KR101329458B1 - 유기발광다이오드 표시장치 - Google Patents

유기발광다이오드 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101329458B1
KR101329458B1 KR1020080098317A KR20080098317A KR101329458B1 KR 101329458 B1 KR101329458 B1 KR 101329458B1 KR 1020080098317 A KR1020080098317 A KR 1020080098317A KR 20080098317 A KR20080098317 A KR 20080098317A KR 101329458 B1 KR101329458 B1 KR 101329458B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
driving
driving tft
emitting diode
organic light
Prior art date
Application number
KR1020080098317A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100039096A (ko
Inventor
우경돈
이재도
홍영준
유상호
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020080098317A priority Critical patent/KR101329458B1/ko
Priority to CN2009101465664A priority patent/CN101714329B/zh
Priority to US12/574,997 priority patent/US8446345B2/en
Publication of KR20100039096A publication Critical patent/KR20100039096A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101329458B1 publication Critical patent/KR101329458B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275Details of drivers for data electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7833Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
    • H01L29/7836Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with a significant overlap between the lightly doped extension and the gate electrode
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G09G2320/0295Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel by monitoring each display pixel
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/04Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043Preventing or counteracting the effects of ageing

Abstract

본 발명은 표시품위를 향상시킬 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
이 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 데이터라인쌍들과 다수의 게이트라인군들이 교차되고 그 교차 영역마다 구동 TFT와 유기발광다이오드를 갖는 화소들이 배치된 표시패널; 서로 비중첩되어 순차적으로 발생되는 홀딩 클럭들에 응답하여 상기 화소들의 구동 TFT 문턱전압들을 추출하여 공통 출력노드에 순차적으로 인가하고, 서로 인접한 상기 홀딩 클럭들의 비중첩 기간들마다 상기 공통 출력노드의 전위를 기저 레벨로 다운시키는 샘플&홀드 블럭; 상기 공통 출력노드를 통해 입력되는 아날로그 상기 구동 TFT 문턱전압들을 디지털 문턱전압값들로 변환하는 A/D 컨버터; 상기 디지털 문턱전압값들과 함께 그들의 위치 정보들을 저장하는 메모리; 및 상기 메모리에 저장된 정보들을 기반으로, 외부로부터 입력되는 표시데이터의 위치 정보에 해당되는 문턱전압을 이용하여 상기 표시데이터를 조절하는 타이밍 콘트롤러를 구비한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치{Organic Light Emitting Diode Display}
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로 특히, 구동TFT의 문턱전압을 정확하게 추출하여 표시품위를 향상시킬 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다.
PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT" 라 함)가 적용된 TFT LCD는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 비발광소자이기 때문에 시야각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 이에 비하여, 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기발광다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 특히, 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같이 유기발광다이오드를 가진다. 유기발광다이오드는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 구비한다.
유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다.
애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.
유기발광다이오드 표시장치는 이와 같은 유기발광다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 스캔신호에 의해 선택된 화소들의 밝기를 비디오 데이터의 계조에 따라 제어한다. 다시말해, 유기발광다이오드 표시장치는 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(Storage Capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.
도 2는 종래 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 2를 참조하면, 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(DL) 및 게이트라인(GL), 스위치 TFT(SW), 구동 TFT(DR), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 스위치 TFT(SW)와 구동 TFT(DR)는 N-타입 MOS-FET으로 구현된다.
스위치 TFT(SW)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔신호에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 이 스위치 TFT(SW)는 온타임기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압을 구동 TFT(DR)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가한다.
구동 TFT(DR)는 자신의 게이트전극과 소스전극 간의 차전압(Vgs)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 자신의 일측 전극에 인가된 데이터전압을 저장함으로써 구동 TFT(DR)의 게이트전극에 공급되는 전압을 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.
유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조로 구현된다. 이 유기발광다이오드(OLED)는 구동 TFT(DR)의 소스전극과 저전위 구동전압원(VSS) 사이에 접속된다.
도 2와 같은 화소의 밝기는 아래의 수학식 1과 같이 유기발광다이오드(OLED) 에 흐르는 전류에 비례하며, 이 전류는 구동 TFT(DR)의 게이트전압과 소스전압 간 차전압, 구동 TFT(DR)의 문턱전압에 의해 결정된다.
Figure 112008070027165-pat00001
여기서, 'Ioled'는 구동전류, 'k'는 구동 TFT(DR)의 이동도 및 기생용량에 의해 결정되는 상수값, 'Vgs'는 구동 TFT(DR)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs) 간의 차전압, 'Vth'는 구동 TFT(DR)의 문턱전압을 각각 의미한다.
수학식 1과 같이, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)는 구동 TFT(DR)의 문턱전압(Vth)에 크게 영향 받는다.
일반적으로, 유기발광다이오드 표시장치에서 화소들 간 휘도의 불균일성은 상기 문턱전압을 포함한 구동 TFT의 전기적 특성 편차에 기인한다. 화소들 간 구동 TFT의 전기적 특성 편차가 발생하는 원인은 표시패널의 백 플레인(Backplane)에 따라 다르다. LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 백 플레인을 사용하는 패널에서는 ELA(Excimer Laser Annealing) 공정에 의한 화소들 간 TFT의 특성 편차가 발생한다. 반면, a-Si(Amorphous Silicon) 백 플레인을 사용하는 패널에서는 공정에 의한 특성 편차는 거의 발생하지 않지만 패널 구동에 따라 진행되는 TFT의 열화 정도가 화소마다 달라져 결국 화소들 간 TFT의 특성 편차가 발생된다. 패널 구동에 따라 화소들간 TFT의 열화 정도가 다르게 진행하는 이유는, 구동 TFT의 게이트전극에 쌓이는 게이트-바이어스 스트레스(Gate-Bias Stress)의 정도가 서로 달라 구동 TFT의 문턱전압 변동이 화소마다 달라지기 때문이다.
이러한 구동 TFT의 전기적 특성 편차로 인해서 동일한 데이터의 인가시 유기발광다이오드에 흐르는 전류는 화소마다 달라지게 된다. 이에, 구동 TFT의 문턱전압을 추출하여 메모리에 저장한 후, 표시데이터에 이 추출된 문턱전압을 반영하는 방식이 제안된 바 있다. 이 방식은 구동 TFT의 문턱전압을 추출하기 위해 도 3과 같이 샘플&홀드 블럭(1), A/D 컨버터(ADC : 2) 및 메모리(3)를 구비한다. 동일 수평라인 상에 배치된 화소들 각각의 문턱전압(Vth1 ~ Vthk)은 샘플링 클럭(Sampling Clock : SC)에 따라 동시에 샘플링된 후 홀딩 클럭들(HC1 ~ HCk)에 각각 응답하여 순차적으로 추출된다. 그리고, 추출된 문턱전압들(Vth1 ~ Vthk)은 샘플&홀드 블럭(1)의 공통 출력노드(cno)를 경유하여 A/D 컨버터(2)에 입력되어 디지털 값들(D1 ~ Dk)로 변환된 후 메모리(2)에 저장된다. 샘플&홀드 블럭(1)은 문턱전압들(Vth1 ~ Vthk)을 추출하기 위해 도 4와 같은 샘플링 클럭(SC)에 따라 동시에 동작되는 다수의 샘플링 스위치들, 및 도 4와 같은 홀딩 클럭들(HC1 ~ HCk)에 따라 각각 동작하는 홀딩 스위치들을 포함한다.
그런데, 홀딩 클럭들(HC1 ~ HCk)은 그 논리레벨이 변하는 임계점에서 'a'와 같이 크리티컬(Critical)하게 변하는 게 아니라, 스위치와 라인에 존재하는 기생 커패시턴스 등의 영향으로 'b'와 같이 슬로프(Slope) 형태로 변하게 된다. 이에 따라, 종래 문턱전압 추출 방식에서는 홀딩 스위치의 온-오프시 인접하는 화소들의 문턱전압들이 서로 중첩되어 추출되는 오버랩 구간(OVP)이 초래된다. 오버랩 구간(OVP)에서는 인접 화소들의 문턱전압들이 서로 혼합되므로, 정확한 문턱전압 추 출이 거의 불가능하다.
또한, 상기 스위치와 라인에 존재하는 기생 커패시턴스에 의해 샘플&홀드 블럭(1)의 공통 출력노드(cno)에서는 연속적으로 출력되는 문턱전압들간에 간섭이 발생한다. 이는 직전에 출력된 문턱전압의 전하 성분들이 스위치나 라인등에 남아 기생 커패시턴스로 작용함으로써 현재 출력되는 문턱전압에 영향을 주기 때문이다. 종래 문턱전압 추출 방식은 이러한 잔류 전하들을 방전할 수 있는 기능을 갖지 못하여 정확하게 문턱전압을 추출할 수 없다.
이러한 문턱전압 추출의 비정확성으로 인해, 종래 문턱전압 추출 방식에서는 표시품위를 향상시키는 데 한계가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 구동TFT의 문턱전압을 정확하게 추출할 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 구동TFT의 문턱전압을 정확하게 추출하고, 이 추출된 문턱전압을 표시데이터에 반영함으로써 표시품위를 향상시키도록 한 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 데이터라인쌍들과 다수의 게이트라인군들이 교차되고 그 교차 영역마다 구동 TFT와 유기발광다이오드를 갖는 화소들이 배치된 표시패널; 서로 비중첩되어 순차적으로 발생되는 홀딩 클럭들에 응답하여 상기 화소들의 구동 TFT 문턱전압들을 추출하여 공통 출력노드에 순차적으로 인가하고, 서로 인접한 상기 홀딩 클럭들의 비중첩 기간들마다 상기 공통 출력노드의 전위를 기저 레벨로 다운시키는 샘플&홀드 블럭; 상기 공통 출력노드를 통해 입력되는 아날로그 상기 구동 TFT 문턱전압들을 디지털 문턱전압값들로 변환하는 A/D 컨버터; 상기 디지털 문턱전압값들과 함께 그들의 위치 정보들을 저장하는 메모리; 및 상기 메모리에 저장된 정보들을 기반으로, 외부로부터 입력되는 표시데이터의 위치 정보에 해당되는 문턱전압을 이용하여 상기 표시데이터를 조절하는 타이밍 콘트롤러를 구비한다.
상기 샘플&홀드 블럭은, 샘플링 클럭에 응답하여 스위칭되는 다수의 샘플링 스위치들을 포함하여 상기 구동 TFT 문턱전압들을 샘플링하기 위한 샘플링 스위치 어레이; 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 포함하여 논리레벨이 변하는 임계점 부근에서 이웃간에 서로 중첩하는 제1 홀딩 클럭들을 발생하는 쉬프트 레지스터 어레이; 논 오버랩 신호와 상기 제1 홀딩 클럭들을 논리 곱 연산하여 상기 홀딩 클럭들을 생성하는 오버랩 방지부; 상기 홀딩 클럭들 각각에 응답하여 스위칭되는 다수의 홀딩 스위치들을 포함하여 샘플링된 상기 구동 TFT 문턱전압들을 상기 공통 출력노드를 통해 순차적으로 출력하는 홀딩 스위치 어레이; 및 서로 인접한 상기 홀딩 클럭들의 비중첩 기간들마다 상기 공통 출력노드의 전위를 기저 레벨로 다운시키는 디스차징부를 구비한다.
상기 오버랩 방지부는 상기 쉬프트 레지스터 어레이와 상기 홀딩 스위치 어레이 사이에 접속된 다수의 논리곱 소자들을 구비한다.
상기 디스차징부는, 상기 논 오버랩 신호의 위상을 반전시키기 위한 인버터; 및 상기 공통 출력노드와 기저 저압원 사이에 접속되어 상기 인버터의 출력에 의해 제어되는 방전 스위치를 구비한다.
상기 논 오버랩 신호는 상기 제1 홀딩 클럭들의 중첩 구간에서는 상기 제1 홀딩 클럭들과 반대되는 제1 논리레벨로 발생되는 반면, 상기 제1 홀딩 클럭들의 비중첩 구간에서는 상기 제1 홀딩 클럭들과 반대되는 제2 논리레벨로 발생된다.
상기 방전 스위치는 상기 제2 논리레벨을 갖는 논 오버랩 신호에 응답하여 턴 온 된다.
상기 화소들 각각은 상기 유기발광다이오드의 캐소드전극과 저전위 구동전압원 사이에 서로 병렬 접속된 제1 구동 TFT 및 제2 구동 TFT를 포함한다.
상기 샘플링 스위치 어레이는, n(여기서, n은 수직 해상도)개의 프레임기간들의 합으로 이루어진 제1 기간 동안에는 동일 수평라인 상에 배치된 제1 구동 TFT들의 문턱전압들을 동시에 샘플링하되 매 프레임 당 한 수평라인씩 순차적으로 샘플링하며; 그 다음 n 개의 프레임기간들의 합으로 이루어진 제2 기간 동안에는 동일 수평라인 상에 배치된 제2 구동 TFT들의 문턱전압들을 동시에 샘플링하되 매 프레임 당 한 수평라인씩 순차적으로 샘플링한다.
상기 데이터라인쌍들은 상기 제1 구동 TFT들을 구동시키기 위한 제1 데이터라인들과 상기 제2 구동 TFT들을 구동시키기 위한 제2 데이터라인들을 포함하고; 상기 샘플링 스위치들 각각은 상기 n 개의 프레임기간들을 주기로 상기 제1 데이터라인들과 상기 제2 데이터라인들에 교대로 접속된다.
본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 샘플&홀드 블럭내에 오버랩 방지부와 디스차징부를 포함함으로써, 연속적으로 추출되는 문턱전압들 간의 간섭을 제거하여 구동 TFT의 문턱전압을 정확하게 추출할 수 있다.
나아가, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 구동TFT의 문턱전압을 정확하게 추출하고, 이 추출된 문턱전압을 표시데이터에 반영함으로써 표시품위를 크게 향상시킬 수 있다.
이하, 도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 샘플&홀드 블럭(121)을 포함하는 데이터 드라이버(12), 게이트 드라이버(13), A/D 컨버터(14) 및 메모리(16)를 구비한다.
표시패널(10)에는 다수의 데이터라인쌍(14a,14b)들과 다수의 게이트라인군(15a 내지 15d)들이 교차되고 그 교차 영역마다 화소(P)들이 매트릭스 형태로 배치된다. 화소(P)들 각각은 고전위 구동전압(Vdd)과 저전위 구동전압(Vss)을 공급받고, 데이터라인쌍(14a,14b)과 게이트라인군(15a 내지 15d)에 접속된다. 데이터라인쌍(14a,14b)은 제1 데이터라인(14a)과 제2 데이터라인(14b)을 포함한다. 제1 데이터라인(14a)과 제2 데이터라인(14b)은 각각 구동 TFT의 문턱전압 추출 경로 및 표시데이터 기입 경로에 이용되며, 특정 기간을 주기로 그 기능을 바꾼다. 다시 말해, 제1 데이터라인(14a)은 n 프레임(여기서, n은 수직 해상도)까지는 구동 TFT의 문턱전압 추출 경로에 이용되는 데 반해, n+1 ~ 2n 프레임까지는 표시데이터 기입 경로에 이용된다. 반면, 제2 데이터라인(14b)은 제1 프레임 ~ 제n 프레임까지는 표시데이터 기입 경로에 이용되는 데 반해, 제n+1 프레임 ~ 제2n 프레임까지는 구동 TFT의 문턱전압 추출 경로에 이용된다. 게이트라인군(15a 내지 15d)은 제1 스캔라인(15a), 제2 스캔라인(15b), 제1 센싱라인(15c), 및 제2 센싱라인(15d)을 포함한다. 고전위 구동전압(Vdd)은 고전위 구동전압원(VDD)에 의해 일정한 전위 레벨(직류 레벨)로 발생된다. 저전위 구동전압(Vss)은 저전위 구동전압원(VSS)에 의해 발생되되, 화소(P) 내에 포함된 구동 TFT의 문턱전압이 센싱될 수 있도록 주기적으로 그 전위 레벨이 고전위 구동전압 레벨과 기저 전압 레벨 사이에서 가변된다.
타이밍 콘트롤러(11)는 메모리(16)에 저장된 디지털 문턱전압들(D1 ~ Dk)을 참조하여 외부로부터 입력되는 표시데이터(RGB)의 계조값을 조절한 후, 이 조절된 표시데이터를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 드라이버(12)에 공급한다. 타이밍 콘트롤러(11)는 입력되는 표시데이터의 위치 정보에 해당되는 문턱전압을 이용하여 표시데이터(RGB)의 계조값을 조절하되, 문턱전압값이 높을수록 표시데이터(RGB)의 계조값을 높인다.
또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들을 기초하여 데이터 드라이버(12)에서의 데이터 기입 타이밍을 제어하기 위한 데이터 기입 제어신호(DDC)와, 데이터 드라이버(12)에서의 문턱전압 추출 타이밍을 제어하기 위한 문턱전압 추출 제어신호들과, 게이트 드라이버(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다. 데이터 기입 제어신호(DDC)는 라이징(Rising) 또는 폴링(Falling) 에지에 기준하여 데이터 드라이버(12) 내에서 표시데이터의 래 치동작을 지시하는 소스 샘플링 클럭(SSC), 데이터 드라이버(12)의 출력을 지시하는 소스 출력 인에이블신호(SOE)등을 포함한다. 문턱전압 추출 제어신호들은 문턱전압을 샘플링하기 위한 샘플링 클럭(SC), 문턱전압의 홀딩 시작 시점을 지시하는 홀딩 스타트 펄스(HSP), 홀딩 스타트 펄스(HSP)를 순차적으로 쉬프트 시키기 위한 쉬프트 레지스터 클럭(SRC), 수평으로 인접하는 화소들의 구동 TFT 문턱전압들이 서로 중첩되어 추출되는 것을 방지하기 위한 논 오버랩 신호(NOS)를 포함한다. 게이트 제어신호(GDC) 한 화면이 표시되는 1 프레임기간 중에서 스캔이 시작되는 시작 수평라인을 지시하는 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 드라이버(13) 내의 쉬프트 레지스터에 입력되어 게이트 스타트 펄스(GSP)를 순차적으로 쉬프트시키기 위한 타이밍 제어신호로써 TFT의 온(ON) 기간에 대응하는 펄스폭으로 발생되는 게이트 쉬프트 클럭(GSC), 및 게이트 드라이버(13)의 출력을 지시하는 게이트 출력 인에이블신호(GOE) 등을 포함한다.
데이터 드라이버(12)는 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 표시데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(이하, 데이터전압이라 함)으로 변환하여 데이터라인쌍(14a,14b)들에 공급한다. 그리고, 데이터 드라이버(12)는 샘플&홀드 블럭(121)을 포함하여 화소(P)들로부터 추출된 문턱전압들(Vth1 ~ Vthk)을 A/D 컨버터(14)에 공급한다. 특히, 본 발명의 샘플&홀드 블럭(121)은 도 8과 같이, 수평으로 인접하는 화소들의 구동 TFT 문턱전압들이 서로 중첩되어 추출되는 것을 방지하기 위한 오버랩 방지부(1213a)와, 공통 출력노드(cno)를 통해 연속적으로 출력되는 문턱전압들간의 간섭을 방지하기 위한 디스차징부(1214)를 구비하여 추출되는 문턱전압값 의 정확도를 높인다. 이러한 샘플&홀드 블럭(121)에 대해서는 도 8 내지 도 10을 참조하여 상세히 후술한다.
게이트 드라이버(13)는 타이밍 콘트롤러(11)의 제어 하에 제1 및 제2 스캔신호와, 제1 및 제2 센싱신호를 발생한다. 도 6과 같이 제1 스캔신호(SCAN1)는 제1 스캔라인(15a)에 공급되고, 제2 스캔신호(SCAN2)는 제2 스캔라인(15b)에 공급된다. 제1 센싱신호(SEN1)는 제1 센싱라인(15c)에 공급되고, 제2 센싱신호(SEN2)는 제2 센싱라인(15c)에 공급된다.
A/D 컨버터(14)는 샘플&홀드 블럭(121)으로부터의 아날로그 문턱전압들(Vth1 ~ Vthk)을 디지털 문턱전압들(D1 ~ Dk)로 변환한 후, 이 디지털 문턱전압들(D1 ~ Dk)을 메모리(16)에 공급한다.
메모리(16)는 A/D 컨버터(14)로부터의 디지털 문턱전압들(D1 ~ Dk)을 이 디지털 문턱전압들(D1 ~ Dk) 각각에 대한 위치 정보와 함께 룩업 테이블 형식으로 저장한다. 메모리(16)는 타이밍 콘트롤러(11)에 내장될 수 있다.
