JP2021518061A - 低静止電流負荷スイッチ - Google Patents
低静止電流負荷スイッチ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021518061A JP2021518061A JP2020538647A JP2020538647A JP2021518061A JP 2021518061 A JP2021518061 A JP 2021518061A JP 2020538647 A JP2020538647 A JP 2020538647A JP 2020538647 A JP2020538647 A JP 2020538647A JP 2021518061 A JP2021518061 A JP 2021518061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- voltage
- driver
- load switch
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 50
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/163—Soft switching
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/012—Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/26—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode to produce the intermediate ac
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/165—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0016—Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0036—Means reducing energy consumption
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0081—Power supply means, e.g. to the switch driver
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
Description
Ig=N×IREF (式1)
そのため、図2Aの例において、チャージポンプ202、204は、基準電流源206、208及びトランジスタ210〜216とともに働き、基準電流IREF源206、208をミラーするゲート電流Igをつくり、ゲート218、220を介して負荷スイッチをイネーブルする。
Ig(t)=(VCP−Vgate(t))/Rdrv (式2)
そのため、ゲート電圧Vgate(t)が時間の関数Ig(t)として増大すると、Ig(t)は減少する。ゲート電流Ig(t)、チャージポンプ電圧VCP、ゲート電圧Vgate(t)、及び/又はドライバ抵抗Rdrvを管理することによって、回路250、251に対する突入電流の影響を軽減し得る。下記の例は、負荷スイッチを制御するため、抵抗性ドライバ回路250、251に改良を加える、及び/又は、抵抗性ドライバ回路250、251を置換する戦略を、信頼性を改善し、突入電流、静止電流などによる回路250、251及び周辺回路要素に対する損傷の潜在的な可能性を低減した状態で提供する。
ここで、CGは、ゲート262の静電容量である(式5)。
時間スケール(Cct/IREF)t>>CGRdrvの場合、式13は下記のように簡略化される。
これは、上述の式4でも示したものである。
図4の例示の回路400についてのゲート傾斜を表す式14が、図3Aの例示の回路300についてのゲート傾斜を表す式3と比較され得る。式3の指数関数的なゲート傾斜ではなく、例示の回路400は、式14で表されるような一定ゲート傾斜を提供する。
Claims (22)
- 負荷スイッチ回路であって、
ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタ、
前記トランジスタの前記ゲートに接続されるトランスコンダクタ、
前記トランスコンダクタの入力に接続されるコンパレータ、及び
第1の端子及び第2の端子を含む抵抗器、
を含み、
前記第1の端子が前記トランジスタの前記ゲートに接続され、前記第2の端子がチャージポンプ又は接地の少なくとも一方に接続される、
負荷スイッチ回路。 - 請求項1に記載の負荷スイッチ回路であって、
前記トランスコンダクタが電圧を前記トランジスタゲートのための電流入力に変換するためであり、
前記トランジスタゲートへの前記電流入力が、電源から負荷に電力を搬送するよう前記トランジスタゲートを制御するためであり、
前記抵抗器が、前記トランスコンダクタによって制御される前記トランジスタゲートにチャージポンプから電力を提供するためである、
負荷スイッチ回路。 - 請求項1に記載の負荷スイッチ回路であって、前記トランジスタゲートの電圧がチャージポンプ電圧に達すると、前記コンパレータが前記トランスコンダクタをディセーブルする、負荷スイッチ回路。
- 請求項1に記載の負荷スイッチ回路であって、前記コンパレータに接続されるラッチをさらに含む、負荷スイッチ回路。
- 請求項4に記載の負荷スイッチ回路であって、前記ラッチが、前記トランスコンダクタをディセーブルするための信号を記憶及び提供する、負荷スイッチ回路。
- 請求項1に記載の負荷スイッチ回路であって、前記トランスコンダクタに接続されるコンデンサをさらに含む、負荷スイッチ回路。
- 請求項1に記載の負荷スイッチ回路であって、前記コンデンサが、前記トランスコンダクタに前記電圧を提供するためである、負荷スイッチ回路。
- 請求項1に記載の負荷スイッチ回路であって、前記トランスコンダクタ及びコンパレータが、N型金属酸化物半導体論理構成要素を用いて実装される、負荷スイッチ回路。
- 装置であって、
トランジスのゲートを制御するためのドライバであって、前記ゲートが活性化されると、前記ゲートが前記トランジスタに電源から電力を負荷に搬送させる、前記ドライバ、及び
前記ゲートを活性化するように前記ゲートに関連する電圧の経時的変化率を制御するため、及び、前記ゲートが活性化されるとき前記ドライバをディセーブルするためのゲート傾斜制御回路、
を含む、装置。 - 請求項9に記載の装置であって、前記ドライバが、電圧を前記ゲートに入力される電流に変換するためのトランスコンダクタを含む、装置。
- 請求項10に記載の装置であって、前記ドライバが、前記トランスコンダクタに前記電圧を提供するためのコンデンサをさらに含む、装置。
- 請求項10に記載の装置であって、前記ゲート傾斜制御が前記ドライバをディセーブルするとき、前記ゲート傾斜制御が前記電圧を入力電圧にプルアップするためものである、装置。
- 請求項10に記載の装置であって、前記ゲート傾斜制御が、前記電圧が閾値を満足する時点を検出し、前記電圧が前記敷値を満足するとき前記ドライバをディセーブルするためのコンパレータを含む、装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記ドライバが、前記ゲートに電力を提供するため、チャージポンプ及び抵抗器をさらに含む、装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記ゲート傾斜制御が、前記ドライバをディセーブルするための信号を記憶及び提供するためのラッチを含む、装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記ドライバ及び前記ゲート傾斜制御が、N型金属酸化物半導体論理構成要素を用いて実装される、装置。
- システムであって、
電圧を提供するための電源、
前記電圧を受け取り、トランジスタのゲートを活性化して前記電源から電力を提供するように前記電圧を電流に変換するためのゲート傾斜制御及びドライバ回路、及び
前記ゲート傾斜制御が及びドライバ回路が前記ゲートを活性化するとき、前記電源から前記電力を受け取るためのデバイス、
を含み、
前記ゲート傾斜制御及びドライバ回路が、前記ゲートが活性化されるまで、前記ゲートの活性化を前記電流の経時的変化率に対応する経時的変化率で制御し、前記ゲートが活性化されるとき前記ゲート傾斜制御及びドライバ回路をディセーブルするためである、
システム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記ゲート傾斜制御及びドライバ回路の前記ドライバが、前記電圧を前記ゲートに入力される電流に変換するためのトランスコンダクタを含み、前記ゲート傾斜制御及びドライバ回路が、前記ゲートの活性化を制御し、前記制御傾斜がアクティブにされるとき前記ドライバをディセーブルするためのコンパレータを含む、システム。
- 請求項18に記載のシステムであって、前記ゲート傾斜制御及びドライバ回路が、前記コンパレータが前記ドライバをディセーブルするとき、前記電圧を入力電圧にプルアップするためものである、システム。
- 請求項18に記載のシステムであって、前記ゲート傾斜制御及びドライバ回路が、前記ゲートに電力を供給するため、チャージポンプ及び抵抗器をさらに含む、システム。
- 請求項17に記載のシステムであって、前記電源が、前記ゲート傾斜制御及びドライバ回路に前記電圧を提供するためコンデンサを含む、システム。
- 請求項17に記載のシステムであって、前記ゲート傾斜制御及びドライバ回路が、N型金属酸化物半導体論理構成要素を用いて実装される、システム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862615728P | 2018-01-10 | 2018-01-10 | |
US62/615,728 | 2018-01-10 | ||
US16/119,457 US10432175B2 (en) | 2018-01-10 | 2018-08-31 | Low quiescent current load switch |
US16/119,457 | 2018-08-31 | ||
PCT/US2019/013085 WO2019140113A1 (en) | 2018-01-10 | 2019-01-10 | Low quiescent current load switch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021518061A true JP2021518061A (ja) | 2021-07-29 |
JPWO2019140113A5 JPWO2019140113A5 (ja) | 2022-01-19 |
Family
ID=67141066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020538647A Pending JP2021518061A (ja) | 2018-01-10 | 2019-01-10 | 低静止電流負荷スイッチ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10432175B2 (ja) |
EP (1) | EP3738207B1 (ja) |
JP (1) | JP2021518061A (ja) |
CN (1) | CN111801893B (ja) |
WO (1) | WO2019140113A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10432175B2 (en) * | 2018-01-10 | 2019-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Low quiescent current load switch |
TWI660564B (zh) * | 2018-06-01 | 2019-05-21 | 杰力科技股份有限公司 | 電壓轉換電路及其控制電路 |
US10756725B2 (en) * | 2018-06-21 | 2020-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Load switch having a controlled slew rate |
US11831307B2 (en) * | 2018-08-08 | 2023-11-28 | Inventchip Technology Co., Ltd. | Power switch drive circuit and device |
US10826386B2 (en) * | 2018-10-26 | 2020-11-03 | Nxp B.V. | Multi-stage charge pump regulation architecture |
US10594202B1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-03-17 | Psemi Corporation | Current in-rush limiter |
US11495984B2 (en) * | 2019-12-31 | 2022-11-08 | Texas Instruments Incorporated | Dual role port automatic role reversal prevention |
US11469663B2 (en) * | 2020-03-06 | 2022-10-11 | Infineon Technologies LLC | Dual regulation-loop ramp-controlled DC-DC converter |
TWI783513B (zh) * | 2021-06-09 | 2022-11-11 | 杰力科技股份有限公司 | 電源開關的控制裝置 |
TWI817284B (zh) * | 2021-12-10 | 2023-10-01 | 北京歐錸德微電子技術有限公司 | 軟啟動電路、直流-直流轉換器、供電裝置及資訊處理裝置 |
US11641188B1 (en) | 2021-12-29 | 2023-05-02 | International Business Machines Corporation | Current-mode signal path of an integrated radio frequency pulse generator |
US11757431B2 (en) | 2021-12-29 | 2023-09-12 | International Business Machines Corporation | Current-mode signal path of an integrated radio frequency pulse generator |
CN117134296A (zh) * | 2022-05-20 | 2023-11-28 | 安世半导体科技(上海)有限公司 | 负载开关及电源系统 |
US20240162806A1 (en) * | 2022-11-10 | 2024-05-16 | Qorvo Us, Inc. | Using different voltage levels to close a switch in a switch converter |
CN116545422B (zh) * | 2023-06-28 | 2023-09-05 | 杰夫微电子(四川)有限公司 | 一种基于计时器控制的超低功耗负载开关及其控制方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003304678A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Nissan Motor Co Ltd | 電圧駆動型素子の駆動装置 |
JP2006324963A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Toyota Motor Corp | 電圧駆動型スイッチング素子の駆動装置 |
WO2013165004A1 (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-07 | Ohshima Shunzou | 過電流保護電源装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR880013321A (ko) * | 1987-04-07 | 1988-11-30 | 언윈 엘. 콰텍 | 집적회로에서의 과도적잡음을 줄이기 위한 방법 및 그 장치 |
US5828245A (en) * | 1996-10-24 | 1998-10-27 | Stmicroelectronics, Inc. | Driver circuit including amplifier operated in a switching mode |
US6011416A (en) * | 1997-02-19 | 2000-01-04 | Harness System Technologies Research Ltd. | Switch circuit having excess-current detection function |
US6130541A (en) * | 1997-10-10 | 2000-10-10 | International Microcircuits Inc. | Adaptive driver with capacitive load sensing and method of operation |
JP3808265B2 (ja) * | 1999-02-12 | 2006-08-09 | 矢崎総業株式会社 | 電源供給制御装置及び電源供給制御方法 |
US6400203B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-06-04 | Maxim Integrated Products, Inc. | Hot swap current limit circuits and methods |
US6396334B1 (en) * | 2000-08-28 | 2002-05-28 | Marvell International, Ltd. | Charge pump for reference voltages in analog to digital converter |
US6832356B1 (en) * | 2001-05-04 | 2004-12-14 | Ixys Corporation | Gate driver for power device |
US7479770B2 (en) | 2005-04-28 | 2009-01-20 | Texas Instruments Incorporated | System and method for driving a power field-effect transistor (FET) |
JP4776368B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2011-09-21 | 矢崎総業株式会社 | 電力供給回路のオン故障検出装置 |
US7821328B2 (en) * | 2008-12-18 | 2010-10-26 | Texas Instruments Incorporated | Dynamic charge pump system for front end protection circuit |
US8633755B2 (en) * | 2010-11-22 | 2014-01-21 | Denso Corporation | Load driver with constant current variable structure |
US9287835B2 (en) * | 2012-09-07 | 2016-03-15 | Broadcom Corporation | Low-quiescent current headset driver |
EP2965426A1 (en) * | 2013-03-09 | 2016-01-13 | Microchip Technology Incorporated | Inductive load driver slew rate controller |
US9413234B2 (en) * | 2013-06-20 | 2016-08-09 | Silicon Laboratories Inc. | Switching regulator system with low power operation |
JP6117640B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-04-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び駆動システム |
US9268350B2 (en) * | 2013-08-08 | 2016-02-23 | Texas Instruments Incorporated | Power management apparatus with rapid short response and full load recovery |
US9584115B2 (en) * | 2014-06-17 | 2017-02-28 | Texas Instruments Incorporated | Duty cycle-controlled load switch |
US9571068B1 (en) * | 2015-08-03 | 2017-02-14 | Winbond Electronics Corp. | Power gating circuit and control method for power gating switch thereof |
US10135430B2 (en) * | 2016-01-19 | 2018-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Adjusting drive strength for driving transistor device |
US9813053B2 (en) * | 2016-02-22 | 2017-11-07 | Texas Instruments Incorporated | Gate capacitance control in a load switch |
CN107508462B (zh) * | 2017-07-10 | 2020-01-07 | 昂宝电子(上海)有限公司 | 针对负载的切换控制器和方法 |
US10432175B2 (en) * | 2018-01-10 | 2019-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Low quiescent current load switch |
-
2018
- 2018-08-31 US US16/119,457 patent/US10432175B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-10 JP JP2020538647A patent/JP2021518061A/ja active Pending
- 2019-01-10 CN CN201980016691.5A patent/CN111801893B/zh active Active
- 2019-01-10 EP EP19738707.9A patent/EP3738207B1/en active Active
- 2019-01-10 WO PCT/US2019/013085 patent/WO2019140113A1/en unknown
- 2019-08-16 US US16/543,110 patent/US10868521B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003304678A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Nissan Motor Co Ltd | 電圧駆動型素子の駆動装置 |
JP2006324963A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Toyota Motor Corp | 電圧駆動型スイッチング素子の駆動装置 |
WO2013165004A1 (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-07 | Ohshima Shunzou | 過電流保護電源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019140113A1 (en) | 2019-07-18 |
EP3738207B1 (en) | 2024-03-13 |
US10868521B2 (en) | 2020-12-15 |
EP3738207A1 (en) | 2020-11-18 |
EP3738207A4 (en) | 2021-07-28 |
CN111801893A (zh) | 2020-10-20 |
CN111801893B (zh) | 2024-01-09 |
US10432175B2 (en) | 2019-10-01 |
US20190372558A1 (en) | 2019-12-05 |
US20190214973A1 (en) | 2019-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021518061A (ja) | 低静止電流負荷スイッチ | |
US8531851B2 (en) | Start-up circuit and method thereof | |
US9525407B2 (en) | Power monitoring circuit, and a power up reset generator | |
US8018214B2 (en) | Regulator with soft-start using current source | |
US7719242B2 (en) | Voltage regulator | |
US20130049721A1 (en) | Linear Regulator and Control Circuit Thereof | |
US8704506B2 (en) | Voltage regulator soft-start circuit providing reference voltage ramp-up | |
US7821233B2 (en) | Charging circuit | |
JP2006133936A (ja) | 電源装置、及び携帯機器 | |
JP5211889B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US20170220059A1 (en) | Regulator circuit | |
CN113126690A (zh) | 一种低压差线性稳压器及其控制电路 | |
CN113328734A (zh) | 快速阻断开关 | |
US9059699B2 (en) | Power supply switching circuit | |
US7973593B2 (en) | Reference voltage generation circuit and start-up control method therefor | |
JP2021528946A (ja) | ドライバ及びスルーレート制御回路 | |
JP2006115594A (ja) | 誤動作防止回路 | |
JP5369703B2 (ja) | レギュレータ用半導体集積回路 | |
JP2006042402A (ja) | 電源制御回路 | |
JP2012143030A (ja) | 電子回路 | |
CN114665853A (zh) | 开关单元 | |
TWI461880B (zh) | 低壓差線性穩壓器 | |
TWI493821B (zh) | 具過電流保護機制之運算電路 | |
JP5482419B2 (ja) | レギュレータ用半導体集積回路 | |
WO2010146560A2 (en) | Voltage regulator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200710 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220111 |
|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20220111 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20220518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230307 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231025 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240321 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240611 |