JP2007310346A - 有機電界発光表示装置の画素回路 - Google Patents

有機電界発光表示装置の画素回路 Download PDF

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Abstract

【課題】薄膜トランジスタのしきい値電圧及び移動度を効果的に補正でき、低階調の輝度表現が可能な有機電界発光表示装置の画素回路を提供する。
【解決手段】スキャンラインからの選択信号に応答してデータラインからのデータ信号を伝達する第１トランジスタ、第１トランジスタを通じて受信されるデータ信号を格納する第１キャパシタ、しきい値電圧を補償する第２トランジスタ、制御信号に応答して第２トランジスタをダイオード接続させる第４トランジスタ、スキャン信号に応答して第２トランジスタのしきい値電圧を伝達する第３トランジスタ、第３トランジスタから受信された第２トランジスタのしきい値電圧を格納する第２キャパシタ、第１及び第２キャパシタの分配電圧と第２トランジスタから発生する駆動電流に相応する駆動電流を発生させる第５トランジスタ、及び第５トランジスタにより印加された駆動電流により発光動作を行う有機発光ダイオードを含む。
【選択図】図３ａ

Description

本発明は、有機電界発光表示装置の画素回路に関するものである。
最近、平板表示装置（Flat Panel Display：ＦＰＤ）は、マルチメディアの発達と共に、その重要性が増大している。これに応じて液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、電界放出表示装置（Field Emission Display：ＦＥＤ）、有機電界発光表示装置（Organic Light Emitting Device）などのようないろいろな平面型ディスプレイが実用化されている。
特に、有機電界発光表示装置は、応答速度が１ｍｓ以下であって、高速の応答速度を有し、消費電力が低くて、自体発光である。また、視野角に問題がないので、装置の大きさに関係なしに動画像表示媒体として長所がある。また、低温製作が可能であり、既存の半導体工程技術に基づいて製造工程が簡単であるので、今後次世代の平板表示装置として注目されている。
一般に、有機電界発光表示装置は、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる表示装置であって、行列形態で配列されたＮ×Ｍ個の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を電圧駆動（Voltage Programming）あるいは電流駆動（Current Programming）し、映像を表現することができる。このような有機電界発光表示装置を駆動する方式としては、受動マトリックス（passive matrix）方式と薄膜トランジスタ（Thin film transistor）を用いた能動マトリックス（active matrix）方式がある。受動マトリックス方式は、正極と負極を直交するように形成しラインを選択して駆動するのに対して、能動マトリックス方式は、薄膜トランジスタを各ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）画素電極に連結し、薄膜トランジスタのゲート電極に連結されたキャパシタ容量により維持された電圧により駆動する。
図１は、従来技術に係る有機電界発光表示装置を示すブロック図である。図１を参照すれば、有機電界発光表示装置１００は、表示パネル１１０、スキャン駆動部１２０、データ駆動部１３０、制御部１４０、及び電源供給部１５０を含む。
表示パネル１１０は第１方向に配列されるデータライン（Ｄ１−Ｄｍ）と第１方向と交差して第２方向に配列されるスキャンライン（Ｓ１−Ｓｎ）、及びデータライン（Ｄ１−Ｄｍ）とスキャンライン（Ｓ１−Ｓｎ）が交差する画素領域に位置する画素回路（Ｐ１１−Ｐｎｍ）を含む。
制御部１４０は、スキャン駆動部１２０、データ駆動部１３０及び電源供給部１５０に制御信号を出力し、電源供給部１５０は制御部１４０の駆動制御によってスキャン駆動部１２０、データ駆動部１３０及び表示パネル１１０の駆動に必要な電圧を出力する。
スキャン駆動部１２０は、制御部１４０の制御信号によってスキャン駆動部１２０に連結されたスキャンライン（Ｓ１−Ｓｎ）にスキャン信号を出力する。これで、スキャン信号（Ｓ１−Ｓｎ）に応答して表示パネル１１０に位置した画素回路（Ｐ１１−Ｐｎｍ）が選択される。
データ駆動部１３０は、制御部１４０の制御信号によって、スキャン駆動部１２０から出力されるスキャン信号に同期して、データ駆動部１３０に連結されたデータライン（Ｄ１−Ｄｍ）を通じてデータ信号を画素回路１１０に印加する。したがって、表示パネル１１０はデータ信号に対応して各画素回路（Ｐ１−Ｐｎｍ）から光を発光することにより映像イメージを表示する。
図２は、従来技術に係る有機電界発光表示装置の画素回路を説明するための回路図である。図２を参照すれば、画素回路はスキャンライン（Ｓｎ）からの選択信号に応答してデータライン（Ｄｍ）からのデータ信号を伝達するスイッチングトランジスタ（ＭＳ）、スイッチングトランジスタ（ＭＳ）を通じて受信されるデータ信号を格納するためのキャパシタ（Ｃｇｓ）、キャパシタ（Ｃｇｓ）に格納されたデータ信号によって駆動電流を発生するための駆動トランジスタ（ＭＤ）、駆動電流によって発光動作を遂行するための有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含む。
前記有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に流れる電流の量は次のように表現することができる。
Figure 2007310346
前記のような画素回路を含む能動マトリックス方式の有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に流れる電流の量により輝度を調節する。したがって、薄膜トランジスタの均一度、特にしきい値電圧（Ｖｔｈ）及び移動度（mobility）の均一度が確保されなければならない。
有機電界発光表示装置に使われる薄膜トランジスタは、非晶質シリコンまたは低温多結晶シリコンを使用して形成されることができるが、多結晶シリコンは非晶質シリコンに比べて電界効果移動度が１００乃至２００倍程度大きく、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタの必要性が増大されている。
多結晶シリコンは、エキシマレーザアニーリング（Exmer Laser Anealing）法などを使用し、非晶質シリコンを結晶化して製造できるが、結晶化工程の際、エキシマレーザのパルスが均一でなくて、製造された多結晶シリコンの結晶（grain）の大きさが均等しない。したがって、各画素に形成された多結晶シリコン半導体層を含む薄膜トランジスタ同士間で特性が変わり、均一度が確保できないので、各画素毎に希望する階調が表現できない問題がある。
本発明は、薄膜トランジスタのしきい値電圧及び移動度を効果的に補正することができ、低階調の輝度表現が可能な有機電界発光表示装置の画素回路を提供することをその目的とする。
前記のような目的を達成するために、本発明は、スキャンラインからのスキャン信号に応答してデータラインからデータ信号を伝達する第１トランジスタと、前記第１トランジスタを通じて受信されるデータ信号を格納する第１キャパシタと、データ信号にしきい値電圧を補償するための第２トランジスタと、制御ラインからの制御信号に応答して第２トランジスタをダイオード接続させる第４トランジスタと、スキャン信号に応答して第２トランジスタのしきい値電圧を伝達する第３トランジスタと、第３トランジスタから受信された第２トランジスタのしきい値電圧を格納するための第２キャパシタと、第１及び第２キャパシタの分配電圧と前記第２トランジスタから発生する駆動電流に相応する駆動電流を発生させるための第５トランジスタと、第５トランジスタにより印加された駆動電流により発光動作を行うための有機発光ダイオードと、を含む有機電界発光表示装置の画素回路を提供する。
本発明は、駆動トランジスタのしきい値電圧及び移動度を効果的に補正して各画素間の輝度の均一度を向上させることができ、データ信号による電流と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に流れる電流の量の割合が調節できるので、低階調輝度の表現が可能であるという長所がある。
図３ａは、本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。
図３ａを参照すれば、本発明の第１実施形態に係る画素回路は、第１スキャンライン（Ｓｎ１）からのスキャン信号に応答してデータライン（Ｄｍ）からのデータ信号を伝達する第１トランジスタ（Ｔ１）、第１トランジスタ（Ｔ１）を通じて受信されるデータ信号を格納するための第１キャパシタ（Ｃ１）、データ信号を補正してしきい値電圧を補償するための第２トランジスタ（Ｔ２）、制御ライン（ＡＺ）からの制御信号に応答して第２トランジスタ（Ｔ２）をダイオード接続させる第４トランジスタ（Ｔ４）、第２スキャンライン（Ｓｎ２）からのスキャン信号に応答して第２トランジスタ（Ｔ２）のしきい値電圧を伝達する第３トランジスタ（Ｔ３）、第３トランジスタ（Ｔ３）から受信された第２トランジスタ（Ｔ２）のしきい値電圧を格納するための第２キャパシタ（Ｃ２）、第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）の分配電圧と第２トランジスタ（Ｔ２）から印加受けた電圧に相応する駆動電流を発生させるための第５トランジスタ（Ｔ５）及び第５トランジスタ（Ｔ５）により印加された駆動電流によって発光動作を行うための有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含む。
第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）の一端は第１電源ライン（ＶＤＤ）に連結され、第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）の他端は第３トランジスタ（Ｔ３）の両端に各々連結される。そして、第２及び第５トランジスタ（Ｔ２、Ｔ５）はしきい値電圧及び移動度が同一であってもよい。
図３ｂは、図３ａに示す本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の動作を説明するためのタイミング図である。
図３ｂを参照すれば、プログラミング段階（Ｉ）において、第１スキャンライン（Ｓｎ１）はハイレベルの信号を印加し、第２スキャンライン（Ｓｎ２）及び制御ライン（ＡＺ）はローレベルの信号を印加する。ローレベルの信号によって第３トランジスタ（Ｔ３）及び第４トランジスタ（Ｔ４）はターンオンされ、第２トランジスタ（Ｔ２）のゲート電極とドレイン電極はダイオード接続される。第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）には第２トランジスタ（Ｔ２）のしきい値電圧が格納され、この際、ノードＡの電圧は次の通りである。
Figure 2007310346
次に、データ格納段階（II）において、第２スキャンライン（Ｓｎ２）はハイレバルの信号を印加し、第１スキャンライン（Ｓｎ１）及び制御ライン（ＡＺ）はローレベルの信号を印加する。ローレベルの信号を印加受けた第１トランジスタ（Ｔ１）及び第２トランジスタ（Ｔ２）はターンオンされ、第１トランジスタ（Ｔ１）の一端に連結されたデータラインからデータ信号が入力される。ここで、データ信号は電流であることができ、データラインを通じて所定の電流をシンクすることができる。この際、第１キャパシタ（Ｃ１）には第２トランジスタ（Ｔ２）のしきい値電圧及び移動度が補正された電圧が格納される。
データ信号による電流及びノードＡの電圧は次の通りである。
Figure 2007310346
次に、発光段階（III）において、第２スキャンライン（Ｓｎ２）及び制御ライン（ＡＺ）はハイレバルの信号を印加し、第１スキャンライン（Ｓｎ１）はローレベルの信号を印加する。ローレベルの信号を印加受けた第１トランジスタ（Ｔ１）はターンオンされ、第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）に格納された電圧が分配されて第２及び第５トランジスタ（Ｔ５）のゲート電極に印加される。
この際、第１キャパシタ（Ｃ１）に格納された電圧は、データ格納段階（II）において、電流の書込みにより格納された電圧であり、第２キャパシタ（Ｃ２）に格納された電圧は、プログラミング段階（Ｉ）において、第２トランジスタ（Ｔ２）のしきい値電圧を反映した値である。したがって、第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）に格納された電圧の分配電圧は、第２トランジスタ（Ｔ２）のしきい値電圧及び移動度を一定割合で反映した値であることができる。この際、ノードＡの電圧は次の通りである。
Figure 2007310346
この際、第２トランジスタ（Ｔ２）は鎖状領域で、第５トランジスタ（Ｔ５）は飽和領域で動作することになり、第２トランジスタ（Ｔ２）のドレイン電流（Ｉｄｓ＿Ｔ２）と第５トランジスタ（Ｔ５）のドレイン電流（Ｉｄｓ＿Ｔ５）は同一になる。また、第５トランジスタ（Ｔ５）のドレイン電流が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に流れることになる。
Figure 2007310346
ここで、μは電界効果移動度、Ｃｏｘは絶縁層のキャパシタンス、Ｗはチャンネル幅、Ｌはチャンネル長さを表す。
Figure 2007310346
この際、ノードＡの電圧は第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）に格納された電圧の分配電圧であるから、式（３）を式（４）に代入した後、式（９）に代入すれば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に流れる電流の量を次のように計算することができる。
Figure 2007310346
前記の式（１０）から見ることができるように、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路によれば、データ格納段階（II）で入力した電流を前記のような割合で低めて有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に流すことができる。
従来は、低階調の輝度表現の際、データ信号の大きさが小さくて寄生キャパシタンスにより低階調の輝度を十分表現できない問題点があった。しかしながら、本発明の第１実施形態に係る画素回路の場合、充分なデータ電流が入力できるので、低階調の輝度表現が可能であるという長所がある。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に流れる電流量は第２及び第５トランジスタ（Ｔ５）のチャンネル幅／長さ（Ｗ／Ｌ）の割合によって決定できるので、第２トランジスタ（Ｔ２）のチャンネル幅／長さ（Ｗ／Ｌ）を増加させることによって、入力電流対比出力電流の割合をより低めることができる。また、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に流れる電流量は第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）の容量の割合によって決定できる。したがって、画素回路設計の際、第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）の容量を調節して駆動トランジスタである第５トランジスタ（Ｔ５）の特性の補正を最適化することができる。
図４ａ及び図４ｂは、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路及びその動作を説明するためのタイミング図である。
図４ａ及び図４ｂを参照すれば、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路は、第１及び第５トランジスタ（Ｔ５）のゲート電極が１つのスキャンラインに共通に連結されたことを除いては、本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路と同一である。
第１トランジスタ（Ｔ１）がターンオンされる場合、第３トランジスタ（Ｔ３）はターンオフされなければならないので、第１トランジスタ（Ｔ１）と第３トランジスタ（Ｔ３）は反対のＭＯＳからなるトランジスタであることができる。すなわち、第１トランジスタ（Ｔ１）はＰＭＯＳトランジスタであり、第３トランジスタ（Ｔ３）はＮＭＯＳトランジスタであることができる。したがって、スキャンライン（Ｓｎ）からローレベルの信号が印加されれば第１トランジスタ（Ｔ１）がターンオンされ、ハイレバルの信号が印加されれば第３トランジスタ（Ｔ３）がターンオンされることができる。
前記のように、第１及び第３トランジスタ（Ｔ３）を反対のＭＯＳからなるように形成すれば、信号線の個数を減らすことができるので、工程簡素化及び開口率を高めることができる。
図５ａ及び図５ｂは、本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の回路図及びその動作を説明するためのタイミング図である。
図５ａ及び図５ｂを参照すれば、本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路は、第１トランジスタ（Ｔ１）のゲートがｎ番目のスキャンライン（Ｓｎ）に連結され、第３トランジスタ（Ｔ３）のゲートが（ｎ＋１）番目のスキャンライン（Ｓｎ+１）に連結されるということを除いては、本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路と同一である。そして、第１トランジスタ（Ｔ１）はＰＭＯＳトランジスタであり、第３トランジスタ（Ｔ３）はＮＭＯＳトランジスタであることができる。
前記のような有機電界発光表示装置の画素回路の動作を説明すれば、ｎ番目のスキャンライン（Ｓｎ）がローレベルの信号を印加する場合、（ｎ＋１）番目のスキャンライン（Ｓｎ＋１）はハイレバルの信号を印加する。したがって、ｎ番目のスキャンライン（Ｓｎ）に連結されたｎ行に位置する画素回路がデータを格納する間、（ｎ+１）番目の行に位置した画素回路はしきい値電圧を格納し、ｎ番目の行に位置した画素回路が発光する間、（ｎ+１）番目の行に位置した画素回路はデータ電流を書込することができる。このような画素回路の構造は、信号線の個数を減少させて工程の単純化及び開口率の向上をもたらすことができる効果がある。
図６ａ乃至図８ｂは、本発明の第４乃至６実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の回路図及びその動作を説明するためのタイミング図である。
図６ａ及び図８ｂを参照すれば、本発明の第４乃至６実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路は本発明の第１乃至３実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路とトランジスタの極性が反対であることを除いては、その基本構造が同一である。また、第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）の一端に共通連結された第１電源ラインが負の電源ライン（ＶＳＳ）であり、駆動トランジスタである第５トランジスタ（Ｔ５）のドレイン電極に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の第２電極が連結されたこと、すなわち反転（invert）構造である点が本発明の第１乃至第３実施形態と異なる。
図９は、本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の有機発光ダイオードに流れる電流の量をシミュレーションした結果を示すグラフである。ここで、本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路は、第１及び第２キャパシタの容量は１５０ｐＦであって、第２及び第５トランジスタはＫ２：Ｋ５が４：１になるように設計した。
グラフＡはプログラミング段階でデータ信号により入力した電流（Ｉｄａｔａ）によって出力される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の電流（ＩＯＬＥＤ）を表したものであり、グラフＢはデータ信号により入力した電流（Ｉｄａｔａ）対比出力された有機発光ダイオードの電流（ＩＯＬＥＤ）の比を表したものである。
図９を参照すれば、データ信号によって入力した電流（Ｉｄａｔａ）の量が約２１μＡである時、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に出力された電流（ＩＯＬＥＤ）の量は約４８０ｎＡである。したがって、本発明の一実施形態に係る画素回路によれば、データ信号により入力した電流（Ｉｄａｔａ）の最小４０：１の割合で有機発光ダイオードに出力する電流（ＩＯＬＥＤ）の量が調節できることが分かる。
本発明を特定の実施形態と関連し図示及び説明したが、本発明はそれに限られず、特許請求の範囲により設けられる本発明の精神や分野から外れない限度内で本発明が多様に改造及び変化できるということを当分野において通常の知識を有する者であれば容易に分かるはずである。
従来の有機電界発光表示装置を示すブロック図である。 従来の有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の動作を説明するためのタイミング図である。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の動作を説明するためのタイミング図である。 本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。 本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の動作を説明するためのタイミング図である。 本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。 本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の動作を説明するためのタイミング図である。 本発明の第５実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。 本発明の第５実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の動作を説明するためのタイミング図である。 本発明の第６実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。 本発明の第６実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素回路の動作を説明するためのタイミング図である。 本発明に係る有機電界発光表示装置の有機発光ダイオードに流れる電流の量をシミュレーションした結果を示すグラフである。
符号の説明
１１０ 表示パネル
１２０ スキャン駆動部
１３０ データ駆動部
１４０ 制御部
１５０ 電源供給部

Claims (19)

  1. スキャンラインからのスキャン信号に応答してデータラインからデータ信号を伝達する第１トランジスタと、
    前記第１トランジスタを通じて受信されるデータ信号を格納する第１キャパシタと、
    しきい値電圧を補償するための第２トランジスタと、
    前記第２トランジスタのしきい値電圧を伝達する第３トランジスタと、
    制御ラインからの制御信号に応答して前記第２トランジスタをダイオード接続させる第４トランジスタと、
    前記第３トランジスタから受信された第２トランジスタのしきい値電圧を格納するための第２キャパシタと、
    前記第１及び第２キャパシタの分配電圧と前記第２トランジスタから発生する駆動電流に相応する駆動電流を発生させるための第５トランジスタと、
    前記第５トランジスタにより印加された駆動電流により発光動作を行うための有機発光ダイオードと、
    を含む有機電界発光表示装置の画素回路。
  2. 前記第２及び第５トランジスタは、同一のしきい値電圧及び移動度を有する請求項１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  3. 前記第１及び第２キャパシタの一端は第１電源ラインに連結される請求項１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  4. 前記第２トランジスタのチャンネル幅／長さ（Ｗ／Ｌ）は、前記第５トランジスタのチャンネル幅／長さ（Ｗ／Ｌ）より大きい請求項１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  5. 前記第１トランジスタは第１スキャンラインに連結され、前記第３トランジスタは第２スキャンラインに連結される請求項１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  6. 前記第２スキャンライン及び前記制御ラインからローレベルの信号が印加されれば、前記第２トランジスタはダイオード接続され、ダイオード接続された第２トランジスタは前記第３トランジスタを通じて前記第２トランジスタのしきい値電圧を第１及び第２キャパシタに伝達する請求項５記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  7. 前記第１及び第４トランジスタがターンオンされると、前記第１キャパシタにデータ信号が格納される請求項６記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  8. 前記第３トランジスタがターンオフされ、第１及び第４トランジスタがターンオンされると、前記第２及び第５トランジスタのゲート電極に第１及び第２キャパシタの分配電圧が印加される請求項７記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  9. 前記第５トランジスタのゲート電極に前記第１及び第２キャパシタの分配電圧が印加されると、前記第５トランジスタは前記第２トランジスタの一端から発生する電流と相応する駆動電流を発生させ、前記駆動電流は有機発光ダイオードに流れる請求項８記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  10. 前記第１乃至第５トランジスタはＰＭＯＳトランジスタである請求項１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  11. 前記第１、第２、第４、及び第５トランジスタはＰＭＯＳトランジスタであり、前記第３トランジスタはＮＭＯＳトランジスタである請求項１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  12. 前記第１及び第３トランジスタのゲート電極は同一のスキャンラインに連結される請求項１１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  13. 前記第１トランジスタは、ｎ番目のスキャンラインに連結され、前記第３トランジスタはｎ＋１番目のスキャンラインに連結される請求項１１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  14. 前記第１乃至第５トランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタである請求項１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  15. 前記第１電源ラインは負の電源ラインである請求項１４記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  16. 前記第５トランジスタのドレイン電極は有機発光ダイオードのカソードに連結される請求項１５記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  17. 前記第１、第２、第４、及び第５トランジスタはＮＭＯＳトランジスタであり、前記第３トランジスタはＰＭＯＳトランジスタである請求項１記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  18. 前記第１及び第３トランジスタのゲート電極は同一のスキャンラインに連結される請求項１７記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
  19. 前記第１トランジスタはｎ番目のスキャンラインに連結され、前記第３トランジスタはｎ＋１番目のスキャンラインに連結される請求項１７記載の有機電界発光表示装置の画素回路。
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