TWI358743B - Undulated pad conditioner and method of using same - Google Patents

Description

1358743 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於用於調節拋光墊之襯墊調節器。 該等拋光墊可組態成用於拋光多種材料，包括（例如）：塑 膠、玻璃及半導體晶圓。更特定言之，本發明係關於一種 具有一波狀表面之襯墊調節器。 【先前技術】 在製造過程中，用於半導體加工中之半導體晶圓通常經 歷諸多處理步驟，包括沉積、圖案化及蝕刻步驟。Annals of the International Institution for Production Engineering Research(卷 39/2/1990)第 621-635 頁中出版之Tonshoff 等人 的"Abrasive Machining of Silicon"中報導了用於半導體晶 圓之此等製造步驟之細節。在每一製造步驟中，經常必需 或需要將晶圓之曝露表面改質或改進，以為隨後之加工或 製造步驟製備晶圓。 舉例而言，在一沉積步驟之後，一晶圓表面上之沉積材 料或層在額外沉積或隨後之處理發生之前一般需要進一步 之處理。在另一實例中，在一蝕刻步驟之後，經常需要將 層内之導電材料或絕緣材料沉積於一晶圓之經钮刻之表面 區域上。 在每一步驟處，經常需要達成一表面均勻性之預定程 度。亦需要移除諸如凹點及刮痕之表面缺陷。該等表面不 規則可影響半導體裝置之效能，或在隨後之處理步驟期間 造成問題。 99254.doc 1358743 一種將晶圓之曝露表面改質或改進之方法涉及使用含有 分散於液體中之複數個鬆散研磨顆粒之漿料來處理晶圓表 面。通常，此漿料塗覆至一拋光墊上，且晶圓表面接著抵 罪該襯墊移動以將材料自該晶圓表面移除或去除。該漿料 亦可含有與晶圓表面起化學反應之試劑。此類型之處理通 常稱作化學機械研磨或拋光（CMP)處理。各種CMp處理使 用一固疋研磨物品作為拋光墊，通常與一無研磨劑之工作 流體一起使用。 CMP存在之一問題為：為達成所要之晶圓表面構形必須 仔細監控該處理。舉例而言，拋光墊之使用歷史可影響拋 光結果。在CMP期間，用於研磨漿料類型CMp操作之拋光 墊之表面變得光滑，因此不能接受容納或分配該研磨漿 料’且另外不能夠以令人滿意之速率及均勻度來拋光。調 節拋光墊表面使得其保持於用於CMp之適當形式。 其它處理亦使用需要調節之拋光墊。舉例而言，用於玻 璃及塑膠拋光之拋光塾需要調節。在某些應用巾，抛光塾 可含有研磨劑。舉例而言，（Bruxv〇〇rt等人）美國專利案第 5,958,794號中揭示了一種用於拋光晶圓之固定研磨物品。 使用通*稱作襯墊調節器之研磨物品來調節拋光墊。 在反覆的調節步驟之後，襯墊調節器最終會變得失效。當 襯塾調節器變得不能以令人滿意之速率及均句度來調節^ 光塾時：該襯墊調節器即為失效。相應地，若襯墊調節器 之有用壽命可延長，則其價值增高。 在反覆的調節操作之後，拋光塾亦會失效且需要置換。 99254.doc 1358743 在拋光墊之置換期間，無法使用CMP設備且生產力降低。 一太具有侵姓性且太快地磨損抛光墊之襯墊調節器可減損 生產力》為一處理及一類型之工件而最佳化大多數研磨物 品（包括襯墊調節器）。舉例而言，若所選之襯墊調節器太 具有侵蝕性且太快速地磨損拋光墊，則一具有較低切割速 率（cut rate)之替代襯墊調節器可用於其位置處β然而，管 理用於各種工件之各種襯墊調節器的供應為製造環境引入 了複雜性，且增加了存貨成本。因此，若可為在多個處理 中之使用及為多種工件而最佳化襯墊調節器，則其價值增 1¾。 【發明内容】 本發明提供一種用於調節一拋光墊之研磨物品。更特定 言之，本發明係關於一種具有一可增加襯墊調節器之有用 壽命之波狀表面的襯墊調節器。