도 6은 도 5에 도시된 화소(P)를 나타낸다. 그리고, 도 7은 화소(P)에 인가되는 제어신호들과 데이터전압들, 및 구동전압들의 타이밍도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 제1 구동부(DP(L)), 및 제2 구동부(DP(R))를 구비한다.
유기발광다이오드(OLED)는 고전위 구동전압원(VDD)과 공통 노드(nc) 사이에 접속된다. 유기발광다이오드(OLED)는 제1 구동부(DP(L)) 또는 제2 구동부(DP(R))에 의해 결정되는 고전위 구동전압원(VDD)과 저전위 구동전압원(VSS) 사이의 전류 량에 의해 그 발광량이 제어되어 계조를 표시한다.
제1 구동부(DP(L))는 제1 구동 TFT(DT1), 제1 및 제2 스위치 TFT(ST1,ST2), 및 제1 스토리지 커패시터(SC1)를 포함한다. 제1 구동 TFT(DT1)는 공통 노드(nc)와 저전위 구동전압원(VSS) 사이에 접속되어 자신의 게이트-소스간 전압차에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류량을 조절한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 제1 데이터라인(14a)과 제1 노드(n1) 사이에 접속되어 제1 스캔라인(15a)으로부터의 제1 스캔신호(SCAN1)에 따라 제1 데이터라인(14a)과 제1 노드(n1) 사이의 전류 패스를 절환한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 제1 데이터라인(14a)과 공통 노드(nc) 사이에 접속되어 제1 센싱라인(15c)으로부터의 제1 센싱신호(SEN1)에 따라 제1 데이터라인(14a)과 공통 노드(nc) 사이의 전류 패스를 절환한다. 제1 스토리지 커패시터(SC1)는 제1 노드(n1)와 저전위 구동전압원(VSS) 사이에 접속된다.
이러한 제1 구동부(DP(L))는 특정 기간(n개의 프레임들의 총 스캔기간, n은 수직 해상도)을 주기로 문턱전압 센싱 기능과 표시데이터 기입 기능을 교번적으로 수행한다. 즉, 문턱전압 센싱을 위해, 제1 구동부(DP(L))는 제1 프레임 ~ 제n(여기서, n은 수직 해상도)프레임 중 특정 한 프레임 동안에만 제1 구동 TFT(DT1)의 문턱전압 센싱 기능을 수행하고, 나머지 프레임들 동안에는 제1 구동 TFT(DT1)의 게이트 바이어스 스트레스를 줄이기 위한 부극성 데이터 기입(NDI) 기능을 수행한다. 그리고, 표시데이터 기입을 위해, 제1 구동부(DP(L))는 제n+1 프레임 ~ 제2n 프레임동안 유기발광다이오드(OLED)를 발광시키기 위한 표시데이터 기입 기능을 수행한다.
제2 구동부(DP(R))는 제2 구동 TFT(DT2), 제3 및 제3 스위치 TFT(ST3,ST3), 및 제2 스토리지 커패시터(SC2)를 포함한다. 제2 구동 TFT(DT2)는 공통 노드(nc)와 저전위 구동전압원(VSS) 사이에 접속되어 자신의 게이트-소스간 전압차에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류량을 조절한다. 제3 스위치 TFT(ST3)는 제2 데이터라인(14b)과 제2 노드(n2) 사이에 접속되어 제2 스캔라인(15b)으로부터의 제2 스캔신호(SCAN2)에 따라 제2 데이터라인(14b)과 제2 노드(n2) 사이의 전류 패스를 절환한다. 제4 스위치 TFT(ST4)는 제2 데이터라인(14b)과 공통 노드(nc) 사이에 접속되어 제2 센싱라인(15d)으로부터의 제2 센싱신호(SEN2)에 따라 제2 데이터라인(14b)과 공통 노드(nc) 사이의 전류 패스를 절환한다. 제2 스토리지 커패시터(SC2)는 제2 노드(n2)와 저전위 구동전압원(VSS) 사이에 접속된다.
이러한 제2 구동부(DP(R))는 특정 기간(n개의 프레임들의 총 스캔기간, n은 수직 해상도)을 주기로 문턱전압 센싱 기능과 표시데이터 기입 기능을 교번적으로 수행하되, 제1 구동부(DP(L))와는 반대로 수행한다. 즉, 제1 구동부(DP(L))가 문턱전압 센싱 기능을 수행하는 제1 프레임 ~ 제n 프레임동안, 제2 구동부(DP(R))는 유기발광다이오드(OLED)를 발광시키기 위한 표시데이터 기입 기능을 수행한다. 그리고, 제1 구동부(DP(L))가 표시데이터 기입 기능을 수행하는 제n+1 프레임 ~ 제2n 프레임동안, 제2 구동부(DP(R))는 제n+1 프레임 ~ 제2n 프레임 중 특정 한 프레임 동안에만 제2 구동 TFT(DT2)의 문턱전압 센싱 기능을 수행하고, 나머지 프레임들 동안에는 제2 구동 TFT(DT2)의 게이트 바이어스 스트레스를 줄이기 위한 부극성 데이터 기입(NDI) 기능을 수행한다.
도 6에 도시된 화소(P)의 동작을 도 7의 타이밍도를 결부하여 설명하면 다음과 같다. 도 7에서, P1 ~ P4는 제1 프레임 ~ 제n(여기서, n은 수직 해상도)프레임 중 특정 한 프레임 동안을 세분화한 기간들로서, P1은 제1 구동부(DP(L))의 각 노드 전압을 초기화시키는 기간을, P2는 제1 구동 TFT(DT1)의 문턱전압을 센싱하는 기간을, P3은 제1 구동부(DP(L))에 부극성 데이터(NDI)를 기입함과 아울러 표시데이터(DATA)를 이용하여 제2 구동부(DP(R))를 프로그래밍하는 기간을, P4는 제2 구동부(DP(R))를 이용하여 유기발광다이오드(OLED)를 발광시키는 단계를 각각 나타낸다. 그리고, P5 ~ P8은 제n+1 프레임 ~ 제2n 프레임 중 특정 한 프레임 동안을 세분화한 기간들로서, P5는 제2 구동부(DP(R))의 각 노드 전압을 초기화시키는 기간을, P6은 제2 구동 TFT(DT2)의 문턱전압을 센싱하는 기간을, P7은 제2 구동부(DP(L))에 부극성 데이터를 기입(NDI)함과 아울러 표시데이터(DATA)를 이용하여 제1 구동부(DP(L))를 프로그래밍하는 기간을, P8은 제1 구동부(DP(L))를 이용하여 유기발광다이오드(OLED)를 발광시키는 기간을 각각 나타낸다.
P1 동안, 저전위 구동전압(Vss)은 저전위 구동전압원(VSS)을 통해 고전위 구동전압(Vdd) 레벨로 발생되고, 제1 데이터전압(DATA1)은 고전위 구동전압(Vdd)에 제1 구동 TFT(DT1)의 최대 문턱전압치가 합산된 레벨로 제1 데이터라인(14a)에 공급된다. 예컨대, 고전위 구동전압(Vdd) 레벨이 18V이고, 제1 구동 TFT(DT1)의 최대 문턱전압치가 7V라고 가정하면, 제1 데이터전압(DATA1)은 25V의 레벨로 공급되게 된다. 그리고, 이 기간(P1) 동안 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제1 센싱신호(SEN1)는 하이논리레벨로 발생되어 제1 및 제2 스위치 TFT(ST1,ST2)를 턴 온 시킨다. 이 에 따라, 등전위를 이루는 공통 노드(nc)와 제1 노드(n1)에 의해 제1 구동 TFT(DT1)는 다이오드 커넥션(Diode-Connection)된다. 한편, 이 기간(P1) 동안 제2 스캔신호(SCAN2) 및 제2 센싱신호(SEN2)는 로우논리레벨로 발생되어 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)를 턴 오프 시킨다.
P2 동안, 데이터 드라이버(12)는 내부 스위치를 동작시켜 제1 데이터라인(14a)을 플로팅(Floating) 시킨다. 이 기간(P2) 동안 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제1 센싱신호(SEN1)는 하이논리레벨로 유지되어 제1 및 제2 스위치 TFT(ST1,ST2)를 계속해서 턴 온시킨다. 저전위 구동전압(Vss)은 고전위 구동전압(Vdd) 레벨로 유지된다. 이에 따라, 제1 노드(n1)의 전위는 고전위 구동전압(Vdd)에 제1 구동 TFT(DT1)의 최대 문턱전압치가 합산된 레벨로부터 고전위 구동전압(Vdd)에 제1 구동 TFT(DT1)의 실제 문턱전압치가 합산된 레벨까지 감소한다. 여기서, 제1 구동 TFT(DT1)의 실제 문턱전압치는 최대 문턱전압치보다 작다. 제1 노드(n1)와 저전위 구동전압원(VSS) 사이의 전위차는 제1 구동 TFT(DT1)의 실제 문턱전압치가 되며, 이 제1 구동 TFT(DT1)의 실제 문턱전압치는 제1 스토리지 커패시터(SC1)에 저장된다. 이어서, 데이터 드라이버(12)는 내부 스위치를 동작시켜 제1 데이터라인(14a)을 샘플&홀드 블럭(121)에 접속시킨다. 따라서, 제1 스토리지 커패시터(SC1)에 저장된 제1 구동 TFT(DT1)의 실제 문턱전압은 제1 데이터라인(14a)을 경유하여 샘플&홀드 블럭(121)에 전달된다. 한편 이 기간(P2) 동안 제2 스캔신호(SCAN2) 및 제2 센싱신호(SEN2)는 로우논리레벨로 유지되어 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)를 계속해서 턴 오프 시킨다.
P3 동안, 데이터 드라이버(12)는 내부 스위치를 동작시켜 제1 데이터전압(DATA1)을 부극성 데이터(NDI) 레벨로 제1 데이터라인(14a)에 공급함과 아울러 제2 데이터전압(DATA2)을 프로그래밍 레벨로 제2 데이터라인(14b)에 공급한다. 저전위 구동전압(Vss)은 고전위 구동전압(Vdd) 레벨로 유지된다. 이 기간(P3) 동안 제1 스캔신호(SCAN1)는 하이논리레벨로 유지되어 제1 스위치 TFT(ST1)를 계속해서 턴 온시키는 반면, 제1 센싱신호(SEN1)는 로우논리레벨로 반전되어 제2 스위치 TFT(ST2)를 턴 오프 시킨다. 이에 따라, 제1 노드(n1)에는 부극성 데이터(NDI) 레벨을 갖는 제1 데이터전압(DATA1)이 공급된다. 한편, 이 기간(P3) 동안 제2 스캔신호(SCAN2)는 하이논리레벨로 반전되어 제3 스위치 TFT(ST3)를 턴 온 시키는 반면, 제2 센싱신호(SEN2)는 로우논리레벨로 유지되어 제4 스위치 TFT(ST4)를 계속해서 턴 오프 시킨다. 이에 따라, 제2 노드(n2)는 표시데이터(DATA)인 제2 데이터전압(DATA2)으로 프로그래밍된다.
P4 동안, 저전위 구동전압(Vss)은 기저 레벨로 그 전위가 낮아져 고전위 구동전압원(VDD)과 저전위 구동전압원(VSS) 사이의 전류패스를 형성한다. 이 기간(P4) 동안 제1 및 제2 스캔신호(SCAN1,SCAN2)는 로우논리레벨로 반전되어 각각 제1 및 제3 스위치 TFT(ST1,ST3)를 턴 오프시키는 반면, 제1 및 제2 센싱신호(SEN1,SEN2)는 로우논리레벨로 유지되어 제2 및 제4 스위치 TFT(ST2,ST4)를 계속해서 턴 오프 시킨다. 이에 따라, 제1 노드(n1)의 전위는 부극성 데이터(NDI) 레벨로부터 저전위 구동전압(Vss)의 변동량만큼 낮은 레벨로 변동되어 제1 구동 TFT(DT1)의 게이트 바이어스 스트레스를 줄인다. 그리고, 제2 노드(n2)의 전위는 표시데이터(DATA) 레벨로부터 저전위 구동전압(Vss)의 변동량만큼 낮은 레벨로 변동된다. 제2 노드(n2)와 저전위 구동전압원(VSS) 사이의 전위차는 제2 스토리지 커패시터(SC2)에 저장되며, 이 저장된 전위차에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류량이 결정된다. 유기발광다이오드(OLED)는 상기 결정된 전류량에 따라 발광되어 계조를 표현한다.
P5 동안, 저전위 구동전압(Vss)은 저전위 구동전압원(VSS)을 통해 고전위 구동전압(Vdd) 레벨로 발생되고, 제2 데이터전압(DATA2)은 고전위 구동전압(Vdd)에 제2 구동 TFT(DT2)의 최대 문턱전압치가 합산된 레벨로 제2 데이터라인(14b)에 공급된다. 예컨대, 고전위 구동전압(Vdd) 레벨이 18V이고, 제2 구동 TFT(DT2)의 최대 문턱전압치가 7V라고 가정하면, 제2 데이터전압(DATA2)은 25V의 레벨로 공급되게 된다. 그리고, 이 기간(P5) 동안 제2 스캔신호(SCAN2) 및 제2 센싱신호(SEN2)는 하이논리레벨로 발생되어 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)를 턴 온 시킨다. 이에 따라, 등전위를 이루는 공통 노드(nc)와 제2 노드(n2)에 의해 제2 구동 TFT(DT2)는 다이오드 커넥션(Diode-Connection)된다. 한편, 이 기간(P5) 동안 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제1 센싱신호(SEN1)는 로우논리레벨로 발생되어 제1 및 제2 스위치 TFT(ST1,ST2)를 턴 오프 시킨다.
P6 동안, 데이터 드라이버(12)는 내부 스위치를 동작시켜 제2 데이터라인(14b)을 플로팅(Floating) 시킨다. 이 기간(P6) 동안 제2 스캔신호(SCAN2) 및 제2 센싱신호(SEN2)는 하이논리레벨로 유지되어 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)를 계속해서 턴 온시킨다. 저전위 구동전압(Vss)은 고전위 구동전압(Vdd) 레벨로 유 지된다. 이에 따라, 제2 노드(n2)의 전위는 고전위 구동전압(Vdd)에 제2 구동 TFT(DT2)의 최대 문턱전압치가 합산된 레벨로부터 고전위 구동전압(Vdd)에 제2 구동 TFT(DT2)의 실제 문턱전압치가 합산된 레벨까지 감소한다. 여기서, 제2 구동 TFT(DT2)의 실제 문턱전압치는 최대 문턱전압치보다 작다. 제2 노드(n2)와 저전위 구동전압원(VSS) 사이의 전위차는 제2 구동 TFT(DT2)의 실제 문턱전압치가 되며, 이 제2 구동 TFT(DT2)의 실제 문턱전압치는 제2 스토리지 커패시터(SC2)에 저장된다. 이어서, 데이터 드라이버(12)는 내부 스위치를 동작시켜 제2 데이터라인(14b)을 샘플&홀드 블럭(121)에 접속시킨다. 따라서, 제2 스토리지 커패시터(SC2)에 저장된 제2 구동 TFT(DT2)의 실제 문턱전압은 제2 데이터라인(14b)을 경유하여 샘플&홀드 블럭(121)에 전달된다. 한편 이 기간(P6) 동안 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제1 센싱신호(SEN1)는 로우논리레벨로 유지되어 제1 및 제2 스위치 TFT(ST1,ST2)를 계속해서 턴 오프 시킨다.
P7 동안, 데이터 드라이버(12)는 내부 스위치를 동작시켜 제2 데이터전압(DATA2)을 부극성 데이터(NDI) 레벨로 제2 데이터라인(14b)에 공급함과 아울러 제1 데이터전압(DATA1)을 프로그래밍 레벨로 제1 데이터라인(14a)에 공급한다. 저전위 구동전압(Vss)은 고전위 구동전압(Vdd) 레벨로 유지된다. 이 기간(P7) 동안 제2 스캔신호(SCAN2)는 하이논리레벨로 유지되어 제3 스위치 TFT(ST3)를 계속해서 턴 온시키는 반면, 제2 센싱신호(SEN2)는 로우논리레벨로 반전되어 제4 스위치 TFT(ST4)를 턴 오프 시킨다. 이에 따라, 제2 노드(n2)에는 부극성 데이터(NDI) 레벨을 갖는 제2 데이터전압(DATA2)이 공급된다. 한편, 이 기간(P7) 동안 제1 스캔 신호(SCAN1)는 하이논리레벨로 반전되어 제1 스위치 TFT(ST1)를 턴 온 시키는 반면, 제1 센싱신호(SEN1)는 로우논리레벨로 유지되어 제2 스위치 TFT(ST2)를 계속해서 턴 오프 시킨다. 이에 따라, 제1 노드(n1)는 표시데이터(DATA)인 제1 데이터전압(DATA1)으로 프로그래밍된다.
P8 동안, 저전위 구동전압(Vss)은 기저 레벨로 그 전위가 낮아져 고전위 구동전압원(VDD)과 저전위 구동전압원(VSS) 사이의 전류패스를 형성한다. 이 기간(P8) 동안 제1 및 제2 스캔신호(SCAN1,SCAN2)는 로우논리레벨로 반전되어 각각 제1 및 제3 스위치 TFT(ST1,ST3)를 턴 오프시키는 반면, 제1 및 제2 센싱신호(SEN1,SEN2)는 로우논리레벨로 유지되어 제2 및 제4 스위치 TFT(ST2,ST4)를 계속해서 턴 오프 시킨다. 이에 따라, 제2 노드(n2)의 전위는 부극성 데이터(NDI) 레벨로부터 저전위 구동전압(Vss)의 변동량만큼 낮은 레벨로 변동되어 제2 구동 TFT(DT2)의 게이트 바이어스 스트레스를 줄인다. 그리고, 제1 노드(n1)의 전위는 표시데이터(DATA) 레벨로부터 저전위 구동전압(Vss)의 변동량만큼 낮은 레벨로 변동된다. 제1 노드(n1)와 저전위 구동전압원(VSS) 사이의 전위차는 제1 스토리지 커패시터(SC1)에 저장되며, 이 저장된 전위차에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류량이 결정된다. 유기발광다이오드(OLED)는 상기 결정된 전류량에 따라 발광되어 계조를 표현한다.
도 8 및 도 9는 각각 도 5의 샘플&홀드 블럭(121)을 보여주는 블럭도 및 회로도이다. 그리고, 도 10은 문턱전압들을 추출하기 위한 제어신호들의 파형과 그에 따른 A/D 컨버터의 출력 형태를 보여준다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 샘플&홀드 블럭(121)은 샘플링 스위치 어레이(1211), 홀딩 스위치 어레이(1212), 오버랩 방지부(1213), 쉬프트 레지스터 어레이(1214) 및 디스차징부(1215)를 구비한다.
샘플링 스위치 어레이(1211)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 샘플링 클럭(SC)에 응답하여 스위칭되는 다수의 샘플링 스위치들(SSW1 내지 SSWk)을 포함하여 동일 수평라인 상에 배치된 제1 구동 TFT들의 문턱전압(Vth1 ~ Vthk)을 동시에 샘플링하되, 매 프레임 당 한 수평라인씩 순차적으로 샘플링한다. 따라서, 표시패널에 형성된 제1 구동 TFT들의 문턱전압들이 모두 샘플링 되기 위해서는 n(여기서, n은 수직해상도) 개의 프레임기간들이 소요된다. 그리고, 샘플링 스위치 어레이(1211)는 그 다음 n 개의 프레임기간들 동안에는 동일 수평라인 상에 배치된 제2 구동 TFT들의 문턱전압(Vth1 ~ Vthk)을 동시에 샘플링하되, 매 프레임 당 한 수평라인씩 순차적으로 샘플링한다. 이를 위해, 다수의 샘플링 스위치들(SSW1 내지 SSWk) 각각은 n 개의 프레임기간들을 주기로 k 개의 제1 데이터라인들(14a)과 k개의 제2 데이터라인들(14b)에 교대로 접속된다.
홀딩 스위치 어레이(1212)는 제2 홀딩 클럭들(HC1' 내지 HCk') 각각에 응답하여 스위칭되는 다수의 홀딩 스위치들(HSW1 내지 HSWk)을 포함하여 샘플링된 문턱전압들(Vth1 ~ Vthk)을 공통 출력노드(cno)를 통해 순차적으로 출력한다.
쉬프트 레지스터 어레이(1214)는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(S1 내지 Sk)을 구비한다. 쉬프트 레지스터 어레이(1214)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 쉬프트 레지스터 클럭(SRC)에 응답하여 첫번째 스테이지(S1)로부터 k번째 스 테이지(Sk)로 홀딩 스타트 펄스(HSP)를 순차적으로 쉬프트시켜 제1 홀딩 클럭들(HC1 내지 HCk)을 발생한다. 여기서, 제1 홀딩 클럭들(HC1 ~ HCk)은 도 10에 도시된 바와 같이 그 논리레벨이 변하는 임계점에서 'a'와 같이 크리티컬(Critical)하게 변하는 게 아니라, 스위치와 라인에 존재하는 기생 커패시턴스 등의 영향으로 'b'와 같이 슬로프(Slope) 형태로 변하여 일 부분에서 서로 중첩된다.
오버랩 방지부(1213)는 다수의 스테이지들(S1 내지 Sk) 각각의 출력단에 접속되는 다수의 논리곱 소자들(A/G1 내지 A/Gk)을 포함한다. 오버랩 방지부(1213)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 논 오버랩 신호(NOS)와 스테이지들(S1 내지 Sk)로부터의 제1 홀딩 클럭들(HC1 내지 HCk)을 논리곱 연산하여 인접 홀딩 클럭들 간 중첩되지 않는 제2 홀딩 클럭들(HC1' ~ HCk')을 발생한다. 여기서, 논 오버랩 신호(NOS)는 인접하는 제1 홀딩 클럭들의 중첩되는 구간에서는 제1 홀딩 클럭들과 반대되는 로우논리레벨로 공급되는 반면, 비중첩 구간에서는 제1 홀딩 클럭들과 동일 한 하이논리레벨로 공급된다. 이에 따라, 홀딩 스위치들(HSW1 내지 HSWk)은 서로 중첩되는 구간없이 동작되므로, 문턱전압들(Vth1 ~ Vthk)은 도 10과 같이 인접 화소들 간에 서로 혼합됨이 없이 정확히 추출될 수 있다.
디스차징부(1215)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 논 오버랩 신호(NOS)의 위상을 반전시키기 위한 인버터(INV)와, 공통 출력노드(cno)와 기저 저압원(GND) 사이에 접속되어 인버터(INV)의 출력 신호에 의해 제어되는 방전 스위치(T)를 포함한다. 방전 스위치(T)는 논 오버랩 신호(NOS)가 로우논리레벨로 공급되는 중첩 구간에서 턴 온되어 공통 출력노드(cno)에 잔류하는 전하 성분들을 방전(Discharging) 함으로써, 연속적으로 출력되는 문턱전압들간에 간섭을 제거한다. 이에 따라, 추출되는 문턱전압들(Vth1 ~ Vthk)의 정확도는 더욱 높아진다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 샘플&홀드 블럭내에 오버랩 방지부와 디스차징부를 포함함으로써, 연속적으로 추출되는 문턱전압들 간의 간섭을 제거하여 구동 TFT의 문턱전압을 정확하게 추출할 수 있다.
나아가, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 구동TFT의 문턱전압을 정확하게 추출하고, 이 추출된 문턱전압을 표시데이터에 반영함으로써 표시품위를 크게 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치의 발광원리를 설명하기 위한 다이어그램.
도 2는 종래 2T1C 구조의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타내는 회로도.
도 3은 종래 구동 TFT의 문턱전압을 추출하는 방식을 나타내는 블럭도.
도 4는 종래 구동 TFT의 문턱전압을 추출하는 방식에 사용되는 제어신호들의 파형과 그에 따른 A/D 컨버터의 출력 형태를 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도.
도 6은 도 5에 도시된 화소의 등가회로도.
도 7은 화소에 인가되는 제어신호들과 데이터전압들, 및 구동전압들의 타이밍도.
도 8은 도 5의 샘플&홀드 블럭을 상세히 보여주는 블럭도.
도 9는 도 5의 샘플&홀드 블럭을 상세히 보여주는 회로도.
도 10은 본 발명에 따라 문턱전압들을 추출하기 위한 제어신호들의 파형과 그에 따른 A/D 컨버터의 출력 형태를 보여주는 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 드라이버 13 : 게이트 드라이버
14 : A/D 컨버터 16 : 메모리
121 : 샘플&홀드 블럭 1211 : 샘플링 스위치 어레이
1212 : 홀딩 스위치 어레이 1213 : 오버랩 방지부
1214 : 쉬프트 레지스터 어레이 1215 : 디스차징부

Claims (10)

  1. 다수의 데이터라인쌍들과 다수의 게이트라인군들이 교차되고 그 교차 영역마다 구동 TFT와 유기발광다이오드를 갖는 화소들이 배치된 표시패널;
    논 오버랩 신호를 발생하는 타이밍 콘트롤러; 및
    상기 논 오버랩 신호를 이용하여 순차적으로 발생하는 제1 홀딩 클럭들의 중첩 구간을 제거하여 제2 홀딩 클럭들을 발생하고, 상기 제2 홀딩 클럭들에 응답하여 상기 화소들의 구동 TFT 문턱전압들을 공통 출력노드에 순차적으로 인가하는 샘플&홀드 블럭을 구비하는 유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 샘플&홀드 블럭은,
    샘플링 클럭에 응답하여 스위칭되는 다수의 샘플링 스위치들을 포함하여 상기 구동 TFT 문턱전압들을 샘플링하기 위한 샘플링 스위치 어레이;
    종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 포함하여 상기 제1 홀딩 클럭들을 발생하는 쉬프트 레지스터 어레이;
    논 오버랩 신호와 상기 제1 홀딩 클럭들을 논리 곱 연산하여 상기 제2 홀딩 클럭들을 생성하는 오버랩 방지부;
    상기 제2 홀딩 클럭들에 응답하여 스위칭되는 다수의 홀딩 스위치들을 포함하여 샘플링된 상기 구동 TFT 문턱전압들을 상기 공통 출력노드를 통해 순차적으로 출력하는 홀딩 스위치 어레이; 및
    상기 논 오버랩 신호에 응답하여 상기 제1 홀딩 클럭들의 중첩 기간마다 상기 공통 출력노드의 전위를 기저 레벨로 방전하는 디스차징부를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 오버랩 방지부는 상기 쉬프트 레지스터 어레이와 상기 홀딩 스위치 어레이 사이에 접속된 다수의 논리곱 소자들을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 디스차징부는,
    상기 논 오버랩 신호의 위상을 반전시키기 위한 인버터; 및
    상기 공통 출력노드와 기저 저압원 사이에 접속되어 상기 인버터의 출력에 의해 제어되는 방전 스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 논 오버랩 신호는 상기 제1 홀딩 클럭들의 중첩 구간에서는 상기 제1 홀딩 클럭들과 반대되는 제1 논리레벨로 발생되는 반면, 상기 제1 홀딩 클럭들의 비중첩 구간에서는 상기 제1 홀딩 클럭들과 반대되는 제2 논리레벨로 발생되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 방전 스위치는 상기 제1 논리레벨을 갖는 논 오버랩 신호에 응답하여 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 화소들 각각은 상기 유기발광다이오드의 캐소드전극과 저전위 구동전압원 사이에 서로 병렬 접속된 제1 구동 TFT 및 제2 구동 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 샘플링 스위치 어레이는,
    n(여기서, n은 수직 해상도)개의 프레임기간들의 합으로 이루어진 제1 기간 동안에는 동일 수평라인 상에 배치된 제1 구동 TFT들의 문턱전압들을 동시에 샘플링하되 매 프레임 당 한 수평라인씩 순차적으로 샘플링하며;
    그 다음 n 개의 프레임기간들의 합으로 이루어진 제2 기간 동안에는 동일 수평라인 상에 배치된 제2 구동 TFT들의 문턱전압들을 동시에 샘플링하되 매 프레임 당 한 수평라인씩 순차적으로 샘플링하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 데이터라인쌍들은 상기 제1 구동 TFT들을 구동시키기 위한 제1 데이터라인들과 상기 제2 구동 TFT들을 구동시키기 위한 제2 데이터라인들을 포함하고;
    상기 샘플링 스위치들 각각은 상기 n 개의 프레임기간들을 주기로 상기 제1 데이터라인들과 상기 제2 데이터라인들에 교대로 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 출력노드를 통해 입력되는 아날로그 상기 구동 TFT 문턱전압들을 디지털 문턱전압값들로 변환하는 A/D 컨버터; 및
    상기 디지털 문턱전압값들과 함께 그들의 위치 정보들을 저장하는 메모리를 더 구비하고,
    상기 타이밍 콘트롤러는 상기 메모리에 저장된 정보들을 기반으로, 외부로부터 입력되는 표시데이터의 위치 정보에 해당되는 문턱전압값을 이용하여 상기 표시데이터를 조절하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
KR1020080098317A 2008-10-07 2008-10-07 유기발광다이오드 표시장치 KR101329458B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080098317A KR101329458B1 (ko) 2008-10-07 2008-10-07 유기발광다이오드 표시장치
CN2009101465664A CN101714329B (zh) 2008-10-07 2009-06-08 有机发光二极管显示器
US12/574,997 US8446345B2 (en) 2008-10-07 2009-10-07 Organic light emitting diode display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080098317A KR101329458B1 (ko) 2008-10-07 2008-10-07 유기발광다이오드 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100039096A KR20100039096A (ko) 2010-04-15
KR101329458B1 true KR101329458B1 (ko) 2013-11-15

Family

ID=42075398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080098317A KR101329458B1 (ko) 2008-10-07 2008-10-07 유기발광다이오드 표시장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8446345B2 (ko)
KR (1) KR101329458B1 (ko)
CN (1) CN101714329B (ko)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
EP1836697B1 (en) 2004-12-15 2013-07-10 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US7852298B2 (en) 2005-06-08 2010-12-14 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving a light emitting device display
JP5397219B2 (ja) 2006-04-19 2014-01-22 イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド アクティブマトリックス表示装置用の安定な駆動スキーム
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
KR101760102B1 (ko) 2010-07-19 2017-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치를 위한 주사 구동 장치 및 그 구동 방법
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
CN103562989B (zh) 2011-05-27 2016-12-14 伊格尼斯创新公司 用于amoled显示器的老化补偿的系统和方法
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
KR101969436B1 (ko) * 2012-12-20 2019-04-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 구동 방법
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
KR20140120085A (ko) 2013-04-02 2014-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 구동부, 이를 이용한 표시 패널 구동 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107452314B (zh) 2013-08-12 2021-08-24 伊格尼斯创新公司 用于要被显示器显示的图像的补偿图像数据的方法和装置
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
KR102083458B1 (ko) * 2013-12-26 2020-03-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102081132B1 (ko) * 2013-12-30 2020-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
KR102238640B1 (ko) * 2014-11-10 2021-04-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
US9607549B2 (en) * 2014-12-24 2017-03-28 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and organic light emitting diode display device
KR20160078783A (ko) * 2014-12-24 2016-07-05 삼성디스플레이 주식회사 가변 게이트 오프 전압을 제공하는 게이트 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102388912B1 (ko) * 2014-12-29 2022-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치와 그 구동방법
KR102459703B1 (ko) 2014-12-29 2022-10-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치와 그 구동방법
KR102252048B1 (ko) * 2015-01-16 2021-05-14 엘지디스플레이 주식회사 소스 드라이버 집적회로, 센서 및 표시장치
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
KR102470026B1 (ko) * 2015-09-09 2022-11-25 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 화소를 포함하는 유기발광 표시장치
CN106297726B (zh) * 2016-09-08 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 采样保持电路、放电控制方法和显示装置
KR102381884B1 (ko) * 2017-10-18 2022-03-31 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102381885B1 (ko) * 2017-11-22 2022-03-31 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102444314B1 (ko) * 2017-11-30 2022-09-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 휘도 제어 방법
KR102570760B1 (ko) * 2018-12-12 2023-08-25 삼성전자주식회사 고전압 센싱 회로, 이를 포함하는 디스플레이 구동 집적 회로 및 디스플레이 장치
CN110085646B (zh) * 2019-05-07 2021-06-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN114708833B (zh) * 2022-03-31 2023-07-07 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
CN115294934B (zh) * 2022-10-09 2023-01-06 惠科股份有限公司 显示面板、显示模组与显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858616B1 (ko) 2007-04-10 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6072355A (en) * 1998-01-22 2000-06-06 Burr-Brown Corporation Bootstrapped CMOS sample and hold circuitry and method
GB0301623D0 (en) * 2003-01-24 2003-02-26 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
JP4016201B2 (ja) * 2003-04-08 2007-12-05 ソニー株式会社 表示装置
JP2004309822A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Sony Corp 表示装置
KR101197768B1 (ko) * 2006-05-18 2012-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
KR101186254B1 (ko) * 2006-05-26 2012-09-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광다이오드 표시장치와 그의 구동방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858616B1 (ko) 2007-04-10 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20100085282A1 (en) 2010-04-08
US8446345B2 (en) 2013-05-21
CN101714329A (zh) 2010-05-26
CN101714329B (zh) 2012-07-18
KR20100039096A (ko) 2010-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101329458B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
US10373563B2 (en) Organic light emitting diode (OLED) display
KR101969436B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치의 구동 방법
KR102091485B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법
US20150187273A1 (en) Organic light emitting display device and driving method thereof
EP2747066A1 (en) Organic light emitting display device and method of driving the same
KR20140066830A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102090610B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR20100069427A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR20150071546A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102004285B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치의 구동 방법
KR20110030210A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
KR102058707B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102118926B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102364098B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR102324660B1 (ko) 유기발광 표시장치에 구비된 구동 tft의 문턱전압 센싱방법
KR101475085B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR20150079090A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR101491152B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR101962810B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20210085077A (ko) 게이트 구동회로 및 이를 이용한 전계 발광 표시 장치
KR102328983B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20110006861A (ko) 발광 표시장치와 그 구동 방법
KR20180036449A (ko) 유기발광 표시장치
KR101666589B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시장치와 그의 구동방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161012

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171016

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181015

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191015

Year of fee payment: 7