JP2007288171A - 固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器 - Google Patents
固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007288171A JP2007288171A JP2007071067A JP2007071067A JP2007288171A JP 2007288171 A JP2007288171 A JP 2007288171A JP 2007071067 A JP2007071067 A JP 2007071067A JP 2007071067 A JP2007071067 A JP 2007071067A JP 2007288171 A JP2007288171 A JP 2007288171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fullerene
- solid
- electric
- state
- structure according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
フラーレン分子によるナノ構造の電気・電子特性を自在に制御可能とするナノデバイス構造を提供する。
【解決手段】
フラーレン分子層を電極間に配設した固体素子構造を有し、電極への電圧の印加状態によってフラーレン分子層の導電性を制御可能としているフラーレン分子デバイス構造とする。
【選択図】図4
Description
たとえば、C60フラーレンについては、これまでに、図1(a)(b)(c)に示したような化学結合の形成が報告されている。
図1(a)では、C60フラーレンの2つの分子が2つの炭素間共有結合によって結合しているものであって、光照射によってC60薄膜が硬化する現象がRaoら(非特許文献1)によって見出された際に、薄膜が硬化する理由を説明するために示唆されたものであって、その後多くの実験的、理論的研究が行われ、広く支持されている化学結合形態(重合形態)である。
図2(b)、(c)の化学結合は、結合形態がさらに進展して融合状態に到達しているものであって、電子線の照射(電子のエネルギー0.1〜2keV程度)によって誘起されるものである(非特許文献2)。
これらのフラーレンの重合薄膜についての電気伝導特性についても報告されており、たとえば、4探針法による計測を行った結果から、電子線照射によって重合したC60薄膜の金属的特性(非特許文献3)が報告され、また、光照射によって重合したC60薄膜の半導体特性(非特許文献4)が報告されている。
A.M.Rao et al., Science 259, 955(1993) T.Hara et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part I 39, 1872(2000) J.Onoe et al., Appl. Phys., Lett. 82, 595(2003) J.Onoe et al., J. Appl. Phys., 96, 443(2004) M.Nakaya et al., 13th International Conference on STM/STS and Related Techniques(STM’05), 2005 Sapporo, Japan(2005.7.3−8)
したがって、従来の常識からの単純な考察からは、結合を解消するという化学反応を100%の確率で誘起することは困難だと思われる。
しかし、本発明者らは強電界の印加によって化学反応過程を適切に制御し、結合が存在する状態から結合が無い状態に移行させた後に電界を取り除けば、フラーレン分子間結合のある状態(エネルギーの低い状態)から結合のない状態(エネルギーの高い状態)へと化学反応を誘導することが可能であることを見出している。
この分子デバイスのOFF状態では分子同志はファンデルワールス力によって結びつけられており、ON状態では炭素原子間の化学結合によって結びつけられている。
ON状態とOFF状態との間での遷移過程(化学反応)における活性化エネルギーがC60フラーレンの場合に1〜2eV程度であるため、デバイスを駆動するための電圧印加を行わない限り、それぞれの状態は室温で不揮発的に保持される。
また、FET構造なしで導電性制御が可能である二端子型のフラーレン分子デバイスは、ナノデバイスとして超高集積化を行う際の配線の複雑化を防ぐためにも有効である。
スイッチング素子、メモリー素子等として有用なものとなる。
ここで、フラーレン分子とは、C60フラーレンあるいはさらに高次のフラーレンとして知られている籠状構造をもつ閉じた分子である。
また、本発明においては、フラーレン分子は、アルキル基やアリール基等の炭化水素基、水素原子、酸素原子、含酸素基、含窒素基等の官能基を結合している修飾体であってもよく、デバイスの特性は用いる分子によって大きく変化する。
すなわち、電圧印加の状態によって、隣接するフラーレン分子間に形成される化学結合を誘起することによってフラーレン固体の電気伝導特性が絶縁性から導電性へと変換される。
また、既に分子間結合が誘起されている場合には、その化学結合を解消することによって、フラーレン固体の電気伝導特性が導電性から絶縁性へと変換される。
また、on−offの繰り返し動作(スイッチング動作)においては、40MHzでの動作が可能であることも確認している。
フラーレン分子デバイスでは、エネルギー的に安定な二つの状態(on状態とoff状態)を外部から印加する電圧・電流信号によって選択するため、on状態(あるいはoff状態)の保持性が高く、不揮発性の高いスイッチング素子やメモリー素子として利用することができる。
また動作に必要な電圧がたとえば1〜4V程度と低く、小さな素子になればなるほど電流を流さずにすむため、デバイスの微細化に応じた省エネルギー効果が見込まれる。
なお、このデバイスに於けるフラーレン分子層の最小単位は、フラーレン分子2分子であるが、その場合でも動作安定性は変化せず、微細化による不安定性という問題を抱える従来の半導体デバイスとは本質的に異なる。
たとえばBi/CaF2絶縁層/C60フラーレン分子層/Auのヘテロ構造である。
この場合のCaF2絶縁層は厚みは10nm以下、たとえば1〜3nmであり、C60フラーレン分子層の厚みは100nm以下、たとえば30〜80nmである。
もちろん以上の例示に限定されることはない。
たとえば、金属電極としてAl、Cu、Ag等や、絶縁層としてAl2O3等の適宜なものが考慮される。
たとえば真空蒸着による気相成膜の方法である。
フラーレンそのものの製造も従来公知の方法をはじめとして各種であってよい。
もちろん以下の例により発明が限定されることはない。
まず、室温に保持したガラス基板上へBiを真空蒸着することで下部電極を形成し、その後、厚さ1−2nmのCaF2薄膜を真空蒸着によって形成し絶縁層とした。
蒸着速度は形成した薄膜表面が平坦になるように調整する。
本実施例では平坦性を原子間力顕微鏡によって検査した。
さらに、厚さ70nmのC60薄膜、Au電極を順に形成した。
最下部のBiおよび最上部のAu電極は、互いに直交するワイヤ形状となるようにシャドウマスクを利用して作成した。
したがって全体構造は、クロスバー型となり、図3に示したように2種類の金属電極の交差点にBi/CaF2/C60/Auのヘテロ構造が形成されている。
この図4より、ヘテロ構造にはコンダクタンスの高い状態および低い状態が存在し、正負の適切な電圧値を印加することで相互の状態間を不連続的に遷移する。
コンダクタンスを遷移させるための電圧未満の領域を利用する限り、本デバイスのON−OFF状態を変えずに電流を流すことができるので、例えば本デバイスをメモリセルとして利用した際には不揮発性メモリセルとなることがわかる。
このようなスイッチング現象は1MHzの高周波電圧を印加した場合においても観測された。
ここで計測されているスイッチングスピードは、2つの金属電極間の静電容量効果によって制限されているので、デバイスの微細化は動作の高速化に直結する。
Claims (9)
- 介在層を電極間に配置してなる固体素子構造であって、前記介在層は絶縁性層と複数のフラーレン分子からなるフラーレン層とからなることを特徴とする固体素子構造
- 請求項1に記載の固体素子構造において、前記フラーレン層を構成するフラーレン分子はファンデルワールス力により相互に集合しているものであることを特徴とする固体素子構造
- 請求項1又は2に記載の固体素子構造において、前記フラーレン分子は、C60フラーレン分子からなることを特徴とする固体素子構造
- 請求項1又は2に記載の固体素子構造において、前記フラーレン分子は、C60フラーレンよりも高次のフラーレンであることを特徴とする固体素子構造
- 請求項3又は4に記載の固体素子構造において、フラーレン分子は、カーボンフラーレンの官能基修飾体であることを特徴とする固体素子構造
- 請求項1から5に記載の固体素子構造を用いた電気・電子素子であって、そのスイッチング機構又はメモリー構造として、前記固体素子構造が用いられていることを特徴とする固体素子構造
- 請求項1から5に記載の固体素子構造を用いた電気・電子機器であって、そのスイッチング機構又はメモリー機構として、前記固体素子構造が用いられていることを特徴とする固体素子構造
- 請求項1から5のいずれかの固体素子構造を用いた電気・電子素子であって、前記固体素子構造をそのスイッチング構造の少くとも一部としていることを特徴とする電気・電子素子。
- 請求項1から5のいずれかの固体素子構造を用いた電気・電子機器であって、前記固体素子構造をそのスイッチング構造の少くとも一部としていることを特徴とする電気・電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007071067A JP5205670B2 (ja) | 2006-03-20 | 2007-03-19 | 固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006077785 | 2006-03-20 | ||
JP2006077785 | 2006-03-20 | ||
JP2007071067A JP5205670B2 (ja) | 2006-03-20 | 2007-03-19 | 固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007288171A true JP2007288171A (ja) | 2007-11-01 |
JP5205670B2 JP5205670B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=38759597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007071067A Expired - Fee Related JP5205670B2 (ja) | 2006-03-20 | 2007-03-19 | 固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5205670B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011517856A (ja) * | 2008-04-11 | 2011-06-16 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 炭素系メモリ素子を含むメモリセルおよびその形成方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11424133B2 (en) | 2019-07-25 | 2022-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Metal structure and method of manufacturing the same and metal wire and semiconductor device and electronic device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629514A (ja) * | 1992-01-13 | 1994-02-04 | Kawamura Inst Of Chem Res | 半導体素子 |
JPH1140767A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 誘電体素子及びその製造方法 |
JP2003258146A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積装置 |
JP2004172270A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Sony Corp | 内包フラーレンによる分子及び薄膜トランジスタ |
JP2004288930A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Sony Corp | メモリ素子およびその製造方法、ならびに電子素子 |
WO2005060005A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | スイッチング素子 |
JP2006032794A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 整流素子 |
JP2006060169A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007158344A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属層−絶縁層−金属層構造を備えるストレージノード、及び、そのストレージノードを備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法 |
-
2007
- 2007-03-19 JP JP2007071067A patent/JP5205670B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629514A (ja) * | 1992-01-13 | 1994-02-04 | Kawamura Inst Of Chem Res | 半導体素子 |
JPH1140767A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 誘電体素子及びその製造方法 |
JP2003258146A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積装置 |
JP2004172270A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Sony Corp | 内包フラーレンによる分子及び薄膜トランジスタ |
JP2004288930A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Sony Corp | メモリ素子およびその製造方法、ならびに電子素子 |
WO2005060005A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | スイッチング素子 |
JP2006032794A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 整流素子 |
JP2006060169A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007158344A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属層−絶縁層−金属層構造を備えるストレージノード、及び、そのストレージノードを備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011517856A (ja) * | 2008-04-11 | 2011-06-16 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 炭素系メモリ素子を含むメモリセルおよびその形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5205670B2 (ja) | 2013-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Si et al. | Scalable preparation of high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance field-effect transistors | |
Yoo et al. | Performance enhancement of electronic and energy devices via block copolymer self‐assembly | |
Ji et al. | Flexible organic memory devices with multilayer graphene electrodes | |
Son et al. | NiO resistive random access memory nanocapacitor array on graphene | |
Cui et al. | Nanogap electrodes towards solid state single‐molecule transistors | |
RU2511127C2 (ru) | Графеновое устройство и способ его изготовления | |
Russo et al. | Carbon nanowalls: A new material for resistive switching memory devices | |
KR101198301B1 (ko) | 금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법 | |
JP2009278107A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP4984498B2 (ja) | 機能素子及びその製造方法 | |
JP2007103625A (ja) | 機能性デバイス及びその製造方法 | |
JP2010199215A (ja) | スイッチング素子及び不揮発性記憶装置 | |
Hou et al. | 2D atomic crystals: a promising solution for next‐generation data storage | |
WO2014178208A1 (ja) | グラフェン膜、電子装置、及び電子装置の製造方法 | |
Otsuka et al. | On-chip sorting of long semiconducting carbon nanotubes for multiple transistors along an identical array | |
JP2008311449A (ja) | シリコンによる2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス | |
Aziz et al. | High-performance flexible resistive random access memory devices based on graphene oxidized with a perpendicular oxidation gradient | |
JP4501339B2 (ja) | pn接合素子の製造方法 | |
JP5205670B2 (ja) | 固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器 | |
JP4736318B2 (ja) | 積層体の製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法 | |
JP2016127238A (ja) | 電子装置及び電子装置の製造方法 | |
KR101173115B1 (ko) | 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자, 및 그 제조 방법 | |
Silva et al. | Electronic and magnetic properties of tripentaphene nanoribbons | |
JP2004172270A (ja) | 内包フラーレンによる分子及び薄膜トランジスタ | |
JP5173087B1 (ja) | 酸化カーボン薄膜の製造方法および酸化カーボン薄膜を有する素子とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5205670 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |