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Claims (13)

  1. 直流を所定周波数の交流に変換するとともに、所定の制御対象の出力を変動させるための共振回路を有するインバータを制御するインバータ制御回路であって、
    前記インバータのスイッチング素子の温度を検出する温度検出部の出力値に応じて、前記インバータの出力を変動させる出力変動手段と、
    前記出力変動手段による前記インバータの出力減少制御の後、所定時間前記インバータの出力増加を抑える出力増加抑制手段と、
    を備えるインバータ制御回路において、
    前記出力増加抑制手段が、前記制御対象の起動から定常状態に移行する際の定常移行制御も行なうインバータ制御回路
  2. 請求項記載のインバータ制御回路であって、
    前記出力増加抑制手段が、前記出力変動手段による前記インバータの出力増加を抑えるために、所定時間電荷を蓄積する容量素子を含むインバータ制御回路。
  3. 請求項記載のインバータ制御回路であって、
    前記出力増加抑制手段は、前記インバータの出力減少制御時において、前記容量素子の時定数に依存せず、速やかに出力減少制御を発動させるインバータ制御回路。
  4. 請求項又は記載のインバータ制御回路であって、
    前記出力変動手段は、前記出力増加抑制手段により所定時間前記インバータの出力増加を抑えた後、前記容量素子の電位に対応して前記インバータの出力を増加させるインバータ制御回路。
  5. 請求項1ないしのいずれか1項記載のインバータ制御回路であって、
    前記インバータ制御回路は、前記共振回路の共振電圧を制御するインバータ制御回路。
  6. マイクロ波を発生する前記制御対象としてのマグネトロンと、
    前記インバータと、
    請求項1ないしのいずれか1項記載のインバータ制御回路と、
    を備える高周波誘電加熱装置。
  7. 直流を所定周波数の交流に変換するとともに、所定の制御対象の出力を変動させるための共振回路を有するインバータを、当該インバータのスイッチング素子の温度を検出する温度検出部の出力値に応じて制御するインバータ制御回路であって、
    前記温度検出部の出力値に応じて第1の状態信号を出力する温度状態出力部と、
    前記共振回路に発生する共振電圧を変動させる電圧変動部と、
    前記第1の状態信号が前記共振電圧を上昇させるものである場合、前記第1の状態信号の入力から所定時間経過後に、前記電圧変動部に前記共振電圧を上昇させる上昇信号を出力する出力増加遅延部と、
    を備えるインバータ制御回路において、
    前記出力増加遅延部が、前記制御対象の起動から定常状態に移行する際、前記電圧変動部と接続され、前記共振電圧を制御するインバータ制御回路
  8. 請求項記載のインバータ制御回路であって、
    前記出力増加遅延部が、前記電圧変動部に前記上昇信号を出力するため、所定時間電荷を蓄積する容量素子を含むインバータ制御回路。
  9. 請求項記載のインバータ制御回路であって、
    前記出力増加遅延部は、前記インバータの出力減少制御時において、前記容量素子の時定数に依存せず、速やかに出力減少制御を発動させるインバータ制御回路。
  10. 請求項又は記載のインバータ制御回路であって、
    前記出力増加遅延部は、所定時間前記インバータの出力増加を抑えた後、前記容量素子の電位に対応して前記インバータの出力を増加させるインバータ制御回路。
  11. 請求項ないし10のいずれか1項記載のインバータ制御回路であって、
    前記温度状態出力部は、前記温度検出部の出力値に応じて第2の状態信号を前記電圧変動部に出力し、前記第1の状態信号と前記第2の状態信号は、互いに前記温度検出部の異なる温度状態を反映したものであるインバータ制御回路。
  12. マイクロ波を発生する前記制御対象としてのマグネトロンと、
    前記インバータと、
    請求項ないし11のいずれか1項記載のインバータ制御回路と、
    を備える高周波誘電加熱装置。
  13. 被加熱物をマイクロ波の照射によって加熱する高周波誘電加熱装置であって、
    直流をスイッチング素子を用いてスイッチング制御し、所定周波数の交流に変換するインバータと、
    前記スイッチング素子から放出される熱を放熱する放熱フィンと、
    前記スイッチング素子の温度を検出するサーミスタと、
    前記スイッチング素子及び前記サーミスタが取り付けられたプリント基板と、
    前記インバータの出力電圧を昇圧する昇圧トランスと、
    前記昇圧トランスの出力電圧を倍電圧整流する高圧整流部と、
    前記高圧整流部の出力をマイクロ波として放射するマグネトロンと、
    前記マグネトロンから放射されるマイクロ波が供給され、前記被加熱物を収納する加熱調理室と、
    前記マグネトロンが起動した後、前記インバータの出力電力を前記サーミスタの抵抗値に依存させるパワーダウン制御を前記スイッチング素子に施すと共に、パワーダウン制御の終了後、所定時間経過後にパワーを増加させる制御を前記スイッチング素子に施すインバータ制御回路と、
    を備える高周波誘電加熱装置。
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