JP2008016777A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】デバイスの信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】複数の素子分離絶縁膜4がシリコン基板2の上面側から上方に向けて先細り形状となる凸部4aを備えており、この凸部4aが複数の第1および第2の導電層6および7を分離している。また第2の導電層7は、その側壁面7aが第1の導電層6および素子分離絶縁膜4の側壁面4d間の界面と不一致となるように形成されている。第2の導電層7の側壁面7aに形成された第2のゲート絶縁膜8を除去するのに長時間を要したとしても素子分離絶縁膜4の上部が除去されるだけであり、エッチング処理の影響がシリコン基板2にまで至ることを防止できる。
【選択図】図3
【解決手段】複数の素子分離絶縁膜4がシリコン基板2の上面側から上方に向けて先細り形状となる凸部4aを備えており、この凸部4aが複数の第1および第2の導電層6および7を分離している。また第2の導電層7は、その側壁面7aが第1の導電層6および素子分離絶縁膜4の側壁面4d間の界面と不一致となるように形成されている。第2の導電層7の側壁面7aに形成された第2のゲート絶縁膜8を除去するのに長時間を要したとしても素子分離絶縁膜4の上部が除去されるだけであり、エッチング処理の影響がシリコン基板2にまで至ることを防止できる。
【選択図】図3
Description
本発明は、積層ゲート構造を備えた半導体装置およびその製造方法に関する。
積層ゲート構造を有するメモリセルトランジスタからなる不揮発性半導体記憶装置として、積層ゲート構造の下層側のフローティングゲート電極を凸型形状にしたものがある(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1に記載されるメモリセルトランジスタによれば、フローティングゲート電極の側面に形成される電極間絶縁膜で規定される面と素子分離絶縁膜の側面が一致していない構造をとっている。すなわち、フローティングゲート電極の側面に形成された電極間絶縁膜の下地として多結晶シリコン層が存在している。また、特許文献1に記載されるメモリセルトランジスタにおける下層側のフローティングゲート電極の側面は、半導体基板表面から垂直にかつ素子分離絶縁膜の側面と整合して形成されている。
素子の微細化に伴い、反応性イオンエッチング(RIE)法にてワード線方向に沿ってゲート電極を分断するゲート電極加工プロセスの条件設定が厳しくなってきているが、特許文献1の構造によれば、フローティングゲート電極の側面に形成される電極間絶縁膜で規定される面の部分に限れば、多結晶シリコンと選択をとって十分なオーバーエッチングを行っても、半導体基板が削られることはない。
特開2004−22819号公報(段落0007等、図13〜図14)
しかし、特許文献1に開示されている構造では、ゲート電極加工プロセスにおいて電極間絶縁膜をRIE法にて除去するのに十分なオーバーエッチングを行おうとすると、下層側のフローティングゲート電極の側面に位置する素子分離絶縁膜をも除去されてしまう。この素子分離絶縁膜の除去により素子分離絶縁膜の基板表面からの高さが低くなりすぎると、その後のフローティングゲート電極の除去処理によってその影響が素子分離絶縁膜との界面に沿って半導体基板の内部にまで及ぼされてしまう虞がある。半導体基板の内部にまでエッチング処理の影響が及ぶとデバイス上の不具合を生じてしまう。
逆に、電極間絶縁膜のエッチング処理量が不足すると、ゲート電極分断領域において素子分離絶縁膜の側壁面にフローティングゲート電極の材料が残留し、ワード線方向に隣接したフローティングゲート電極がショートしてしまうという問題点があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、デバイスの信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の一態様は、半導体基板と、半導体基板を複数の素子形成領域に区画する複数の素子分離絶縁膜であって、それぞれ、上端部分が前記半導体基板の表面から上方に突出するように半導体基板に形成された溝に埋め込み形成されると共に上端部分における幅寸法が半導体基板の表面部分における幅寸法より狭く形成された複数の素子分離絶縁膜と、素子形成領域上に第1のゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極であって、素子分離絶縁膜の上端部の高さと一致する上面部を有し側壁面が半導体基板の表面から突出した素子分離絶縁膜の側壁面に整合するよう素子分離絶縁膜の間に形成された下側電極部と、この下側電極部の上面部の上に形成され幅寸法が下側電極部の幅寸法より狭く側壁面が素子分離絶縁膜の側壁面と不一致になるよう形成された上側電極部とを有する第1のゲート電極と、第1のゲート電極の下側電極部の上面および素子分離絶縁膜の上面ならびに第1のゲート電極の上側電極部の表面を覆うように形成された第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを備えたことを特徴としている。
本発明の半導体装置の製造方法の一態様は、半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、上部を第1の絶縁膜の上面より上方に突出させながら半導体基板の表面を所定のゲート幅方向に対して分断する複数の素子分離絶縁膜を形成する工程と、各素子分離絶縁膜の上端部の所定のゲート幅方向に対する幅寸法を、半導体基板の表面部分における所定のゲート幅方向に対する幅寸法より狭くする工程と、複数の素子分離絶縁膜間を埋め込むように半導体基板の表面に形成された第1のゲート絶縁膜上に第1の導電層を形成する工程と、ゲート幅方向の側壁面が半導体基板上側における素子分離絶縁膜の側壁面に対して不一致となるように第1の導電層の上に第2の導電層を形成する工程と、第2の導電層を覆うように第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、第2のゲート絶縁膜上に第3の導電層を形成する工程と、半導体基板面内の所定のゲート幅方向に沿って第3の導電層、第2のゲート絶縁膜、第2の導電層、第1の導電層を除去することでゲート幅方向の交差方向に対して第3の導電層、第2のゲート絶縁膜、第2の導電層、第1の導電層を複数に分断する工程とを備えたことを特徴としている。
本発明の半導体装置の製造方法の一態様は、半導体基板上に第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、このシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、このシリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、この第2のシリコン酸化膜上に第1のレジストを塗布し、この第1のレジストを所定パターンにパターンニングする工程と、このパターンニングされた第1のレジストをマスクに第2のシリコン酸化膜をエッチングし、このエッチングされた第2のシリコン酸化膜をマスクにシリコン窒化膜、第1のシリコン酸化膜および半導体基板をエッチングし、第1の方向に沿って複数の溝を形成する工程と、この溝に第3のシリコン酸化膜を埋め込む工程と、シリコン窒化膜をストッパとして、第2および第3のシリコン酸化膜を平坦化する工程と、ウエットエッチング処理により、平坦化工程により露出したシリコン窒化膜を除去すると共に、半導体基板の表面から突出した第3のシリコン酸化膜の側面を一部除去し、半導体基板の表面から突出した第3のシリコン酸化膜の上端部の幅寸法が半導体表面部分における第3のシリコン酸化膜の幅寸法より狭くなるよう形成する工程と、半導体基板の表面から突出した複数の第3のシリコン酸化膜間の半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、第1のゲート絶縁膜上の半導体基板の表面から突出した複数の第3のシリコン酸化膜間で規定される領域を第1の導電膜で埋め込む工程と、第3のシリコン酸化膜をストッパに第1の導電膜を平坦化する工程と、平坦化された第1の導電膜上に第2の導電膜を形成する工程と、第2の導電膜上にレジストを塗布しフォトリソグラフィ技術によりレジストをパターンニングし、このパターンニングされたレジストをマスクとして第2の導電層をエッチングし、第1の導電膜上に、側壁面の幅寸法が第1の導電層の幅寸法より狭い第2の導電膜を形成する工程と、第1および第2の導電膜上ならびに第3のシリコン酸化膜上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、この第2のゲート絶縁膜上に第3の導電膜を形成する工程と、第1の方向に交差する方向に沿って第3の導電膜、第2のゲート絶縁膜、第2の導電膜、第1の導電膜を除去し、前記第1の方向に前記第3の導電膜、第2のゲート絶縁膜、第2の導電膜、第1の導電膜を分断する工程とを備えたことを特徴としている。
本発明によれば、デバイスの信頼性を向上できる。
以下、本発明の半導体装置をNAND型のフラッシュメモリ装置に適用した一実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1はNAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域に形成されるメモリセルアレイの等価回路、図2は、図1の領域A1におけるメモリセルの構造を模式的に示した平面図である。図1に示すように、半導体装置としてのNAND型のフラッシュメモリ装置1において、そのメモリセルアレイArには、2個の選択ゲートトランジスタTrs間に隣接するもの同士でソース/ドレイン領域(図示せず)を共用して直列接続された複数個(例えば8個:2のn乗個(nは正数))のメモリセルトランジスタTrnからなるNANDセルユニットSUが行列状に形成されている。
図1はNAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域に形成されるメモリセルアレイの等価回路、図2は、図1の領域A1におけるメモリセルの構造を模式的に示した平面図である。図1に示すように、半導体装置としてのNAND型のフラッシュメモリ装置1において、そのメモリセルアレイArには、2個の選択ゲートトランジスタTrs間に隣接するもの同士でソース/ドレイン領域(図示せず)を共用して直列接続された複数個(例えば8個:2のn乗個(nは正数))のメモリセルトランジスタTrnからなるNANDセルユニットSUが行列状に形成されている。
図1中X方向(ワード線方向、ゲート幅方向に相当)に配列されたメモリセルトランジスタTrnは、ワード線(コントロールゲート線)WLで共通接続されている。また、図1中X方向に配列された選択ゲートトランジスタTrsは共通の選択ゲート線SLで共通接続されている。さらに、選択ゲートトランジスタTrsは、ビット線コンタクトCBを介して図1中X線に直交するY方向(ゲート幅方向の交差方向、ビット線方向に相当)に延びるビット線BLに接続されている。
複数のNANDセルユニットSUは、図2に示すように、STI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離領域Sbにより互いに分断されている。メモリセルトランジスタTrnは、Y軸方向に延びる素子形成領域(活性領域:アクティブエリア)Saと、X軸方向に所定間隔をもって形成されるY軸方向に延びるワード線WLとの交差部に位置して形成されている。
<フラッシュメモリ装置1のメモリセル領域Mにおけるゲート電極構造について>
以下、本実施形態に係る構造の特徴部分を中心に図3を参照しながら説明する。図3は、図2のC−C線に沿う切断面図を模式的に示している。
以下、本実施形態に係る構造の特徴部分を中心に図3を参照しながら説明する。図3は、図2のC−C線に沿う切断面図を模式的に示している。
フラッシュメモリ装置1は、半導体基板としてのp型のシリコン基板2に対してメモリセル領域Mおよび周辺回路領域(図示せず)の両領域に区画形成されている。以下、メモリセル領域Mに形成される積層ゲート電極構造について説明する。図3に示すように、シリコン基板2の表層には、複数の素子分離領域Sbに対して素子分離溝3が形成されている。この素子分離溝3に素子分離絶縁膜4が埋込まれている。この素子分離絶縁膜4は、隣接するフローティングゲート電極層FG間を電気的に分離するために設けられており、所謂STI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離領域Sbを構成している。
素子分離絶縁膜4は、シリコン基板2内の素子分離溝3に埋め込まれている。素子分離溝3に埋め込まれた素子分離絶縁膜4の上部は、当該シリコン基板2の表面から上方に突出するように形成され、シリコン基板2の上面から上方に向けて先細り形状となる凸部4aを備えている。凸部4aは、突出した素子分離絶縁膜4の上端部分のX方向(ワード線方向)の幅寸法が、素子分離絶縁膜4のシリコン基板2の表面部分におけるX方向の幅寸法より狭く形成されている。凸部4aの形状は、凸型形状の他、単峰状、山状、台形状、テーパ形状、もしくは外面が下に凸となる湾曲形状であってもよい。この凸部4aは、シリコン基板2の表面部分(シリコン酸化膜5の形成領域付近)においてシリコン基板2の上面に対して傾斜する傾斜面(テーパ面、もしくは、湾曲面)を備えている。
素子分離絶縁膜4は、シリコン基板2の素子形成領域Sa(活性領域:アクティブエリア)を複数に分離するように構成されている。この素子分離絶縁膜4により分離された素子形成領域Saのシリコン基板2上にはシリコン酸化膜5が形成されている。このシリコン酸化膜5は、熱酸化膜により構成されゲート酸化膜、トンネル絶縁膜、第1のゲート絶縁膜として機能する。
このシリコン酸化膜5の上には第1の導電層6が下側電極部として形成されている。この第1の導電層6は、例えばリン等の不純物がドープされた多結晶シリコン、アモルファスシリコンにより構成されている。第1の導電層6の上面部6cは、素子分離絶縁膜4の上端部分である凸部4aの上面部4bの面に一致した平坦面に形成されている。ここで、“一致”とは実質的に一致していることを示しており、実施の製造における誤差、公差を含む。また、“平坦”についても実質的に平坦であることを示しており、実際の製造において生じる多少の凹凸、湾曲等を含む。
第1の導電層6は、シリコン基板2の表面から上方に突出した一対の素子分離絶縁膜4に挟まれるように形成されており、第1の導電層6の側壁面は素子分離絶縁膜4の側壁面に整合している。素子分離絶縁膜4には凸部4aが形成されていることから、側壁面が素子分離絶縁膜4の側壁面に整合している第1の導電層6はシリコン酸化膜5に接する接合部6aから上方にかけてX方向に膨らみ、素子分離絶縁膜4側に張り出した膨部6bを備えて構成されている。
第1の導電層6の上面部6cの上には第2の導電層7が上側電極部として形成されている。第2の導電層7の側壁面7a間で規定されるX方向の幅寸法は、第1の導電層6の上面の、素子分離絶縁膜4の側壁面4b間(図3の符号4bを付した部分参照)で規定されるX方向の幅寸法より狭く形成されている。さらに、第2の導電層7は、第1の導電層6の上面部6c上においてX方向の略中央部に形成されている。この第2の導電層7は、例えばリンや砒素等の不純物がドープされた多結晶シリコン、アモルファスシリコンにより構成されている。第2の導電層7の側壁面7aは、素子分離絶縁膜4の凸部4aおよび第1の導電層6の側壁面6d間の界面(素子分離絶縁膜4の凸部4aの側壁面4dに相当)とは異なる平面(平面が不一致)となるように形成されている。
これらの第1および第2の導電層6および7は、フローティングゲート電極FG(第1のゲート電極に相当)として機能し、このフローティングゲート電極FGはそのX方向の断面が実質的に凸型形状に構成されている。第2の導電層7の側壁面7aは、シリコン基板2の上面に対して略垂直面に形成されている。
また、対向する第2の導電層7の側壁面7a間で規定されるX方向の幅寸法は、シリコン基板2の上に形成されたシリコン酸化膜5のX方向の幅よりも狭く形成されている。
第2のゲート絶縁膜8が、第1の導電層6の上面および第2の導電層7の表面(上面および側面)並びに素子分離絶縁膜4の上面を覆うように形成されている。この第2のゲート絶縁膜8は、例えばONO膜(Oxide(酸化膜層)-Nitride(窒化膜層)-Oxide(酸化膜層))やNONON膜(Nitride-Oxide-Nitride-Oxide-Nitride)等による酸化膜層や窒化膜層の積層構造により構成されている。この第2のゲート絶縁膜8は、第1および第2の導電層6および7と第3の導電層9との間に対して導電層間絶縁膜として構成されている。この第2のゲート絶縁膜8は、フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CG間の絶縁性能を保持するためのゲート間絶縁膜として機能する。
第2のゲート絶縁膜8が、第1の導電層6の上面および第2の導電層7の表面(上面および側面)並びに素子分離絶縁膜4の上面を覆うように形成されている。この第2のゲート絶縁膜8は、例えばONO膜(Oxide(酸化膜層)-Nitride(窒化膜層)-Oxide(酸化膜層))やNONON膜(Nitride-Oxide-Nitride-Oxide-Nitride)等による酸化膜層や窒化膜層の積層構造により構成されている。この第2のゲート絶縁膜8は、第1および第2の導電層6および7と第3の導電層9との間に対して導電層間絶縁膜として構成されている。この第2のゲート絶縁膜8は、フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CG間の絶縁性能を保持するためのゲート間絶縁膜として機能する。
第3の導電層9が、第2のゲート絶縁膜8の上を覆うように形成されている。この第3の導電層9は、下導電層10とその下導電層10の上に形成された上導電層11とにより形成されている。
下導電層10は、例えばリンや砒素等の不純物がドープされた多結晶シリコン、アモルファスシリコンにより構成されている。上導電層11は、例えばタングステンシリサイドやコバルトシリサイド等により形成され低抵抗化金属層として機能する。第3の導電層9は、コントロールゲート電極CG(第2のゲート電極に相当)として機能する。コントロールゲート電極CGは、第2のゲート絶縁膜7を覆うように構成されており、複数の素子形成領域Saおよび素子分離領域Sbの上方に渡って形成されている。このコントロールゲート電極層CGの上には、シリコン窒化膜12が形成されている。図示しないが、このシリコン窒化膜12の上には層間絶縁膜やビット線BLの構造が形成されており、フラッシュメモリ装置1を構成している。
素子分離絶縁膜4に凸部4aを設ける理由は、第1の導電層6をエッチング処理するときにその残膜が生じないようにするためである。
図3の掲載面の交差方向(Y方向)に対して複数のコントロールゲート電極CGおよびフローティングゲート電極FGを構成するときには、図3の掲載面の交差方向(Y方向)に対して第1ないし第3の導電層6、7、9を分断するプロセスが必要となる。素子分離絶縁膜4の側壁部(側壁面)4dがシリコン基板2の上側において当該シリコン基板2の上面に対して垂直形状に形成されていると、上記第1の導電層6を分断するプロセスを行ったときに、シリコン酸化膜5の上における素子分離絶縁膜4の側壁部4d(シリコン基板2直上におけるフローティングゲート電極FGとの間の側壁界面)に対して第1の導電層6が残留しやすくなる。
図3の掲載面の交差方向(Y方向)に対して複数のコントロールゲート電極CGおよびフローティングゲート電極FGを構成するときには、図3の掲載面の交差方向(Y方向)に対して第1ないし第3の導電層6、7、9を分断するプロセスが必要となる。素子分離絶縁膜4の側壁部(側壁面)4dがシリコン基板2の上側において当該シリコン基板2の上面に対して垂直形状に形成されていると、上記第1の導電層6を分断するプロセスを行ったときに、シリコン酸化膜5の上における素子分離絶縁膜4の側壁部4d(シリコン基板2直上におけるフローティングゲート電極FGとの間の側壁界面)に対して第1の導電層6が残留しやすくなる。
第1の導電層が残留すると、図3の掲載面の垂直方向(Y方向)に対して複数設けられるフローティングゲート電極FGが、残留した第1の導電層6によって導通してしまい不具合を生じてしまう。したがって、素子分離絶縁膜4の形状を、第1の導電層6をエッチング処理するときに上記部分に残留し難い形状とすることが望ましい。
本実施形態では、素子分離絶縁膜4がシリコン基板2の上面側から上方に向けて先細り形状となる凸部4aを備えているため、第1の導電層6を分断するときに当該第1の導電層6が残留しにくくなり、複数のフローティングゲート電極FG間の絶縁性能を保持することができる。特に、素子分離絶縁膜4の凸部4aは、シリコン酸化膜3の形成領域付近においてその上外面4cが上側に凸となるようにシリコン基板2の上面に対して傾斜した傾斜面として形成されているため、当該上外面4cに付着した第1の導電層6を容易に除去することができ、ゲート電極分離領域GVの第1の導電層6を除去するときに、より除去しやすくなる。
Y方向に各ゲート電極FGおよびCGを分断するときには、第2のゲート絶縁膜8と素子分離絶縁膜4との間でエッチング処理条件を選択的に設定することができない。第2の導電層7の側壁面7aが素子分離絶縁膜4の凸部4aの側壁面4dと同一面に形成され、素子分離絶縁膜4がシリコン基板2の上面に対して垂直に形成されていると、素子分離絶縁膜4の側壁面4bに沿ってシリコン基板2内にエッチング処理が進行してしまう虞がある。
すると、エッチング処理装置による終点検出(エッチング処理深さの検出)が不可能な場合にはエッチング処理時間を計測するだけで処理深さを制御しなければならなくなってしまう。
本実施形態に係る構成によれば、第2の導電層7の側壁面7aが素子分離絶縁膜4の凸部4aの側壁面4dと不一致となるように形成されているため、第2の導電層7の側壁面7aに形成された第2のゲート絶縁膜8をエッチング処理する際に、シリコン基板2が削られる不具合を防止することができ、デバイスの信頼性を向上することができる。
また、第1の導電層6の側壁面6dおよび6d間の幅が、第1の導電層6がシリコン酸化膜5と接合する接合部6aの幅よりも広く形成され、第1の導電層6の側壁面6dの下端がシリコン基板2または第1のゲート絶縁膜と接していないため、第2のゲート絶縁膜8をエッチング処理する際に素子分離絶縁膜4が同時にエッチングされたとしてもシリコン基板2が削られる不具合をさらに防止することができ、歩留まりの向上に寄与する。
さらに、第1の導電層6の上面部6cの略中央部に、側壁面7a間で規定されるX方向の幅寸法が第1の導電層6の上面の素子分離絶縁膜4の側壁面4b間で規定されるX方向の幅寸法より狭く形成されて第2の導電層7が設けられているため、フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CG間の対向面積を大きくすることができる。
フラッシュメモリ装置1を構成するメモリセルの特性の一指標として、カップリング比と称される指標がある。このカップリング比Crは、
Cr=Cono/(Cono+Cox)…(1)
により表される。
Cr=Cono/(Cono+Cox)…(1)
により表される。
この(1)式のカップリング比Crの値は1が理想的であり、Conoの値は、第2のゲート絶縁膜8を挟んで対向するフローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CG間の容量値を示し、Coxの値は、シリコン酸化膜5を挟んで対向するシリコン基板2および第1の導電層6間のキャパシタの容量値を示している。カップリング比Crの値は、コントロールゲート電極CGとフローティングゲート電極FGとの間の対向面積が広ければ大きくなり、対向面積が狭ければ小さくなる。
これまでは、例えばフローティングゲート電極FGを素子分離領域Sbの上面上に張り出させて構成し、フローティングゲート電極FGの上面とコントロールゲート電極CGの下面との間の面積を大きくすることによりカップリング比Crを大きくする構成が一般的であった。しかし、素子の微細化に伴い、フローティングゲート電極FGを素子分離領域Sbの上面上に張り出して構成すると、隣接するフローティングゲート電極FG間にコントロールゲート電極CGの構成材料となる第3の導電層9を埋込むことがプロセス上で困難となる。第3の導電層9を埋め込むことができないと、カップリング比を所望の特性を得ることが困難である。
そこで、本実施形態においては、素子の微細化を図るため、側壁面7a間の幅を第1の導電層6の側壁面6d間の幅に対して狭く設定した第2の導電層7を第1の導電層6の上面部6cの略中央部に設けてフローティングゲート電極FGの高さを高くし、第2の導電層7の側壁面と第1の導電層6の上面を利用し当該部分の対向面積を大きくしてカップリング比Crを向上している。これにより、素子の微細化に対応しながらカップリング比を向上することができる。
<製造方法について>
以下、図4ないし図23を参照しながら製造工程について説明する。尚、本発明を実現できれば、以下に説明する製造工程については必要に応じて省いても良いし、一般的な工程であれば付加しても良い。
以下、図4ないし図23を参照しながら製造工程について説明する。尚、本発明を実現できれば、以下に説明する製造工程については必要に応じて省いても良いし、一般的な工程であれば付加しても良い。
図4に示すように、シリコン基板2上を熱酸化処理することでシリコン酸化膜5’を形成する。このシリコン酸化膜5zは、例えば1nm〜10nmの範囲の一定膜厚で形成される。
次に、図5に示すように、シリコン酸化膜5zの上に化学気相成長法(CVD法)によりシリコン窒化膜13を形成する。このシリコン窒化膜13は、例えば50nm〜200nmの範囲の一定膜厚で形成される。次に、図6に示すように、シリコン窒化膜13の上にCVD法によりシリコン酸化膜14を形成する。このシリコン酸化膜14は、例えば50nm〜400nmの範囲内の一定膜厚で形成される。
次に、図7に示すように、シリコン酸化膜14上にレジスト15を塗布しフォトリソグラフィ技術によりパターンニングする。次に、図8に示すように、このパターンニングされたレジスト15をマスクとして例えば反応性イオンエッチング法(RIE法)によりシリコン酸化膜14をY方向(図7の掲載面の交差方向)に沿って異方性エッチング処理しレジスト15を除去する。次に、シリコン酸化膜14をマスクとしてシリコン窒化膜13を選択的に異方性エッチング処理する。次に、シリコン酸化膜5zおよびシリコン基板2をRIE法によりエッチング処理することによりシリコン基板2の表層に素子分離溝3を形成する。
次に、図9に示すように、素子分離溝3の内側にシリコン酸化膜4zを素子分離絶縁膜として埋込む。次に、図10に示すように、シリコン窒化膜13をストッパーとしてシリコン酸化膜4zの平坦化処理を行う。次に、図11に示すように、熱燐酸(H3PO4)等を使用したウェットエッチング処理により選択的にシリコン窒化膜13を除去する。このとき、ウェットエッチング処理は、処理が等方的に進行するため、平坦化されたシリコン酸化膜4zの上端付近におけるシリコン酸化膜4zのX方向(ゲート幅方向)の幅を、シリコン酸化膜5z付近(シリコン基板2の表面付近)におけるシリコン酸化膜4zのX方向の幅よりも狭く形成することができる。すなわち、シリコン酸化膜4zの上角部4eを等方的に除去することができ、単峰状の凸部4aを上部に有する素子分離絶縁膜4を形成できる。
この場合、素子分離絶縁膜4の上にマスクパターンを形成することなく素子分離絶縁膜4の上角部4eを除去できる。尚、素子分離絶縁膜4の上にレジスト(図示せず)を塗布してパターンを形成し上角部4eを除去するようにしても良いし、シリコン窒化膜(図示せず)等のようなマスク材を用いても良い。この場合、素子分離絶縁膜4の上角部4eの除去方法としてウェットエッチング等の等方性エッチング処理に限定されるものではなく、RIE法等の異方性エッチング処理を用いても良い。
このようにして、素子分離絶縁膜4の上部をシリコン基板2の表面より上方に突出させながらシリコン基板2の表面を複数に分断するように素子分離絶縁膜4をシリコン基板2内に埋込む。
次に、図12に示すように、第1のゲート絶縁膜5をシリコン基板2の上に形成し、この第1のゲート絶縁膜5上に、リン等の不純物がドープされた第1の多結晶シリコン膜6zをCVD法により例えば10nm〜200nm程度形成する。次に、図13に示すように、素子分離絶縁膜4をストッパーとして第1の多結晶シリコン膜6zを平坦化処理する。この平坦化処理により第1の導電層6が形成される。
次に、図14に示すように、第1の導電層6および素子分離絶縁膜4の上にリン等の不純物がドープされた第2の多結晶シリコン膜7zをCVD法により例えば10nm〜200nmの範囲のうちの一定膜厚で形成する。次に、図15に示すように、第2の多結晶シリコン膜7zの上にレジスト17を塗布しフォトリソグラフィ技術によりレジスト17をパターンニングする。
次に、図16に示すように、パターンニングされたレジスト17をマスクとして第2の多結晶シリコン膜7zをRIE法によりエッチング処理することで除去する。この場合、スリミング技術を使用してパターンニングされたレジスト17の幅よりも狭い寸法でエッチング処理することで第1の導電層6の中央部の上に第2の導電層7を構成する。この第2の導電層7のX方向の幅寸法は、隣接する素子分離絶縁膜4の凸部4aの側壁面4d間の幅寸法W(図15参照)と不一致(例えば狭い幅)にする。この第1および第2の導電層がフローティングゲート電極FGを構成する。
次に、図17に示すように、素子分離絶縁膜4、第1の導電層6、および第2の導電層7を覆うように第2のゲート絶縁膜8を形成する。第2のゲート絶縁膜8は例えば減圧CVD法により形成されたONO膜から構成される。次に、図18に示すように、第2のゲート絶縁膜8の上に第3の多結晶シリコン膜(下導電層)10およびタングステンシリサイドやコバルトシリサイドからなる低抵抗化金属膜(上導電層)11を形成する。この第3の多結晶シリコン膜10および低抵抗化金属膜11がコントロールゲート電極CGである第3の導電層9を構成する。次に、図3に示すように、第3の導電層9の上にシリコン窒化膜12を形成する。
以下、フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CGをY方向に対して複数に分断するための工程を図19ないし図23を参照しながら説明する。
シリコン窒化膜12の上にレジスト18を塗布しパターンニングする。図19に示すように、このパターンニング領域は、フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CGを形成するためのゲート電極形成領域GCであり、レジスト18は、シリコン窒化膜12の上に対してX軸方向に沿ってパターンニングされる。これらのシリコン窒化膜12および/またはレジスト18は、ゲート加工用パターンとして形成される。
シリコン窒化膜12の上にレジスト18を塗布しパターンニングする。図19に示すように、このパターンニング領域は、フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CGを形成するためのゲート電極形成領域GCであり、レジスト18は、シリコン窒化膜12の上に対してX軸方向に沿ってパターンニングされる。これらのシリコン窒化膜12および/またはレジスト18は、ゲート加工用パターンとして形成される。
また、パターンニングされたレジスト18をマスクとしてシリコン窒化膜12をエッチング処理することで除去し、ゲート電極形成領域GCに対してシリコン窒化膜12を残留させるようにゲート電極分離領域GVのシリコン窒化膜12を除去する。
次に、図20に示すように、パターンニングされたレジスト18をマスクとして上導電層11をエッチングすることにより、ゲート電極分離領域GVに形成された上導電層11を除去する。これにより、上導電層11がゲート電極形成領域GCに残留する。尚、パターンニングされたレジスト18をマスクとしてエッチング処理する実施形態を示すが、この前にレジスト18を除去しシリコン窒化膜12をマスクとして上導電層11を除去するようにしても良い。
このとき、図21に示すように、上導電層11を除去するときに同時に下導電層10も除去する。このエッチング処理によりゲート電極分離領域GVに形成された下導電層10を除去する。この除去処理により、ゲート電極形成領域GCに形成された第3の導電層9(コントロールゲート電極CG)を残留させることができる。これにより、Y方向(シリコン基板2の上面内のX方向に対する交差方向)に対してコントロールゲート電極CG(上導電層11および下導電層10)を構造的に分断することができる。
次に、図22に示すように、レジスト18をマスクとして第2のゲート絶縁膜8を異方性エッチング処理(例えばRIE法)することにより、ゲート電極分離領域GVに形成された第2のゲート絶縁膜8を除去する。この場合、第2の導電層7の側壁面7aに沿って形成された第2のゲート絶縁膜8を除去するためには長時間エッチング処理する必要がある。しかも、多結晶シリコンに対して高選択性を有する条件下において絶縁膜としての第2のゲート絶縁膜8を長時間除去する必要があるため、第2のゲート絶縁膜8を除去すると同時に当該第2のゲート絶縁膜8の直下に形成された素子分離絶縁膜4も除去される。
本実施形態の場合、図22に示すように、素子分離絶縁膜4の上部がシリコン基板2の上面から上方に向けて先細り形状となる凸部4aとして形成され、素子分離絶縁膜4の側壁面に整合している第1の導電層6の下端がシリコン基板2または第1のゲート絶縁膜と接していないているため、第2の導電層7の側壁面7aに形成された第2のゲート絶縁膜8を除去するときには、たとえエッチング処理が長時間必要とされたとしてもこのエッチング処理の影響がシリコン基板2にまで及ばない。
なぜなら、第1の導電層6が、シリコン基板2内の素子分離絶縁膜4の側壁面4bの上方まで張り出して形成されているため、たとえ長時間異方性エッチング処理したとしても素子分離絶縁膜4の平面略中央部の上部(図22参照)が除去されるだけであるためである。しかも、さらに長時間異方性エッチング処理により除去したとしても素子分離絶縁膜4の上部より垂直下方に除去されることになるため、素子分離絶縁膜4の内側の領域4fが除去されるだけであり、シリコン基板2との接触界面となる側壁面4bにまで除去処理の影響が引き起こされる虞もない。
したがって、第2の導電層7の側壁面7aを、素子分離絶縁膜4の凸部4aの側壁面4dに対して不一致となるように形成していると共に素子分離絶縁膜4の上部を先細り形状となる凸部4aとして構成しているため、特に第2のゲート絶縁膜8を除去するときにエッチング処理時間を厳密に調整する必要がなくなる。しかも、たとえ長時間エッチング処理したとしてもシリコン基板2内まで侵食する虞はなくなり、終点検出する必要もなくなるという利点がある。
次に、図23に示すように、ゲート電極分離領域GVの第1および第2の導電層6および7を異方性エッチング(例えばRIE法)することで除去する。この場合、図23に示すように、特にシリコン基板2の上面より上側では素子分離絶縁膜4の上部がシリコン基板2の上方に向けて先細るように傾斜しているため、素子分離絶縁膜4の上外面4cに沿って形成された第1および第2の導電層6および7を除去しやすい。したがって、第1および第2の導電層6および7が素子分離絶縁膜4の上外面4cに残留しにくくなり、Y方向に隣接するフローティングゲート電極FGおよびFG間のショート不良を防止できる。
この後、エッチング処理時に生じた反応生成物(図示せず)をウェットエッチング処理により除去すると共に、ソース/ドレイン拡散層(図示せず)を形成する。この後の工程については、一般的な工程であるためその詳細説明を省略するが、スペーサ膜(図示せず)の形成工程や、層間絶縁膜(図示せず)やビット線BL等の形成工程等を経てNAND型フラッシュメモリ装置1を構成できる。
以上説明したように、本実施形態に係る製造方法によれば、X方向の第2の導電層7の側壁面7aが素子分離絶縁膜4の上部の側壁面4dに対して不一致となるように形成されていると共に素子分離絶縁膜4の上部を先細り形状となる凸部4aとして構成しているため、ゲート電極分離領域GVの各層6〜12を除去するときに、特に第2のゲート絶縁膜8の除去処理時間が長時間に及んだとしてもシリコン基板2にまで除去効果が引き起こされることがなくなる。
しかも、ゲート電極分離領域GVの第1の導電層6を除去するときには、第1の導電層6が形成された素子分離絶縁膜4の上外面4cが傾斜しているため、ゲート電極分離領域GVの第1の導電層6を容易に除去でき、X方向(ゲート幅方向)に交差するY方向(交差方向)に隣接した複数のフローティングゲート電極FG間のショートを防止することができ、デバイスの信頼性を向上できる。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施例にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
本発明は、上記実施例にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
フラッシュメモリ装置1に適用したが、その他の半導体装置に適用が可能である。
半導体基板としてシリコン基板2に適用したが、これに限定されるものではなく、他材料の半導体基板に適用可能である。
半導体基板としてシリコン基板2に適用したが、これに限定されるものではなく、他材料の半導体基板に適用可能である。
フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CGによる積層ゲート電極構造を備えた構成に適用したが、これに限定されるものではなく、他の積層ゲート電極構造に適用可能である。
第1のゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜5に適用したが、これに限定されるものではなく、他材料のゲート絶縁膜を適用可能である。
第2のゲート絶縁膜8としてONO膜に適用した実施形態を示したが、これに限定されるものではなく、第2のゲート絶縁膜8としてシリコン窒化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物の何れか1つの単層膜もしくはこれらの複数材質からなる積層膜、あるいはシリコン酸化物とこれらの少なくとも1つの組み合わせからなる積層膜であっても良い。この場合、フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CG間の導電層間絶縁膜としてより適した膜材料として構成できる。
第2のゲート絶縁膜8としてONO膜に適用した実施形態を示したが、これに限定されるものではなく、第2のゲート絶縁膜8としてシリコン窒化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物の何れか1つの単層膜もしくはこれらの複数材質からなる積層膜、あるいはシリコン酸化物とこれらの少なくとも1つの組み合わせからなる積層膜であっても良い。この場合、フローティングゲート電極FGおよびコントロールゲート電極CG間の導電層間絶縁膜としてより適した膜材料として構成できる。
図面中、1はフラッシュメモリ装置(半導体装置)、2はシリコン基板(半導体基板)、4は素子分離絶縁膜、4aは凸部、5はシリコン酸化膜(第1のゲート絶縁膜)、6aは接合部、7は第2の導電層(第1のゲート電極の凸部)、8は第2のゲート絶縁膜、FGはフローティングゲート電極(第1のゲート電極)、CGはコントロールゲート電極(第2のゲート電極)である。
