JP2007508800A - 電源制御システムのスタートアップ方法および回路 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 入力電圧(22)を受け取り、これに応答してバイアス電流(14)を生成し、かつ、前記バイアス電流を高電圧装置(16)の出力トランジスタ(12)に結合するために、前記高電圧装置(16)を結合する段階と、
出力電圧(30)が第1値よりも小さいときに、前記バイアス電流を前記出力トランジスタ(12)から切り換えるためにスイッチ要素(17)を結合する段階と、
前記出力電圧が前記第1値よりも大きいときに、前記バイアス電流よりも大きい出力電流を生成するために前記高電圧装置の前記出力トランジスタを結合する段階と、
から構成されることを特徴とする電源制御システムのスタートアップ方法。 - 入力電圧を受け取り、これに応答してバイアス電流を生成し、かつ、前記バイアス電流を高電圧装置の出力トランジスタに結合するために、前記高電圧装置を結合する前記段階は、前記入力電圧を受け取るためにJ−FETトランジスタ(14)の第1電流輸送電極を結合する段階、前記J−FETトランジスタの第2電流輸送電極を前記出力トランジスタ(12)の第1電流輸送電極に結合する段階、および、前記J−FETトランジスタの前記第2電流輸送電極から電流を受け取るために抵抗(13)を結合し、かつ、前記バイアス電流を前記出力トランジスタの制御電極に結合する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 出力電圧が第1値よりも小さいときに、バイアス電流を出力トランジスタから切り換えるためにスイッチ要素を結合する前記段階は、前記バイアス電流を前記出力トランジスタから切り換えるためにピンチ抵抗(17)を結合する段階を含むことを特徴とする請求項2記載の方法。
- 前記バイアス電流を前記出力トランジスタから切り換えるためにピンチ抵抗(17)を結合する前記段階は、前記ピンチ抵抗(17)の第1端子を前記出力トランジスタ(12)の前記制御電極に、また、第2端子を前記出力電圧を生成するための出力(30)に結合する段階を含むことを特徴とする請求項3記載の方法。
- 出力電圧が第1値よりも小さいときに、バイアス電流を出力トランジスタから切り換えるためにスイッチ要素を結合する前記段階は、前記バイアス電流を前記出力トランジスタから切り換えるために比較器結合MOSトランジスタ(51)を結合する段階を含むことを特徴とする請求項2記載の方法。
- 前記バイアス電流を前記出力トランジスタから切り換えるために比較器結合MOSトランジスタを結合する前記段階は、前記比較器結合MOSトランジスタの第1電流輸送電極を前記出力トランジスタの前記制御電極に結合する段階、前記比較器結合MOSトランジスタの第2輸送電極を出力に結合する段階、および、参照電圧を受け取るために前記比較器結合MOSトランジスタの制御電極を結合する段階を含むことを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記参照電圧を生成するために2つのスレショルド調整MOSトランジスタを積み重ねた状態に結合する段階をさらに含むことを特徴とする請求項6記載の方法。
- 入力電圧(22)を受け取る段階と、
前記入力電圧から第1電流(14)を生成する段階と、
前記第1電流をスタートアップ回路(10)の出力(30)へ切り換える段階と、
前記出力で出力電圧を生成するために前記第1電流を使用する段階と、
前記出力電圧が第1値より大きいときに、前記出力電圧を生成するために前記第1電流よりも大きい第2電流(12)を使用する段階と、
から構成されることを特徴とする電源制御システムのスタートアップ方法。 - 前記出力で前記出力電圧を生成するために第2電流を使用する前記段階は、前記出力電圧が前記第1値よりも大きいときに、前記スタートアップ回路の出力トランジスタにバイアス電流を結合する段階を含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
- 前記第1電流をスタートアップ回路の出力へ切り換える前記段階は、ピンチ抵抗(17)をイネーブルにして前記第1電流を前記出力に結合する段階を含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
- ピンチ抵抗をイネーブルにして前記第1電流を前記出力に結合する前記段階は、前記出力と前記スタートアップ回路の出力トランジスタの制御電極との間に前記ピンチ抵抗を結合する段階、および、前記出力電圧が前記ピンチ抵抗のピンチオフ電圧よりも小さいときに前記ピンチ抵抗をイネーブルにする段階を含むことを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記第1電流をスタートアップ回路の出力へ切り換える前記段階は、比較器トランジスタをイネーブルにして前記第1電流を前記出力に結合する段階を含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
- 前記比較器トランジスタをイネーブルにして前記第1電流を前記出力に結合する前記段階は、参照電圧を生成する段階、前記参照電圧を前記比較器トランジスタの制御電極に印加する段階、および、前記比較器トランジスタを出力トランジスタの制御電極と前記出力との間に結合する段階を含むことを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記出力を電圧リターンに結合して前記電源制御システムをディセーブルにする段階をさらに含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
- 出力電圧の第1値に応答してスタートアップ回路(10)の出力(30)で第1出力電流を生成する段階と、
前記出力(30)を電圧リターン(38)に結合して前記出力電圧をディセーブルにする段階と、
から構成されることを特徴とする電源制御システムの方法。 - 出力電圧の第1値に応答してスタートアップ回路の出力で第1出力電流を生成する前記段階は、バイアス電流を前記出力に結合する段階、および、前記スタートアップ回路の出力トランジスタ(12)をディセーブルにする段階を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- バイアス電流を前記出力に結合する段階、および、前記スタートアップ回路の出力トランジスタをディセーブルにする前記段階は、前記バイアス電流を前記出力トランジスタの制御電極から前記スタートアップ回路の前記出力へ切り換える段階を含むことを特徴とする請求項16記載の方法。
- 前記バイアス電流を前記出力トランジスタの制御電極から前記スタートアップ回路の前記出力へ切り換える前記段階は、ピンチ抵抗をイネーブルにして前記バイアス電流を切り換える段階を含むことを特徴とする請求項17記載の方法。
- 出力電圧の第1値に応答してスタートアップ回路の出力で第1出力電流を生成する前記段階は、前記出力トランジスタをイネーブルにして前記第1出力電流を生成する段階を含むことを特徴とする請求項16記載の方法。
- 前記出力トランジスタをイネーブルにして前記第1出力電流を生成する段階は、J−FETトランジスタを高電圧入力に結合してバイアス電流を生成する段階、および、前記バイアス電流を前記出力トランジスタに結合して前記出力トランジスタをイネーブルにする段階を含むことを特徴とする請求項19記載の方法。
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