JP2007335608A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007335608A JP2007335608A JP2006165291A JP2006165291A JP2007335608A JP 2007335608 A JP2007335608 A JP 2007335608A JP 2006165291 A JP2006165291 A JP 2006165291A JP 2006165291 A JP2006165291 A JP 2006165291A JP 2007335608 A JP2007335608 A JP 2007335608A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- gas
- processing chamber
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、複数の基板を処理室内に搬入する工程と、前記基板を処理温度まで昇温させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給してプラズマ化する工程と、前記反応ガスのプラズマを用いて基板表面を処理する工程と、前記基板を降温させる工程と、処理後の前記基板を前記処理室内より搬出する工程とを有し、前記基板を処理温度まで昇温させる過程において、水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを前記処理室内に供給する。
【選択図】 図1
Description
この場合、基板表面に自然酸化膜が形成されているとプラズマ処理に不具合が生じる。また、基板処理の過程において、処理室内に残存している酸素分子や、処理室表面に付着している酸素により、不必要な酸化膜が基板表面に形成されることがある。
そこで、基板処理に際して、基板表面の自然酸化膜、又は搬入後に基板表面に形成される酸化膜を除去することが行われている。
また、上述した特許文献1、3に記載の発明では、基板処理の後、処理室内を不活性雰囲気又は水素ガスに置換することも行われている。しかし、特に熱処理が選択酸化の場合のように、基板上の酸化を抑制した部位が、選択酸化時の残留酸素成分により酸化されるという問題が生じやすいが、不活性雰囲気だけではそのような酸化を防止することが困難であり、また水素ガス雰囲気だけでも、上述した理由から、そのような酸化を均一に抑制することが困難であった。
これらの問題は、特に、複数の基板を同時に処理するバッチ処理の場合にあっては、処理室を形成する処理容器が縦型である等その容積が大きいため、特に問題となっていた。
処理室1が大気圧の状態で、エレベータ機構(図5の昇降部材122参照)を用いて電極板21が多段に設けられたボート22を載せたシールキャップ25を下げる。基板搬送用ロボット(図5のウェハ移載機112参照)により、プラズマ処理装置の筐体101内に準備された所用の数の基板5を、ボート22の各電極板21の間に1枚ずつ載置する。その後、シールキャップ25を上昇させてボート22を処理室1内に挿入する(ボートロード、図1におけるt1〜t2)。なお、図6では4枚の基板5を載置した状態を示している。また、あらかじめヒータ14に電力を投入し、反応管2、電極板21など処理室1内部の部材を所定の温度に加熱しておき、処理室1内の温度を、例えば200℃〜300℃(図示例では200℃)としている。
この昇温過程において、処理室1内がH2+N2混合ガスの雰囲気になっていることにより、処理室1内に残存した酸素及び反応管2の表面に付着した酸素による基板上のWの酸化が抑えられる。
なお、酸素含有ガスとしては、酸素ガス(O2)、亜酸化窒素ガス(N2O)及び一酸化窒素ガス(NO)よりなる群から選択される少なくとも一つのガスを用いることができる。
また、本発明は、選択酸化、ゲート酸化膜形成以外の処理であって、処理室内に残留酸素成分が生じ、しかも不必要な酸化を抑制することが要請されるような基板処理、例えば酸化膜形成等の処理にも適用可能である。
前記した一実施形態と同様のバッチプラズマ処理装置を用いて、プラズマによる選択酸化処理を行った。なおSLMは、0℃、1atm状態での流量(L/min)を示す。
ヒータ温度 840℃
流量 水素ガス 1SLM
酸素ガス 0.2SLM
圧力 35Pa
高周波出力 500W
処理室導入ガス H2+N2混合ガス(混合ガス中の水素の流量比10%)
流量 水素ガス 0.45SLM
窒素ガス 0.05SLM
圧力 35Pa
選択酸化処理条件は実施例と同様とした。また、プラズマ処理前の昇温時及び処理後の降温時には、次の条件で処理室内にガスを供給した。
処理室導入ガス N2
流量 3.6SLM
圧力 100Pa
選択酸化処理条件は実施例と同様とした。また、プラズマ処理前の昇温時及び処理後の降温時には、次の条件で処理室内にガスを供給した。
処理室導入ガス H2
流量 0.5SLM
圧力 35Pa
すなわち、H2の濃度(H2とN2との混合比率)が10%であっても、H2の濃度が100%の場合と同様に、Wの酸化が抑制されていることが確認できた。
基板を処理温度まで昇温させる過程において、水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを前記処理室内に供給することによって、昇温過程における処理室内の酸素成分を除去することができるので、基板表面の酸化を抑制することができる。
また、水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給するので、水素ガスのみを供給する場合に比べて、混合ガスの密度が重くなって処理室内に均一に分散しやすくなるので、昇温時における基板表面の酸化を均一に抑制することができる。また、水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給するので、水素ガスのみを供給する場合に比べて原料コストを低減できる。
特に、基板処理時に酸素成分を含む処理を行う場合には、処理後に酸素が残る可能性があるので、この降温時の水素ガスと不活性ガスの混合ガスの供給により、酸化膜の成長を防止することができる。
酸化させたくない非酸化物(膜)の酸化温度に応じて、混合ガスを流すタイミングを異ならせるので、基板表面の酸化をより確実に抑制することができる。ここで、被酸化物は、例えばタングステン(W)やシリコン(Si)である。
水素ガスの混合比率がこの範囲であれば、確実な酸化抑制が得られやすく、コストも安価になる。
2 反応管
5 基板
6 排気管
7 ポンプ
10 ガス導入ポート
14 ヒータ
17、18 電極
22 ボート
202 処理炉
Claims (3)
- 複数の基板を処理室内に搬入する工程と、
前記基板を処理温度まで昇温させる工程と、
前記処理室内に反応ガスを供給してプラズマ化する工程と、
前記反応ガスのプラズマを用いて前記基板表面を処理する工程と、
前記基板を降温させる工程と、
処理後の前記基板を前記処理室内より搬出する工程と
を有し、
前記基板を処理温度まで昇温させる過程において、水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを前記処理室内に供給する半導体デバイスの製造方法。 - 複数の基板を処理室内に搬入する工程と、
前記基板を処理温度まで昇温させる工程と、
前記処理室内に酸素成分を含む反応ガスを供給してプラズマ化する工程と、
前記反応ガスのプラズマを用いて前記基板表面を処理する工程と、
前記基板を降温させる工程と、
処理後の前記基板を前記処理室内より搬出する工程と
を有し、
前記基板を降温させる過程において、水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを前記処理室内に供給する半導体デバイスの製造方法。 - 前記基板を処理温度まで昇温させる過程において、前記基板温度が該基板表面の被酸化物の酸化温度になる前に、水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを前記処理室内に供給する請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006165291A JP4829013B2 (ja) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006165291A JP4829013B2 (ja) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007335608A true JP2007335608A (ja) | 2007-12-27 |
JP4829013B2 JP4829013B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=38934790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006165291A Active JP4829013B2 (ja) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4829013B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011013616A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 選択酸化処理方法、選択酸化処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US9147573B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-09-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03119763A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04218910A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-08-10 | Toshiba Corp | 熱処理成膜方法 |
JPH08241863A (ja) * | 1995-03-06 | 1996-09-17 | Canon Inc | 半導体基板の製造方法 |
JP2000332245A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びp形半導体素子の製造方法 |
JP2000335545A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 成型トレー及びその固定に用いる作業装置 |
-
2006
- 2006-06-14 JP JP2006165291A patent/JP4829013B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03119763A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04218910A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-08-10 | Toshiba Corp | 熱処理成膜方法 |
JPH08241863A (ja) * | 1995-03-06 | 1996-09-17 | Canon Inc | 半導体基板の製造方法 |
JP2000332245A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びp形半導体素子の製造方法 |
JP2000335545A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 成型トレー及びその固定に用いる作業装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011013616A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 選択酸化処理方法、選択酸化処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2011029415A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 選択酸化処理方法、選択酸化処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
KR101361318B1 (ko) | 2009-07-27 | 2014-02-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 선택 산화 처리 방법, 선택 산화 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
US9147573B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-09-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4829013B2 (ja) | 2011-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6095825B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI437635B (zh) | 半導體裝置的製造方法、及基板處理裝置 | |
JP5722595B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4361932B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR101289305B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2013012719A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2011068984A (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
TW201236078A (en) | Substrate processing apparatus, substrate supporting tool and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2005064305A (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2008303452A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4829013B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 | |
JP2009263764A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5888820B2 (ja) | 基板処理装置、クリーニング方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009141015A (ja) | 基板収容容器及び基板処理方法 | |
JP4961218B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2008028307A (ja) | 基板の製造方法及び熱処理装置 | |
JP2002100574A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009272367A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6021977B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2012138530A (ja) | 基板の製造方法、半導体デイバスの製造方法及び基板処理装置 | |
JP2007077455A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2009124070A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2014143421A (ja) | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 | |
JP4977636B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
CN113574640B (zh) | 半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110901 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110915 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4829013 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |