JP2007270231A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8128755B2 (en) 2010-03-03 2012-03-06 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Cleaning solvent and cleaning method for metallic compound
JP5494146B2 (ja) * 2010-04-05 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5929386B2 (ja) * 2012-03-22 2016-06-08 セントラル硝子株式会社 成膜装置内の金属膜のドライクリーニング方法
KR20160026302A (ko) 2014-08-29 2016-03-09 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치와 기판 처리 방법 및 집적회로 소자 제조 방법
WO2020070788A1 (ja) * 2018-10-02 2020-04-09 三菱電機株式会社 濾過膜処理装置、膜濾過装置、および、濾過膜処理方法
KR102292034B1 (ko) * 2019-11-26 2021-08-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 처리 방법
TWI911263B (zh) * 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
CN112144042B (zh) * 2020-09-11 2021-09-24 大连理工大学 一种基于超临界流体脉冲的半导体薄膜可控生长系统
CN114965231B (zh) * 2021-02-25 2025-03-18 中国石油天然气集团有限公司 一种适用于金属管柱材质腐蚀的实验装置
KR102741302B1 (ko) * 2021-11-04 2024-12-10 세메스 주식회사 동파 방지 밸브 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치와 그 설치 방법
JP7804791B2 (ja) * 2022-04-12 2026-01-22 エイチピエスピ カンパニー リミテッド 高圧基板処理装置及びそれを用いた基板用高圧化学的気相蒸着方法
KR102925058B1 (ko) * 2022-12-05 2026-02-06 세메스 주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리 장치
KR102869928B1 (ko) * 2022-12-06 2025-10-14 세메스 주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000106358A (ja) * 1998-09-29 2000-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置および半導体基板の処理方法
JP2004228526A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法および半導体装置の製造方法
US20050261150A1 (en) * 2004-05-21 2005-11-24 Battelle Memorial Institute, A Part Interest Reactive fluid systems for removing deposition materials and methods for using same

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