JP5860168B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5860168B2 JP5860168B2 JP2014553074A JP2014553074A JP5860168B2 JP 5860168 B2 JP5860168 B2 JP 5860168B2 JP 2014553074 A JP2014553074 A JP 2014553074A JP 2014553074 A JP2014553074 A JP 2014553074A JP 5860168 B2 JP5860168 B2 JP 5860168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- hybrid
- region
- pixels
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 79
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 39
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000010396 two-hybrid screening Methods 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010397 one-hybrid screening Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Description
図1に示すように、固体撮像装置10はCMOS型イメージセンサであり、受光領域11と、垂直走査回路13、水平走査回路14、出力回路16、制御回路17等を備えている。
第1実施形態ではハイブリッド画素42a,42bがそれぞれ2つの透明電極55A,55Bを有しているが、透明電極をさらに増やしてもよい。例えば、図6に示す固体撮像装置80のように、ハイブリッド画素に、独立に電圧の制御が可能な4つの透明電極を設けてもよい。
11 受光領域
21 画素
22 PD
22a 電荷蓄積領域
22b 光電変換領域
41 カラーフィルタ
42a,42b,82a〜82d ハイブリッド画素
43 通常画素
54 透明電極層
55A,55B,85A〜85D 透明電極
73a,73b,115,117,122,122〜124 実効的な電荷蓄積領域
Claims (11)
- 被写体からの入射光を光電変換し、入射光量に応じた電荷を発生させる光電変換領域と、前記光電変換領域で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域に電圧を印加して前記電荷に対するポテンシャルを変調することによって前記電荷蓄積領域の幅を狭窄し、前記電荷蓄積領域を偏在させるポテンシャル変調用電極とを有するハイブリッド画素を複数備え、
前記ハイブリッド画素は、前記電荷蓄積領域の幅が狭窄されていない場合に、前記光電変換領域で発生した前記電荷を偏りなく蓄積する通常画素として機能し、そして前記ポテンシャル変調用電極に電圧が印加されて前記電荷蓄積領域の幅が狭窄された場合に、前記電荷のうち前記光電変換領域の一部で発生した前記電荷を選択的に蓄積する位相差画素として機能し、
前記ハイブリッド画素は複数のフォトダイオードを含み、各フォトダイオードは前記光電変換領域と前記電荷蓄積領域とを有し、
前記各フォトダイオードの間での前記電荷の移動を妨げる分離領域には、隣接する画素との間での前記電荷の移動を妨げる分離領域よりも添加物の量が多く、前記電荷に対するポテンシャルが高くなっている固体撮像装置。 - 前記ポテンシャル変調用電極は、各々独立して電圧を印加可能な複数の電極を有し、この少なくとも1つの各電極に負電圧を印加することにより、前記電荷蓄積領域を他方の電極の下へ偏在させる請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記電荷蓄積領域が偏在される位置に対応する前記電極には、正電圧が印加される請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記ポテンシャル変調用電極は、印加電圧が制御可能な第1電極と第2電極を有し、
複数の前記ハイブリッド画素は、前記第1電極と前記第2電極が第1方向に配置された第1ハイブリッド画素と、前記第1電極と前記第2電極が前記第1ハイブリッド画素と逆順に配置された第2ハイブリッド画素の2種類であり、
前記第1電極には、前記第1ハイブリッド画素と前記第2ハイブリッド画素の両方に第1電圧を印加され、前記第2電極には前記第1ハイブリッド画素と前記第2ハイブリッド画素の両方に第2電圧が印加される請求項2または3に記載の固体撮像装置。 - 前記ポテンシャル変調用電極は、第1方向に配列された少なくとも3以上の電極である請求項2または3に記載の固体撮像装置。
- 前記ハイブリッド画素を含む複数の画素が配列された受光領域に、焦点距離が調節可能なズームレンズによって被写体の像が結像される際に、
前記ズームレンズの焦点距離に応じて、前記第1方向に配置された前記各電極の印加電圧を変えることにより、前記電荷蓄積領域を偏在させる位置を変える請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記ポテンシャル変調用電極は、印加電圧が制御可能な第1〜第4電極の4つの電極を有し、
複数の前記ハイブリッド画素は第1〜第4ハイブリッド画素を含み、
前記第1ハイブリッド画素は、第1方向とこの第1方向に垂直な第2方向に沿って、前記第1〜第4電極が2次元に配列され
前記第2ハイブリッド画素は、前記第1ハイブリッド画素に対して、前記第1〜第4電極の配列が前記第1方向に対称であり、
前記第3ハイブリッド画素は、前記第2ハイブリッド画素に対して、前記第1〜第4電極の配列が前記第2方向に対称であり、
前記第4ハイブリッド画素は、前記第3ハイブリッド画素に対して、前記第1〜第4電極が前記第1方向に対称であり、
前記第1〜第4ハイブリッド画素の各前記第1〜第4電極には同じ電圧が印加される請求項2または3に記載の固体撮像装置。 - 前記被写体の像が結像される受光領域に、前記ハイブリッド画素を含む複数の画素が配列され、
前記受光領域内における前記ハイブリッド画素の位置に応じて、前記電荷蓄積領域を偏在させる位置を変える請求項2〜7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記ハイブリッド画素毎に前記入射光を前記フォトダイオードに集光するマイクロレンズを備え、
前記ポテンシャル変調用電極は不透明な材料で形成され、前記マイクロレンズによって前記入射光が集光される集光領域の外に設けられている請求項1〜8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記ポテンシャル変調用電極が前記集光領域を切り欠いた形状をしている請求項9に記載の固体撮像装置。
- 被写体からの入射光を光電変換し、入射光量に応じた電荷を発生させる光電変換領域と、前記光電変換領域で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域に電圧を印加して前記電荷に対するポテンシャルを変調することによって前記電荷蓄積領域の幅を狭窄し、前記電荷蓄積領域を偏在させるポテンシャル変調用電極とを有する複数のハイブリッド画素と、
前記光電変換領域及び前記電荷蓄積領域よりも、前記入射光が入射する光入射側とは反対側に設けられた配線層とを備え、
前記ハイブリッド画素は、前記電荷蓄積領域の幅が狭窄されていない場合に、前記光電変換領域で発生した前記電荷を偏りなく蓄積する通常画素として機能し、そして前記ポテンシャル変調用電極に電圧が印加されて前記電荷蓄積領域の幅が狭窄された場合に、前記電荷のうち前記光電変換領域の一部で発生した前記電荷を選択的に蓄積する位相差画素として機能し、
