施の形態に係る固体撮像装置41は、固体撮像装置本体(図1の固体撮像装置1に相当)42と、固体撮像装置本体42からの出力を記憶するメモリ回路43と、メモリ回路からの信号を画像処理する画像処理回路44と、固体撮像装置本体42からの出力で被写体の明るさを判定する判定手段、すなわち明るさ判定回路45と、明るさ判定回路45の判定結果に基いて基板電圧を制御する基板電圧制御手段、すなわち基板電圧制御回路46とを備えて成る。固体撮像装置本体42は、図1の撮像領域3、カラム信号処理回路5、水平信号線10及び出力回路7などに対応するCMOSセンサ部47と、図1の垂直駆動回路4、水平駆動回路6、制御回路8などに対応する通常制御回路48で構成される。本実施の形態の固体撮像装置41は、1チップ49で構成される。
Processor)を構成する、メモリ回路43、画像処理回路44、明るさの判定回路45及び基板電圧制御回路46を纏めて他の1つのチップ53に形成して、2チップ(52、53)で構成する。制御動作は、前述の図10と同様であるので、重複説明を省略する。
本実施の形態に係る固体撮像装置は、基板電流をモニタして、その基板電流に応じて基板電圧を制御するようになす。すなわち、ある画素が飽和電荷量(電子量)に達しオーバーフローした場合を検知する方法として、基板電流をモニタし、基板電流が検知できた時点で基板電圧を昇圧させるように基板電圧を制御することができる。この基板電流は、電荷(電子)が基板側に流れることによる電流である。この基板電流が増えた時点で基板電圧を変えることになる。
本実施の形態に係る固体撮像装置は、基板電源をCMOSアナログ/ロジック電源よりも高い電圧に設定して構成する。CMOSセンサの場合、前述したように、CMOSアナログ/ロジック電源と基板電源など供給電源はすべて同一(例えば、3.3V,5.0Vなど)の印加電圧であることが一般的である。ところで、図13に示すように、予め基板電源(電圧)をCOSアナログ/ロジック電源(電圧)IIより高く、例えばCCDセンサの基板電源程度(10〜15V)の電圧Iに設定しておけば、ブルーミングを低減することができる。
Claims (16)
- 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
前記画素は、光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
前記半導体基板の基板電圧を制御してブルーミングを抑制する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 被写体の明るさを判定し、前記基板電圧を輝度に対応して制御する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 第1導電型の前記半導体基板に形成された第2導電型の半導体ウェル領域と、
前記半導体ウェル領域内に形成された前記光電変換部を有し、
被写体の明るさを判定し、前記基板電圧を輝度に応じて制御する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 被写体の明るさを有効画素領域全域の平均出力から判定し、前記基板電圧を輝度に対応して制御する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 被写体の明るさを有効画素領域を分割した所要の分割領域の平均出力から判定し、前記基板電圧を制御する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 輝点が存在する暗い被写体を撮影するモード選択に対応して、前記基板電圧を制御する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 有効画素領域からの平均出力から暗い被写体と判定したとき、一律に前記基板電圧を昇圧さてオーバーフローバリアを低くする
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 入射光量が多い場合、飽和電荷量に達した時点で制御回路により前記基板電圧を昇圧さてオーバーフローバリアを低くする
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 入射光量が多い場合、ある一色が飽和電荷量に達した後、制御回路により前記基板電圧を昇圧させてオーバーフローバリアを低くする
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 動画撮影において、1フレームあるいは数フレーム前の1フレーム出力、あるいは数フレーム分の平均出力を用いて光量を判定し、輝度に対応して前記基板電圧を制御する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 基板電流を検知し、該基板電流に応じて前記基板電圧を昇圧側に制御する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
前記画素は、光電変換部と、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
暗い被写体の撮影時に、輝度に応じて前記基板電圧を初期設定電圧より昇圧してオーバーフローバリアを低く制御する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記暗い被写体が、輝点が存在する暗い被写体である
ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。 - 前記初期設定電圧は、撮像領域の周辺回路のCMOSアナログ/ロジック電源と同じ電源で与えられる
ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。 - 半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
前記画素は、光電変換部と、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
被写体の明るさに応じて基板電圧を昇圧してオーバーフローバリアを低く制御する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する画像処理手段と、
前記固体撮像装置からの出力信号により被写体の明るさを判定する判定手段と、
前記判定回路からの判定結果に基づき基板電圧を制御する基板電圧制御手段とを有し、
被写体の明るさに対応して前記基板電圧制御手段からの制御信号により、前記固体撮像装置の基板電圧を制御する
ことを特徴とする制御システム。
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