JPH10318949A

JPH10318949A - 検査装置および半導体検査方法

Info

Publication number: JPH10318949A
Application number: JP9131086A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Miura; 博三浦
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-05-21
Filing date: 1997-05-21
Publication date: 1998-12-04

Abstract

(57)【要約】【課題】配線抵抗の変化によらずに不良箇所を検出す
ることができる検査装置を提供する。【解決手段】走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）１の電子銃
２から電子線を照射するとともに、半導体装置３を載せ
置いた試料ステージ４を移動させることにより半導体装
置３上に前記電子線の照射スポットを走査する。半導体
装置３に電子線が照射されると、ヴィアホールに充填さ
れているＡｌの量に応じた特定Ｘ線が生じるので、その
強度を検出器５にて検出する。検出器５にて検出された
或るビアホールのＡｌの特定Ｘ線強度が、正常にＡｌが
充填されているヴィアホールにおけるＡｌの特定Ｘ線強
度よりも少なければ、そのヴィアホールにはボイド等が
生じている。Ａｌの特定Ｘ線強度による不良判断は不良
判断部７で行う。不良情報は画像処理部８により処理さ
れ、画像表示部９に表示される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等を検
査する検査装置及び半導体検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化を図るべ
く、層間絶縁膜を介して積層的に素子を形成するように
しており、前記層間絶縁膜の上側に形成された上層配線
と下側に形成された下層配線との接続は、前記層間絶縁
膜に形成した接続孔に配線材料を充填することで行って
いる。かかる接続孔を用いる上下配線の接続は、ヴィア
ホールと呼ばれており、近年、このヴィアホールには、
配線と同一材料であるＡｌを充填する、いわゆるＡｌプ
ラグが採用されている。このＡｌプラグの採用により、
その良導電性によるヴィアホールの低抵抗化と上層配線
とプラグとの同時形成によるプロセスコストの低減が実
現される。Ａｌプラグの形成には、配線材料となるＡｌ
薄膜を接続孔が形成された基板上にスパッタ成膜する際
に基板温度を４００℃〜５５０℃の高温に維持しておく
高温スパッタ法を用い、Ａｌ材料の流動性を利用して接
続孔内へのＡｌ材料の充填を実現している。Ａｌ材料の
接続孔内への流動は、予め接続孔内壁に被覆されてるＴ
ｉ（チタン）或いはＴｉＮ（窒化チタン）薄膜との反応
により進行する。Ｔｉ或いはＴｉＮ薄膜はウェッティン
グ層と呼ばれ、良好な埋め込みを実現する上で重要とな
る。例えば、接続孔内部からのガス放出などの影響でウ
ェッティング層が変質すると、Ａｌの流動性が低下し、
Ａｌ材料が接続孔の底部に到達しない埋め込み不良が発
生する。

【０００３】図５は、上下配線をヴィアホールで接続し
たヴィアチェインおよびこのヴィアチェイン内に生じて
いる埋め込み不良のヴィアホールを示した断面図であ
る。この図において、１０１は上層Ａｌ配線、１０２は
ウェッティング層、１０３は上下配線を分離する層間絶
縁膜、１０４は下層Ａｌ配線である。正常なヴィアホー
ル１０６は、接続孔がＡｌで充填されているのに対し、
埋め込み不良のヴィアホール１０５では、接続孔の底部
にボイド（空孔）１０７が存在する。この種の不良は、
Ａｌ材料の流動性を利用する方法では回避が困難である
上に、接続孔の微細化が進めば更に発生頻度が高まると
いう問題がある。

【０００４】半導体プロセス条件の厳密な管理や埋め込
み手法の改良により、ボイドの発生を抑制することが試
みられているが、そのためには、ボイド発生箇所（ヴィ
アホールの不良箇所）を迅速かつ簡易に検出する技術が
重要となる。ヴィアホールの不良を検出する方法の一つ
として、ヴィアホール部分をへき開し、ＳＥＭ（走査型
電子顕微鏡）で観察する手法が採られている。しかし、
この手法では、観察できるヴィアホール数に限界があ
り、多数存在するヴィアホールの状態を数個乃至数百個
のヴィアホールでの観察結果から推測することになり、
信頼性のある埋め込みプロセスを構築することは困難で
ある。

【０００５】特開平５−２０３８７７号公報や特開平５
−２０３８７８号公報には、光起電流顕微鏡や走査型レ
ーザー顕微鏡を利用して半導体装置を検査する方法が開
示されている。この方法は、図６に示しているように、
電源１１０にて試料にバイアスを印加するとともにレー
ザービームを試料表面に照射し、発生する光起電流を電
流計１１１でモニターする方法であり、ボイド１０７が
存在するホールではレーザー照射時の配線抵抗の変化が
正常ホールと異なることに着目している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ごとく配線抵抗の変化に着目する方法では、半導体基板
上に電流のパスが必要となる。従って、Ａｌ薄膜を基板
上に形成したままの状態では行うことができず、Ａｌ薄
膜を配線形状にパターニングした後でなければ行うこと
ができない。かかる事情により不良検査は半導体装置の
完成後に行われることになり、検査結果のフィードバッ
クを迅速に行うことが困難になる。更に、バイアス印加
や電流測定用の引き出し電極を形成しておく必要が生じ
る。また、欠陥部分が完全に断線している場合には、バ
イアスが印加できないので不良箇所を特定することがで
きない等の理由により、当該検査方法には限界がある。

【０００７】なお、配線抵抗の変化によらずに不良箇所
を検出する方法としては、レーザービームによるサーマ
ルウェーブイメージ像を観察する方法（特開平７−１３
０８１８号公報参照）、或いは、半導体製造プロセスに
おいて検査パターンを形成し、この検査パターンをＳＥ
Ｍで観察する方法（特開平７−２９７２７７号公報参
照）、或いは、照明光の向きを工夫して不良箇所をＳＥ
Ｍで観察する方法（特開平５−１１３４０８号公報参
照）が知られている。

【０００８】この発明は、上記の事情に鑑み、配線抵抗
の変化によらずに不良箇所を検出することができる検査
装置および半導体検査方法を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明の検査装置は、
上記の課題を解決するために、電子線を照射する手段
と、前記電子線を試料の任意の位置に照射させる走査手
段と、電子線が照射された位置に存在している特定の物
質の量に依存する特性Ｘ線強度を検出する検出手段と、
検出された特性Ｘ線強度をモニターするモニター手段と
を備えたことを特徴とする。

【００１０】前記特性Ｘ線強度は、特定の物質の量（体
積）に依存するので、この特性Ｘ線強度をモニターする
ことで、電子線が照射された位置での前記物質の量を判
断することができる。例えば、前記試料としてヴィアホ
ールを有する半導体装置を想定する。そして、前記物質
がヴィアホールに埋め込まれる配線材料であるとする
と、ヴィアホールにボイドが形成されているときやヴィ
アホール底部に絶縁材料が残留しているようなときに
は、そのようなヴィアホールに存在する配線材料は本来
の量よりも少なくなるのであり、このようなヴィアホー
ル中の配線材料の少なさを知ることで、前記ボイドや絶
縁材料残留によるコンタクト不良を検査することが可能
となる。

【００１１】モニター手段としては、単に、特性Ｘ線強
度の値を数値で表示するものの他、画面の横軸を試料の
水平方向の位置に対応させ、画面の縦軸に特性Ｘ線強度
を表したり、或いは、色や濃度によって特性Ｘ線強度を
表すこと等が考えられる。

【００１２】前記電子線を照射する手段が、電子線を用
いる顕微鏡（走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や電子線マイ
クロプローブ分析装置（ＥＰＭＡ）等）から成っていて
もよい。走査型電子顕微鏡や電子線マイクロプローブ分
析装置は、目視等による不良検査で従来から用いられて
いるので、この発明の半導体検査装置のために新たに電
子線照射手段を用意する必要がなく、低コストを実現し
得るという利点がある。また、走査型電子顕微鏡等から
の画像に対応させて前記特性Ｘ線強度を表示することも
可能であり、これによれば、試料の実際の面状況と不良
箇所との関係を的確に知ることが可能となる。

【００１３】前記検出された特性Ｘ線強度の値に基づい
て不良を判断する判断手段を備えるとともに、前記モニ
ター手段は、前記判断手段にて不良が判断されたとき
に、不良位置を示す表示を行うように構成されていても
よい。前記判断手段を備えることにより、観察者は特性
Ｘ線強度の値から不良を一々判断するという煩わしさか
ら解放されることになる。不良位置の表し方としては、
画像処理によって当該位置に特定の色付けを行ったり、
“不良”といった文字を表記することなどが考えられ
る。

【００１４】前記特定の物質が特定の形態で存在してい
ない部位での特性Ｘ線強度の値をＡ、前記特定の物質が
特定の形態で予定している量で存在している部位での特
性Ｘ線強度の値をＢ、前記検出された特性Ｘ線強度の値
をＣとするとき、前記判断手段は、Ｂ＞Ｃ＞Ａとなる場
合に不良と判断するように構成されていてもよい。例え
ば、Ａｌ材料がヴィアホールの形態で存在していないＡ
ｌ配線領域でのＡｌの特性Ｘ線強度の値をＡとし、Ａｌ
材料がヴィアホールの形態で適正に充填されている部位
でのＡｌの特性Ｘ線強度の値をＢとすると、ヴィアホー
ルが存在していてこれにＡｌが十分に充填されていない
部位での検出された特性Ｘ線強度の値Ｃは、Ｂ＞Ｃ＞Ａ
となるので、上記構成により不良部位の特定が可能とな
る。

【００１５】前記検出手段は、第１の特定の物質と第２
の特定の物質の各々の特性Ｘ線強度を検出するように構
成されていてもよい。そして、前記判断手段は、第１の
特定の物質の特性Ｘ線強度と第２の特定の物質の特性Ｘ
線強度との対応から不良の有無および不良の種類を判断
するように構成されていてもよい。例えば、第１の特定
の物質を配線材料とし、第２の特定の物質を酸化膜とす
ると、ボイドによる不良部分と酸化膜残留部分とで各々
の配線材料の量が同じであるためにその特性Ｘ線強度が
同じであるとしても、酸化膜についての特性Ｘ線強度は
同じでないことから、不良がボイドによるのか、酸化膜
残留によるのかの判断が可能となる。

【００１６】また、この発明の半導体検査方法は、上述
した検査装置を用いて半導体装置に形成されている導体
材料埋込部の不良を検出することを特徴とする。また、
導体材料埋込部の不良を、配線材料薄膜が形成されてい
る状態で行うようにしてもよい。即ち、従来の抵抗検査
方法では、配線材料薄膜をエッチングして配線パターン
としなければ当該方法を実施できないのに対し、この発
明の検査方法であれば、この発明の検査装置を用いるの
で、配線材料薄膜をエッチングする（配線パターン）前
に行うことができる。そして、このように半導体装置の
製造工程中に不良を検出できるので、この不良について
の情報や不良の解析結果のフィードバックを直ちに行う
ことが可能であり、更には、工程をやり直すといったこ
とも可能となる。なお、この方法は、導体材料埋込部の
導体材料と配線材料とが異なる場合および導体材料と配
線材料とが同一の場合のいずれにも適用できる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
に基づいて説明する。

【００１８】図１は、この実施の形態の検査装置の概略
構成を示した図である。この実施の形態では、半導体装
置の外観検査で使用される走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
１を利用したものを示しており、電子線を照射する電子
銃２、及び試料である半導体装置３を載せ置く試料ステ
ージ４は、当該走査型電子顕微鏡１が保有しているもの
を用いる。電子線を半導体装置３の任意の位置に照射さ
せるには、試料ステージ４を移動させるか、或いは電子
線の照射位置を変化させるかによって行うことができ、
かかる走査機能も走査型電子顕微鏡１が備えているもの
を利用する。なお、この実施の形態では試料ステージ４
の移動で電子線走査を実現している。電子銃２が照射す
る電子線の加速電圧は、Ａｌ（アルミニウム）の特性Ｘ
線強度をモニターしながら、最大強度が得られるよう
に、例えば１０ｋＶ乃至５０ｋＶの範囲で調整してい
る。また、電子線の照射径は、半導体装置の配線幅程度
の１．０μｍに設定している。

【００１９】検出器５は、前記電子線により励起され発
生したＡｌの特性Ｘ線強度を検出する。この特性Ｘ線強
度はＡｌの量に応じて変化する。検出器５としては、エ
ネルギー分散型および波長分散型のいずれを用いてもよ
い。

【００２０】Ａ／Ｄ変換器６は、前記検出器５にて検出
された特性Ｘ線強度のアナログ値を多値のディジタル信
号に変換する。

【００２１】不良判断部７は、前記ディジタル信号（検
出された特性Ｘ線強度の値）と基準値とを比較し、この
比較結果から不良を判断する。この不良判断の具体例を
図２（ａ）（ｂ）を用いて説明する。同図（ａ）は、試
料である半導体装置３を模式的に示した断面図であり、
１１は上層Ａｌ配線パターンとされる前のＡｌ薄膜、１
２はウェッティング層、１３は上下配線を分離する層間
絶縁膜、１４は下層Ａｌ配線である。Ａｌ膜厚は５００
ｎｍ、下層Ａｌ配線１４の配線幅は１．０μｍ、ヴィア
ホール径は０．４μｍ、ヴィアホールのアスペクト比は
２である。正常なヴィアホール１６はその接続孔がＡｌ
で充填されているのに対し、埋め込み不良のビアホール
１５では接続孔の底部にボイド（空孔）１７が存在す
る。同図（ｂ）は、ボイド１７の大きさとＡｌの特性Ｘ
線強度との関係を示したグラフである。ボイド１７の大
きさが“０”、即ちＡｌ材料がヴィアホールの形態で適
正に充填されている配線領域（３０１）でのＡｌの特性
Ｘ線強度の値は最も高く（この値をＢとする）、Ａｌ材
料がヴィアホールの形態で存在していない配線領域（３
０３）でのＡｌの特性Ｘ線強度の値は低くなる（この値
をＡとする）。そして、ヴィアホールが存在していてこ
れにＡｌが十分に充填されていない配線領域（３０２）
でのＡｌの特性Ｘ線強度の値Ｄは、Ｂ＞Ｄ＞Ａとなる。
従って、不良判断部７は、検出されたＡｌの特性Ｘ線強
度の値をＣとすると、Ｃ＝Ｂであれば正常ホール、Ｂ＞
Ｃ＞Ａとなる場合には不良ホールであると判断する。

【００２２】画像処理部８は、Ａ／Ｄ変換器６からは各
走査位置でのＡｌの特性Ｘ線強度のディジタル値を、前
記不良判断部７からは不良情報を、ＳＥＭ１の試料ステ
ージ４からは半導体装置３に対する電子線照射位置情報
（即ち、試料ステージ４の駆動信号）を、それぞれ入力
し、所定の画像処理を行う。画像表示部９は、前記画像
処理された画像データを入力し、画像を表示する。この
画像処理および表示例については、後述する。なお、画
像処理部８はＳＥＭ１の図示しない画像データ生成部か
らＳＥＭ画像データを入力し、ＳＥＭ画像に対応させて
不良ホールを特定して示すような画像処理を行ってもよ
い。

【００２３】次に、図３を用いて上記検査装置の処理内
容を説明する。同図（ａ）は、半導体装置上を電子線の
照射スポットがＸ１位置からＸ２位置へと走査されてい
く様子を示している。電子線は、Ａｌ薄膜が存在する部
分→Ａｌ薄膜と下層Ａｌ配線とが存在する部分→ヴィア
ホールが存在する部分→Ａｌ薄膜と下層Ａｌ配線とが存
在する部分→ヴィアホールが存在する部分→Ａｌ薄膜と
下層Ａｌ配線とが存在する部分→Ａｌ薄膜が存在する部
分のごとく走査される。この走査により検出器５にて検
出されるＡｌの特性Ｘ線強度はＡｌの存在量に応じて変
化し、Ａ／Ｄ変換器６によるディジタル変換後の信号
は、同図（ｂ）に示すようになる。なお、この図３
（ｂ）において、符号ＡはＡｌ材料がヴィアホールの形
態で存在していない配線領域でのＡｌの特性Ｘ線強度の
値を、符号ＢはＡｌ材料がヴィアホールの形態で適正に
充填されている配線領域でのＡｌの特性Ｘ線強度の値
を、符号Ｃは検出されたＡｌの特性Ｘ線強度の値を、符
号Ｄはヴィアホールが存在していてこれにＡｌが十分に
充填されていない配線領域でのＡｌの特性Ｘ線強度の値
を、それぞれ示している。

【００２４】図３（ｃ）は、同図（ａ）に対応させた図
であり、一走査の一部に対応した画像表示例を示してい
る。この表示例では、電子線照射位置情報にもとづく各
走査位置を画面横方向に表し、各走査位置でのＡｌの特
性Ｘ線強度であるディジタル値を濃淡で表している。図
の白色の領域は非配線領域であり、図の点線で囲まれた
斜線領域は配線領域（図３（ｂ）のＡ−１に対応してい
る）であり、この配線領域中の黒丸部分はヴィアホール
を表している。そして、ボイドを有するヴィアホールに
ついては、幾分薄い黒色で表している。なお、観察者は
ヴィアホールを表す色が薄い黒色かどうかを見てヴィア
ホールの不良を判断することが可能だが、この図３
（ｃ）に示しているように、不良のヴィアホールに対し
て矢印および“ボイド発生”といった文字表記を行うこ
とにより、観察者は直ちに不良の発生およびその箇所を
知ることができる。このような表示は、前記不良判断部
７からの不良判断情報を得ていることにより可能とな
る。

【００２５】また、この発明の半導体検査方法であれ
ば、ヴィアホールの不良を、Ａｌ薄膜１１が形成されて
いる状態で行っているので、従来の抵抗検査方法におけ
る不具合は生じない。即ち、従来の抵抗検査方法では、
Ａｌ薄膜１１をエッチングして上側配線パターンとしな
ければならないのに対し、この発明の検査方法であれ
ば、上述した特性Ｘ線強度を利用するので、Ａｌ薄膜１
１をエッチングする（配線パターン）前に行うことがで
きる。そして、このように半導体装置の製造工程中に不
良を検出できるので、この不良についての情報や不良の
解析結果のフィードバックを直ちに行うことが可能であ
り、更には、工程をやり直すといったことも可能とな
る。

【００２６】ところで、近年の半導体製造装置の改良に
より、半導体装置における配線膜厚、上下配線を分離す
る層間絶縁層の膜厚、及びヴィアホールの形状は極めて
高い均一性で形成することが可能である。従って、電子
線の照射面積や加速電圧で決定される侵入深さを一定に
制御することにより、高精度でヴィアホールの体積変化
を検知できるから、微小なボイドの検出も可能である。

【００２７】（実施の形態２）次に、この発明の第２の
実施の形態を図４に基づいて説明する。図４（ａ）は略
中央の分割線を境に左側にボイド１７を有する不良ヴィ
アホール１５の断面図を示し、右側に残留酸化シリコン
膜を有する不良ヴィアホール１８の断面図を示してい
る。そして、同図（ｂ）は、同図（ａ）に対応させて、
Ａｌの特性Ｘ線強度のグラフ（Ｉ−Ａ）およびＳｉの特
性Ｘ線強度のグラフ（Ｉ−Ｓ）を示している。この実施
の形態の半導体検査装置の構成は、実施の形態１の構成
（図１参照）と同様であるが、実施の形態１の検出器５
がＡｌの特性Ｘ線強度のみを検出するのに対し、この実
施の形態２の検出器は、Ａｌの特性Ｘ線強度およびＳｉ
の特性Ｘ線強度の両方を検出するようになっている。そ
して、この実施の形態２における不良判断部は、Ａｌの
特性Ｘ線強度とＳｉの特性Ｘ線強度との比率から不良の
有無だけでなく不良の種類を判断するようになってい
る。なお、Ａｌの特定Ｘ線のピーク位置とＳｉの特定Ｘ
線のピーク位置とが近接しているので、前記検出器とし
ては波長分散型のものを用いるのが望ましい。

【００２８】すなわち、図４（ｂ）に示しているよう
に、Ａｌの特性Ｘ線強度のみに着目すると、ボイドによ
る不良ヴィアホールのＡｌの特性Ｘ線強度と、残留酸化
膜による不良ヴィアホールのＡｌの特性Ｘ線強度とで違
いがない場合があるため、両不良を区別することはでき
ないが、Ｓｉの特性Ｘ線強度にも着目すると、ボイドに
よる不良ヴィアホールのＡｌの特性Ｘ線強度と、残留酸
化膜による不良ヴィアホールのＡｌの特性Ｘ線強度とで
違いがあるため、不良を区別することができる。勿論、
画像処理部においてこの不良の種類を表記すれば、観察
者は一々両特性Ｘ線強度を比較せずに不良の種類を知る
ことができる。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、配線の抵抗測定により不良を検査する方法によらず
に不良を検査することができる。よって、配線パターン
の形成前に不良検査を行うことができ、不良についての
情報や不良の解析結果のフィードバックを製造工程中に
行うことが可能であり、また、工程をやり直すといった
こともできる等の諸効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１の検査装置の概略の構
成図である。

【図２】同図（ａ）はヴィアホールを示す半導体装置の
断面図であり、同図（ｂ）はボイドの大きさとＡｌの特
性Ｘ線強度との関係および対応する箇所を同図（ａ）と
の関係で示したグラフである。

【図３】同図（ａ）はヴィアホールを示す半導体装置の
断面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）に対応させてＡ
ｌの特性Ｘ線強度を示したグラフであり、同図（ｃ）は
同図（ｂ）に対応させた処理画像例を示す説明図であ
る。

【図４】この発明の実施の形態２を説明するための図で
あって、同図（ａ）はビアホールを示す半導体装置の断
面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）に対応させてＡｌ
およびＳｉのそれぞれの特性Ｘ線強度を示したグラフで
ある。

【図５】ヴィアホールチェインを示す半導体装置の断面
図である。

【図６】従来の検査方法を示す説明図である。

【符号の説明】１走査型電子顕微鏡２電子銃３半導体装置（試料）４試料ステージ５検出器６Ａ／Ｄ変換器７不良判断部８画像処理部９画像表示部１１Ａｌ薄膜１２ウェッティング層１３層間絶縁膜１４下層Ａｌ配線１５不良ヴィアホール１６ヴィアホール１７ボイド１８不良ヴィアホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子線を照射する手段と、前記電子線を
試料の任意の位置に照射させる走査手段と、電子線が照
射された位置に存在している特定の物質の量に依存する
特性Ｘ線強度を検出する検出手段と、検出された特性Ｘ
線強度をモニターするモニター手段とを備えたことを特
徴とする検査装置。
【請求項２】前記電子線を照射する手段が電子線を用
いる顕微鏡または分析装置から成ることを特徴とする請
求項１に記載の検査装置。
【請求項３】前記検出された特性Ｘ線強度の値に基づ
いて不良を判断する判断手段を備えるとともに、前記モ
ニター手段は、前記判断手段にて不良が判断されたとき
に、不良位置を示す表示を行うように構成されているこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の検査装
置。
【請求項４】前記特定の物質が特定の形態で存在して
いない部位での特性Ｘ線強度の値をＡ、前記特定の物質
が特定の形態で予定している量で存在している部位での
特性Ｘ線強度の値をＢ、前記検出された特性Ｘ線強度の
値をＣとするとき、前記判断手段は、Ｂ＞Ｃ＞Ａとなる
場合に不良と判断するように構成されていることを特徴
とする請求項３に記載の検査装置。
【請求項５】前記検出手段は、第１の特定の物質と第
２の特定の物質の各々の特性Ｘ線強度を検出するように
構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３
のいずれかに記載の検査装置。
【請求項６】前記判断手段は、第１の特定の物質の特
性Ｘ線強度と第２の特定の物質の特性Ｘ線強度との対応
から不良の有無および不良の種類を判断するように構成
されていることを特徴とする請求項５に記載の検査装
置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
の検査装置を用いて半導体装置に形成されている導体材
料埋込部の不良を検出することを特徴とする半導体検査
方法。
【請求項８】導体材料埋込部の不良を、配線材料薄膜
が形成されている状態で行うことを特徴とする請求項７
に記載の半導体検査方法。