KR101374483B1 - 유기전계발광표시장치의 화소 회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광표시장치의 화소 회로에 관한 것으로, 스캔 라인으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터 라인으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드에 전달하는 제 1 트랜지스터; 상기 제 1 노드에 연결되어 상기 데이터 신호를 전달받는 제 1 전극과, 음의 전압(VSS)이 공급되는 제 2 전극을 포함하는 제 1 커패시터; 상기 제 1 노드에 연결된 제 1 전극과, 제 2 노드에 연결된 제 2 전극을 포함하는 제 2 커패시터; 상기 제 1 노드에 연결된 게이트, 상기 제 2 노드에 연결된 전극, 및 상기 음의 전압이 공급되는 전극을 포함하여 게이트 전압에 따라 유기발광다이오드의 전류를 조절하는 제 3 트랜지스터; 및 제어 라인의 제어 신호에 의해 턴-온되며 상기 제 2 노드를 경유하여 상기 제 3 트랜지스터에 연결된 제 4 트랜지스터를 포함한다.
Description
본 발명은 유기전계발광표시장치의 화소 회로에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
특히, 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
일반적으로, 유기전계발광표시장치는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시장치로서, 행렬 형태로 배열된 N×M개의 유기발광다이오드(OLED)들을 전압 구동(Voltage Programming) 혹은 전류 구동(Current Programming)하여 영상을 표현할 수 있다. 이와 같은 유기전계발광표시장치를 구동하는 방식에는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 이용한 능동 매트릭스(active matrix) 방식이 있다. 수동 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 매트릭스 방식은 박막 트랜지스터를 각 ITO(Indium Tin Oxide) 화소 전극에 연결하고 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동한다.
도 1은 종래기술에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.
도 1을 참조하면, 서브 픽셀은 스캔 라인(Sn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터 라인(Dm)으로부터의 데이터 신호를 전달하는 스위칭 트랜지스터(M1), 스위칭 트랜지스터(M1)를 통해 수신되는 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터(Cst), 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호에 따라 구동 전류를 발생하기 위한 구동 트랜지스터(M2), 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.
종래의 서브픽셀은 도 1에 도시한 바와 같이, 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전극과 드레인 전극 간에 기생 커패시턴스(p-cap)가 존재할 수 있는데, 이러한 기생 커패시턴스에 의하여 영상 이미지에 잔상이 발생할 수 있다.
즉, 기생 커패시턴스(p-cap)는 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전압과 드레인 전압에 의하여 그 크기가 결정되므로, 게이트 전압과 드레인 전압이 변화하면 그 크기도 변화하게 된다. 따라서, 이전 프레임에서 인가되었던 전기적 스트레스가 완전히 제거되지 못하면, 다음 프레임 구동시 전기적 스트레스가 누적되면서 잔상이 발생하게 된다.
도 2는 종래의 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 전압-전류 특성을 도시한 그래프이다.
도 2를 참조하면, 종래 화소 회로의 전류-전압 특성, 즉 구동 트랜지스터의 데이터 전압에 따른 출력 전류(output current) 특성을 도시한 그래프는 선형성을 갖지 못한다. 따라서, 데이터 전압의 크기가 변화함에 따라, 유기발광다이오드에 흐르는 전류(Ioled)의 변화율이 크다. 이로써, 기생 커패시턴스에 의한 전기적 스트레스 또한 크게 변화하기 때문에, 영상 이미지에 미치는 잔상의 영향은 매우 크다
특히, 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
일반적으로, 유기전계발광표시장치는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시장치로서, 행렬 형태로 배열된 N×M개의 유기발광다이오드(OLED)들을 전압 구동(Voltage Programming) 혹은 전류 구동(Current Programming)하여 영상을 표현할 수 있다. 이와 같은 유기전계발광표시장치를 구동하는 방식에는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 이용한 능동 매트릭스(active matrix) 방식이 있다. 수동 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 매트릭스 방식은 박막 트랜지스터를 각 ITO(Indium Tin Oxide) 화소 전극에 연결하고 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동한다.
도 1은 종래기술에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.
도 1을 참조하면, 서브 픽셀은 스캔 라인(Sn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터 라인(Dm)으로부터의 데이터 신호를 전달하는 스위칭 트랜지스터(M1), 스위칭 트랜지스터(M1)를 통해 수신되는 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터(Cst), 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호에 따라 구동 전류를 발생하기 위한 구동 트랜지스터(M2), 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.
종래의 서브픽셀은 도 1에 도시한 바와 같이, 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전극과 드레인 전극 간에 기생 커패시턴스(p-cap)가 존재할 수 있는데, 이러한 기생 커패시턴스에 의하여 영상 이미지에 잔상이 발생할 수 있다.
즉, 기생 커패시턴스(p-cap)는 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전압과 드레인 전압에 의하여 그 크기가 결정되므로, 게이트 전압과 드레인 전압이 변화하면 그 크기도 변화하게 된다. 따라서, 이전 프레임에서 인가되었던 전기적 스트레스가 완전히 제거되지 못하면, 다음 프레임 구동시 전기적 스트레스가 누적되면서 잔상이 발생하게 된다.
도 2는 종래의 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 전압-전류 특성을 도시한 그래프이다.
도 2를 참조하면, 종래 화소 회로의 전류-전압 특성, 즉 구동 트랜지스터의 데이터 전압에 따른 출력 전류(output current) 특성을 도시한 그래프는 선형성을 갖지 못한다. 따라서, 데이터 전압의 크기가 변화함에 따라, 유기발광다이오드에 흐르는 전류(Ioled)의 변화율이 크다. 이로써, 기생 커패시턴스에 의한 전기적 스트레스 또한 크게 변화하기 때문에, 영상 이미지에 미치는 잔상의 영향은 매우 크다
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본 발명은 구동 트랜지스터의 출력 전류의 선형적 특성을 향상시키며, 잔상을 제거하여 화면의 품질을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치의 픽셀 회로를 제공한다.
본 발명의 유기전계발광표시장치의 화소 회로는 스캔 라인으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터 라인으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드에 전달하는 제 1 트랜지스터; 상기 제 1 노드에 연결되어 상기 데이터 신호를 전달받는 제 1 전극과, 음의 전압(VSS)이 공급되는 제 2 전극을 포함하는 제 1 커패시터; 상기 제 1 노드에 연결된 제 1 전극과, 제 2 노드에 연결된 제 2 전극을 포함하는 제 2 커패시터; 상기 제 1 노드에 연결된 게이트, 상기 제 2 노드에 연결된 전극, 및 상기 음의 전압이 공급되는 전극을 포함하여 게이트 전압에 따라 유기발광다이오드의 전류를 조절하는 제 3 트랜지스터; 및 제어 라인의 제어 신호에 의해 턴-온되며 상기 제 2 노드를 경유하여 상기 제 3 트랜지스터에 연결된 제 4 트랜지스터를 포함한다.
본 발명은 구동 트랜지스터의 출력 전류의 선형적 특성을 향상시키며, 잔상을 제거하여 화면의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 블록도이다.
유기전계발광표시장치는 표시 패널(110), 스캔 구동부(120), 데이터 구동부(130), 제어부(140) 및 전원공급부(150)를 포함한다.
표시 패널(110)은 제 1 방향으로 배열되는 데이터 라인들(D1-Dm)과 제 1 방향과 교차되고 제 2 방향으로 배열되는 스캔 라인들(S1-Sn) 및 데이터 라인들((D1-Dm))과 스캔 라인들(S1-Sn)이 교차하는 영역에 위치하는 화소 회로들(P11-Pnm)을 포함한다.
제어부(140)는 스캔 구동부(120), 데이터 구동부(130) 및 전원공급부(150)에 제어 신호를 출력하고, 전원공급부(150)는 제어부(140)의 구동 제어에 따라 스캔 구동부(120), 데이터 구동부(130) 및 표시 패널(110)의 구동에 필요한 전압을 출력한다.
스캔 구동부(120)는 제어부(140)의 제어신호에 따라 스캔 구동부(120)에 연결된 스캔 라인들(S1-Sn)에 스캔 신호를 출력한다. 이로써, 스캔 신호(S1-Sn)에 응답하여 표시 패널(110)에 위치한 화소 회로들(P11-Pnm)이 선택된다.
데이터 구동부(130)는 제어부(140)의 제어 신호에 따라, 스캔 구동부(120)에서 출력되는 스캔 신호에 동기되어 데이터 구동부(130)에 연결된 데이터 라인들(D1-Dm)을 통하여 데이터 신호들을 해당 화소 회로들(110)에 인가한다. 따라서, 표시 패널(110)은 데이터 신호들에 대응하여 각 화소 회로들(P1-Pnm)로부터 빛을 발광함으로써 영상이미지를 표시한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로는 제 1 트랜지스터(M1), 제 2 트랜지스터(M2), 제 1 커패시터(Cst1), 제 2 커패시터(Cst2), 제 4 트랜지스터(M4), 구동 트랜지스터인 제 3 트랜지스터(M3) 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.
제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 스캔 라인(Sn)에 연결되고, 제 1 전극은 데이터 라인(Dm)에 연결되며, 제 2 전극은 제 1 노드(A)에 연결된다. 따라서, 제 1 트랜지스터(M1)는 스캔 라인의 선택 신호에 의하여 데이터 라인(Dm)으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드(A)에 전달한다.
제 2 커패시터(Cst2) 제 1 전극은 제 1 노드(A)에 연결되어 있고, 제 2 전극은 제 2 노드(B)에 연결되어 있다. 제 1 커패시터(Cst1)의 다른 한 전극은 음의 전압(VSS)에 연결된다. 제 2 트랜지스터(M2)는 게이트 전극이 스캔 라인(Sn)에 연결되며, 어느 한 전극은 제 1 노드(A)를 경유하여 제 1 트랜지스터(M1)에 연결되고, 다른 한 전극은 제 2 노드(B)를 경유하여 제 2 커패시터(Cst2)의 제 2 전극에 연결된다.
제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 제 1 노드(A)에 연결되며, 어느 한 전극은 음의 전압(VSS)에 연결된다. 제 3 트랜지스터(M3)의 다른 한 전극은 제 2 노드(B)를 경유하여 제 4 트랜지스터(M4)에 연결된다. 제 3 트랜지스터(M3)는 게이트 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)의 전류를 조절한다.
제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 제어 라인(Es)에 연결되고, 제 4 트랜지스터(M4)의 어느 한 전극에는 제 2 노드(B)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드가 연결된다. 그리고, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드에는 양의 전압(VDD)이 인가된다.
따라서, 제 4 트랜지스터(M4)는 제어라인(Es)에 의하여 턴-온되며, 유기발광다이오드(OLED)는 유기발광다이오드(OLED)의 어느 일 전극에 연결된 양의 전압(VDD) 및 제 4 트랜지스터(M4)를 통하여 인가되는 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트-드레인 전압의 차이에 상응하는 빛을 발광한다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도들이며, 도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 이하에서는 도 5a, 5b 및 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 회로의 동작을 설명하도록 한다.
도 5a, 5b 및 도 6을 참조하면, 1단계(step 1)에서 스캔 라인(Sn)에 하이 레벨의 선택 신호가 인가되면, 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1,M2)가 턴-온되어 데이터 라인(Dm)으로부터 데이터 전압을 전달한다. 따라서, 제 1 노드(A)에 데이터 전압이 인가되어, 제 1 커패시터(Cst1)에는 데이터 전압이 저장된다. 그리고, 제 2 커패시터(Cst2)의 양단에는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2)에 의하여 데이터 전압이 인가되므로, 구동 트랜지스터인 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극과 드레인 전극 간의 기생 커패시턴스가 제거되고, 제 3 트랜지스터(M3)는 구동에 필요한 전압, 드레인 전압을 발생시킨다.
1단계(step 1)에서 제 1 노드(A)에 걸리는 전압(VA)은 다음과 같다.
VData는 데이터 전압, Vth3는 제 3 트랜지스터(M3)의 문턱 전압이다.
다음으로, 2단계(Step 2)에서 제어 라인(Es)에 제어 신호가 인가되면, 제 4 트랜지스터(M4)가 턴-온된다. 이때, 유기발광다이오드(OLED)는 제 4 트랜지스터(M4)를 통하여 인가되는 제 3 트랜지스터(M3)의 드레인 전압에 상응하는 빛을 발광하게 된다.
2단계(Step 2)에서, 제 1 노드(A)에 걸리는 전압(VA)은 다음과 같다.
즉, 제 2 커패시터(Cst2)에 의하여, 제 3 트랜지스터(M3)와 제 4 트랜지스터(M4) 사이 노드의 전압이 제 1 커패시터(Cst1)와 제 2 커패시터(Cst2)의 용량에 따라 일정 비율로 제 1 노드(A)에 반영된다. 따라서, 종래와 달리 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 일정한 변화율, 즉 선형적 특성을 갖게 된다. 또한, 제 2 커패시터(Cst2)에 의하여 제 1 노드(A)의 전압은 구동 트랜지스터인 제 3 트랜지스터(M3)의 문턱 전압을 반영하게 된다.
여기서, 제 1 커패시터(Cst1)는 데이터 신호를 저장하기 위한 것이며, 제 2 커패시터(Cst2)는 전기적 스트레스의 제거 및 제 3 트랜지스터(M3)의 드레인 전압(제 2 노드 전압)의 변화량을 재분배하기 위한 것이므로, 제 1 커패시터(Cst1)의 용량은 제 2 커패시터(Cst2)의 용량보다 클 수 있으며, 용량의 비는 화소 회로의 특성에 적합하도록 조절할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로는 유기전계발광표시장치에 흐르는 전류의 양을 일정하게 제어할 수 있으며, 잔상이 제거되므로, 향상된 품질의 화면을 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 7은 는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 전압-전류 특성을 도시한 그래프이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로에 따른 출력 전류는 데이터 전압의 크기에 따라 일정한 비율로 증가하는 것을 볼 수 있다. 즉, 출력 전류의 특성이 선형성을 갖기 때문에, 데이터 전압에 따라 일정한 비율로 출력 전류의 크기를 조절할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.
도 8을 참조하면, 스캔 라인(Sn)으로부터 선택 신호가 인가되면, 데이터 라인(Dm)을 통하여 데이터 전류(Idata)가 싱크된다. 따라서, 제 1 노드(A)에는 싱크된 데이터 전류에 상응하도록, 구동 트랜지스터(T3)의 이동도 및 문턱 전압이 반영된 전압이 인가될 수 있다. 즉, 도 8의 회로도는 도 4에 도시한 회로도와 그 구성이 동일하지만, 전류 싱크 타입으로 구동하므로, 구동 트랜지스터(T3)의 이동도 및 문턱 전압을 보정할 수 있다는 장점이 있으며, 그 외 다른 동작은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 회로와 유사하다.
본 발명의 일 실시예에서는 트랜지스터들을 엔모스(NMOS) 트랜지스터들로 도시하였지만, 이에 국한되지 않으며, 동일하게 동작하도록 피모스(PMOS) 트랜지스터들로 구성할 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 유기전계발광표시장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.
도 2는 종래의 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 전압-전류 특성을 도시한 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.
도 5A 및 도 5B는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도들이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7은 는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로의 전압-전류 특성을 도시한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.
Claims (8)
- 스캔 라인으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터 라인으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드에 전달하는 제 1 트랜지스터;상기 제 1 노드에 연결되어 상기 데이터 신호를 전달받는 제 1 전극과, 음의 전압(VSS)이 공급되는 제 2 전극을 포함하는 제 1 커패시터;상기 제 1 노드에 연결된 제 1 전극과, 제 2 노드에 연결된 제 2 전극을 포함하는 제 2 커패시터;상기 제 1 노드에 연결된 게이트, 상기 제 2 노드에 연결된 전극, 및 상기 음의 전압이 공급되는 전극을 포함하여 게이트 전압에 따라 유기발광다이오드의 전류를 조절하는 제 3 트랜지스터; 및제어 라인의 제어 신호에 의해 턴-온되며 상기 제 2 노드를 경유하여 상기 제 3 트랜지스터에 연결된 제 4 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 화소 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기발광다이오드의 캐소드는 상기 제 4 트랜지스터를 경유하여 상기 제 2 노드에 연결되고,상기 유기발광다이오드의 애노드에는 양의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 화소 회로.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 4 트랜지스터는 상기 제어 라인에 연결된 게이트, 상기 제 2 노드에 연결된 전극, 및 상기 유기발광다이오드의 캐소드에 연결된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 화소 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 선택 신호가 인가되면, 상기 데이터 라인으로부터 데이터 신호가 상기 제 1 노드에 인가되고,상기 제어 신호가 인가되면, 상기 유기발광다이오드가 발광하며 상기 제 2 노드의 전압 변화량은 상기 제 1 커패시터 및 상기 제 2 커패시터의 용량에 따라 재분배되고,상기 제어 신호는 상기 선택 신호 후에 발생되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 화소 회로.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 커패시터의 용량은 상기 제 2 커패시터의 용량보다 큰 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 화소 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 스캔 라인으로부터 선택 신호가 인가되면, 상기 데이터 라인을 통하여 일정 크기의 전류가 싱크되며, 상기 데이터 신호는 상기 전류에 상응하며 상기 제 3 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도가 반영된 전압 신호인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 화소 회로.
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