JP2008001638A - スルホン酸エステル化合物の製造法 - Google Patents
スルホン酸エステル化合物の製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008001638A JP2008001638A JP2006172797A JP2006172797A JP2008001638A JP 2008001638 A JP2008001638 A JP 2008001638A JP 2006172797 A JP2006172797 A JP 2006172797A JP 2006172797 A JP2006172797 A JP 2006172797A JP 2008001638 A JP2008001638 A JP 2008001638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- atom
- general formula
- sulfonic acid
- acid ester
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】スルホン酸エステル誘導体の製造方法は、式(1)のジオール化合物と、式(2)のスルホン酸誘導体とを炭化水素系溶剤中でアルカリ金属水酸化物の存在下に縮合反応させ、式(3)のスルホン酸エステル化合物を製造する。
[式中、R1〜R2は、水素原子;ハロゲン原子;置換もしくは非置換の炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基等、nは1以上の正の整数、R3はハロゲン原子を有しても良い置
換もしくは非置換の不飽和構造も含む炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基又は極性基、Xはハロゲン原子またはスルホン酸エステル基。]
【選択図】なし
Description
溶剤としてハロゲン含有溶剤(例えば塩化メチレンなど)、塩基としてアルカリ金属水酸化物(例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなど)を用いる方法。この方法で使用されるハロゲン含有溶剤は、有害性が高く、揮発性が高いために工業的には取り扱いづらいだけでなく、環境への流出時の汚染リスクも高い。また、溶剤価格や使用設備のコストも高くなる(非特許文献1〜3)。
ジオキサン、1,4−ジメトキシエタンなど)を用いる方法。エーテル系溶剤は反応基質
への溶解性が高いものの、有害性が高く、価格も比較的高い。また、溶剤回収(リサイクル)時に過酸化物の発生による爆発の危険性があり、再利用の点で安全上も課題が多い。またエーテル系溶剤と併用する塩基としてアミン類を用いることが多く、特にトリエチルアミンやピリジンとの併用が多いが、副生するオニウム塩との副反応により高収率で目的物を得ることが困難な場合がある(非特許文献4〜7)。
J.Org.Chem. 1992, 57, 6678. Chem.Commun. 1987, 52, 2057. Synthesis 1979, 822. J.Am.Chem.Soc. 1950, 72, 1871. J.Org.Chem. 1990, 55, 3129. J.Am.Chem.Soc. 1973, 95, 7777. Bull.Chem.Soc.Jpn. 1990, 63, 1260. Synthesis 1979, 822. J.Org.Chem. 1965, 30, 2560.
よび極性基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表し、Xはハロゲン原子またはスルホン酸エステル基(R4SO3−、R4はハロゲン原子を有しても良い炭素原子数1〜30
の1価の炭化水素基)を表す。]
。
本発明では、前記炭化水素系溶剤が、アルキルベンゼンまたは環状炭化水素であることが好ましく、前記塩基が、リチウム、ナトリウムおよびカリウムから選ばれる金属の水酸化物であることが好ましい。
または複素環(これらの炭素環または複素環は単環構造でも良いし、他の環が縮合して多環構造を形成しても良い。)を表す。R3は一般式(2)で示した定義の通り。
原子、イオウ原子もしくはケイ素原子を含む連結基で結合されていてもよい置換もしくは非置換の炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基;および極性基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表し、dおよびeはそれぞれ独立に0〜2を表し、R3は一般式(2)
で示した定義の通り。]。
<アルカリ金属水酸化物>
本発明は上記一般式(1)で表されるジオール化合物(以下「化合物(1)」ともいう。)と、上記一般式(2)で表されるスルホン酸誘導体(以下「化合物(2)」ともいう。)との縮合反応において、塩基としてアルカリ金属水酸化物を必須の試剤として使用する。使用するアルカリ金属水酸化物の具体的な例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属の水酸化物であることが好ましく、特にリチウム、ナトリウムおよびカリウムから選ばれる金属の水酸化物であることが好ましい。アルカリ金属水酸化物としては、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウムなどが挙げられる。
他の塩基としては例えば水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水素化物;炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩;ピリジン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の第3級アミン;水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の水酸化アンモニウム類;n−ブチルリチウム、s−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、フェニルリチウムなどの有機リチウム;ソーダアミド、リチウムジイソプロピルアミド等の金属アミド;ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、t−ブトキシカリウム、t−ブトキシナトリウムなどの金属アルコキシド;ナトリウム、カリウム、リチウムなどのアルカリ金属を例示することができる。
<溶剤>
本発明では上記一般式(1)で表されるジオール化合物と、上記一般式(2)で表されるスルホン酸誘導体との縮合反応において、溶剤として炭化水素系溶剤が用いられる。
<ジオール化合物>
本発明で用いられる上記一般式(1)で表されるジオール化合物において、一般式(1)中のR1〜R2はそれぞれ独立に、水素原子;ハロゲン原子;−R’−A−R”で表される基(但し、R’は炭素原子数1〜30の2価の炭化水素基であり、Aは酸素原子、窒素原子、イオウ原子もしくはケイ素原子を含む2価の基、または単結合であり、R”は水素原子または炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基である。);および極性基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表す。
ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子および臭素原子が挙げられる。
極性基としては、例えば水酸基、炭素原子数1〜10のアルコキシ基、カルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、シアノ基、アミド基、イミド基、トリオルガノシロキシ基、トリオルガノシリル基、アミノ基、アシル基、アルコキシシリル基、スルホニル基、およびカルボキシル基などが挙げられる。さらに具体的には、上記アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基等が挙げられ;カルボニルオキシ基としては、例えばアセトキシ基、プロピオニルオキシ基等のアルキルカルボニルオキシ基、およびベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基が挙げられ;アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられ;アリーロキシカルボニル基としては、例えばフェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基、フルオレニルオキシカルボニル基、ビフェニリルオキシカルボニル基等が挙げられ;トリオルガノシロキシ基としては例えばトリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基等が挙げられ;トリオルガノシリル基としてはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基等が挙げられ;アミノ基としては第1級アミノ基等が挙げられ、アルコキシシリル基としては例えばトリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基等が挙げられる。
nが2以上である場合には、隣接する炭素原子に結合するR1(またはR2)とR1(ま
たはR2)とが相互に結合して炭素環または複素環(これらの炭素環または複素環は単環
構造でも良いし、他の環が縮合して多環構造を形成しても良い。)を形成してもよく、隣接する炭素原子が二重結合で結合されていてもよい。このような炭素環または複素環としては、シクロアルカン、シクロアルケン、ノルボルナン、ノルボルネン、トリシクロデカン、トリシクロデセン、テトラシクロドデカン、テトラシクロドデセン、アダマンタン、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、ピロール、コハクイミドなどの構造が挙げられる。これらのうち、好ましくはノルボルナン構造、ノルボルネン構造、トリシクロデカン構造、トリシクロデセン構造、テトラシクロドデカン構造、テトラシクロドデセン構造である。
原子、イオウ原子もしくはケイ素原子を含む連結基を有していてもよい置換もしくは非置換の炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基;および極性基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表す。
R3は置換もしくは非置換の炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基;および極性基よ
りなる群から選ばれる原子もしくは基を表す。
本発明で用いられる上記一般式(1)で表されるジオール化合物としては、下記のようなものを例示することができる。
コール、1,2−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、
1,6−ヘキサンジオール、2−ブテン-1,4-ジオール、2−ブチン-1,4-ジオール、
3−メチル-1,5-ペンタンジオール、1,2-シクロペンタンジオール、1,3-シクロペンタンジオール、2-ブチル-2-エチル-1,3-プロパンジオール、1,2-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,2-シクロオクタンジオール、1,5-シクロオクタンジオール、1,4-シクロオクタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2-ジベンジルアルコール、1,4-ジベンジルアルコール、水素化ビスフェノールA、1-フェニル-1,2-プロパンジオール、2,6−ジヒドロキシビシクロ[
2.2.1]ヘプタン、2,3−ジヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2,5−ジヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン、5,6-ジヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、3,7-ジヒドロキシトリシクロ[4.3.0.12,5]デカン、3,8-ジヒドロキシトリシクロ[4.3.0.12,5]デカン、3,7-ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ[4.3.0.12,5]デカン、3,8-ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ[4.3.0.12,5]デカン、7,8-ジヒドロキシトリシクロ[4.3.0.12,5]デカ-2-エン、7,8-ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ[4.3.0.12,5]デカ-2-エン、8,9-ジヒドロキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3-エン、5,6-ビス(ヒドロキシメ
チル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、8,9-ビス(ヒドロキシメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3-エン、8,9-ビス(ヒドロキシメチル)トリ
シクロ[4.4.0.12,5]ウンデカ-3-エン等。
タンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、2−ブテン-1,4-ジオール、3,8-ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ[4.3.0.12,5]デカン、7,8-ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ[4.3.0.12,5]デカ-2-エン、5,6-ビス
(ヒドロキシメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、8,9-ビス(ヒドロキシメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3-エンが挙げられる。
<スルホン酸誘導体>
本発明で用いられる上記一般式(2)で表されるスルホン酸誘導体において、R3とし
ては、一般式(1)中のR1〜R2と同じ、置換もしくは非置換の炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基;および極性基が挙げられる。なお、R3では炭素原子数1〜30の1価
の炭化水素基に置換する基はハロゲン原子であることが好ましい。
有しても良い炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基)を表す。R4としては、一般式(
1)中のR1〜R2が表す炭素原子数1〜30の炭化水素基と同じ基およびこれらの基にハロゲン原子が置換した基が挙げられる。
メタンスルフォニルクロライド、エタンスルフォニルクロライド、1-ブタンスルフォ
ニルクロライド、1-ブタンスルフォニルクロライド、1-ヘキサンスルフォニルクロライド、1-オクタンスルフォニルクロライド、1-ヘキサデカンスルフォニルクロライド、クロロメタンスルフォニルクロライド、2−メシチレンスルフォニルクロライド、p-トルエンスルフォニルクロライド、o-トルエンスルフォニルクロライド、ベンゼンスルフォニルクロライド、ドデシルベンゼンスルフォニルクロライド、クロロベンゼンスルフォニルクロライド、メタンスルフォン酸無水物、4−メチルベンゼンスルフォン酸無水物、トリフロロメタンスルフォン酸無水物、メタンスルフォニルブロマイド、p−トルエンスルフォニルブロマイドなど。これらのうち入手性、コストを考慮した場合、好ましくは、メタンスルフォニルクロライド、p−トルエンスルフォニルクロライドである。
<反応条件>
一般式(1)で表されるジオール化合物と一般式(2)で表されるスルホン酸誘導体とを縮合反応させる際の仕込比は、モル比([化合物(1)]/[化合物(2)])で1/2〜1/6、好ましくは1/2〜1/4である。各試剤のモル比が上記範囲外であると化合物(2)に対して化合物(1)が2つ置換した副生物を生じたり、化合物(1)の濃度が不十分なために収率の低下を招く場合がある。
化合物(1)と、化合物(2)との反応時の反応時間は通常0.1〜50時間、好ましくは0.2〜35時間、更に好ましくは0.3〜24時間である。反応時間がこの範囲よりも短いと反応が不十分であるため収率が低下し、長いと生産性が悪くなるため好ましくない。
<スルホン酸エステル化合物>
上記のように上記一般式(1)で表されるジオール化合物と、上記一般式(2)で表されるスルホン酸誘導体とを炭化水素系溶剤中で塩基の存在下、縮合反応させると上記一般
式(3)で表されるスルホン酸エステル化合物が得られる。
ロゲン原子;酸素原子、窒素原子、イオウ原子もしくはケイ素原子を含む連結基を有していてもよい置換もしくは非置換の炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基;および極性基としては、一般式(1)中のR1〜R2が表すハロゲン原子;酸素原子、窒素原子、イオウ原子もしくはケイ素原子を含む連結基を有していてもよい置換もしくは非置換の炭素原子数1〜30の1価の炭化水素基;および極性基と同じ原子および基が挙げられる。
R3としては、一般式(2)で示した定義の通りである。
<精製方法>
得られたスルホン酸エステル化合物は蒸留、昇華精製、抽出、または晶析を行うか、これらを組み合わせて行うことにより精製/分離することができる。使用する原料、生成物、および副生成物の物理的および化学的性質により精製方法および精製条件は異なるが、スルホン酸エステル化合物の沸点が工業的に蒸留可能な温度および圧力である場合には蒸留による精製/分離が好ましいが、蒸留前または蒸留後に抽出または晶析によりオリゴマー成分の除去やより純度を高くするための精製を行っても良い。蒸留時の圧力は大気圧下でも減圧下でも良く、温度は通常20〜250℃、好ましくは30〜220℃、さらに好ましくは40〜200℃である。温度がこの範囲外であると蒸留ガスの液化が困難となったり、目的物が熱的に分解する場合がある。また、昇華性を有する場合には昇華精製により精製することもできる。
ール類の使用量がこの範囲外であると原料等の不純物の除去が不十分であったり、目的物の収率が低下する場合がある。
本発明の製法で得られるスルホン酸エステル化合物は、(共)重合体の原料モノマー、原料モノマー前駆体または添加剤として用いられる
[実施例]
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
高速ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、東ソー製;HLC-8220GPC)使用
カラム; Super HZ 2000x2本+Super HZ 1000x1本
検出器;示差屈折計(RI)検出器
測定条件;テトラヒドロフラン eluent、
サンプルポンプ流量=1.0ml/min.、
リファレンスポンプ流量=1.0ml/min.
カラム温度=40℃
と塩化トシル(20.4g、0.107mol)を投入し、トルエン(55.8g)に溶解させた。系の内温を5〜10℃の範囲まで冷却すると一部が析出し不均一系となった。200rpmの速度で攪拌しながら、水酸化カリウムフレーク(純度90%)(13.34g、0.214mol)を10分割して10分間隔で添加した(合計90分)。この際内温が5〜10℃の範囲から外れないように注意した。添加終了後、温度を保ちながら5時間反応させた(低分子GPC面積収率=95.5%、RI検出)。反応終了後、系の内温を室温にし、トルエン(50g)を添加して攪拌した。濾過して塩を除去した後に濾液を濃縮することにより単離収率(75%)で下記式で表される化合物(ノルボルネンジトシレート)が得られた。
[参考例]
使用する溶剤をトルエンからTHF(44.6g)に変更した以外は、実施例1と同様に実施した。4時間反応により低分子GPC面積収率=94.9%(RI検出)で目的物が生成していることを確認した。
Claims (6)
- 下記一般式(1)で表されるジオール化合物と、下記一般式(2)で表されるスルホン酸誘導体とを炭化水素系溶剤中でアルカリ金属水酸化物の存在下に縮合反応させ、下記一般式(3)で表されるスルホン酸エステル化合物を製造することを特徴とするスルホン酸エステル化合物の製造方法;
よび極性基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表し、Xはハロゲン原子またはスルホン酸エステル基(R4SO3−、R4はハロゲン原子を有しても良い炭素原子数1〜30
の1価の炭化水素基)を表す。]
。 - 前記炭化水素系溶剤が、アルキルベンゼンまたは環状炭化水素であることを特徴とする請求項1に記載のスルホン酸エステル化合物の製造方法。
- 前記塩基が、リチウム、ナトリウムおよびカリウムから選ばれる金属の水酸化物であることを特徴とする請求項1または2に記載のスルホン酸エステル化合物の製造方法。
- 前記ジオール化合物が前記一般式(1)におけるnが4の化合物であることを特徴とす
る請求項1〜3のいずれか1項に記載のスルホン酸エステル化合物の製造方法。 - 前記一般式(3)で表されるスルホン酸エステル化合物が、下記一般式(4−1)または(4−2)で表されるスルホン酸エステル化合物であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のスルホン酸エステル化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006172797A JP5070747B2 (ja) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | スルホン酸エステル化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006172797A JP5070747B2 (ja) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | スルホン酸エステル化合物の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008001638A true JP2008001638A (ja) | 2008-01-10 |
JP5070747B2 JP5070747B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=39006322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006172797A Active JP5070747B2 (ja) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | スルホン酸エステル化合物の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5070747B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010168319A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | モノスルホン酸エステルの製造方法 |
WO2011016523A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 和光純薬工業株式会社 | ビス第4級アンモニウム塩の製造法及び新規中間体 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59122455A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-14 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | P−トルエンスルホン酸(メタ)アリルエステルの製造法 |
JPH03200758A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Konica Corp | スルホン酸エステル誘導体及び含窒素6員環化合物の製造方法 |
JPH0578306A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-03-30 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 1,4−ビス(パラ−トルエンスルホニルオキシ)−2,3−ビス(トリフルオロメチル)ブタンおよびその製造方法 |
JPH09143147A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | メタンスルホン酸エステル類の製造法 |
WO2001094304A1 (fr) * | 2000-06-08 | 2001-12-13 | Kaneka Corporation | Procede de production d'esters sulfoniques |
-
2006
- 2006-06-22 JP JP2006172797A patent/JP5070747B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59122455A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-14 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | P−トルエンスルホン酸(メタ)アリルエステルの製造法 |
JPH03200758A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Konica Corp | スルホン酸エステル誘導体及び含窒素6員環化合物の製造方法 |
JPH0578306A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-03-30 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 1,4−ビス(パラ−トルエンスルホニルオキシ)−2,3−ビス(トリフルオロメチル)ブタンおよびその製造方法 |
JPH09143147A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | メタンスルホン酸エステル類の製造法 |
WO2001094304A1 (fr) * | 2000-06-08 | 2001-12-13 | Kaneka Corporation | Procede de production d'esters sulfoniques |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010168319A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | モノスルホン酸エステルの製造方法 |
WO2011016523A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 和光純薬工業株式会社 | ビス第4級アンモニウム塩の製造法及び新規中間体 |
US8716513B2 (en) | 2009-08-07 | 2014-05-06 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Process for production of bis-quaternary ammonium salt, and novel intermediate |
JP2015071618A (ja) * | 2009-08-07 | 2015-04-16 | 和光純薬工業株式会社 | ジスルホン酸エステル誘導体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5070747B2 (ja) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018522944A (ja) | カンナビジオール及びδ−9−テトラヒドロカンナビノールの生成のためのプロセス | |
Van Buu et al. | Synthesis of novel chiral imidazolium-based ionic liquids derived from isosorbide and their applications in asymmetric aza Diels–Alder reaction | |
JP2019194207A (ja) | 重合性化合物の製造方法 | |
JP5070747B2 (ja) | スルホン酸エステル化合物の製造法 | |
EP3495342B1 (en) | Polymerizable triptycene derivative compound | |
JP4750337B2 (ja) | スルホン酸エステルの製造方法 | |
CA2994830A1 (en) | Stereospecific process for 3-heterocyclylcycloaliphatic-1,2-diols | |
JP2006265176A (ja) | スピロ化合物の製造法 | |
JP2019172650A (ja) | (メタ)アクリル酸エステルおよびその製造方法 | |
JP5764771B2 (ja) | アザディールス−アルダー反応用触媒、それを用いたテトラヒドロピリジン化合物の製造方法 | |
JP4984623B2 (ja) | 環状炭化水素化合物の製造方法 | |
JP4843956B2 (ja) | ノルボルネン誘導体の製造法 | |
EP3484842B1 (en) | Halogen-containing metathesis catalysts and methods thereof | |
JP4895267B2 (ja) | 3,6−エポキシ−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物誘導体の製造方法 | |
JP7475638B2 (ja) | 光学活性化合物およびその製造方法、光学活性化合物を含む配位化合物、環状化合物、ならびに中間体化合物 | |
US8742179B2 (en) | Method for producing aryl, heteroaryl, or alkenyl-substituted unsaturated hydrocarbon | |
JP5899010B2 (ja) | アンタントレン系化合物およびその製造方法 | |
JP2024077640A (ja) | ベンゾオキサジン化合物の製造方法 | |
JP4903956B2 (ja) | 7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸誘導体の製造方法 | |
JP2001089402A (ja) | 多環式芳香族化合物の製造方法 | |
JP5191701B2 (ja) | ジチアシクロペンテン誘導体またはジセレナシクロペンテン誘導体の製造方法 | |
Chang et al. | mCPBA-mediated conjugation of dibenzosuberenone and amines or carboxylic acids | |
JP2008143849A (ja) | 新規なエポキシテトラシクロドデカンカルボン酸類及びその製造方法 | |
TWI430996B (zh) | 製備富含鏡像異構物之n-羧酸酐之方法 | |
BRPI0509317B1 (pt) | Processo para preparar uma pirrol-2-carbonitrila e produto |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111222 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120724 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5070747 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |