JP2007329298A - Tftアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様にかかるTFTアレイ基板は、ソース領域41とドレイン領域42との間に配置されたチャネル領域43を有するTFTアレイ基板であって、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2を覆うように形成されたゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3を介してゲート電極2上に設けられた半導体層30と、半導体層30のソース領域41の上に設けられた金属膜を有するソース電極6と、半導体層30のドレイン領域42の上に設けられた金属膜を有するドレイン電極7と、ソース電極6とソース領域41との間、及びドレイン電極7とドレイン領域42との間に配置された透明導電膜10とを備え、透明導電膜10の半導体層30からはみ出した部分の断面が順テーパー形状である。
【選択図】図2
Description
まず、図1を用いて、本発明に係るTFTアレイ基板を用いた表示装置について説明する。図1は、表示装置に用いられるTFTアレイ基板の構成を示す正面図である。本発明に係る表示装置は、液晶表示装置や有機EL表示装置等の平面型表示装置(フラットパネルディスプレイ)を例として説明する。このTFTアレイ基板の全体構成については、以下に述べる実施の形態1〜3で共通である。
図面を参照し、実施の形態2に係るTFTアレイ基板について説明する。実施の形態2も、TFTアレイ基板、及びその製造方法に関する技術であることは、第1の実施の形態と同様である。なお、第1の実施の形態と同じ構成要素、機能、及び製造手順については、説明を省略する。
図面を参照し、実施の形態3に係るTFTアレイ基板について説明する。実施の形態3も、TFTアレイ基板、及びその製造方法に関する技術であることは、第1の実施の形態と同様である。なお、第1の実施の形態と同じ構成要素、機能、及び製造手順については、説明を省略する。
3 ゲート絶縁膜、 4 半導体能動膜、
5 オーミックコンタクト膜、 6 ソース電極、
7 ドレイン電極、 8 SiN膜、
9、14、17 第2の透明導電膜、 10 第1の透明導電膜、
11 第1のフォトレジストパターン、12 第2のフォトレジストパターン、
13、15、16 コンタクトホール、
21 絶縁性基板、 22 ゲート電極、
23 ゲート絶縁膜、 24 半導体能動膜、
25 オーミックコンタクト膜、 26 ソース電極、
27 ドレイン電極、 28 SiN膜、
29 第2の透明導電膜、30 半導体層
41 ソース領域、 42 ドレイン領域、 43 チャネル領域、
110 額縁領域、 111 表示領域、
113 ゲート配線、 114 ソース配線、
115 走査信号駆動回路、 116 表示信号駆動回路、
117 画素、 118、119 外部配線、 120 TFT
Claims (16)
- ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル領域を有するTFTアレイ基板であって、
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた半導体層と、
前記半導体層のソース領域の上に設けられた金属膜を有するソース電極と、
前記半導体層のドレイン領域の上に設けられた金属膜を有するドレイン電極と、
前記ソース電極とソース領域との間、及び前記ドレイン電極とドレイン領域との間に配置された透明導電膜とを備え、
前記半導体層の前記透明導電膜からはみ出した部分の断面が順テーパー形状であるTFTアレイ基板。 - 更に、前記基板上を覆うように形成されたパッシベーション膜の上に、前記ドレイン電極と接続された画素電極を有し、
前記パッシベーション膜に設けられたコンタクトホールを介して前記画素電極と前記透明導電膜が直接接続されている請求項1に記載のTFTアレイ基板。 - 前記コンタクトホールの周辺箇所では、前記ドレイン電極が除去されていることを特徴とする請求項2に記載のTFTアレイ基板。
- 前記画素電極と前記透明導電膜は、同じ材料であることを特徴とする請求項2又は3に記載のTFTアレイ基板
- 前記半導体層は、非晶質シリコンであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のTFTアレイ基板。
- 前記ソース電極及びドレイン電極が、Ti、Ta、Mo、Al、及びこれらを主成分とする合金の少なくとも1つを含む請求項1乃至5のいずれかに記載のTFTアレイ基板。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のTFTアレイ基板を用いた表示装置。
- ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル領域を有するTFTアレイ基板の製造方法であって、
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜、半導体層、及び透明導電膜を連続して成膜する工程と、
前記透明導電膜上に形成された第1のフォトレジストパターンを用いて該透明導電膜を島状にエッチングする工程と、
前記第1のフォトレジストパターンと前記透明導電膜との積層マスクを用いて前記半導体層をエッチングする工程と、
前記第1のフォトレジストパターンを除去し前記透明導電膜を含む基板上に金属膜を成膜した後、第2のフォトレジストパターンを用いて該金属膜をドライエッチングして該透明導電膜の上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記半導体層のチャネル領域上に形成された前記透明導電膜をエッチングする工程と、チャネル領域を形成する工程と、を有するTFTアレイ基板の製造方法。 - 前記チャネル領域を形成した後、前記基板上にコンタクトホールを有するパッシベーション膜を形成する工程と、
前記コンタクトホールを有するパッシベーション膜の上に、当該コンタクトホールを介して前記透明導電膜と直接接続する画素電極を形成する工程と、をさらに備える請求項8に記載のTFTアレイ基板の製造方法。 - 前記コンタクトホール部に露出するドレイン電極を形成する金属膜を、コンタクトホールをドライエッチングで形成する際に、一括でエッチングして形成する請求項9に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程に、
前記金属膜上に、前記パッシベーション膜にコンタクトホールが形成されるコンタクトホール部において膜厚が薄くなる第2のフォトレジストパターンを2段階露光によって形成する工程と、
前記第2のフォトレジストパターンを介して前記金属膜をエッチングする工程と、チャネル領域上に形成された前記透明導電膜をエッチングする工程と、
前記第2のフォトレジストパターンの一部をアッシングして、前記コンタクトホール部において前記金属膜を露出させる工程と、
前記露出された金属膜をエッチングして、前記コンタクトホール部の前記透明導電膜を露出させる工程と、チャネル領域を形成する工程とが含まれている請求項8及び9に記載のTFTアレイ基板の製造方法。 - 前記画素電極と前記透明導電膜に、同じ材料を用いることを特徴とする請求項9又は11にTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記半導体層が、非晶質シリコンであり、
塩素もしくはフッ素を含むガスを有するドライエッチング、又はフッ酸を有するエッチング液を用いたウェットエッチングによってエッチングされていることを特徴とする請求項8乃至12のいずれかに記載のTFTアレイ基板の製造方法。 - 前記ソース電極及びドレイン電極に、Ti、Ta、Mo、Al、及びそれらを主成分とする合金の少なくとも1つが含まれていることを特徴とする請求項8乃至13のいずれかに記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記透明導電膜をエッチングする工程では、前記透明導電膜の端部が前記第1のフォトレジストパターン端部より後退するようにサイドエッチングし、
前記半導体層をエッチングする工程では、前記半導体層の断面が順テーパー状となるようにエッチングする請求項8乃至14のいずれかに記載のTFTアレイ基板の製造方法。 - 前記金属膜をドライエッチングするエッチングガスに、塩素もしくはフッ素を含むガスが用いられていることを特徴とする請求項8乃至15のいずれかに記載のTFTアレイ基板の製造方法。
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