該波狀表面亦允許將該襯 墊改質以供多個處理使用且用於多種拋光墊。 在一態樣中，本發明提供一種具有一研磨盤及一波狀盤 之襯墊調節器《該研磨盤具有一調節拋光墊之研磨表面。 該波狀盤具有一接近該研磨盤之波狀表面。該波狀盤具有 造成該波狀表面之至少一凸起部分及至少一凹陷部分。該 研磨盤可釋放地接附於該凹陷部分之至少一部分上，以形 成一波狀研磨表面。 在另一態樣中，本發明提供一種具有一波狀板及一背襯 板之波狀盤。可選擇用於該波狀板之材料及尺寸，使得該 研磨盤比該波狀盤更具有可撓性。 99254.doc 1358743 在另一態樣中，本發明提供一種具有一可被分度之研磨 表面的波狀襯墊調節器。該研磨盤可相對於該波狀盤旋轉 以將該波狀研磨表面分度。該研磨盤在其基板中可具有若 干分度孔，且该波狀盤可具有若干基板安裝孔。可藉由一 或多個可移除之扣件來將該研磨盤可釋放地接附於該波狀 盤上。在某些實施例中，分度孔之數量為基板安裝孔之數 量的至少兩倍。 在另一態樣中，本發明提供一種具有一圖案化波狀表面 之波狀盤。該圖案化波狀表面可具有（例如）一階梯狀圖 案。 本發明亦提供用於S周節一拋光墊之方法。該等方法包括 使該拋光墊與一具有一波狀研磨層之研磨物品接觸。該研 磨物品相對於該拋光墊移動以將該襯墊之表面改質。 在本發明之另一態樣中，提供包括將襯墊調節器之研磨 表面为度之方法。藉由相對於波狀盤將研磨盤旋轉至一第 二可釋放接附位置處而將研磨表面分度。 上文之概述並非意欲描述本發明之每一揭示之實施例或 每一建構。接下來之圖式及詳細描述將更具體地例示說明 性實施例。 【實施方式】 遍及本申請案應用了以下定義： 一 ”波狀"表面為一非平面之表面。波狀表面包括凸起部 分及凹陷部分。波狀表面可具有一圖案或為無規的。 一圖案化波狀表面”為一具有一可辨識設計或組態之波 99254.doc 1358743 狀表面。圖案化波狀表面包括（例如）：波形、螺旋形及階 梯狀。當波狀表面以一類似正弦曲線之方式自凸起部分轉 變成凹陷部分時，形成一波形圖案。正弦曲線垂直於該表 面形成，且通常跟隨圍繞該表面中心之半徑。—階梯狀圖 案類似於一波形圖案，除了該等凸起及凹陷部分具有平坦 區域以外。當凸起表面形成一圍繞該表面中心之螺旋時， 形成一螺旋形圖案。圖案化波狀表面可包括其它圖案，包 括（例如）：棋盤形、圓點形、條紋形及其類似物。 術語"偏移”用於指一波狀表面之一凸起部分之中心處之 平面與一凹陷部分之中心處之平面之間的距離。舉例而 δ，右一波狀表面具有一大體上平坦之表面，其中兩個圓 柱在該平坦表面上方2 mm處延伸使得每一圓柱之中心軸線 垂直於該平坦表面，則該波狀表面之偏移即為2 。如本 文所為述的，可在波狀盤之表面處或可在研磨表面處量測 該偏移。 術語”拋光墊"用於指一用於在一摩擦拋光處理中將一工 件之表面改質之材料，諸如一聚合薄片、泡沫、織物或一 固定之研磨物品。該拋光處理通常減小工件表面上之刮痕 或凹點的深度。拋光墊通常與一工作流體一起使用，且可 在具有或不具有研磨漿料之條件下使用。一襯墊調節器改 質一拋光墊之表面，其接著又改質一工件之表面。 本發明提供一種具有一波狀表面之襯墊調節器。藉由一 波狀盤使襯塾調節器變形造成了波狀表面。該波狀盤允許 使用者調整襯墊調節器之研磨特性。舉例而言，若當所選 99254.doc •9- 1358743 3調節器與拋光墊之表面接觸區域增大時該所選襯墊調 即盗之切割速率增高，則可將該襯墊調節器變形以減小其 切割速率。襯墊調節器變形之類型及範圍調整襯墊調節器 :研磨特性β相反，在其它組態巾，當襯墊調節器自具有 —大體±平坦之纟面轉變成具有一》皮狀表面時，切割速率 會増南。 圖1展示波狀襯墊調節器之一實施例。如^所示，㈣ &视墊瑪節器包括波狀盤10、基板14及研磨層"。研磨層 擊 12具有一研磨表面16。 研磨層可建構成包括—背襯，該背襯具有接附於其上 之研磨表面16。建構成具有一背襯之研磨層12可消除對基 板14之需要。 上研磨表面16為一適用於調節拋光墊之紋理表面。舉例而 言，該研磨表面可包括研磨顆粒及一基質材料，諸如美國 專利案第6，123,612號（Goers)中所描述的，其内容以引用的 馨 弋併入本文中亦可使用此項技術令已知之包括（例如） 電鍍、燒結及銅焊之其它技術來將研磨顆粒黏著於一背襯 上，以產生一研磨表面。 基於所需之應用選擇研磨顆粒之尺寸及類型。合適研磨 顆粒包括（例如广稠合氧化鋁、陶瓷氧化鋁、經熱處理之 氧化銘、碳化石夕、碳化棚、碳化鶴、氧化紹、氧化錯、氧 化鐵、金剛石（天然及合成）、氧化飾、立方氮化蝴、石榴 石金剛砂、次氧化硼（boron suboxide)及其組合物。在某 些較佳實施例中，研磨顆粒具有至少約為82M〇hs硬度。 99254.doc -10. 丄乃8743 在其它實施例中，Mohs硬度至少約為9 ^在另外實施例 中’ Mohs硬度至少約為1〇。 在本發明t有用之研磨顆粒具有至少約3微米之平均尺 寸°在某些實施例中，研磨顆粒具有至少約2〇微米之平均 尺寸。在其它實施例中，研磨顆粒具有至少約4〇微米之平 均尺寸。在另外的實施例中，研磨顆粒具有至少約8〇微米 之平均尺寸。在本發明中有用之研磨顆粒具有小於約1〇〇〇 微米之平均尺寸。在某些實施例中，研磨顆粒具有小於約 600微米之平均尺寸。在其它實施例中，研磨顆粒具有小 於約300微米之平均尺寸。 在某些實施例中，研磨顆粒可成研磨聚結物之形式，其 包含黏結在一起以形成一整體微粒的複數個單個研磨顆 粒。研磨聚結物可成不規則形狀或可具有一預定形狀。研 磨顆粒可進一步包括一表面處理，諸如偶合劑或金屬塗層 或陶瓷塗層》 用於在研磨層中接附研磨顆粒之基質材料可包括金屬， 諸如錫、青銅、銀、鐵及其合金或組合物。該基質材料亦 可包括其它金屬及金屬合金，包括（例如）：不錄鋼、敍、 鈦合金、锆、锆合金、鎳及鎳合金。基板36可由任何合適 之材料製成，諸如不銹鋼羯、鎳、或可自McMaster_c抓 Supply Co” Chicago，ηιίη〇_得之商標為"inc〇Nel"的 錄絡鐵合金。 無論以何種形式，研磨表面建構成磨光、拋光或另外研 磨一抛光蟄之表面。通常藉由在研磨表面與抛光塾之間相 99254.doc 1358743 對移動以產生所要研磨應用所需要之摩擦來研磨該表面。 圖2展不一例示性波狀盤10之透視圖。如圖2所示，波狀 盤10包括凸起部分26、凹陷部分28、—波狀板2G及—背概 板22。波狀板20具有藉由一具有一角α之空隙分隔的自中 心延伸出之三個臂。該等臂形成波狀盤之凸起部分26。波 狀板之空隙區域造成凹陷部分28。在某些較佳實施例中， 波狀盤具有藉由一 α為約4〇度之圓形區域連接的三個臂。 如圖2所不，波狀板2〇及背襯板22可分隔成若+片，或如 ’ W1所示，其可為整合的，且可形成為一片式。 、在某些較佳實施例中，波狀盤1Q之凸起部分26在凹陷部 分28上方至少〇·5 mm處延伸，以造成—至少〇5瓜瓜之偏 移 ' 其它實施例提供具有較大偏移（諸如〇75 mm‘1 〇 mm) 之波狀盤。在某些實施例中，波狀盤具有在0.050随與 〇.5 mm之間的偏移，包括（例如）一為〇25咖之偏移。 波狀盤之凸起部分與凹陷部分之相對表面面積可變化。 #在某些較佳實施例中，凸起部分之表面面積包含波狀盤之 表面的至少約50%。對於一些實施例而言，凸起部分之表 面面積包含波狀盤之表面的至少約33%。在其它實施例 中，凸起部分之表面面積包含波狀盤之表面的至少1〇%。 在某些較佳實施例中，凸起部分之表面面積包含小於波狀 盤之表面的約50%。對於一些實施例而言，凸起部分之表 面面積包含小於波狀盤之表面的約66%。在其它實施例 中，凸起部分之表面面積包含小於波狀盤之表面的約 90〇/〇 〇 99254.doc -12- 1358743 v 波狀盤10之凸起部分26可具有一圖案或可為無規的。在 某些較佳實施例中，波狀盤具有一如圖2所示之階梯狀圖 案。在其它實施例中，波狀盤具有一正弦波圖案。

圖3為一附著有一研磨盤32之例示性波狀盤1〇的截面側 視圖。如圖3所示，研磨盤32具有一基板14及一具有一研 磨表面16之研磨層12。波狀盤1〇之背襯板22包括允許可移 除之扣件34穿過的基板安裝孔。在某些較佳實施例中，基 板14具有與基板安裝孔24對準之螺紋孔。研磨盤”藉由Z 件34而附著於波狀盤上。接著，扣件34用於使基板“變 形’以產生一波狀研磨表面16。

鬆開或緊固扣件34可調整研磨表面之偏移。舉例而令， 若需要一較大偏移，則可將扣件34緊固。同樣，鬆開扣件 34將減小研磨表面之偏移。為研磨盤32及波狀盤所選之 材料及尺寸將影響研磨表面16上可達成之偏移。在某些較 佳實施例中，基板14設計成為比背襯板22更具有可撓性。 舉例而言，雖然基板14與背襯板22可由類似材料製成，但 责襯板可設計成比基板更厚（即，較少可撓性）。或者，背 襯板與基板可由不同材料製成。 在某些實施例中，波狀盤係由金屬製成，諸如鋼或鋁。 波狀盤亦可由其它金屬製成，包括（例如）塑膠、橡膠或陶 瓷。波狀盤亦可由若干材料之組合物製成。舉例而言，背 襯板可由一相對剛硬之材料（諸如金屬）製成，而波狀板可 由一相對柔軟之材料（諸如橡膠）製成。 在某些較佳實施例中，基板係由聚碳酸酯製成。基板亦 99254.doc -13- 1358743 材料製成’包括(例如)填充塑膠及未填充塑勝: =環氧樹脂、聚碼、㈣塑膠、聚丙婦酸醋、聚甲基丙 稀酸酯、聚婦煙、笼7咕 岬本乙烯及其組合物。 用於圖3所示之杳 & j的扣件34為一螺釘。亦可使用能 夠將研磨盤固持於法壯 W 皮狀盤上之其它扣件。諸如藉由一可移 除之帶螺紋之螺桿或碟名 于及螺釘，扣件可將研磨盤臨時接附於波 狀盤上。臨時扣件或可爲哈夕4 又』移除之扣件的貫例包括（例如）螺 桿 '螺釘、插腳、叙Μτ、杖4 , Λ Ρ釘搭扣、夾鉗、掛鉤及圈環系統、 夾具及其類似物。 扣件之方位可為變化的。舉例而言，圖3所示之實施例 將該螺釘定向成使得通孔㈣波狀㈣且㈣隸於研磨 盤内。可顛倒定向’使得用於螺釘之通孔位於研磨層内而 螺紋孔位於波狀盤内。 圖4為一研磨盤之一例示性基板的底側視圖。如圖4所 示，基板14具有第一組分度孔38及第二組分度孔糾。該等 第一及第二组分度孔38、40關於研磨盤之中心偏移角度 β。該等分度孔允許研磨盤以一個以上位置接附於波狀盤 上。每組分度孔38、40組態成與基板安裝孔24對準。舉例 而言，圖4中展示之研磨盤可與一類似於圖2之具有九個基 板安裝孔的波狀盤一起使用。藉由使用第一組分度孔38或 第二組分度孔40，該等九個基板安裝孔能夠緊固研磨盤。 在一段使用期之後，可移除研磨盤，且隨後使用替代組之 分度孔來將研磨盤再附著至波狀盤，以曝露研磨表面之未 使用部分。以此方式，延長了研磨盤之有用壽命。 99254.doc -14- 1358743 亦可使用其它多個分度孔。舉例而言，若波狀盤具有四 個凹陷部分’每-凹陷部分具有—基板安裝孔，其總數即 為四個孔’則研磨盤可具有三組或三組以上分度孔，每一 組具有四個孔。或者，可藉由改變凹陷部分之間的扣件來 將研磨盤分度。以此方式’研磨表面不相對於波狀盤旋轉 以將研磨表面分度。舉例而言，若一波狀盤具有八個凹陷 部分，則可使用僅四個凹陷部分中之扣件來調整研磨表面

之偏移。接著’藉由將該等扣件移至剩餘四個凹陷部分 處’可將該研磨表面分度。 在某些較佳實施例中’無需將襯墊調節器自調節器總成 移除即可將研磨表面分度。此可藉由此項技術中已知：任 何構件來實現，包括波狀盤巾徑向㈣之安裝孔。在其它 實施例中’當調節器襯墊正調節拋光墊之同時可將研磨表 面分度。此可藉由此項技術中已知之任何構件實現，包括 (例如）用於波狀盤與研磨盤之同心轴，或_在波狀盤與研 磨盤之間的行星齒輪。在此等實施例巾，可使用―系列徑 向槽將研磨盤接附於波狀盤上，該等徑向槽喃合可在槽: 滑動之扣件。藉由接附至研磨盤之相應滑動扣件可將該等 槽定位於波狀盤之表面上。 本發明之優點及其它實施例由下列實例得以進一步說 明’但此等實例中所述之特定材料及其數量以及其它條件 及細節不應理解為過度限制本發明。舉例而言，波狀盤可 為一整合體或可為一波狀板及背襯板之組合 實例3周卽聚碳酸醋而非一抛光塾，以提供— 。另外，該等 具有更易於量 99254.doc 15· 1358743 刀割連率及f積切割的試件。該等實例展示了一波狀 塾調節器可用於調整材料移除速率及減少襯塾調節器之 割逮率隨時間之可變性。除非另外指示，所有份量及百 v刀比均以重量計。

實例1A 』藉由使用雙面膠帶將—研磨材料附著於—基板上，從而 =備厂研磨盤。該研磨材料為可自Μ C〇.，st. Paul，MN購 得的472 L、40 μπι之碳化石夕精密磨削薄膜"，#切割成一 :有為19 mm之中心孔的直徑為83 mm之圓盤。該基板 為具有6.3 mm厚、83 mm直徑之聚碳酸酯圓盤。該基板 被鑽孔並攻出在一 3〇 mm直徑上彼此相距同等距離置放的 六個10-24 UNC螺紋。 藉由將一波狀板置放於一背襯板上來製備一波狀盤。該 波狀板為一切割成85 mm直徑之〇.6 mm厚的聚丙烯薄片。 類似於圖2所示之波狀板20 ’該波狀板組態成具有三個 臂。角α為40度》該背襯板為一切割成1〇〇 mm直徑之1.27 mm 銘板。六個通孔鑽入背概板内一 30 mm直徑上，以匹配基 板内之螺紋孔。 使用三個螺桿將研磨盤附著於波狀盤上。該等螺桿用於 在三個凹陷部分處將研磨盤之基板拉入與波狀盤之背襯板 的接觸中。 一可自 Gerber-Coburn，Muskogee，0K購得之 Gerber Apex 透鏡拋光機用於測試研磨效能。一 12 mm厚之聚碳酸酯圓 盤用作為測試工件。使用聚碳酸酯代替拋光墊，以提供一 99254.doc • 16· 1358743 具有更易於量測之切割速率及累積切割的試件。藉由量測 工件之累積切割來測試波狀襯墊調節器。表丨及圖5與圖6 展示了結果。

實例1B 對於實例1B而言，用於實例丨八之研磨盤關於波狀盤旋 轉（即，分度）60度，且使用與實例丨八相同之測試再測試該 研磨盤。在旋轉之後，三個螺桿位於實例1A之波狀盤之相 同通孔及研磨盤之替代螺紋孔内。該等螺桿用於在三個凹 陷部分處將研磨盤之基餘人與波狀盤之背襯板的接觸 中。藉由量測工件之累積切割來測試波狀襯墊調節器。表 1及圖5與圖6展示了結果。 比較實例1 以與實例1A相同之方式來製備比較實例i，除了移除了 波狀板以消除波狀表面以外。六個螺桿用於將研磨層之基 板固持於背襯板上。藉由量測卫件之累積切割來測二該; 坦襯墊調節器》表1及圖5與圖6展示了結果。 表1 :累積切割（μηι)對時間（秒） 時間 比較實例1 0 0 10 25 20 53 30 82 40 104 60 144 80 179 100 208 120 236 160 285

155 貫例 ^丨 實例1(Α+Β) 之總和 99254.doc •17· 1358743 200 — 328 180 172 352 240 — 368 205 2〇ι 406 280 402 234 227 461 360 463 279 281 560 420 515 316 320 636 3 U U 563 Γ 349 360 \y 709 580 — 605 379 390 769 如表1及圖5與圖6所示，波狀襯墊調節器大體上具有比 平坦襯塾調節H較低之㈣速率，且波狀觀塾調節器之切 割速率隨時間改變較為恆定。

實例2A 鲁以與實例1A相同之方式來製備並測試實例2A，除了藉 由將一燒結研磨層附著於聚碳酸酯基板上來製備研磨盤以 外》該燒結研磨層係藉由自一可自3M c〇 , st _，腳講 得之A160, 3M 4980-6襯墊調節器移除燒結層而製備而成。 在將襯墊調節器於-熱板上加熱直至附著燒結層之環氧樹 月曰軟化後，將該燒結層移除.接著，燒結研磨劑藉由環氧 樹脂而附著於聚碳酸酯基板上。 φ 藉由量測自聚碳酸醋工件移除之累積材料來測試波狀襯 墊調節器。表2中展示了結果。

實例2B 對於實例2B而言，實例2A之研磨盤關於波狀盤旋轉 (即，分度）60度，且使用與實例2A相同之測試再測試該研 磨盤。在旋轉之後，三個螺桿位於實例2人之波狀盤之相同 通孔及研磨盤之替代螺紋孔内。該等螺桿用於在三個凹陷 部为處將研磨盤之基板拉入與波狀盤之背襯板的接觸中。 藉由直測工件之累積切割來測試波狀襯墊調節器。表2中 99254.doc -18- ^58743 展示了結果。 比較實例2 以與實例2A相同之方式來製備比較實例2,除了移除了 波狀板以消除波狀表面之外。六個螺桿用於將研磨層之基 板固持於背概板上。藉由量測自工件移除之累積材料來測 試平坦概墊調節器。表2中展示了結果。

表2 :累積切割毫米對時間（秒） 比較 時間 實例 實例 0 0 0 0 30 0.05 0.09 0.06 60 0.10 0.14 0.13 90 0.16 0.21 0.20 120 0.20 0.27 0.27 150 0.25 0.34 0.33 180 0.30 0.41 0.39 210 0.34 0.48 0.45 240 0.40 0.54 0.53 每3 ΰ秒之 平均切割 0.23 0.31 0.30 如表2所示，波狀襯墊調節器具有比平坦襯墊調節器較 尚之平均切割速率。 應瞭解：即使在上文之描述及實例中陳述之本發明之大 量特徵及優點中，連同本發明之結構及功能之細節，本揭 不僅為說明性的。可在細節上有所改變，特別是與以下方 面之細節有關：波狀襯墊調節器總成之形狀、尺寸及配 置及在本發明之原則内直至由表達附加申請專利範圍之 術語之意義指示的整個範圍内之使用方法；及彼等結構及 方法之均等物。舉例而言，波狀襯墊調節器可用於調節一 99254.doc -19· 1358743 固定研磨物品，包括三維研磨物品及由研磨漿料製成之習 知精研材料（lapping material)。 【圖式簡單說明】 圖1為一例示性襯墊調節器之透視圖； 圖2為一例示性波狀盤之透視圖； 圖3為一附著有一研磨盤之例示性波狀盤的截面側視 Γ5Π · 國， 圖4為一具有兩組分度孔之例示性研磨盤的底側視圖； 圖5為一展示隨時間而累積之切割速率之圖；及 圖6為一展示切割速率對使用持續時間之圖。 【主要元件符號說明】 10 波狀盤 12 研磨層 14 基板 16 研磨表面 20 波狀板 22 背襯板 24 基板安裝孔 26 凸起部分 28 凹陷部分 32 研磨盤 34 扣件 38 ' 40 分度孔 α ' β 角 99254.doc •20-

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： 1· 一種襯墊調節器，包含： 一包含一研磨表面及一與該研磨表面相反之第二表面 的研磨盤；及 具有一接近該研磨盤之該第二表面之波狀表面的波 狀盤，該波狀盤包含至少一凸起部分及至少一凹陷部 分； 其中該研磨盤可釋放地接附於該凹陷部分之至少一部 分上’以形成一波狀研磨表面。 2. 如請求項1之襯墊調節器，其中該襯墊調節器為一化學 機械研磨襯墊調節器。 3. 如請求項2之襯墊調節器，其中該波狀盤進一步包含一 波狀板及一背襯板。 4. 如凊求項2之襯墊調節器，其中該研磨盤進一步包含一 基板及一研磨層。 5. 如請求項4之襯塾調節器，其中該基板比該波狀盤更具 有可撓性。 6. 如請求項5之襯整調節器，其中該基板係由聚碳酸 成。 7·如請求項4之襯塾調節器，其中該基板係藉由至少一可 移除之扣件而可釋放地接附於該凹陷區域上。 8·=請求項7之襯塾調節器，#中該基板進一步包含若干 刀度孔’該波狀盤進一步包含若干基板安裝孔且該等 基板安裳礼及該等分度孔經組態以用於該可移除之扣 99254.doc 1358743 件0 9. 如請求項8之襯墊調節器，其中分度孔之該數量為基板 女裝孔之該數量的至少兩倍。 10. 如請求項2之襯墊調節器，其中該研磨盤包含一燒結研 磨層。 11. 如請求項2之襯墊調節器，進一步包含至少三個該等凹 陷部分。 12·如請求項11之襯墊調節器，其中該波狀盤包含一圖案化 波狀表面β 13. 如請求項12之襯墊調節器，其中該圖案化波狀表面具有 一階梯狀圖案。 14. 如請求項12之襯墊調節器’其中該圖案化波狀表面包含 一在自約0.25 mm至約0.75 mm之範圍中的偏移。 15. 如清求項12之襯塾調節器，其中該凸起部分在一自該圖 案化波狀表面之面積的約33%至約66%之範圍中》 16. —種調節一拋光墊之方法，包含： 將該襯墊與一研磨物品接觸’該研磨物品包含一研磨 盤及一形成一波狀研磨層之波狀盤；及 使該研磨物品相對於該襯墊移動，以將該襯墊之一表 面改質。 17. 如請求項16之方法，其中該波狀研磨層包含一在一自約 0.25 mm至約0,75 mm之範圍中的偏移。 18. 如請求項16之方法，進一步包含藉由相對於該波狀盤旋 轉該研磨盤來將該研磨物品分度之步驟。 99254.doc 1358743 19. 如請求項16之方法，進一步包含調整該研磨盤之該波狀 研磨層之該偏移的步驟。 20. 如請求項16之方法，其中該研磨盤係藉由至少一可移除 之扣件而接附於該波狀盤上。

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