JP2007288049A - レーザ照射方法及びレーザ照射装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02686—Pulsed laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02691—Scanning of a beam
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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Abstract
【解決手段】所定の発振周波数を有するレーザ光を、段階的に異なる複数の照射強度で基板16上にスキャン照射し、基板16上に複数の照射強度にそれぞれ対応する複数の第1の照射領域を形成するステップと、複数の第1の照射領域を一括して照明し、複数の第1の照射領域からの反射光を同時に受光するステップと、受光した反射光に基づいて微結晶化強度を判定するステップと、判定した微結晶化強度に基づいて照射強度を決定し、決定した照射強度で所定の発振周波数を有するレーザ光を基板上に照射して第2の照射領域を形成するステップとを有する。
【選択図】図1
Description
所定の発振周波数を有するレーザ光を、段階的に異なる複数の照射強度で基板上にスキャン照射し、該基板上に前記複数の照射強度にそれぞれ対応する複数の第1の照射領域を形成するステップと、
前記複数の第1の照射領域を一括して照明し、該複数の第1の照射領域からの反射光を同時に受光するステップと、
前記受光した反射光に基づいて微結晶化強度を判定するステップと、
前記判定した微結晶化強度に基づいて照射強度を決定し、該決定した照射強度で前記所定の発振周波数を有するレーザ光を基板上にスキャン照射して第2の照射領域を形成するステップと
を有することを特徴とする。
所定の発振周波数を有するレーザ光を、段階的に異なる複数の照射強度で基板上にスキャン照射し、該基板上に前記複数の照射強度にそれぞれ対応する複数の照射領域を形成するステップと、
前記複数の照射領域を一括して照明し、該複数の照射領域からの反射光を同時に受光するステップと、
前記受光した反射光に基づいて前記照射領域のそれぞれの色度を計測し、該計測した色度に基づいて微結晶化強度を判定するステップと
を有することを特徴とする。
前記多結晶薄膜が形成された所定の領域を照明し、該所定の領域からの反射光を同時に受光するステップと、
前記所定の領域を複数の第1の領域に分割し、前記受光した反射光に基づいて該第1の領域のそれぞれについて色度を計測し、
前記第1の領域のそれぞれで計測した色度を相互に比較し、色度の均一性に基づいて前記多結晶薄膜の粒径の均一性を判定するステップと
を有することを特徴とする。
前記複数の第1の照射領域のそれぞれについて複数の判定領域を設定し、
前記複数の判定領域のそれぞれについて、前記複数の第1の照射領域間で計測された画像データを比較し、隣り合う強度で照射された2つの第1の照射領域間で前記画像データの特定成分の変化が最大となる照射強度を検出し、
前記複数の判定領域のそれぞれで検出された照射強度のうちから1つを選択し、該選択された照射強度に基づいて前記微結晶化強度を判定する。
レーザ光の照射強度の面内ばらつきを考慮した判定を行うことが出来る。複数の判定領域のそれぞれで検出された照射強度を平均して、微結晶化強度としてもよい。
12:光学系
13:ステージ
14:面光源装置
14a:光源面
15:レーザ光
16:基板
17:電荷結合素子
20:微結晶化強度判定用の基板
21:予備照射領域
22:照明領域
23:判定領域
Claims (10)
- 半導体薄膜を表面に有する基板上にレーザ光を照射して、前記半導体薄膜を融解・結晶化させるレーザ照射方法において、
所定の発振周波数を有するレーザ光を、段階的に異なる複数の照射強度で基板上にスキャン照射し、該基板上に前記複数の照射強度にそれぞれ対応する複数の第1の照射領域を形成するステップと、
前記複数の第1の照射領域を一括して照明し、該複数の第1の照射領域からの反射光を同時に受光するステップと、
前記受光した反射光に基づいて微結晶化強度を判定するステップと、
前記判定した微結晶化強度に基づいて照射強度を決定し、該決定した照射強度で前記所定の発振周波数を有するレーザ光を基板上にスキャン照射して第2の照射領域を形成するステップと
を有することを特徴とするレーザ照射方法。 - 前記判定ステップでは、前記複数の第1の照射領域間で計測された色度を相互に比較し、隣り合う強度で照射された2つの第1の照射領域間で色度の変化が最大となる照射強度に基づいて前記微結晶化強度を判定する、請求項1に記載のレーザ照射方法。
- 前記判定ステップでは、
前記複数の第1の照射領域のそれぞれについて複数の判定領域を設定し、
前記複数の判定領域のそれぞれについて、前記複数の第1の照射領域間で計測された画像データを比較し、隣り合う強度で照射された2つの第1の照射領域間で前記画像データの特定成分の変化が最大となる照射強度を検出し、
前記複数の判定領域のそれぞれで検出された照射強度のうちから1つを選択し、該選択された照射強度に基づいて前記微結晶化強度を判定する、
請求項1に記載のレーザ照射方法。 - 前記複数の判定領域で検出された照射強度のばらつきに基づいて、レーザ光の照射強度のばらつきを判定するステップを更に有する、請求項3に記載のレーザ照射方法。
- 前記判定領域の面積は、前記第1の照射領域の面積の1%以上である、請求項3又は4に記載のレーザ照射方法。
- 前記複数の第1の照射領域を一括して照明する光源が面光源である、請求項1〜5の何れか一に記載のレーザ照射方法。
- 基板上に形成された半導体薄膜の微結晶化強度を判定する方法であって、
所定の発振周波数を有するレーザ光を、段階的に異なる複数の照射強度で基板上にスキャン照射し、該基板上に前記複数の照射強度にそれぞれ対応する複数の照射領域を形成するステップと、
前記複数の照射領域を一括して照明し、該複数の照射領域からの反射光を同時に受光するステップと、
前記受光した反射光に基づいて前記照射領域のそれぞれの色度を計測し、該計測した色度に基づいて微結晶化強度を判定するステップと
を有することを特徴とする微結晶化強度判定方法。 - 基板上に形成された多結晶薄膜の粒径均一性を判定する方法であって、
前記多結晶薄膜が形成された所定の領域を照明し、該所定の領域からの反射光を同時に受光するステップと、
前記所定の領域を複数の第1の領域に分割し、前記受光した反射光に基づいて該第1の領域のそれぞれについて色度を計測し、
前記第1の領域のそれぞれで計測した色度を相互に比較し、色度の均一性に基づいて前記多結晶薄膜の粒径の均一性を判定するステップと
を有することを特徴とする多結晶薄膜の粒径均一性の判定方法。 - 請求項1〜8の何れか一に記載の方法に用いられるレーザ照射装置であって、レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光を所定の照射寸法に整形する光学系と、基板上に向けて平面光を出射する平面光源と、該平面光源から出射された平面光が基板上で反射された反射光を受光する電荷結合素子とを備えることを特徴とするレーザ照射装置。
- 前記平面光源は、面内の輝度ばらつきが5%以下の平面光を発生する、請求項9に記載のレーザ照射装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006115710A JP4339330B2 (ja) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | レーザ照射方法及びレーザ照射装置 |
US11/737,640 US7724382B2 (en) | 2006-04-19 | 2007-04-19 | Method and apparatus for irradiating laser |
US12/753,214 US7920277B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-04-02 | Method and apparatus for irradiating laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006115710A JP4339330B2 (ja) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | レーザ照射方法及びレーザ照射装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008199653A Division JP5316846B2 (ja) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007288049A true JP2007288049A (ja) | 2007-11-01 |
JP4339330B2 JP4339330B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=38619990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006115710A Active JP4339330B2 (ja) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | レーザ照射方法及びレーザ照射装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7724382B2 (ja) |
JP (1) | JP4339330B2 (ja) |
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Publication number | Publication date |
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US7920277B2 (en) | 2011-04-05 |
US20070249134A1 (en) | 2007-10-25 |
US20100190276A1 (en) | 2010-07-29 |
US7724382B2 (en) | 2010-05-25 |
JP4339330B2 (ja) | 2009-10-07 |
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