前記ポテンシャル変調用電極は、前記光電変換領域及び前記電荷蓄積領域よりも前記光入射側に設けられ、かつ各々独立して電圧を印加可能な複数の透明電極を有し、この少なくとも1つの各透明電極に負電圧を印加することにより、前記電荷蓄積領域を他方の透明電極の下へ偏在させる固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014553074A JP5860168B2 (ja) | 2012-12-21 | 2013-12-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012279535 | 2012-12-21 | ||
JP2012279535 | 2012-12-21 | ||
JP2014553074A JP5860168B2 (ja) | 2012-12-21 | 2013-12-06 | 固体撮像装置 |
PCT/JP2013/082772 WO2014097899A1 (ja) | 2012-12-21 | 2013-12-06 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5860168B2 true JP5860168B2 (ja) | 2016-02-16 |
JPWO2014097899A1 JPWO2014097899A1 (ja) | 2017-01-12 |
Family
ID=50978234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014553074A Expired - Fee Related JP5860168B2 (ja) | 2012-12-21 | 2013-12-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9591244B2 (ja) |
JP (1) | JP5860168B2 (ja) |
WO (1) | WO2014097899A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7118239B2 (ja) | 2019-03-06 | 2022-08-15 | 三菱電機株式会社 | 冷凍サイクル装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014087807A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置、異常斜め入射光検出方法及びプログラム、並びに記録媒体 |
WO2014087804A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置、画像処理方法及びプログラム |
JPWO2014112002A1 (ja) * | 2013-01-15 | 2017-01-19 | オリンパス株式会社 | 撮像素子、及び撮像装置 |
WO2014136570A1 (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-12 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置、画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
CN105684436B (zh) * | 2013-09-26 | 2020-05-01 | 株式会社尼康 | 摄像元件以及摄像装置 |
JP6682175B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2020-04-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
JP2016058559A (ja) | 2014-09-10 | 2016-04-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 |
JP6445048B2 (ja) | 2015-01-09 | 2018-12-26 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
US9973678B2 (en) * | 2015-01-14 | 2018-05-15 | Invisage Technologies, Inc. | Phase-detect autofocus |
JP6789643B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2020-11-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
WO2018075584A1 (en) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensor with reset lock |
KR102414024B1 (ko) | 2017-04-04 | 2022-06-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 광학필터를 구비하는 이미지 센서 및 그 동작방법 |
JP6947590B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2021-10-13 | オリンパス株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法 |
US10498947B2 (en) * | 2017-10-30 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor including light shielding layer and patterned dielectric layer |
KR102524415B1 (ko) | 2018-03-21 | 2023-04-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Pd 바이어스 패턴들을 갖는 이미지 센서 |
KR102632474B1 (ko) | 2019-02-11 | 2024-02-01 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 픽셀 어레이 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
JP2021068758A (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-30 | ブリルニクス インク | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
EP4319125A1 (en) * | 2021-03-24 | 2024-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device capable of simultaneously performing lighting function and light source detection function through common hole |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007325139A (ja) * | 2006-06-03 | 2007-12-13 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2008193527A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Nikon Corp | 光電変換部の連結/分離構造、固体撮像素子及び撮像装置 |
WO2011158567A1 (ja) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及びデジタルカメラ |
US20120038904A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Fossum Eric R | Unit pixel, photo-detection device and method of measuring a distance using the same |
JP2012049201A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2012084816A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子及び撮像装置 |
JP2012113027A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Nikon Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
WO2012165255A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2013153050A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Canon Inc | 固体撮像素子、該固体撮像素子を備えた距離検出装置、及びカメラ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01215063A (ja) | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | イメージセンサ |
JP2005268609A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層積層型多画素撮像素子及びテレビカメラ |
JP2012003009A (ja) | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮影装置 |
JP5513623B2 (ja) | 2010-08-24 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
-
2013
- 2013-12-06 WO PCT/JP2013/082772 patent/WO2014097899A1/ja active Application Filing
- 2013-12-06 JP JP2014553074A patent/JP5860168B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-06-19 US US14/744,677 patent/US9591244B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007325139A (ja) * | 2006-06-03 | 2007-12-13 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2008193527A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Nikon Corp | 光電変換部の連結/分離構造、固体撮像素子及び撮像装置 |
WO2011158567A1 (ja) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及びデジタルカメラ |
US20120038904A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Fossum Eric R | Unit pixel, photo-detection device and method of measuring a distance using the same |
JP2012049201A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2012084816A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子及び撮像装置 |
JP2012113027A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Nikon Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
WO2012165255A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2013153050A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Canon Inc | 固体撮像素子、該固体撮像素子を備えた距離検出装置、及びカメラ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7118239B2 (ja) | 2019-03-06 | 2022-08-15 | 三菱電機株式会社 | 冷凍サイクル装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2014097899A1 (ja) | 2017-01-12 |
WO2014097899A1 (ja) | 2014-06-26 |
US20150288901A1 (en) | 2015-10-08 |
US9591244B2 (en) | 2017-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5860168B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US11444115B2 (en) | Solid-state imaging device and electronic apparatus | |
EP2738812B1 (en) | A pixel array | |
JP6408372B2 (ja) | 固体撮像装置及びその駆動制御方法、並びに、電子機器 | |
US9749556B2 (en) | Imaging systems having image sensor pixel arrays with phase detection capabilities | |
US10178332B2 (en) | Solid-state imaging device using a phase difference signal, method for driving the same, and electronic device | |
JP2020077886A (ja) | 撮像素子 | |
JP5045012B2 (ja) | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 | |
JP4839990B2 (ja) | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 | |
JP5566457B2 (ja) | 固体撮像素子及びデジタルカメラ | |
JP2008227253A (ja) | 裏面照射型固体撮像素子 | |
KR20140113923A (ko) | 고체 촬상 소자 및 카메라 시스템 | |
WO2014097884A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
US20150163464A1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP6010465B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5461343B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP2012004264A (ja) | 固体撮像素子および撮影装置 | |
JP5730419B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP5961720B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2007201086A (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5860168 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |