JP2007294670A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007294670A JP2007294670A JP2006120676A JP2006120676A JP2007294670A JP 2007294670 A JP2007294670 A JP 2007294670A JP 2006120676 A JP2006120676 A JP 2006120676A JP 2006120676 A JP2006120676 A JP 2006120676A JP 2007294670 A JP2007294670 A JP 2007294670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon layer
- semiconductor element
- temperature
- semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 88
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 88
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 18
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 abstract description 15
- 238000013021 overheating Methods 0.000 abstract description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 10
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7803—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device
- H01L29/7804—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a pn-junction diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】電流を印加することにより発熱する半導体素子1の温度を検出する温度モニタ素子2を設けてなる半導体装置の製造方法であって、半導体素子の絶縁膜上に温度モニタ素子2を構成するためのポリシリコンを堆積してシリコン層20を形成する工程を行い、次いで、シリコン層20をレーザアニールにより局所的に熱処理して再結晶化し単結晶とする熱処理工程と、多結晶のままの状態、または、再結晶化することにより単結晶となったシリコン層20内に不純物を導入してPN接合を形成する工程と、を行って温度モニタ素子2を構成する。
【選択図】図2
Description
請求項2の半導体装置に係る発明は、上記目的を達成するため、電流を印加することにより発熱する半導体素子の温度を検出する温度モニタ素子を設けてなる半導体装置であって、前記温度モニタ素子が、前記半導体素子の絶縁膜上に多結晶のシリコンを堆積させたシリコン層からなり、該シリコン層を局所的に熱処理して再結晶化させ、且つ、前記シリコン層に不純物を導入してPN接合させたものであることを特徴とするものである。
請求項2の発明では、温度モニタ素子を、半導体素子の絶縁膜上に多結晶のシリコンを堆積させたシリコン層からなり、該シリコン層を局所的に熱処理して再結晶化させ、且つ、前記シリコン層に不純物を導入してPN接合させたものとすることにより、半導体素子の絶縁膜上に結晶粒界が消失して単結晶化したダイオードにより温度モニタ素子が構成される。そのため、温度モニタ素子は、温度モニタ信号を安定した電圧で出力し、半導体素子を過熱から確実に保護する。
請求項2の発明によれば、温度モニタ素子が、半導体素子の絶縁膜上に多結晶のシリコンを堆積させたシリコン層からなり、該シリコン層を局所的に熱処理して再結晶化させ、且つ、前記シリコン層に不純物を導入してPN接合させたものである、という簡単な構成で、安定して確実に半導体素子の温度を検出することができ、もって、半導体素子を過熱から確実に保護することができる温度検出用素子を備えた半導体装置を提供することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、概略、電流を印加することにより発熱する半導体素子1の温度を検出する温度モニタ素子2を設けてなる半導体装置の製造方法であって、半導体素子の絶縁膜上に温度モニタ素子2を構成するための多結晶のシリコン(以下、ポリシリコンという)を堆積してシリコン層20を形成する工程を行い、次いで、シリコン層20を局所的に熱処理して再結晶化し単結晶とする熱処理工程と、多結晶のままの状態、または、再結晶化することにより単結晶となったシリコン層20内に不純物を導入してPN接合を形成する工程と、を行って温度モニタ素子2を構成するものである。
この実施の形態においては、最初に、上述した実施の形態と同様に、図4に示すように、半導体素子1の活性化領域11の周囲における絶縁層17の表面にポリシリコンをCVDなどにより堆積してシリコン層20を形成する工程を行う。このとき、シリコン層20は、その内部全体に結晶粒界が存在した状態で形成されている。
この実施の形態においては、最初に、図8に示すように、半導体素子1の酸化膜などによる絶縁層17は、活性化領域11近傍のシリコン層20を形成する部分17aが、他の部分と比較して厚く形成されている。このように、絶縁層17を部分的に厚く形成するためには、酸化膜により構成する場合にはかかる厚く形成する部分17aの酸化時間を長く設定し、また、CVDによりかかる部分17aに絶縁性材料を厚く堆積させる。
本発明は、半導体素子1の活性化領域11の周囲に温度モニタ素子2を設けることに限定されることなく、たとえば複数のゲート電極13の間など、活性化領域11の表面に設けることもできる。
Claims (2)
- 電流を印加することにより発熱する半導体素子の温度を検出する温度モニタ素子を設けてなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子の絶縁膜上に多結晶のシリコンを堆積してシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層を局所的に熱処理して再結晶化する熱処理工程と、
不純物を前記シリコン層に導入してPN接合を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 電流を印加することにより発熱する半導体素子の温度を検出する温度モニタ素子を設けてなる半導体装置であって、前記温度モニタ素子が、
前記半導体素子の絶縁膜上に多結晶のシリコンを堆積させたシリコン層からなり、該シリコン層を局所的に熱処理して再結晶化させ、且つ、前記シリコン層に不純物を導入してPN接合させたものであることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006120676A JP2007294670A (ja) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006120676A JP2007294670A (ja) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294670A true JP2007294670A (ja) | 2007-11-08 |
Family
ID=38764992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006120676A Pending JP2007294670A (ja) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007294670A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104218099A (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
WO2014199558A1 (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN105047661A (zh) * | 2014-04-24 | 2015-11-11 | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 | 包括静电放电保护结构的半导体器件 |
US9508872B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-11-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and pin diode |
CN112349715A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-09 | 上海若坝思特半导体有限公司 | 具有温度及电压检测功能的功率半导体器件及制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5783025A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor substrate |
JPS5919331A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS61185962A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Nec Corp | 相補型mos集積回路 |
JPH05121350A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
JPH07297392A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Fuji Electric Co Ltd | 温度検出部を備えた半導体素子 |
-
2006
- 2006-04-25 JP JP2006120676A patent/JP2007294670A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5783025A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor substrate |
JPS5919331A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS61185962A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Nec Corp | 相補型mos集積回路 |
JPH05121350A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
JPH07297392A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Fuji Electric Co Ltd | 温度検出部を備えた半導体素子 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104218099A (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
CN104218099B (zh) * | 2013-05-29 | 2018-09-11 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
WO2014199558A1 (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9543289B2 (en) | 2013-06-12 | 2017-01-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
DE112014001208B4 (de) | 2013-06-12 | 2024-05-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
US9508872B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-11-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and pin diode |
CN105047661A (zh) * | 2014-04-24 | 2015-11-11 | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 | 包括静电放电保护结构的半导体器件 |
CN112349715A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-09 | 上海若坝思特半导体有限公司 | 具有温度及电压检测功能的功率半导体器件及制作方法 |
CN112349715B (zh) * | 2020-11-05 | 2024-03-26 | 宁波宝芯源功率半导体有限公司 | 具有温度及电压检测功能的功率半导体器件及制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7807554B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor element | |
US20170229535A1 (en) | Semiconductor device | |
JP5365009B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6078961B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5718026B2 (ja) | 注入されたドーパントを選択的に活性化するためのレーザ・アニーリングを使用して半導体デバイスを製造するための方法 | |
JP5286706B2 (ja) | 電力用半導体装置とその製造方法 | |
JP2007123300A (ja) | 不純物活性化方法、レーザアニール装置、半導体装置とその製造方法 | |
JP2008103590A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007294670A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP6547724B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US10181440B2 (en) | Semiconductor device | |
JPWO2014199558A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20150249084A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device | |
JP2007165424A (ja) | イグナイタ用半導体装置 | |
JP2009283636A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5168765B2 (ja) | 縦型ツェナーダイオードの製造方法および縦型ツェナーダイオード | |
JP2007220724A (ja) | 薄板型igbtの製造方法及び薄板型igbt | |
JP2009194330A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3960174B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6801775B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4222092B2 (ja) | 半導体ウェハ、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI727422B (zh) | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
JP6398861B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5446158B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI756565B (zh) | 半導體裝置之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080709 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20120229 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20120627 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |