JP2007528300A - 波形パッドコンディショナーおよびその使用方法 - Google Patents

波形パッドコンディショナーおよびその使用方法 Download PDF

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Abstract

研磨ディスク(12)と波形ディスク(10)とを有するパッドコンディショナー、およびその使用方法。波形ディスク(10)は、少なくとも1つの隆起部分(26)と、少なくとも1つのくぼみ部分(28)とを有する。研磨ディスク(12)は、くぼみ(28)部分の少なくとも一部に解除自在に取り付けられて、波形研磨表面(16)が形成される。波形ディスク(10)によって、複数のプロセスおよび種々の工作物に使用できるようにパッドコンディショナーを改質することができる。

Description

本発明は、一般に、研磨パッドのコンディショニングに使用されるパッドコンディショナーに関する。この研磨パッドは、たとえば、プラスチック、ガラス、および半導体ウエハなどの種々の材料を研磨するために構成することができる。より詳細には、本発明は、波形表面を有するパッドコンディショナーに関する。
製造中、半導体の製作に使用される半導体ウエハには、典型的には、堆積、パターン形成、およびエッチングのステップなどの多数の処理ステップが実施される。半導体ウエハのこれらの製造ステップの詳細は、トンショッフ(Tonshoff)らによって、Annals of the International Institution for Production Engineering Research(第39巻/2/1990)、621−635頁に掲載された「シリコンの砥粒加工(Abrasive Machining of Silicon)」において報告されている。それぞれの製造ステップにおいて、後の製作または製造ステップにウエハを準備するために、ウエハの露出面を改質または改良することが場合必要または望ましいことが多い。
たとえば、堆積ステップの後、ウエハ表面上に堆積された材料または層は、追加の堆積または後の処理が行われる前にさらなる処理が一般に必要となる。別の例では、エッチングステップ後、ウエハのエッチングされた表面領域上に導電性または絶縁性の材料の層を堆積する必要がある場合が多い。
エッチングステップにおいて、あらかじめ決定された程度の表面均一性が実現されることが望ましい。孔およびスクラッチなどの表面欠陥が取り除かれることも望ましい。このような表面の不規則は、半導体デバイスの性能に影響を与えたり、後の処理ステップ中に問題が発生したりすることがある。
ウエハの露出面を改質または改良する方法の1つは、液体中に分散した複数の遊離した研磨粒子を含有するスラリーでウエハ表面を処理することである。典型的には、このスラリーが研磨パッドに適用され、次にウエハ表面をパッドに対して移動させて、ウエハ表面の材料を取り除く、または除去する。このスラリーは、ウエハ表面と化学反応する物質を含有することもできる。この種のプロセスは一般に、化学的機械的平坦化または研磨(CMP)プロセスと呼ばれている。CMPプロセスの変法の1つでは、研磨パッドとしての固定研磨物品を、典型的には研磨剤を含有しない加工流体とともに使用する。
CMPの問題の1つは、所望のウエハ表面形状を得るためにこのプロセスを注意深く監視する必要があることである。研磨パッドの使用履歴は、たとえば、研磨結果に影響しうる。CMP中、研磨スラリー型CMP作業用の研磨パッド表面に光沢が出てきて、研磨スラリーの収容または供給が不十分になったり、十分な速度および均一性で研磨することができなくなったりする。研磨パッド表面は、コンディショニングされることによって、CMPに適切な形態に維持される。
他の方法でも、コンディショニングの必要な研磨パッドが使用される。たとえば、ガラスおよびプラスチックを研磨するための研磨パッドにコンディショニングが必要となる場合がある。ある用途においては、研磨パッドが研磨剤を含有する場合がある。たとえば、米国特許第5,958,794号明細書(ブリュクスフールト(Bruxvoort)ら)には、ウエハを研磨するための固定研磨物品が開示されている。
研磨パッドは、パッドコンディショナーと一般に呼ばれている研磨物品を使用してコンディショニングされる。コンディショニングステップを繰り返すと、最終的にパッドコンディショナーは消費されていく。パッドコンディショナーが消費されていくと、十分な速度および均一性で研磨パッドをコンディショニングできなくなる。したがって、耐用寿命を延長することができると、パッドコンディショナーの価値が高まる。
繰り返しのコンディショニング作業の後、研磨パッドも消費されて、交換が必要になる。研磨パッドの交換中、CMP装置が使用できなくなり、生産性が低下する。強力すぎて研磨パッドの研磨が速すぎるパッドコンディショナーは生産性を損なうことがある。パッドコンディショナーなどのほとんどの研磨物品は、1つのプロセスおよび1種類の工作物に最適化されている。たとえば、選択されたパッドコンディショナーが強力すぎて研磨パッドの研磨が速すぎる場合、切削速度のより低い別のパッドコンディショナーを代わりに使用することができる。しかし、種々の工作物に合わせて種々のパッドコンディショナーの供給を管理するのであれば、製造環境が複雑になり、在庫費用が増加する。したがって、複数のプロセスおよび多様な工作物への使用に最適化可能となれば、パッドコンディショナーの価値が高まる。
本発明は、研磨パッドをコンディショニングするための研磨物品を提供する。より詳細には、本発明は、パッドコンディショナーの耐用寿命を延長することができる波形表面を有するパッドコンディショナーに関する。この波形表面によって、複数のプロセスおよび種々の研磨パッドに使用するためのパッドの改質が可能になる。
一態様において、本発明は、研磨ディスクと波形ディスクとを有するパッドコンディショナーを提供する。研磨ディスクは、研磨パッドをコンディショニングする研磨表面を有する。波形ディスクは、研磨ディスクに隣接する波形表面を有する。波形ディスクは、少なくとも1つの隆起部分および少なくとも1つのくぼみ部分を有し、それによって波形表面が形成される。研磨ディスクは、波形研磨表面を形成するためにくぼみ部分の少なくとも一部に解除自在に取り付けられる。
別の態様において、本発明は、波形プレートとバッキングプレートとを有する波形ディスクを提供する。波形プレートに使用される材料および大きさは、研磨ディスクが波形ディスクよりも可撓性となるように選択することができる。
別の態様において、本発明は、割出しすることができる研磨表面を有する波形パッドコンディショナーを提供する。研磨ディスクを波形ディスクに対して回転させて、波形研磨表面の割出しを行うことができる。研磨ディスクはその基材中に多数の位置合わせ孔を有することができ、波形ディスクは多数の基材取り付け孔を有することができる。研磨ディスクは、1つ以上の取り外し可能な締結具を使用して波形ディスクに解除自在に取り付けることができる。ある実施形態においては、位置合わせ孔の数は、基材取り付け孔の数の少なくとも2倍である。
別の態様において、本発明は、パターン形成された波形表面を有する波形ディスクを提供する。このパターン形成された波形表面は、たとえば段階的なパターンを有することができる。
研磨パッドをコンディショニングする方法も提供する。この方法は、研磨パッドを、波形研磨層を有する研磨物品と接触させるステップを含む。この研磨物品を研磨パッドに対して移動させることによって、パッド表面を改質する。
本発明の別の態様においては、パッドコンディショナーの研磨表面の割出しを行うステップを含む方法が提供される。波形ディスクに対して研磨ディスクを第2の解除自在の取り付け位置まで回転させることによって、研磨表面の割出しを行うことができる。
上記要約は、開示されるすべての実施形態、および本発明のすべての実施を説明することを意図するものではない。図面および以下の詳細な説明によって、説明的実施形態をより詳細に例示する。
本出願全体を通して、以下の定義が適用される。
「波形」表面は、平坦ではない表面である。波形表面は、隆起部分とくぼみ部分とを含む。波形表面は特定のパターンを有することもできるし、不規則であってもよい。
「パターン形成された波形表面」は、識別可能な模様または構成を有する波形表面である。波形表面のパターンとしては、たとえば、波状、らせん、および段差が挙げられる。波形パターンは、波形表面が、隆起部分からくぼみ部分にサインカーブ状に移行する場合に形成される。サインカーブは、表面に対して垂直に形成され、表面の中心周囲の半径方向にほぼ従う。段差パターンは、隆起部分およびくぼみ部分が平坦領域を有することを除けば波状パターンと類似している。らせんパターンは、表面の中心周囲で隆起面がらせんを形成する場合に形成される。パターン形成された波形表面は、たとえば、格子、水玉、ストライプなどの他のパターンを含むこともできる。
用語「オフセット」は、波形表面の隆起部分の中心における面と、くぼみ部分の中心における面との間の距離を意味するために使用される。たとえば、波形表面がほぼ平坦な面を有し、この平坦な面から上に2mm延在する2つの円柱を有し、各円柱の中心軸が平坦な面に対して垂直となる場合、この波形表面のオフセットは2mmとなる。オフセットは、本明細書に記載される波形ディスクの表面において、または研磨表面において測定することができる。
用語「研磨パッド」は、摩擦研磨プロセスにおいて工作物の表面を改質するために使用されるポリマーシート、フォーム、ファブリック、または固定研磨物品などの材料を意味するために使用される。研磨プロセスによって、通常は工作物の表面上のスクラッチまたは孔の深さが減少する。研磨パッドは、加工流体とともに使用され、研磨スラリーを併用する場合もしない場合もある。工作物の表面を改質する研磨パッドの表面を、パッドコンディショナーが改質する。
本発明は、波形表面を有するパッドコンディショナーを提供する。波形ディスクを使用してパッドコンディショナーを変形させることによって波形表面が形成される。使用者は、波形ディスクによって、パッドコンディショナーの研磨特性を調整することができる。たとえば、選択されたパッドコンディショナーおよび研磨パッドの表面接触領域が増加すると、選択されたパッドコンディショナーの切削速度が増加する場合、パッドコンディショナーを変形させてその切削速度を低下させることができる。パッドコンディショナーの変形の種類および程度によって、パッドコンディショナーの研磨特性が調整される。逆に、他の構成においては、実質的に平坦な面から波形表面を有するようにパッドコンディショナーが変化すると切削速度が増加する場合もある。
図1は、波形パッドコンディショナーの一実施形態を示している。図1に示されるように、波形パッドコンディショナーは、波形ディスク10と、基材14と、研磨層12とを含む。研磨層12は研磨表面16を有する。
研磨層12は、バッキングを含んで、研磨表面16がバッキング上に取り付けられるように構成することができる。バッキングを含むよう構成された研磨層12では、基材14が不要になる場合もある。
研磨表面16は、研磨パッドのコンディショニングに適したテクスチャー加工された表面である。研磨表面は、たとえば、米国特許第6,123,612号明細書(ゴアーズ(Goers))(本明細書に援用される)に記載されるような研磨粒子およびマトリックス材料を含むことができる。電気めっき、焼結、およびろう付けなどの当技術分野において周知の他の技術を使用して、研磨粒子をバッキングに接着して研磨表面を形成することもできる。
研磨粒子の大きさおよび種類は、意図する用途に基づいて選択される。好適な研磨粒子としては、たとえば、溶融酸化アルミニウム、セラミック酸化アルミニウム、熱処理酸化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化タングステン、アルミナジルコニア、酸化鉄、ダイヤモンド(天然および合成)、セリア、立方晶窒化ホウ素、ガーネット、カーボランダム、亜酸化ホウ素、およびそれらの組み合わせが挙げられる。ある好ましい実施形態においては、研磨粒子が少なくとも約8のモース(Mohs)硬度を有する。別の実施形態においては、モース(Mohs)硬度が少なくとも約9である。さらに別の実施形態においては、モース(Mohs)硬度が少なくとも約10である。
本発明において有用な研磨粒子は、少なくとも約3マイクロメートルの平均サイズを有する。ある実施形態においては、研磨粒子は少なくとも約20マイクロメートルの平均サイズを有する。別の実施形態においては、研磨粒子は少なくとも約40マイクロメートルの平均サイズを有する。さらに別の実施形態においては、研磨粒子は少なくとも約80マイクロメートルの平均サイズを有する。本発明において有用な研磨粒子は、約1000マイクロメートル未満の平均サイズを有する。特定の実施形態においては、研磨粒子は、約600マイクロメートル未満の平均サイズを有する。別の実施形態においては、研磨粒子は、約300マイクロメートル未満の平均サイズを有する。
ある実施形態においては、研磨粒子は、互いに接合して一体となった粒子を形成する複数の個別の研磨粒子を含む研磨凝集体の形態であって良い。研磨凝集体は、不規則な形状であってもよいし、所定の形状を有することもできる。研磨粒子は、たとえば、カップリング剤、あるいは金属またはセラミックのコーティングなどの表面処理をさらに含むことができる。
研磨粒子を取り付けるために研磨層中に使用されるマトリックス材料は、たとえば、スズ、真鍮、銀、鉄、およびそれらの合金または組み合わせなどの金属を含むことができる。マトリックス材料は、たとえば、ステンレス鋼、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、ニッケル、およびニッケル合金などの他の金属および合金を含むこともできる。基材36は、たとえば、ステンレス鋼箔、ニッケル、またはイリノイ州シカゴのマクマスター−カー・サプライ・カンパニー(McMaster−Carr Supply Co.,Chicago,Illinois)より商品名「インコネル(INCONEL)」で入手可能なニッケル−クロム−鉄合金などのあらゆる好適な材料でできていてよい。
どのような形態であっても、研磨表面は、研磨パッド表面の研削、研磨、または他の摩耗を引き起こすように構成される。所望の研磨用途に必要な摩擦を発生させるために、研磨表面と研磨パッドとの間で相対的に移動させることによって、この表面が研磨される。
図2は、代表的な波形ディスク10の斜視図を示している。図2に示されるように、波形ディスク10は、隆起部分26と、くぼみ部分28と、波形プレート20と、バッキングプレート22とを含む。波形プレート20は、角度αを有する空隙によって分離され中心から延在する3つのアームを有する。これらのアームは、波形ディスクの隆起部分26を形成している。波形プレートの空隙領域は、くぼみ部分28を形成している。ある好ましい実施形態においては、波形ディスクは円形領域で接続された3つのアームを有し、αは約40°である。波形プレート20およびバッキングプレート22は図2に示すように分離した部品であってもよいし、図1に示されるように一体化されて1つの部品として形成されてもよい。
ある好ましい実施形態においては、波形ディスク10の隆起部分26は、くぼみ部分28の上に少なくとも0.5mm延在して、少なくとも0.5mmのオフセットを形成している。他の実施形態は、たとえば0.75mmまたは1.0mmなどのより大きなオフセットを有する波形ディスクを有する。ある実施形態においては、波形ディスクは0.050mm〜0.5mmの間のオフセットを有し、たとえば0.25mmのオフセットを有する。
波形ディスクの隆起部分およびくぼみ部分の相対的な表面領域は変化させることができる。ある好ましい実施形態においては、隆起部分の表面領域は、波形ディスク表面の少なくとも約50%を構成する。ある実施形態の隆起部分の表面領域は、波形ディスク表面の少なくとも約33%を構成する。別の実施形態においては、隆起部分の表面領域は、波形ディスク表面の少なくとも10%を構成する。ある好ましい実施形態においては、隆起部分の表面領域は、波形ディスク表面の約50%未満を構成する。ある実施形態の隆起部分の表面領域は、波形ディスク表面の約66%未満を構成する。別の実施形態においては、隆起部分の表面領域は、波形ディスク表面の約90%未満を構成する。
波形ディスク10の隆起部分26は、特定のパターンを有することもできるし、不規則であってもよい。ある好ましい実施形態においては、波形ディスクが、図2に示すようなステップパターンを有する。別の実施形態においては、波形ディスクが正弦波パターンを有する。
図3は、研磨ディスク32が取り付けられた代表的な波形ディスク10の側断面図である。図3に示されるように、研磨ディスク32は、基材14と、研磨表面16を有する研磨層12とを有する。波形ディスク10のバッキングプレート22は、取り外し可能な締結具34を通すことができる基材取り付け孔を含む。ある好ましい実施形態においては、基材14は、基材取り付け孔24と位置合わせされたねじ孔を有する。研磨ディスク32は、締結具34を使用して波形ディスクに取り付けられる。次に、締結具34は、基材14を変形させて波形研磨表面16を形成するために使用される。
締結具34をゆるめたり締めたりすることによって、研磨表面のオフセットが調整される。たとえば、より大きなオフセットが望ましい場合、締結具34を締めることができる。同様に、締結具34をゆるめると研磨表面のオフセットが小さくなる。研磨ディスク32および波形ディスク10に関して選択される材料および寸法は、研磨表面16上で実現されるオフセットに影響する。ある好ましい実施形態においては、基材14の可撓性がバッキングプレート22よりも高くなるように設計される。たとえば基材14およびバッキングプレート22が類似の材料で作製される場合、バッキングプレートが基材よりも厚くなるよう(すなわち可撓性が低くなるように)設計することができる。あるいは、バッキングプレートと基材とを異なる材料で作製することもできる。
ある実施形態においては、波形ディスクが、たとえば、鋼またはアルミニウムなどの金属でできている。波形ディスクは、たとえば、プラスチック、ゴム、またはセラミックなどの他の材料でできていてもよい。波形ディスクは、複数の材料の組み合わせでできていてもよい。たとえば、バッキングプレートは金属などの比較的剛性の材料でできていてよく、波形プレートはゴムなどの比較的柔軟な材料でできていてよい。
特定の好ましい実施形態においては、基材がポリカーボネートでできている。基材は、たとえば、エポキシ、ポリスルホン、フェノール樹脂、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリオレフィン、スチレン、およびそれらの組み合わせなどの充填剤含有および非含有のプラスチックなどの他の材料でできていてもよい。
図3に示される実施形態で使用されている締結具34はボルトである。研磨ディスクを波形ディスクに保持させることが可能な他の締結具を使用することもできる。締結具は、取り外し可能なねじまたはボルトを使用する場合のように、研磨ディスクを波形ディスクに一時的に固定することができる。一時的または取り外し可能な締結具の例としては、たとえば、ねじ、ボルト、ピン、リベット、スナップ、クランプ、フックループシステム、クリップなどが挙げられる。
締結具の方向は変更することができる。たとえば、図3に示される実施形態では、貫通孔が波形ディスク内にあり、ねじ孔が研磨ディスク内にあるようにボルトの方向が決められている。この方向が逆になって、ボルトの貫通孔が研磨層内にあり、ねじ孔が波形ディスク内にあってもよい。
図4は、研磨ディスクの代表的基材の底面図である。図4に示されるように、基材14は、第1の組の位置合わせ孔38と、第2の組の位置合わせ孔40とを有する。第1および第2の組の位置合わせ孔38、40は、研磨ディスクの中心の周囲で角度βだけずれている。これらの位置合わせ孔によって、研磨ディスクを2つ以上の位置で波形ディスクに固定することができる。各組の位置合わせ孔38、40は、基材取り付け孔24と位置が合うように構成されている。たとえば、図4に示される研磨ディスクは、9個の基材取り付け孔を有する図2と類似の波形ディスクとともに使用することができる。9個の基材取り付け孔は、第1の組の位置合わせ孔38または第2の組の位置合わせ孔40のどちらを使用しても研磨ディスクを固定することができる。ある期間試用した後、研磨ディスクを取り外し、続いて別の組の位置合わせ孔を使用して波形ディスクを再度取り付けることによって、研磨表面の使用していない部分を露出させることができる。この方法により、研磨ディスクの耐用寿命を延長することができる。
他の複数の位置合わせ孔を使用することもできる。たとえば、波形ディスクが、それぞれ1つの基材取り付け孔を有する4つのくぼみ部分を有する場合、全部で4つの孔に対して、研磨ディスクは、各組が4つの孔を有する3組以上の位置合わせ孔を有することができる。あるいは、くぼみ部分の間で異なる締結具によって、研磨ディスクの割出しを行うこともできる。この場合、研磨表面の割出しを行うために、研磨表面を波形ディスクに対して回転させることがない。たとえば、波形ディスクが8つのくぼみ部分を有する場合、研磨表面のオフセットは、4つのくぼみ部分のみで締結具を使用して調整することができる。次に、締結具を残りの4つのくぼみ部分に移動させることによって、研磨表面の割出しを行うことができる。
ある好ましい実施形態においては、コンディショナー組立体からパッドコンディショナーを取り外さずに研磨表面の割出しを行うことができる。これは、波形ディスク内の半径方向に溝がついた取り付け孔などの当技術分野において周知のあらゆる手段を使用して実現することができる。別の実施形態においては、コンディショナーパッドが研磨パッドのコンディショニングを行いながら、研磨表面の割出しを行うことができる。これは、たとえば、波形ディスクと研磨ディスクとに同軸のシャフトを使用する、または波形ディスクと研磨ディスクとの間に遊星歯車を使用するなどの当技術分野において周知のあらゆる手段によって実現することができる。このような実施形態においては、一連の半径方向の溝を使用し、溝の内部でスライド可能な締結具を係合することによって、研磨ディスクを波形ディスクに固定することができる。これらの溝は、波形ディスクの表面上に位置決めして、研磨ディスクに固定された締結具がスライドするように対応させることができる。
以下の実施例によって本発明の利点および他の実施形態をさらに説明するが、これらの実施例に記載される個々の材料およびそれらの量、ならびに他の条件および詳細は、本発明を不当に限定するために構成されたものではない。たとえば、波形ディスクは、1つの一体構造であってもよいし、波形プレートとバッキングプレートとの組み合わせであってもよい。さらに、実施例では、より容易に切削速度および累積切削量がより容易に測定される試験片を得るために、研磨パッドの代わりにポリカーボネートのコンディショニングを行っている。これらの実施例は、波形パッドコンディショナーを使用することによって、材料除去速度を調整することができ、経時によるパッドコンディショナーの切削速度のばらつきを減少させることができることを示している。特に明記しない限り、すべての部数およびパーセント値は重量を基準としている。
実施例1A
両面テープを使用して研磨材料を基材に取り付けることによって研磨ディスクを作製した。研磨材料は、ミネソタ州セントポールの3M社(3M Co.,St.Paul,MN)より入手可能な「472L、40μm、炭化ケイ素微細仕上げフィルム」(472L,40μm,silicon carbide microfinishing film)を直径83mmのディスクに切り取り、中央に19mmの孔を開けたものであった。基材は、厚さ6.3mm、直径83mmのポリカーボネートディスクであった。基材にドリルで孔を開け、30mmの直径上に互いに等間隔に配置した6個の10−24UNCのねじ孔を形成した。
バッキングプレートの上に波形プレートを配置して波形ディスクを作製した。この波形プレートは、厚さ0.6mmのポリプロピレンシートを直径85mmに切断したものであった。波形プレートは、図2に示す波形プレート20と同様に3つのアームを有するように構成した。角度αは40°であった。バッキングプレートは、1.27mmのアルミニウム板を直径100mmに切断したものであった。基材のねじ孔と一致するように、バッキングプレートの直径30mm上に6つの貫通孔をドリルで開けた。
3つのねじを使用して研磨ディスクを波形ディスクに取り付けた。これらのねじを使用して、研磨ディスクの基材を、波形ディスクのバッキングプレートの3つのくぼみ部分に引き寄せて接触させた。
オクラホマ州マスコーギーのガーバー−コバーン(Gerber−Coburn,Muskogee,OK)より入手可能なガーバー・エイペックス(Gerber Apex)レンズ研磨装置を使用して、研磨性能を試験した。厚さ12mmのポリカーボネートディスクを試験工作物として使用した。より容易に切削速度および累積切削量がより容易に測定される試験片を得るために、研磨パッドの代わりにポリカーボネートを使用した。工作物の累積切削量を測定することによって、この波形パッドコンディショナーの試験を行った。結果を表1および図5および6に示す。
実施例1B
実施例1Bでは、実施例1Aで使用した研磨ディスクを、波形ディスクのまわりに60°回転させ(すなわち割出しを行い)、実施例1Aと同じ試験を使用して再試験した。回転後、実施例1Aの波形ディスクの同じ貫通孔、および研磨ディスクの別のねじ孔に3つのねじを取り付けた。これらのねじを使用して、研磨ディスクの基材を、波形ディスクのバッキングプレートの3つのくぼみ部分に引き寄せて接触させた。工作物の累積切削量を測定することによって、この波形パッドコンディショナーの試験を行った。結果を表1および図5および6に示す。
比較例1
波形表面をなくすために波形プレートを外したことを除けば、実施例1Aと同じ方法で比較例1を作製した。6個のねじを使用して、研磨層の基材をバッキングプレートに取り付けた。工作物の累積切削量を測定することによって、この平坦なパッドコンディショナーの試験を行った。結果を表1および図5および6に示す。
Figure 2007528300
表1および図5および6に示されるように、波形パッドコンディショナーは平坦なパッドコンディショナーよりも切削速度が全体的に低く、波形パッドコンディショナーの切削速度は長時間にわたってより一定であった。
実施例2A
焼結研磨層をポリカーボネート基材に取り付けて研磨ディスクを作製したことを除けば、実施例1Aと同じ方法で、実施例2Aを作製し試験を行った。ミネソタ州セントポールの3M社(3M Co.,St.Paul,MN)より入手可能なA160、3M 4980−6パッドコンディショナーから焼結層を取り外すことによって、焼結研磨層を作製した。焼結層を取り付けているエポキシが軟化するまで、パッドコンディショナーをホットプレート上で加熱した後、焼結層を取り外した。次に、この焼結層を、エポキシでポリカーボネート基材に取り付けた。
ポリカーボネート工作物から除去される累積材料を測定することによって、この波形パッドコンディショナーの試験を行った。結果を表2に示す。
実施例2B
実施例2Bでは、実施例2Aの研磨ディスクを、波形ディスクのまわりに60°回転させ(すなわち割出しを行い)、実施例2Aと同じ試験を使用して再試験した。回転後、実施例2Aの波形ディスクの同じ貫通孔、および研磨ディスクの別のねじ孔に3つのねじを取り付けた。これらのねじを使用して、研磨ディスクの基材を、波形ディスクのバッキングプレートの3つのくぼみ部分に引き寄せて接触させた。工作物の累積切削量を測定することによって、この波形パッドコンディショナーの試験を行った。結果を表2に示す。
比較例2
波形表面をなくすために波形プレートを外したことを除けば、実施例2Aと同じ方法で比較例2を作製した。6個のねじを使用して、研磨層の基材をバッキングプレートに取り付けた。工作物から除去される累積材料量を測定することによって、この平坦なパッドコンディショナーの試験を行った。結果を表2に示す。
Figure 2007528300
表2に示されるように、波形パッドコンディショナーは、平坦なパッドコンディショナーよりも平均切削速度が高かった。
本発明の多数の特徴および利点を、本発明の構造および機能の詳細とともに、上記説明および実施例で説明してきたが、この開示は単に説明的なものであることを理解されたい。添付の特許請求の範囲が表現されている語句の意味することによって完全に示される本発明の原理、ならびにそれらの構造および方法の同等物の範囲内で、波形パッドコンディショナー組立体および使用方法の詳細、特に、形状、大きさ、および配置を変更することができる。たとえば、波形パッドコンディショナーは、三次元研磨物品などの固定研磨物品、および研磨スラリーから作製された従来のラップ材料のコンディショニングに使用することができる。
代表的なパッドコンディショナーの斜視図である。 代表的な波形ディスクの斜視図である。 研磨ディスクが取り付けられた代表的な波形ディスクの側断面図である。 2組の位置合わせ孔を有する代表的な研磨ディスクの底面図である。 累積切削速度対時間を示すグラフである。 切削速度対使用時間を示すグラフである。

Claims (20)

  1. 研磨表面と、前記研磨表面の反対側の第2の表面とを含む研磨ディスクと、
    前記研磨ディスクの前記第2の表面に隣接する波形表面を有する波形ディスクであって、少なくとも1つの隆起部分と少なくとも1つのくぼみ部分とを含む波形ディスクと、
    を含み、前記研磨ディスクが、前記くぼみ部分の少なくとも一部に解除自在に取り付けられて波形研磨表面を形成するパッドコンディショナー。
  2. 前記パッドコンディショナーが化学的機械的平坦化パッドコンディショナーである請求項1に記載のパッドコンディショナー。
  3. 前記波形ディスクが、波形プレートとバッキングプレートとをさらに含む請求項2に記載のパッドコンディショナー。
  4. 前記研磨ディスクが、基材と研磨層とをさらに含む請求項2に記載のパッドコンディショナー。
  5. 前記基材が前記波形ディスクよりも可撓性が高い請求項4に記載のパッドコンディショナー。
  6. 前記基材がポリカーボネートで形成されている請求項5に記載のパッドコンディショナー。
  7. 少なくとも1つの取り外し可能な締結具を使用して前記くぼみ領域に前記基材が解除自在に取り付けられる請求項4に記載のパッドコンディショナー。
  8. 前記基材が多数の位置合わせ孔をさらに含み、前記波形ディスクが多数の基材取り付け孔をさらに含み、前記基材取り付け孔および前記位置合わせ孔が、前記取り外し可能な締結具に合わせて構成されている請求項7に記載のパッドコンディショナー。
  9. 前記多数の位置合わせ孔が、前記多数の基材取り付け孔の少なくとも2倍である請求項8に記載のパッドコンディショナー。
  10. 前記研磨ディスクが焼結研磨層を含む請求項2に記載のパッドコンディショナー。
  11. 少なくとも3つの前記くぼみ部分をさらに含む請求項2に記載のパッドコンディショナー。
  12. 前記波形ディスクがパターン形成された波形表面を含む請求項11に記載のパッドコンディショナー。
  13. 前記パターン形成された波形表面が段差パターンを有する請求項12に記載のパッドコンディショナー。
  14. 前記パターン形成された波形表面が、約0.25mm〜約0.75mmの範囲のオフセットを含む請求項12に記載のパッドコンディショナー。
  15. 前記隆起部分が、前記パターン形成された波形表面の領域の約33%〜約66%の範囲である請求項12に記載のパッドコンディショナー。
  16. 研磨パッドのコンディショニングを行う方法であって、
    前記パッドを、研磨ディスクと波形研磨層を形成する波形ディスクとを含む研磨物品に接触させるステップと、
    前記研磨物品を前記パッドに対して移動させて前記パッドの表面を改質するステップと、
    を含む方法。
  17. 前記波形研磨層が、約0.25mm〜約0.75mmの範囲のオフセットを含む請求項16に記載の方法。
  18. 前記研磨ディスクを前記波形ディスクに対して回転させることによって前記研磨物品の割出しを行うステップをさらに含む請求項16に記載の方法。
  19. 前記研磨ディスクの前記波形研磨層のオフセットを調整するステップをさらに含む請求項16に記載の方法。
  20. 少なくとも1つの取り外し可能な締結具を使用して前記研磨ディスクが前記波形ディスクに取り付けられる請求項16に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017110156A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 ニューレジストン株式会社 研削装置および当該研削装置用の研削具

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7744447B2 (en) * 2005-03-16 2010-06-29 Goei, Co., Ltd. Abrasive disc
TWI290337B (en) * 2005-08-09 2007-11-21 Princo Corp Pad conditioner for conditioning a CMP pad and method of making the same
JP4791121B2 (ja) * 2005-09-22 2011-10-12 新日鉄マテリアルズ株式会社 研磨布用ドレッサー
JP5013202B2 (ja) * 2005-10-14 2012-08-29 旭硝子株式会社 研磨パッド用ツルーイング部材及び研磨パッドのツルーイング方法
WO2009158507A2 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Chemical mechanical planarization pad conditioner and method of forming
TW201016387A (en) * 2008-10-22 2010-05-01 jian-min Song CMP Pad Dressers with Hybridized abrasive surface and related methods
US8628597B2 (en) * 2009-06-25 2014-01-14 3M Innovative Properties Company Method of sorting abrasive particles, abrasive particle distributions, and abrasive articles including the same
CN106078517A (zh) * 2016-08-03 2016-11-09 咏巨科技有限公司 一种抛光垫修整装置
US10471567B2 (en) * 2016-09-15 2019-11-12 Entegris, Inc. CMP pad conditioning assembly
CN106733792A (zh) * 2016-12-12 2017-05-31 北京中电科电子装备有限公司 一种用于半导体磨削台的清洁装置
CN110087809B (zh) * 2016-12-21 2020-12-01 3M创新有限公司 具有垫片的垫调节器和晶片平面化系统
JP6899490B2 (ja) * 2017-11-21 2021-07-07 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被覆研磨ディスク並びにその製造方法及び使用方法
US20200094375A1 (en) * 2018-09-26 2020-03-26 Cana Diamond Technology, LLC Multiple zone pad conditioning disk
US11331767B2 (en) * 2019-02-01 2022-05-17 Micron Technology, Inc. Pads for chemical mechanical planarization tools, chemical mechanical planarization tools, and related methods
CN116749080B (zh) * 2023-08-18 2023-11-14 浙江求是半导体设备有限公司 修整方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2990661A (en) * 1958-07-10 1961-07-04 Donald P Hackett Backing disk for abrasive sheet

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US907862A (en) * 1905-02-18 1908-12-29 Henry D Nicholls Grinding and sharpening machine.
US3110140A (en) * 1961-01-03 1963-11-12 Helen M Jacox Backing plate for abrasive disks
FR1596322A (ja) * 1968-01-05 1970-06-15
US4652275A (en) * 1985-08-07 1987-03-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Erodable agglomerates and abrasive products containing the same
US4799939A (en) * 1987-02-26 1989-01-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Erodable agglomerates and abrasive products containing the same
US5014468A (en) * 1989-05-05 1991-05-14 Norton Company Patterned coated abrasive for fine surface finishing
US5152917B1 (en) * 1991-02-06 1998-01-13 Minnesota Mining & Mfg Structured abrasive article
US5437754A (en) * 1992-01-13 1995-08-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article having precise lateral spacing between abrasive composite members
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5549962A (en) * 1993-06-30 1996-08-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Precisely shaped particles and method of making the same
US5453312A (en) * 1993-10-29 1995-09-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article, a process for its manufacture, and a method of using it to reduce a workpiece surface
US5454844A (en) * 1993-10-29 1995-10-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article, a process of making same, and a method of using same to finish a workpiece surface
JP3036348B2 (ja) * 1994-03-23 2000-04-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置
US5458532A (en) * 1994-01-12 1995-10-17 Cannone; Salvatore L. Undulating edged pad holder for rotary floor polishers
US5897424A (en) * 1995-07-10 1999-04-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Renewable polishing lap
US5958794A (en) * 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
US5692950A (en) * 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
AU6887898A (en) * 1997-04-04 1998-10-30 Obsidian, Inc. Polishing media magazine for improved polishing
US6194317B1 (en) * 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
US6093280A (en) * 1997-08-18 2000-07-25 Lsi Logic Corporation Chemical-mechanical polishing pad conditioning systems
US6200199B1 (en) * 1998-03-31 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
US6123612A (en) * 1998-04-15 2000-09-26 3M Innovative Properties Company Corrosion resistant abrasive article and method of making
US6190243B1 (en) * 1998-05-07 2001-02-20 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6203407B1 (en) * 1998-09-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity
US6093085A (en) * 1998-09-08 2000-07-25 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatuses and methods for polishing semiconductor wafers
US6263605B1 (en) * 1998-12-21 2001-07-24 Motorola, Inc. Pad conditioner coupling and end effector for a chemical mechanical planarization system and method therefor
US20040053566A1 (en) * 2001-01-12 2004-03-18 Applied Materials, Inc. CMP platen with patterned surface
US20040072518A1 (en) * 1999-04-02 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Platen with patterned surface for chemical mechanical polishing
US6220942B1 (en) * 1999-04-02 2001-04-24 Applied Materials, Inc. CMP platen with patterned surface
US6217426B1 (en) * 1999-04-06 2001-04-17 Applied Materials, Inc. CMP polishing pad
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
EP1052063A1 (en) * 1999-05-03 2000-11-15 Applied Materials, Inc. System for chemical mechanical planarization
US6491843B1 (en) * 1999-12-08 2002-12-10 Eastman Kodak Company Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
US6498101B1 (en) * 2000-02-28 2002-12-24 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies
KR100360469B1 (ko) * 2000-05-09 2002-11-08 삼성전자 주식회사 화학기계적 연마장치의 연마패드 컨디셔닝 장치
US6520834B1 (en) * 2000-08-09 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6800020B1 (en) 2000-10-02 2004-10-05 Lam Research Corporation Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
US20020072296A1 (en) * 2000-11-29 2002-06-13 Muilenburg Michael J. Abrasive article having a window system for polishing wafers, and methods
US20020127957A1 (en) * 2000-12-20 2002-09-12 Shipley Kevin D. Chemical mechanical polish pad conditioning device
US6612917B2 (en) * 2001-02-07 2003-09-02 3M Innovative Properties Company Abrasive article suitable for modifying a semiconductor wafer
US6632129B2 (en) * 2001-02-15 2003-10-14 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive article for use in modifying a semiconductor wafer
US20020142601A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-03 Boyd John M. Method for planarizing a surface of a semiconductor wafer with a fixed abrasive material
US6508697B1 (en) * 2001-07-16 2003-01-21 Robert Lyle Benner Polishing pad conditioning system
US6712679B2 (en) * 2001-08-08 2004-03-30 Lam Research Corporation Platen assembly having a topographically altered platen surface
US6652708B2 (en) 2001-12-28 2003-11-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for conditioning and temperature control of a processing surface
US7160178B2 (en) * 2003-08-07 2007-01-09 3M Innovative Properties Company In situ activation of a three-dimensional fixed abrasive article

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2990661A (en) * 1958-07-10 1961-07-04 Donald P Hackett Backing disk for abrasive sheet

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017110156A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 ニューレジストン株式会社 研削装置および当該研削装置用の研削具
JPWO2017110156A1 (ja) * 2015-12-25 2018-10-11 ニューレジストン株式会社 研削装置および当該研削装置用の研削具

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