JP2007288119A - プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置10は、処理空間Sを有する基板処理室11と、該基板処理室11内に配置され且つ高周波電源20等が接続されたサセプタ12と、処理空間Sに露出する下面を有し且つ基板処理室11の壁部やサセプタ12から電気的に絶縁されている上部電極板38と、該上部電極板38に接続された直流電源49と、制御部52とを備え、該制御部52は実行するRIE処理の処理条件に応じて上部電極板38に印加する負の直流電圧の値を決定する。
【選択図】図1
Description
W 半導体ウエハ
10 プラズマ処理装置
11 基板処理室
12 サセプタ
20 高周波電源
34 ガス導入シャワーヘッド
38 上部電極板
46 他の高周波電源
49 直流電源
52 制御部
53 データベース
54 スイッチ
Claims (25)
- 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的
に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第2の電極は直流電源に接続されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第2の電極に印加される直流電圧の値を制御する制御部を備え、
該制御部は前記露出部に付着する付着物の量に応じて前記印加される直流電圧の値を決定することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2の電極に印加される直流電圧の値を制御する制御部を備え、
前記制御部は前記処理空間に導入されるガスの種類、前記第1の電極に供給される高周波電力の大きさ及び前記処理空間の圧力の少なくとも1つに応じて前記印加される直流電圧の値を決定することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 少なくとも前記高周波電源が前記第1の電極に高周波電力を供給している間は、前記直流電源が前記第2の電極に直流電圧を印加することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 少なくとも前記処理空間においてプラズマが発生している間は、前記直流電源が前記第2の電極に直流電圧を印加することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
前記第2の電極に直流電圧を印加する直流電圧印加ステップを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記露出部に付着する付着物の量に応じて前記第2の電極に印加される直流電圧の値を決定する電圧値決定ステップを有することを特徴とする請求項6記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理空間に導入されるガスの種類、前記第1の電極に供給される高周波電力の大きさ及び前記処理空間の圧力の少なくとも1つに応じて前記第2の電極に印加される直流電圧の値を決定する電圧値決定ステップを有することを特徴とする請求項6記載のプラズマ処理方法。
- 前記直流電圧印加ステップでは、少なくとも前記高周波電源が前記第1の電極に高周波電力を供給している間は、前記第2の電極に直流電圧を印加することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記直流電圧印加ステップでは、少なくとも前記処理空間においてプラズマが発生している間は、前記第2の電極に直流電圧を印加することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記第2の電極に直流電圧を印加する直流電圧印加モジュールを有することを特徴とする記憶媒体。 - 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置において、
前記基板には無機膜及び有機膜が形成されており、
前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す際には、前記処理空間及び前記第2の電極の電位差を当該第2の電極が有する露出部が当該処理空間内に発生するプラズマによってスパッタされる値に設定し、
前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す際には、前記処理空間及び前記第2の電極の電位差を前記無機膜にプラズマ処理を施す際の電位差の値より小さい値に設定することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第2の電極は直流電源に接続されることを特徴とする請求項12記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の電極と前記直流電源との間に配され、前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す際に、当該第2の電極と当該直流電源との電気的接続を遮断し、該第2の電極を電気的に絶縁するスイッチ手段をさらに備えることを特徴とする請求項13記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す際には、前記第2の電極は接地されることを特徴とする請求項12記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す際には、前記第2の電極に所望の直流電圧を発生させる27MHz以下の高周波電力が印加されることを特徴とする請求項12記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す際には、前記第2の電極は電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項12記載のプラズマ処理装置。
- 前記露出部はシリコン系の材料からなることを特徴とする請求項12乃至17のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
前記基板には無機膜及び有機膜が形成されており、
前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す無機膜処理ステップと、
前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す有機膜処理ステップとを有し、
前記無機膜処理ステップでは、前記処理空間及び前記第2の電極の電位差を当該第2の電極が有する露出部が当該処理空間内に発生するプラズマによってスパッタされる値に設定し、
前記有機膜処理ステップでは、前記処理空間及び前記第2の電極の電位差を前記無機膜にプラズマ処理を施す際の電位差の値より小さい値に設定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記第2の電極に直流電源を接続する直流電源接続ステップを有することを特徴とする請求項19記載のプラズマ処理方法。
- 前記無機膜処理ステップでは、前記第2の電極を接地することを特徴とする請求項19記載のプラズマ処理方法。
- 前記無機膜処理ステップでは、前記第2の電極に所望の直流電圧を発生させる27MHz以下の高周波電力を印加することを特徴とする請求項19記載のプラズマ処理方法。
- 前記有機膜処理ステップは、前記第2の電極を電気的に絶縁することを特徴とする請求項19記載のプラズマ処理方法。
- 前記露出部はシリコン系の材料からなることを特徴とする請求項19乃至23のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板には無機膜及び有機膜が形成されており、
前記プログラムは、
前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す無機膜処理モジュールと、
前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す有機膜処理モジュールとを有し、
前記無機膜処理モジュールは、前記処理空間及び前記第2の電極の電位差を当該第2の電極が有する露出部が当該処理空間内に発生するプラズマによってスパッタされる値に設定し、
前記有機膜処理モジュールは、前記処理空間及び前記第2の電極の電位差を前記無機膜にプラズマ処理を施す際の電位差の値より小さい値に設定することを特徴とする記憶媒体。
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