JP2007305971A - X線を用いるオーバレイ計測 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検査のための方法が、サンプル22の表面上に重畳された第1および第2の薄膜層内に夫々形成された第1および第2特定構造24を含むサンプルの領域に衝当する様にX線のビームを導向する段階を含む。上記第1および第2特定構造の整列を評価するために、該第1および第2特定構造から回折されたX線のパターンが検出かつ分析される。
【選択図】図1
Description
当該サンプルの表面上に重畳された第1および第2の薄膜層内に夫々形成された第1および第2特定構造を含むサンプルの領域に衝当する様にX線のビームを導向する段階と、
上記第1および第2特定構造から回折されたX線のパターンを検出する段階と、
上記第1および第2特定構造の整列を評価するために上記パターンを分析する段階と、
を含む、検査のための方法が提供される。
当該サンプルの表面上に重畳された第1および第2の薄膜層内に夫々形成された第1および第2特定構造を含むサンプルの領域に衝当する様にX線のビームを導向すべく構成されたX線源と、
上記第1および第2特定構造から回折されたX線のパターンを検出すべく構成された検出器と、
上記第1および第2特定構造の整列を評価するために上記パターンを分析すべく接続された信号プロセッサと、
を含む、検査のための装置も提供される。
22 半導体ウェハ
24 オーバレイ試験パターン
26 X線源
28 X線管
30 多層湾曲ミラー
32 スリット
34 位置感応検出器
36 検出器要素
38 信号プロセッサ
40 ストライプ
42 トレンチ
44 ストライプ
46 下側位置層
50 X線回折パターン
52 X線回折パターン
54 X線回折パターン
56 X線回折パターン
60 試験パターン
70 試験パターン
62 第1層
64 凹所
66 高位矩形
72 バー
74 バー
Claims (16)
- サンプルの表面上に重畳された第1および第2の薄膜層内に夫々形成された第1および第2特定構造を含むサンプルの領域に衝当する様にX線のビームを導向する段階と、
上記第1および第2特定構造から回折されたX線のパターンを検出する段階と、
上記第1および第2特定構造の整列を評価するために上記パターンを分析する段階と、
を備えて成る、検査のための方法。 - 前記X線のパターンを検出する前記段階は、前記サンプルを貫通する前記ビームの透過に追随して回折されたX線を検出する段階を備えて成る、請求項1記載の方法。
- 前記サンプルは対置された第1および第2側面を有し、前記ビームを導向する前記段階は、上記第1側面から上記第2側面へと上記サンプルを貫通通過する様に上記ビームを導向する段階を備え、且つ、前記第1および第2の薄膜層は上記サンプルの上記第2側面上に形成される、請求項2記載の方法。
- 前記X線のビームを導向する前記段階は該ビームを平行化して単色光化する段階を備えて成る、請求項1記載の方法。
- 前記パターンを検出する前記段階は、回折されたX線を前記ビームに対する角度の関数として検出するX線検出器の配列を用いる段階を備えて成る、請求項1記載の方法。
- 前記パターンは夫々の振幅を有する回折ローブを備え、且つ、上記パターンを分析する前記段階は、検出されたパターンにおける回折ローブの夫々の振幅の変動に応じて前記第1および第2特定構造が誤整列されていることを決定する段階を備えて成る、請求項1記載の方法。
- 前記パターンを検出する前記段階は、2次元回折パターンを検出する段階を備え、且つ、上記パターンを分析する前記段階は、2つの軸心に関する整列を評価する段階を備えて成る、請求項1記載の方法。
- 前記サンプルは半導体ウェハから成り、且つ、前記第1および第2特定構造は、上記ウェハの表面上にフォトリソグラフ的プロセスにより形成された整列目標部から成る、請求項1記載の方法。
- サンプルの表面上に重畳された第1および第2の薄膜層内に夫々形成された第1および第2特定構造を含むサンプルの領域に衝当する様にX線のビームを導向すべく構成されたX線源と、
上記第1および第2特定構造から回折されたX線のパターンを検出すべく構成された検出器と、
上記第1および第2特定構造の整列を評価するために上記パターンを分析すべく接続された信号プロセッサと、
を備えて成る、検査のための装置。 - 前記X線源および検出器は、前記サンプルを貫通する前記ビームの透過に追随して回折されたX線を該検出器が検出する様に配置される、請求項9記載の装置。
- 前記サンプルは対置された第1および第2側面を有し、前記X線源は、上記第1側面から上記第2側面へと上記サンプルを貫通通過する様に上記ビームを導向すべく構成され、且つ、前記第1および第2の薄膜層は上記サンプルの上記第2側面上に形成される、請求項10記載の装置。
- 前記X線源は、前記ビームを平行化して単色光化するX線管およびX線光学機器を備えて成る、請求項9記載の装置。
- 前記検出器は、前記ビームに対する角度の関数として回折されたX線を検出すべく配置されたX線検出器の配列から成る、請求項9記載の装置。
- 前記パターンは夫々の振幅を有する回折ローブを備え、且つ、前記信号プロセッサは、検出されたパターンにおける回折ローブの夫々の振幅の変動に応じて前記第1および第2特定構造が誤整列されていることを決定し得る、請求項9記載の装置。
- 前記パターンは2次元回折パターンから成り、且つ、前記信号プロセッサは、2つの軸心に関する整列を評価すべく上記パターンを分析し得る、請求項9記載の装置。
- 前記サンプルは半導体ウェハから成り、且つ、前記第1および第2特定構造は、上記ウェハの表面上にフォトリソグラフ的プロセスにより形成された整列目標部から成る、請求項1記載の装置。
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