Claims (4)
- 半導体基板と、
前記半導体基板を複数の素子形成領域に区画する複数の素子分離絶縁膜であって、それぞれ、上端部分が前記半導体基板の表面から上方に突出するように前記半導体基板に形成された溝に埋め込み形成されると共に前記上端部分における幅寸法が前記半導体基板の表面部分における幅寸法より狭く形成された複数の素子分離絶縁膜と、
前記素子形成領域上に第1のゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極であって、前記素子分離絶縁膜の前記上端部の高さと一致する上面部を有し側壁面が前記半導体基板の表面から突出した前記素子分離絶縁膜の側壁面に整合するよう前記素子分離絶縁膜の間に形成された下側電極部と、この下側電極部の前記上面部の上に形成され幅寸法が前記下側電極部の幅寸法より狭く側壁面が前記素子分離絶縁膜の側壁面と不一致になるよう形成された上側電極部とを有する第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極の前記下側電極部の上面および前記素子分離絶縁膜の上面ならびに前記第1のゲート電極の前記上側電極部の表面を覆うように形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記素子分離絶縁膜は、前記半導体基板の表面部分において前記半導体基板の上面に対して傾斜するテーパ部を有していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
上部を前記第1の絶縁膜の上面より上方に突出させながら前記半導体基板の表面を所定のゲート幅方向に対して分断する複数の素子分離絶縁膜を形成する工程と、
各素子分離絶縁膜の上端部の前記所定のゲート幅方向に対する幅寸法を、前記半導体基板の表面部分における前記所定のゲート幅方向に対する幅寸法より狭くする工程と、
前記複数の素子分離絶縁膜間を埋め込むように、前記半導体基板の表面に形成された第1のゲート絶縁膜上に第1の導電層を形成する工程と、
ゲート幅方向の側壁面が前記半導体基板上側における素子分離絶縁膜の側壁面に対して不一致となるように前記第1の導電層の上に第2の導電層を形成する工程と、
前記第2の導電層を覆うように第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上に第3の導電層を形成する工程と、
前記半導体基板面内の前記所定のゲート幅方向に沿って前記第3の導電層、第2のゲート絶縁膜、第2の導電層、第1の導電層を除去することで前記ゲート幅方向の交差方向に対して前記第3の導電層、第2のゲート絶縁膜、第2の導電層、第1の導電層を複数に分断する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、
このシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
このシリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、
この第2のシリコン酸化膜上に第1のレジストを塗布し、この第1のレジストを所定パターンにパターンニングする工程と、
このパターンニングされた前記第1のレジストをマスクに前記第2のシリコン酸化膜をエッチングし、このエッチングされた前記第2のシリコン酸化膜をマスクに前記シリコン窒化膜、前記第1のシリコン酸化膜および前記半導体基板をエッチングし、第1の方向に沿って複数の溝を形成する工程と、
この溝に第3のシリコン酸化膜を埋め込む工程と、
前記シリコン窒化膜をストッパとして、前記第2および前記第3のシリコン酸化膜を平坦化する工程と、
ウエットエッチング処理により、前記平坦化工程により露出した前記シリコン窒化膜を除去すると共に、前記半導体基板の表面から突出した前記第3のシリコン酸化膜の側面を一部除去し、前記半導体基板の表面から突出した前記第3のシリコン酸化膜の上端部の幅寸法が前記半導体表面部分における前記第3のシリコン酸化膜の幅寸法より狭くなるよう形成する工程と、
前記前記半導体基板の表面から突出した複数の前記第3のシリコン酸化膜間の前記半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁膜上の前記前記半導体基板の表面から突出した複数の前記第3のシリコン酸化膜間で規定される領域を第1の導電膜で埋め込む工程と、
前記第3のシリコン酸化膜をストッパに前記第1の導電膜を平坦化する工程と、
平坦化された第1の導電膜上に第2の導電膜を形成する工程と、
第2の導電膜上にレジストを塗布しフォトリソグラフィ技術によりレジストをパターンニングし、このパターンニングされたレジストをマスクとして第2の導電層をエッチングし、前記第1の導電膜上に、側壁面の幅寸法が前記第1の導電層の幅寸法より狭い第2の導電膜を形成する工程と、
前記第1および第2の導電膜上ならびに前記第3のシリコン酸化膜上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
この第2のゲート絶縁膜上に第3の導電膜を形成する工程と、
前記第1の方向に交差する方向に沿って前記第3の導電膜、第2のゲート絶縁膜、第2の導電膜、第1の導電膜を除去し、前記第1の方向に前記第3の導電膜、第2のゲート絶縁膜、第2の導電膜、第1の導電膜を分断する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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