JP5566457B2 - 固体撮像素子及びデジタルカメラ - Google Patents
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Description
27 基板電圧印加回路
29 半導体基板
30N 通常画素
30R,60R 第1焦点検出用画素
30L,60L 第2焦点検出用画素
40N,40R,40L フォトダイオード(PD)
38 オーバーフローバリア層
38a 高濃度バリア層
38b 低濃度バリア層
52Ra,52La 第1光電変換領域
52Rb,52Lb 第2光電変換領域
61 チャネルストップ
62R,62L フォトダイオード
63Ra,63La 第1光電変換領域
63Rb,63Lb 第2光電変換領域
Claims (9)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された不純物層と、
前記不純物層の表層に所定パターンで形成され、光電変換による信号電荷の生成及び蓄積を行うフォトダイオードを有する、光学系によって結像された被写体像の撮像信号を生成する複数の画素であって、位相差検出方式による前記光学系の焦点検出に用いられる撮像信号を生成する2種類の焦点検出用画素の組みを少なくとも1つ以上含む複数の画素と、
前記半導体基板と前記2種類の焦点検出用画素との間に形成され、当該2種類の焦点検出用画素のそれぞれのフォトダイオードの互いに対向する側の第1光電変換領域の厚みと、前記第1光電変換領域とは反対側の第2光電変換領域の厚みとのいずれか一方を他方より薄くする領域制御層と、
を備えることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記半導体基板は第1導電型であり、この半導体基板には電圧印加回路から第1の電圧が印加されるものであり、
前記領域制御層は、前記半導体基板と前記不純物層との間に形成され、前記フォトダイオードから前記半導体基板への信号電荷に対する電位障壁をなす第2導電型のオーバーフローバリア層であって、前記第1光電変換領域の下方に位置する第1バリア層と、前記第1バリア層以外の領域で前記第1バリア層よりも前記第2導電型の不純物濃度が低く形成された第2バリア層とを有するオーバーフローバリア層であり、
前記半導体基板への前記第1の電圧印加時に、前記第2バリア層の電位障壁が低下して、前記第2光電変換領域の前記第2バリア層側の部分で発生した信号電荷が前記半導体基板へ排出されるとともに、前記第1バリア層の電位障壁が、前記第1光電変換領域から前記半導体基板への信号電荷の排出を阻止するレベルで維持される、
ことを特徴とする請求の範囲第1項記載の固体撮像素子。 - 前記半導体基板は、電圧印加回路から前記第1の電圧と、前記第1の電圧よりも低い第2の電圧とが選択的に印加されるものであり、
前記半導体基板への前記第2の電圧印加時に、前記第2バリア層の電位障壁が、前記第2光電変換領域から前記半導体基板への信号電荷の排出を阻止するレベルで維持されること、
を特徴とする請求の範囲第2項記載の固体撮像素子。 - 前記領域制御層は、前記第1光電変換領域と前記半導体基板との間に位置し、かつ前記第1光電変換領域側の層上面が前記第2光電変換領域の底面よりも上方に位置する形状であることを特徴とする請求の範囲第1項記載の固体撮像素子。
- 互いに隣り合う前記フォトダイオードの間にはチャネルストップが形成されており、
前記領域制御層は前記チャネルストップと一体に形成されていることを特徴とする請求の範囲第4項記載の固体撮像素子。 - 前記複数の画素は、前記2種類の焦点検出用画素と、撮像にのみ用いられる通常画素であることを特徴とする請求項の範囲第1項ないし第5項いずれか1項記載の固体撮像素子。
- 前記複数の画素の全ては、前記2種類の焦点検出用画素であることを特徴とする請求の範囲第1項ないし第5項いずれか1項記載の固体撮像素子。
- 前記2種類の焦点検出用画素の一方である第1画素を第1の方向に一列に配列した第1画素列と、他方である第2画素を前記第1の方向に一列に配列した第2画素列とを、前記第1の方向に直交する第2の方向に交互に配列してなることを特徴とする請求の範囲第7項記載の固体撮像素子。
- A.固体撮像素子は以下を備える、
(A1)半導体基板と、
(A2)前記半導体基板上に形成された不純物層と、
(A3)前記不純物層の表層に形成され、光学系により結像された被写体像を光電変換して信号電荷の生成及び蓄積を行うフォトダイオードを有し、AF制御用に位相差検出方式による前記光学系の焦点検出に用いられる撮像信号を生成する第1焦点検出用画素及び第2焦点検出用画素であり、前記第1焦点検出用画素を第1の方向に一列に配列した第1画素列と、前記第2焦点検出用画素を前記第1の方向に一列に配列した第2画素列とを、前記第1の方向に直交する第2の方向に交互に配列したパターンで形成された第1焦点検出用画素及び第2焦点検出用画素と、
(A4)前記半導体基板と前記第1焦点検出用画素及び第2焦点検出用画素との間に形成され、当該各焦点検出用画素のそれぞれのフォトダイオードの互いに対向する側の第1光電変換領域の厚みと、前記第1光電変換領域とは反対側の第2光電変換領域の厚みとのいずれか一方を他方より薄くする領域制御層と、
B.前記第1焦点検出用画素からの撮像信号によって構成される第1画像と、前記第2焦点検出用画素からの撮像信号によって構成される第2画像とからなる視差画像を生成する画像処理部と、
を備えることを特徴とするデジタルカメラ。
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