JP2007516919A5

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Info

Publication number: JP2007516919A5
Application number: JP2006541308A
Authority: JP
Filing date: 2004-11-16
Publication date: 2008-01-10
Anticipated expiration: 2024-11-16

Claims

細長いカーバイドナノ構造を製造する方法であって、
（ａ）基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工するステップと、
（ｂ）前記空間的に離隔した触媒粒子及び前記基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、前記基材と前記触媒粒子の少なくとも１個との間に当該含金属蒸気の金属を含む無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露するステップと、
（ｃ）前記無機ナノ構造を、予め選択された温度で、前記無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露し、これにより細長いカーバイドナノ構造を生じさせるステップと、
を備えた方法。
複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する前記ステップは、多孔質鋳型の内部に前記触媒粒子を付着させるステップを含んでいる、請求項１に記載の方法。
前記基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する前記ステップの前に、前記基材に導電性緩衝層を施工するステップをさらに含んでおり、前記緩衝層は拡散遮断層としての役割を果たす、請求項１に記載の方法。
前記含金属蒸気に曝露されている間に前記空間的に離隔した触媒粒子及び前記基材の少なくとも一部に電界を印加し、これにより前記無機ナノ構造の成長の方向に影響を与えるステップをさらに含んでいる、請求項１に記載の方法。
（ａ）基材に誘電層を施工するステップと、
（ｂ）前記基材の反対側で前記誘電層に伝導層を施工するステップと、
（ｃ）前記伝導層及び前記誘電層に少なくとも１個の空洞を形成し、これにより前記基材を露出させるステップと、
（ｄ）前記空洞に少なくとも１本のナノロッドを成長させるステップと、
を備えた電界放出素子を製造する方法。
少なくとも１本のナノロッドを成長させる前記ステップは、
（ａ）前記空洞の内部に少なくとも１個の触媒粒子を施工するステップと、
（ｂ）前記触媒粒子及び前記基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、前記基材と前記触媒粒子との間に当該金属蒸気の金属の酸化物を含む酸化物ナノロッドを形成させるのに十分な時間にわたって、金属蒸気及び酸化性気体に曝露するステップと、
（ｃ）前記酸化物ナノロッドを、予め選択された温度で、前記酸化物ナノロッドを炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露するステップと
（ｄ）前記触媒粒子を除去するステップと、
を含んでいる、請求項５に記載の方法。
（ａ）上面及び反対側の底面を有する基材と、
（ｂ）前記上面に配設された誘電層と、
（ｃ）前記基材の反対側で前記誘電層の上層に配設された伝導層であって、該伝導層及び前記誘電層は、前記基材まで下方に延在する空洞を画定している、伝導層と、
（ｄ）前記基材に固着されており、前記空洞の内部に実質的に配設されている少なくとも１本のナノロッドと、
を備えた電界放出素子。
前記ナノロッドはＸ−ナノロッドであり、Ｘは、炭化物、酸化物、窒化物、酸窒化物、酸炭化物又はケイ化物、及びこれらの組み合わせを含む群から選択される材料である、請求項７に記載の電界放出素子。
（ａ）上面及び反対側の底面を有する基材と、
（ｂ）前記上面に配設された誘電層と、
（ｃ）前記基材の反対側で前記誘電層の上層に配設された伝導層であって、該伝導層及び前記誘電層は前記基材まで下方に延在する空洞を画定している、伝導層と、
（ｄ）頂上面を有し、前記空洞の内部で前記基材の前記上面に配設されている伝導性プラットフォームと、
（ｅ）前記伝導性プラットフォームの前記頂上面に固着されており、前記空洞の内部に実質的に配設されている少なくとも１本のナノロッドと、
を備えた電界放出素子。
前記ナノロッドはカーバイドナノロッドである、請求項９に記載の電界放出素子。