JP2009152632A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成した非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ201)し、この非晶質シリコン膜にレーザ光を照射(ステップ101)し、この照射で結晶化した多結晶シリコン膜の粒径分布を計測(ステップ102)し、多結晶シリコン膜の2つの点A,Bにおける粒径の測定値(ステップ103〜105)から、適正なレーザ光照射エネルギー密度値を算出(ステップ106〜108)し、次の非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ110,201)し、この平均膜厚と1つ前の非晶質シリコン膜の平均膜厚とから照射するエネルギー密度値を算出(ステップ203,204)し、このエネルギー密度値をレーザ光照射系にフィードバック(ステップ109)する。
【選択図】図13
Description
これは、一般に膜厚が厚いほど、結晶化に要するエネルギー密度が大きいために起る。シリコン膜厚が1nm変化すると、これの結晶化に必要なエネルギー密度は約1%変化することがわかっている。
X(B1)=γF+δ1
X(B2)=γF+δ2
X(B3)=γF+δ3
X(B4)=γF+δ4
(これらの式を式1とする)。
={Xopt−X(A1)}/α
=[Xopt−min{X(B1),X(B2),X(B3),X(B4)}]/γ
(この式を式2とする)
である。ただし、minは引数のうちで最小の値を返す関数である。
α・(Fopt−F)=Xopt−X(A1)
γ・(Fopt−F)=Xopt−min{X(B1),X(B2),X(B3),X(B4)}
(この式を式3とする)。
ΔF=[min{X(B1),X(B2),X(B3),X(B4)}−X(A1)]/(α−γ)
(この式を式4とする)である。
ΔF=k・[min{X(B1),X(B2),X(B3),X(B4)}−X(A1)]
(この式を式5とする)。となる。傾きαは正、γは負であるから、kは正である。
ΔF=k・[X(B)−X(A)]
と表せる。すなわち、フィードバック量は点Aと点Bの粒径の1次関数となる。
(この式を式6とする)。
(この式を式7とする。)
この式において、傾きγは負であるので、ΔFは負となり、エネルギー密度を下げるようフィードバックすることになる。
図15(a)は、図4の膜厚分布をもつアモルファスシリコン膜を多結晶化した後、薄膜トランジスタを形成した段階において、画素毎に移動度を測定してその分布を求めた結果を示したものである。また図15(b)は参照データとして、上記照射エネルギー密度制御を行わずに多結晶シリコン膜72を形成した場合の、移動度の分布を示したものである。
Claims (8)
- 基板毎に、
同一のCVDチャンバを用いて前記基板上の全面に非晶質半導体膜を形成する第1工程と、
前記非晶質半導体膜をレーザ光で照射して、多結晶膜に変える第2工程と、
前記多結晶膜の面内に設定された複数の測定点において該多結晶膜の結晶粒径を測定する第3工程とを順次行う表示装置の製造方法であって、
前記測定した結晶粒径を、同一基板上の異なる前記測定点の前記測定した結晶粒径と比較し、
前記比較した結果に基づいて、前記結晶粒径を測定した基板より後に前記レーザ光の照射を行う基板への前記レーザ光のエネルギー密度を調整することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記レーザ光はエキシマレーザ、又は固体レーザであることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記非晶質半導体膜は非晶質シリコン膜であることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記第3工程において、前記結晶粒径は、光回折強度、ラマンスペクトル、SEM像、光学顕微鏡像、光反射率、光散乱強度、及びフォトキャリヤ寿命のいずれかにより測定されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記第2工程は前記基板上で前記レーザ光を走査する工程を含み、
前記レーザ光のエネルギー密度を、前記非晶質半導体膜の膜厚に応じて、前記走査の方向沿いに更に調整することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記第1工程にて、前記非晶質半導体膜をCVD法により作製することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1において、
結晶粒径を測定する前記基板上に形成された前記非晶質半導体膜における結晶粒径の測定点の設定について、
(1)複数枚の参照用基板に夫々形成された非晶質の半導体膜を異なるエネルギー密度のレーザ光で照射して多結晶化し、
(2)該参照用基板のうちの多結晶化された該半導体膜が該参照基板全域にて最大の平均結晶粒径を示すものに照射された該レーザ光のエネルギー密度を最適エネルギー密度と定義した上で、
(3)該最適エネルギー密度より低いエネルギー密度において結晶粒径が小さくなる領域と、該最適エネルギー密度より高いエネルギー密度において結晶粒径が小さくなる領域とに、夫々前記測定点を設定することを特徴とする表示装置の製造方法。 - レーザ光源と、
同一のCVDチャンバにてその上面全域に非晶質の半導体膜が形成された基板が導入され且つ前記レーザ光源からのレーザ光で該基板上の該半導体膜を照射して多結晶化するアニーラと、
前記レーザ光源と前記アニーラとの間に設けられ且つ前記レーザ光のビーム形状及び強度を調整する光学系と、
前記多結晶化された半導体膜の面内における結晶粒径の分布を計測する粒径計測部と、
前記アニーラで多結晶化された前記半導体膜を有する前記基板を前記粒径計測部とへ搬送する搬送機構と、
前記レーザ光源、前記アニーラ、前記粒径計測部、及び前記搬送機構を一定のシーケンスで動作させる制御部と、
からなる表示装置の製造装置において、
前記レーザ光源と前記光学系との間には、該レーザ光源から出射した前記レーザ光の強度を調節するアッテネータが設けられ、
前記粒径測定部が測定した結晶粒径を、同一基板上の異なる測定点で測定した結晶粒径と比較し、前記比較した結果に基づいて、前記アッテネータは、前記結晶粒径を測定した基板より後に前記レーザ光の照射を行う基板への、前記レーザ光の強度を調整することを特徴とする表示装置の製造装置。
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JP2002217109A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sony Corp | ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム |
JP2003045800A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Toshiba Corp | 膜質検査方法、膜質検査装置および液晶表示装置の製造方法 |
JP2003203863A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の形成方法及びその装置 |
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Patent Citations (4)
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JPH10284433A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Seiko Epson Corp | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 |
JP2002217109A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sony Corp | ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム |
JP2003045800A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Toshiba Corp | 膜質検査方法、膜質検査装置および液晶表示装置の製造方法 |
JP2003203863A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の形成方法及びその装置 |
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