JP2007511096A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法であって、
   ＡＲＣを前記誘電体レイヤ上に設けること、
   ２０００Åおよび４０００Åの間の厚さまで、厚さを有するフォトレジストマスクを前記ＡＲＣ上に形成すること、
   前記ＡＲＣを通してエッチングすること、および
   １：１および２：１の間であるフォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性で、トレンチを前記誘電体レイヤ中へエッチングすること
   を含む方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、前記フォトレジストマスクを前記形成することは、１９３ｎｍまたはそれより新しい世代のフォトレジストの前記フォトレジストマスクを形成する方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の方法であって、前記フォトレジストマスクは、ラインエッジ粗さの制御についてアグレッシブなエッチング化学物質に敏感である方法。
4. 請求項１〜請求項３のいずれかに記載の方法であって、
   対向電極を前記基板に対向して置いて、前記基板をエッチングチャンバ中に置くこと、および
   前記対向電極を加熱し、それにより前記トレンチを前記誘電体レイヤへとエッチングするあいだに、前記対向電極が少なくとも１４０℃の温度に達するようにすること
   をさらに含む方法。
5. 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の方法であって、前記トレンチを前記エッチングするあいだ、前記チャンバ圧力は、約６０mTorrおよび４００mTorrの間に維持される方法。
6. 請求項１〜請求項５のいずれかに記載の方法であって、前記トレンチを前記エッチングするあいだ、高周波数電力源は、５００Ｗおよび２０００Ｗの間の電力を供給する方法。
7. 請求項１〜請求項６のいずれかに記載の方法であって、前記トレンチを前記エッチングするあいだ、バイアス電力源は、０Ｗおよび１０００Ｗの間の電力を供給する方法。
8. 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の方法であって、前記トレンチを前記エッチングすることは、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、ＮＦ₃、およびＳＦ₆のグループから選択されるエッチャントガスを供給することを含む方法。
9. 請求項１〜請求項８のいずれかに記載の方法であって、前記エッチャントガスは、５％より少ない、重いポリマーを形成するエッチャントガスを有する方法。
10. 請求項１〜請求項９のいずれかに記載の方法によって形成された半導体デバイス。
11. 基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法であって、
    ＡＲＣを前記誘電体レイヤ上に設けること、
    約２０００Åおよび４０００Åの間の厚さを有する感光フォトレジストマスクを前記ＡＲＣ上に形成すること、
    前記ＡＲＣを通してエッチングすること、および
    クリーンエッチングでトレンチを前記誘電体レイヤ中へエッチングすること
    を含む方法。
12. 請求項１１に記載の方法であって、前記フォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性は１：１および２：１の間である方法。
13. 誘電体レイヤ中にフィーチャをエッチングする装置であって、
    プラズマプロセスチャンバであって、
    プラズマプロセスチャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁、
    基板を前記プラズマプロセスチャンバエンクロージャ内で支持する基板支持部、
    前記プラズマプロセスチャンバエンクロージャ中の圧力を制御する圧力レギュレータ、
    前記基板支持部に対向し、前記基板支持部から距離が置かれた電極、
    前記電極を加熱する前記電極に接続されたヒーター、
    前記プラズマプロセスチャンバエンクロージャ内にガスを供給するガス吸気口、および
    前記プラズマプロセスチャンバエンクロージャからガスを排気するガス排気口
    を備えるプラズマプロセスチャンバ、
    前記ガス吸気口と流体連通したガス源、
    前記ガス源、前記電極、前記ヒーター、前記圧力レギュレータ、前記ガス吸気口、および前記ガス排気口のうちの少なくとも１つに制御可能に接続されたコントローラ
    を備える装置。
14. 請求項１３に記載の装置であって、前記コントローラは、
    少なくとも１つのプロセッサ、および
    コンピュータで読み取り可能な媒体であって、
    誘電体レイヤ中にフィーチャをエッチングするエッチングプラズマを供給するコンピュータで読み取り可能なコード、および
    エッチング中に前記電極を加熱することによって、前記電極が少なくとも７０℃の温度に到達するようにするコンピュータで読み取り可能なコード
    を備えるコンピュータで読み取り可能な媒体
    を備える装置。
15. 請求項１４に記載の装置であって、前記コンピュータで読み取り可能な媒体は、前記圧力を６０mTorrおよび４００mTorrの間に維持するコンピュータで読み取り可能なコードをさらに備える装置。
16. 請求項１４または請求項１５に記載の装置であって、誘電体レイヤ中にフィーチャをエッチングするエッチングプラズマを供給するコンピュータで読み取り可能なコードは、５００Ｗおよび２０００Ｗの間の高周波数電力を供給するコンピュータで読み取り可能なコードを備える装置。
17. 請求項１４または請求項１５に記載の装置であって、エッチング中に前記電極を加熱するコンピュータで読み取り可能なコードは、前記電極を加熱することによって、前記電極が少なくとも９０℃の温度に到達するようにする装置。
18. 請求項１４〜請求項１６のいずれかに記載の装置であって、エッチング中に前記電極を加熱するコンピュータで読み取り可能なコードは、前記電極を加熱することによって、前記電極が少なくとも１４０℃の温度に到達するようにする装置。
19. 請求項１４〜請求項１８のいずれかに記載の装置であって、前記コンピュータで読み取り可能な媒体は、０Ｗおよび１０００Ｗの間のバイアス電力を供給するコンピュータで読み取り可能なコードをさらに備える装置。
20. 請求項１４〜請求項１９のいずれかに記載の装置であって、前記コンピュータで読み取り可能な媒体は、ＣＦ ₄ 、Ｃ ₂ Ｆ ₆ 、ＮＦ ₃ 、およびＳＦ ₆ のグループから選択されるエッチャントガスを供給するコンピュータで読み取り可能なコードをさらに備える装置。