JP2008015215A - 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】青色の画素20B1,20B2は、入射光の青色波長成分を主として光電変換して撮像用信号となるべき電荷を蓄積するN型の撮像用電荷蓄積層52と、入射光の青色波長成分以外の波長成分を主として光電変換して焦点検出用信号となるべき電荷を蓄積するN型の焦点検出用電荷蓄積層53,54とを有する。入射光の入射方向から見たときに少なくとも焦点検出用電荷蓄積層53,54の一部は、撮像用電荷蓄積層52と重なるように、P型のシリコン基板51に配置される。
【選択図】図11
Description
2 撮影レンズ
3 固体撮像素子
20 20R,20G,20B1〜20B6,20R1,20R2,20G1,20G2 画素
41 撮像用フォトダイオード
42,43 焦点検出用フォトダイオード
52 撮像用電荷蓄積層
53,54 焦点検出用電荷蓄積層
Claims (17)
- 光学系により結像される被写体像を光電変換する固体撮像素子であって、
2次元状に配置され各々が前記被写体像を示す画像信号を形成するための撮像用信号を出力する複数の画素を備え、
前記複数の画素の各1つの画素は、入射光の所定波長成分を主として光電変換して前記撮像用信号となるべき電荷を得る撮像用光電変換部を有し、
前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素は、前記撮像用信号の他に、前記光学系の焦点調節状態を検出するための複数の焦点検出用信号を互いに独立して出力し得るように構成され、
前記少なくとも一部の画素の各1つの画素は、当該画素の前記撮像用光電変換部の他に、前記入射光の入射方向から見たときにそれぞれの少なくとも一部が当該画素の前記撮像用光電変換部と重なるように配置された複数の焦点検出用光電変換部であって、当該画素の前記撮像用光電変換部が光電変換する前記入射光の前記所定波長成分とは実質的に異なる波長成分をそれぞれ主として光電変換してそれぞれ前記複数の焦点検出用信号となるべき電荷をそれぞれ得る複数の焦点検出用光電変換部を有し、
前記少なくとも一部の画素の各1つの画素の前記複数の焦点検出用光電変換部は、前記光学系の射出瞳の中心から互いに異なる方向へそれぞれ偏心した前記射出瞳の領域からの光束をそれぞれ選択的に受光して光電変換する、
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記少なくとも一部の画素の各1つの画素に関して、当該画素の前記撮像用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の前記所定波長成分、及び、当該画素の前記各焦点検出用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の波長成分は、可視域の波長成分であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素の各1つの画素の前記複数の焦点検出用光電変換部の数は2つであり、
前記少なくとも一部の画素の各1つの画素の前記複数の焦点検出用光電変換部のうちの一方の焦点検出用光電変換部は、前記光学系の射出瞳の中心から所定方向へ偏心した前記射出瞳の第1の領域からの光束を選択的に受光して光電変換し、
前記少なくとも一部の画素の各1つの画素の前記複数の焦点検出用光電変換部のうちの他方の撮像用光電変換部は、前記光学系の射出瞳の中心から前記所定方向とは反対の方向へ偏心した前記射出瞳の第2の領域からの光束を選択的に受光して光電変換する、
ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子。 - 前記少なくとも一部の画素のうちの少なくとも1つの画素の前記撮像用光電変換部は、第1導電型の第1の半導体層に配置され前記撮像用信号となるべき前記電荷を蓄積する第2導電型の撮像用電荷蓄積層を有し、
前記少なくとも1つの画素の前記各焦点検出用光電変換部は、前記入射光の入射方向から見たときに少なくとも一部が前記第1の半導体層の一部を介して当該画素の前記撮像用電荷蓄積層と重なるように前記第1の半導体層に配置され当該画素の前記複数の焦点検出用信号のうちの1つの焦点検出用信号となるべき前記電荷を蓄積する第2導電型の焦点検出用電荷蓄積層を有する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記少なくとも1つの画素において、前記第1の半導体層よりも不純物濃度が高濃度である前記第1導電型の層が、前記撮像用電荷蓄積層と前記各焦点検出用電荷蓄積層との間に位置するように、前記第1の半導体層に配置されたことを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素のうちの少なくとも1つの画素に関して、当該画素の前記複数の焦点検出用光電変換部は、前記入射光の実質的に同じ波長成分を光電変換することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素の少なくとも1つの画素に関して、当該画素の前記撮像用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の前記所定波長成分は、当該画素の前記各焦点検出用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の波長成分よりも短い波長成分であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素の少なくとも1つの画素に関して、当該画素の前記撮像用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の前記所定波長成分は、当該画素の前記各焦点検出用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の波長成分よりも長い波長成分であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素の各1つの画素は、当該画素に対して1対1に設けられ当該画素の前記撮像用光電変換部及び前記複数の焦点検出用光電変換部に入射光を導くマイクロレンズを、有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 光学系により結像される被写体像を光電変換する固体撮像素子であって、
2次元状に配置され各々が前記被写体像を示す画像信号を形成するための撮像用信号を出力する複数の画素を備え、
前記複数の画素の各1つの画素は、入射光の所定波長成分を主として光電変換して前記撮像用信号となるべき電荷を得る撮像用光電変換部を有し、
前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素は、前記撮像用信号の他に、前記光学系の焦点調節状態を検出するための焦点検出用信号を独立して出力し得るように構成され、
前記少なくとも一部の画素の各1つの画素は、当該画素の前記撮像用光電変換部の他に、前記入射光の入射方向から見たときに少なくとも一部が当該画素の前記撮像用光電変換部と重なるように配置された焦点検出用光電変換部であって、当該画素の前記撮像用光電変換部が光電変換する前記入射光の前記所定波長成分とは実質的に異なる波長成分を主として光電変換して前記焦点検出用信号となるべき電荷を得る焦点検出用光電変換部を有し、
前記少なくとも一部の画素のうちの一部の画素の前記焦点検出用光電変換部は、前記光学系の射出瞳の中心から所定方向へ偏心した前記射出瞳の第1の領域からの光束を選択的に受光して光電変換し、
前記少なくとも一部の画素のうちの他の一部の画素の前記焦点検出用光電変換部は、前記光学系の射出瞳の中心から前記所定方向とは反対の方向へ偏心した前記射出瞳の第2の領域からの光束を選択的に受光して光電変換する、
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記少なくとも一部の画素の各1つの画素に関して、当該画素の前記撮像用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の前記所定波長成分、及び、当該画素の前記焦点検出用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の波長成分は、可視域の波長成分であることを特徴とする請求項10記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素のうちの少なくとも1つの画素の前記撮像用光電変換部は、第1導電型の第1の半導体層に配置され前記撮像用信号となるべき前記電荷を蓄積する第2導電型の撮像用電荷蓄積層を有し、
前記少なくとも1つの画素の前記焦点検出用光電変換部は、前記入射光の入射方向から見たときに少なくとも一部が前記第1の半導体層の一部を介して当該画素の前記撮像用電荷蓄積層と重なるように前記第1の半導体層に配置され当該画素の前記焦点検出用信号となるべき前記電荷を蓄積する第2導電型の焦点検出用電荷蓄積層を有する、ことを特徴とする請求項10又は11記載の固体撮像素子。 - 前記少なくとも1つの画素において、前記第1の半導体層よりも不純物濃度が高濃度である前記第1導電型の層が、前記撮像用電荷蓄積層と前記焦点検出用電荷蓄積層との間に位置するように、前記第1の半導体層に配置されたことを特徴とする請求項12記載の固体撮像素子。
- 前記複数の画素は複数のグループに分けられ、
同じグループの前記画素の前記撮像用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の前記所定波長成分は、互いに実質的に同一であり、
異なるグループの前記画素の前記撮像用光電変換部が主として光電変換する前記入射光の前記所定波長成分は、互いに実質的に異なる、
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記少なくとも一部の画素は、カラーフィルタを有していないことを特徴とする請求項14記載の固体撮像素子。
- 前記複数の画素は、前記少なくとも一部の画素以外の画素を含み、
前記少なくとも一部の画素以外の前記画素は、カラーフィルタを有する、
ことを特徴とする請求項14又は15記載の固体撮像素子。 - 請求項1乃至16のいずれかに記載の固体撮像素子と、前記少なくとも一部の画素からの前記焦点検出用信号に基づいて、前記光学系の焦点調節状態を示す検出信号を出力する検出処理部を、備えたことを特徴とする撮像装置。
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