JP2007300087A - 有機エレクトロルミネッセント素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は画素素子からなる。画素素子は、制御領域と感知領域を有する基板と、制御領域を被覆するスイッチ装置と駆動装置と、感知領域を被覆するフォトセンサーとなるフォトダイオードと、感知領域に配置され、フォトセンサーを発光させるOLED素子と、フォトセンサーと駆動装置に結合されるキャパシタと、からなる。特に、フォトダイオードがOLED素子がフォトダイオードに照射する光線を感応することにより、OLED素子の輝度に対応するフォト電流が生成され、キャパシタの電圧はフォト電流により調整されて、駆動装置を経る電流を制御し、OLED素子の輝度を変化させる。OLEDの製造方法も提供される。
【選択図】図3O
Description
20〜画素ユニット;
30〜有機エレクトロルミネセントパネル;
40〜入力ユニット;
50〜電子素子;
102〜スイッチトランジスタ;
104〜駆動トランジスタ;
106〜有機エレクトロルミネッセント素子;
202〜有機エレクトロルミネッセント素子;
204〜駆動素子;
206〜スイッチ素子;
208〜キャパシタ;
210〜フォトダイオード;
220〜カラムデータライン;
230〜ロースキャンライン;
302〜基板;
304〜制御領域;
306〜感知領域;
307〜キャパシタ領域;
308〜バッファ層;
309〜底部電極;
310〜第一アクティブ層;
312〜第二アクティブ層;
3101〜第三アクティブ層;
3121〜第四アクティブ層;
314〜フォトレジスト;
3141〜フォトレジスト;
316〜チャンネルドープドーパント;
320〜チャンネル領域;
3121a〜フォトダイオード(フォトセンサーとなる)N+領域;
322〜N+イオン:
318〜フォトレジスト;
324〜N型トランジスタのソース;
326〜N型トランジスタのドレイン;
328〜ゲート誘電層;
330〜N型トランジスタゲート;
332〜P型トランジスタゲート;
335〜頂部電極;
208〜キャパシタ;
337〜軽ドープ;
336〜軽ドープソース/ドレイン領域(LDD);
3381〜フォトレジスト;
338〜フォトレジスト;
340〜イオン注入;
342〜チャンネル領域;
344〜ソース;
346〜ドレイン;
348〜誘電層;
3481〜コンタクトホール;
349a〜導電薄膜;
349b〜誘電薄膜;
354〜開口;
356〜導電コンタクト;
364〜平坦化層;
366〜コンタクト開口;
368〜画素電極層;
370〜画素定義層;
372〜有機発光層;
374〜カソード。
Claims (20)
- 画素素子を含む有機エレクトロルミネッセント素子であって、前記画素素子は、
制御領域と感知領域を有する基板と、
前記制御領域を被覆するスイッチ装置と駆動装置と、
前記感知領域を被覆するフォトセンサーとなるフォトダイオードと、
前記感知領域に配置され、前記フォトセンサーを発光させるOLED素子と、
前記フォトセンサーと前記駆動装置に結合されるキャパシタと、
を含み、前記フォトダイオードが前記OLED素子が前記フォトダイオードに照射する光線を感応することにより、前記OLED素子の輝度に対応するフォト電流が生成され、前記キャパシタの電圧は前記フォト電流により調整されて、前記駆動装置を通過する電流を制御し、前記OLED素子の輝度を変化させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 前記スイッチ装置と前記駆動装置はトップゲートトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記スイッチ装置は第一アクティブ層を有し、前記駆動装置は第二アクティブ層を有し、前記第一、及び、第二アクティブ層はポリシリコン層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記フォトダイオードは、第三アクティブ層、第四アクティブ層、及び、第五アクティブ層を含み、前記第五アクティブ層は、前記第三、及び、第四アクティブ層両方に接続されることを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記フォトダイオードは横向けフォトダイオードであることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記第三、及び、第四アクティブ層はポリシリコンであることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記第三、及び、第四アクティブ層は異なる導電型であることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記第三アクティブ層はP型導電性で、前記第四アクティブ層はN型導電性であることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記第五アクティブ層はアモルファスシリコンであることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記第五アクティブ層は厚さが4500〜5500Åであることを特徴とする請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 更に、
前記第一、第二、第三、及び、第四アクティブ層を被覆するゲート誘電層と、
前記制御領域を被覆する前記ゲート誘電層上に配置され、前記スイッチ装置中にある第一ゲート及び前記駆動装置中にある第二ゲートと、
前記感知領域と被覆する前記ゲート誘電層上に配置され、複数の第一開口を有して、前記第三、及び、第四アクティブ層を露出し、前記第一開口は前記第五アクティブ層を充填する中間誘電層と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。 - 前記中間層は、更に、複数の第二開口を有し、前記第一及び第二ゲート、並びに一部の第一及び第二アクティブ領域を露出し、前記第二開口は導電コンタクトを充填することを特徴とする請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法であって、
制御領域と感知領域を有する基板を提供する工程と、
前記制御領域で第一導電型TFTを形成し、前記感知領域でフォトダイオードの第一導電型領域を形成する工程と、
前記制御領域で第二導電型TFTを形成し、前記感知領域でフォトダイオードの第二導電型領域を形成する工程、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法。 - 前記第一導電型はN型で、前記第二導電型はP型であることを特徴とする請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法。
- 前記フォトダイオードの前記第一導電型TFTと前記第一導電型領域の形成方法は、
前記基板を被覆し前記制御領域に位置する第一及び第二アクティブ層、前記基板を被覆し前記感知領域に位置する第三及び第四アクティブ層を形成する工程と、
注入を実行し、前記第一アクティブ層にチャンネル領域を形成する工程と、
注入を実行し、前記第四アクティブ層に第一導電領域を形成する工程と、
前記第一、第二、第三、及び、第四アクティブ層を被覆するゲート誘電層を形成する工程と、
前記第一及び第二アクティブ層を被覆する第一及び第二ゲートを形成する工程、
を含み、前記第一ゲート、ゲート誘電層及び前記第一アクティブ層は、前記第一導電型TFTを構成し、前記第四アクティブ層とゲート誘電層は、前記フォトダイオードの前記第一導電型領域を構成することを特徴とする請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法。 - 前記フォトダイオードの前記第一導電型TFTと前記第一導電型領域の形成方法は、更に、
前記第一、第二ゲートをマスクとして、注入を実行する工程を含み、これにより、LDD領域が前記第一アクティブ層に形成され、同時に、前記第二アクティブ層が軽ドープされることを特徴とする請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法。 - 前記フォトダイオードの前記第二導電型TFTと前記二導電型領域の形成方法は、
注入工程を実行する工程を含み、これにより、前記第二アクティブ層のソース/ドレイン領域と前記第三アクティブ層の第二導電領域が形成されることを特徴とする請求項16に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法。 - 更に、
前記第一、第二ゲート及びゲート誘電層を被覆する中間誘電層を形成する工程と、
前記第三、第四アクティブ層の一部が露出するまで、前記感知領域を被覆する前記ゲート誘電層を貫通する複数の第一開口を形成する工程と、
第一導電層により前記第一開口を充填する工程と、
前記第一導電層を被覆する誘電層を形成する工程と、
前記第一ゲート、第二ゲートの一部が露出するまで、前記制御領域を被覆する前記ゲート誘電層を貫通する複数の第二開口を形成する工程と、
前記第二導電コンタクトにより、前記第二開口を充填する工程と、
パッシベーション層と平坦化層を形成する工程と、
画素電極と画素定義層を形成する工程と、
前記制御領域と前記感知領域の一部を被覆するOLED素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項17に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法。 - 前記装置はディスプレイパネルであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 更に、電子装置を有し、前記電子装置は、
前記ディスプレイパネルと、
前記ディスプレイパネルに結合され、画像を表示するように前記ディスプレイパネルに入力を提供する入力ユニットと、
を含むことを特徴とする請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
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