JP2007327771A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 所定の軸を中心として回転可能な基台に被検光学素子を設置し、該設置された被検光学素子の被検面に対して光源からの光を所定形状の指標を含む測定用光学系を介して照射し、該被検面からの反射光または透過光を結像面上に導くとともに該基台に設置された被検光学素子を、前記所定の軸を中心として回転せしめ、該反射光または該透過光により該結像面上に形成された前記指標の像の移動軌跡を観察して前記被検面の偏芯量を測定する偏芯量測定方法において、
   前記所定形状の指標は、互いに交差する２つの線分からなるレチクルとし、
   前記被検光学素子を前記基台に設置し、
   前記測定用光学系と前記被検面とを該測定用光学系の光軸方向に相対的に移動して、前記被検面からの反射光または透過光が前記結像面上に結像されるように調整し、
   前記結像面上に結像されたレチクルの像に対して、該レチクルの像を構成する２つの像線のうちの一方の像線に対し平行に、かつ互いに略同一方向に延びる２本の第１線上における光強度分布を求めて、該第１線の各線上における最大強度位置をＡ点およびＢ点とするとともに、該２本の第１線と交差し、該レチクルの像を構成する２つの像線のうちの他方の像線に対し平行に、かつ互いに略同一方向に延びる２本の第２線上における光強度分布を求めて、該第２線の各線上における最大強度位置をＣ点およびＤ点とし、
   次に、前記Ａ点と前記Ｂ点を結んだ直線を第３線とするとともに、前記Ｃ点と前記Ｄ点を結んだ直線を第４線とし、
   前記第３線と前記第４線の交点を特定し、
   この交点に基づいて前記レチクルの像の中心点Ｒを決定し、
   この後、前記基台を所定角度だけ回転させることで前記被検光学素子を前記軸を中心として回転せしめるたびに、その回転位置における前記レチクルの像の中心点Ｒを決定し、
   続いて、決定されたこれら複数の中心点Ｒに基づき中心点軌跡円を特定し、
   該中心点軌跡円の径を求め、
   この求めた径に基づいて、前記被検面の偏芯量を求めることを特徴とする偏芯量測定方法。
2. 前記レチクルの像の中心点Ｒは前記交点の位置とすることを特徴とする請求項１記載の偏芯量測定方法。
3. 前記レチクルの像の中心点Ｒは、前記交点の位置を中心とした所定の領域内の各画素点の光強度重み付け平均処理により特定された重心位置とすることを特徴とする請求項１記載の偏芯量測定方法。
4. 前記レチクルは、前記２つの線分の交差角が９０°とされた十字形状のものであることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載の偏芯量測定方法。