JP2007266312A - 導電薄膜付導電性メッシュ、電磁波シールド性フィルム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】可視光透過性と高い電磁波シールド性とを兼ね備えた電磁波シールド性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明支持体４と、前記透明支持体に被着された導電性メッシュ１と、前記透明支持体表面の前記導電性メッシュが形成する開口部１１の領域に形成された透明導電薄膜２とを備え、導電性メッシュ１が透明支持体４に導電性メッシュ１の上部露出表面と透明支持体４の表面とが略同一の高さになるように埋め込まれて、導電性メッシュ２と透明導電薄膜２とが接触するように形成されている電磁波シールド性フィルム３２。
【選択図】図５

Description

本発明はＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）等のディスプレイデバイスにおいて、前面から発生する電磁波を遮蔽して電磁波の外部への漏洩を抑制するための電磁波シールド性フィルム及びその製造方法に関する。

近年、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）等の大型化及び薄型化したディスプレイデバイスを用いた各種表示装置の市場が拡大している。

ＰＤＰの駆動の原理は、画素となる管内に封入されたＸe（キセノン）ガスに電圧を印加して放電させて励起し、紫外〜近赤外領域に亙る広域波長帯の線スペクトルのうちの紫外線が管内に塗布された蛍光体を励起して可視領域の光を発生させる。前記の原理から、ＰＤＰは駆動時に強度の電磁波を外部へ漏洩させることが知られている。

このような電磁波の外部への漏洩は、ディスプレイデバイスの近傍の電子機器の誤作動を招くなどの、電磁気的なノイズ妨害（ＥＭＩ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−ＭａｇｎｅｔｉｃＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）の原因になることが知られている。

ディスプレイデバイスからの電磁波の漏洩を抑制する方法としては、例えば、下記特許文献１及び２に示すような技術が開示されている。

下記特許文献１には、透明樹脂フィルム表面に接着剤を介して導電性メッシュを貼り合わせて形成される電磁波シールド性フィルムが開示されている。

また、下記特許文献２には、透明樹脂フィルムの表面にＩＴＯ等からなる透明無機導電層が設けられた電磁波シールド性フィルムが開示されている。
特開平１０−３３５８８５号公報 特開平５−３２３１０１号公報

しかしながら、上記特許文献に記載されたような従来の電磁波シールド性フィルムにおいては、可視光透過性と電磁波シールド性のバランスを制御することが困難であった。すなわち、透明樹脂フィルムに導電性メッシュを貼り合わせて形成される電磁波シールド性フィルムにおいては、電磁波シールド性を高めるためには、導電性メッシュの開口率を低くする必要があり、開口率が低くなればなるほど可視光透過性は低下することになる。また、可視光透過性を高めるためには、開口率を高くする必要があり、開口率が高くなればなるほど電磁波シールド性は低下する。

また、透明樹脂フィルムの表面にＩＴＯ等からなる透明導電薄膜を設けた構成の電磁波シールド性フィルムにおいては、電磁波シールド性を高めるためには、フィルム表面の表面抵抗値を下げるために透明導電薄膜の厚みを厚くする必要がある。そして、前記厚みが厚くなればなるほど可視光透過性は低下する。一方、可視光透過性を高めるためには、前記厚みを薄くする必要があり、前記厚みが薄くなればなるほど電磁波シールド性は低下する。

このように、従来の電磁波シールド性フィルムにおいては、可視光透過性を高めれば、電磁波シールド性が低下し、電磁波シールド性を高めれば、可視光透過性が低下するというトレードオフの関係にあり、両者をともに高めることは困難であった。

本発明は、電磁波シールド性フィルムにおける前記従来の課題を解決し、可視光透過性と高い電磁波シールド性とを兼ね備えた電磁波シールド性フィルムを提供するものである。

本発明者らは、前記課題を解決すべく、鋭意検討した結果、ディスプレイ装置前面から放射される電磁波は、周波数によりその強度が異なることに着目した。ここで、一般的なプラズマディスプレイから輻射される１ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数範囲における電磁波の強さ（ｄＢ）を、水平波と垂直波に分けて測定した結果を図１１に示す。図１１に示すように、電磁波の強さは周波数により異なる。

本発明者らは、従来から知られた電磁波シールド性フィルムとして、透明樹脂フィルムの表面にＩＴＯからなる透明導電薄膜を形成した構成の電磁波シールド性フィルム及び透明樹脂フィルムの表面に導電性メッシュを貼り合せた構成の電磁波シールド性フィルムがシールドする電磁波の周波数特性を測定した。

すると、驚くべきことに、両者においてはシールドする電磁波の周波数特性が大きく異なっていた。具体的には、ＩＴＯからなる透明導電薄膜を形成した構成の電磁波シールド性フィルムは高周波数領域においてはシールド効果が非常に低く、導電性メッシュを貼り合せた構成の電磁波シールド性フィルムは３００ＭＨｚ付近までの低周波領域におけるシールド効果が低かった。

図１１に示すように、図１１（ａ）に示される電磁波の水平波においては、８０ＭＨｚ付近に６０ｄＢ程度のピークが、また、６００ＭＨｚ付近に５０ｄＢ程度のピークがある。また、図１１（ｂ）に示される垂直波においては１００ＭＨｚ付近に６０ｄＢ程度のピークがある。従って、このような周波数によって異なる電磁波全てを従来の電磁波シールド性フィルムを用いてシールドするためには、ＩＴＯからなる透明導電薄膜を形成した構成の電磁波シールド性フィルムを用いる場合には透明導電薄膜の膜厚を厚くする必要があり、また、導電性メッシュを貼り合せた構成の電磁波シールド性フィルムを用いる場合には、導電性メッシュの開口率を下げるしかなかった。この場合には可視光透過率が低下する。

本発明者らは、前記それぞれの構成の電磁波シールド性フィルムのシールド特性の周波数依存性に着目し、種々検討した結果、導電性メッシュと透明導電薄膜とを両者が接触するように形成した導電薄膜付導電性メッシュによれば幅広い範囲の周波数の電磁波を効率的にシールドできることを見出した。

すなわち、ＩＴＯ等の透明導電薄膜と導電性メッシュとを接触するように形成した導電薄膜付導電性メッシュを用いることにより、導電性メッシュの開口率を低くしたり、透明導電薄膜の厚みを厚くして可視光透過性を低下させて電磁波シールド性を高めなくとも、可視光透過性を維持しながら幅広い周波数領域において電磁波シールド性を高めることができることを見出した。

本発明の導電薄膜付導電性メッシュは、透明導電薄膜と、透明導電薄膜に接触するように被着された導電性メッシュとを備えることを特徴とするものである。このような構成の導電薄膜付導電性メッシュをディスプレイ装置前面に配設することにより、幅広い周波数領域での高い電磁波シールド性と高い可視光透過率の電磁波シールドを実現することができる。

前記導電薄膜付導電性メッシュにおいては、前記透明導電薄膜の表面抵抗が１０^５Ω／ｓｑ以下であることがシールド性能に優れている点から好ましい。本発明の導電薄膜付導電性メッシュにおいては、前記のような比較的高い表面抵抗の透明導電薄膜でも、導電性メッシュと接触するように被着することにより、充分な電磁波シールド性を示す。

また、本発明の電磁波シールド性フィルムは、透明支持体と、前記透明支持体に被着された導電性メッシュと、前記透明支持体表面の前記導電性メッシュが形成する開口部の領域に前記導電性メッシュと接触するように形成された透明導電薄膜とを備えることを特徴とするものである。このような構成の電磁波シールド性フィルムをディスプレイ装置前面に配設することにより、幅広い周波数領域での高い電磁波シールド性と可視光透過率を実現することができる。

前記透明支持体としては透明熱可塑性樹脂フィルムであることが好ましい。透明熱可塑性樹脂フィルムを用いた場合には、ディスプレイ装置前面に密着させて配設することが容易である。

また、電磁波シールド性フィルムの製造方法は、透明樹脂フィルムに金属箔を被着する箔被着工程と、前記箔被着工程で被着された金属箔を所定の形状パターンでエッチングすることにより導電性メッシュを形成する導電性メッシュ形成工程と、前記導電性メッシュが形成された側の透明樹脂フィルムの表面に前記導電性メッシュと接触するように透明導電薄膜を形成させる透明導電薄膜形成工程とを備えることを特徴とするものである。

前記透明導電薄膜形成工程における透明導電薄膜の形成は、スパッタリング法、蒸着法及びコーティング法から選ばれる少なくとも１種の薄膜形成方法により形成することが所望の厚みの透明導電薄膜を容易に形成することができる点から好ましい。

また、前記箔被着工程としては、非晶性ポリエチレンテレフタレート系樹脂等の透明熱可塑性樹脂フィルムに金属箔を圧着することによる工程を用いることが好ましい。圧着により金属箔を透明熱可塑性樹脂フィルムに直接貼り合わせることにより、従来のように透明熱可塑性樹脂フィルムに接着剤層が形成されることがない。従って、前記接着剤層と前記フィルムとの屈折率の差による可視光透過性の低下を抑制することができる。なお、本発明における「圧着」とは、熱可塑性の透明樹脂フィルムに金属箔を接着層等を介することなく、加熱下で加圧されて、直接接合されていることを意味するものである。

さらに、前記電磁波シールド性フィルムの製造方法においては、前記導電性メッシュ形成工程において導電性メッシュが形成された面を平坦化するためのプレス工程を備えることが好ましい。このようなプレス工程により、導電性メッシュが形成された面を平坦化した場合には、導電性メッシュは透明熱可塑性樹脂フィルム内に埋め込まれ、導電性メッシュの上部表面のみが露出する。この場合、その導電性メッシュが埋め込まれた透明熱可塑性樹脂フィルムの表面を平滑な状態でフィルム全面に対して導電層が形成されるために、表面抵抗が低い面を形成することができる。

また、電磁波シールド性フィルムの製造方法としては、透明樹脂フィルムに金属箔を被着する箔被着工程と、前記箔被着工程で被着した金属箔を所定の形状パターンでエッチングして導電性メッシュを形成する導電性メッシュ形成工程と、透明基板表面に形成した透明導電薄膜を前記導電性メッシュと接触するように対向させて貼り合わせる透明導電薄膜の貼合わせ工程とを備える製造方法は、本発明の電磁波シールド性フィルムが簡便に得られる点から好ましい。

なお、前記貼合わせ工程で貼合わせる面の少なくとも何れか一面がプラズマ処理又はコロナ放電処理が施されたものである場合には、貼り合わせ面の密着強度が高くなるために、工業製品として信頼性の高い電磁波シールド性フィルムが得られる。

本発明の導電薄膜付導電性メッシュ及び電磁波シールド性フィルムは、高い可視光透過性と幅広い周波数領域での高い電磁波シールド性とを備えた電磁波シールド部材である。

また、本発明の電磁波シールド性フィルムの製造方法によれば、上記優れた効果を奏する本発明の電磁波シールド性フィルムを容易に製造することができる。

以下に、本発明の内容を具体的に説明する。

本発明の導電薄膜付導電性メッシュは、透明導電薄膜と、前記透明導電薄膜に接触するように被着された導電性メッシュとを備えることを特徴とする。

図１は本発明の導電薄膜付導電性メッシュの構成の模式的説明図である。図１（a）に示す導電性メッシュ１には、開口部１１が形成されている。一方、図１（b）の２は透明導電薄膜を示す。図１（ｃ）に示す本発明の導電薄膜付導電性メッシュ３は前記導電性メッシュ１と透明導電薄膜２とが接触するように被着された構成である。

このような、導電薄膜付導電性メッシュは、例えば、電磁波シールド性フィルムのような形態で用いられる。

本発明の電磁波シールド性フィルムは、透明支持体と、前記透明支持体に被着された導電性メッシュと、前記透明支持体表面の前記導電性メッシュが形成する開口部の領域に前記導電性メッシュと接触するように形成された透明導電性薄膜とを備えることを特徴とするものである。

本発明における透明支持体とは、透明樹脂フィルムやガラス等が挙げられる。

前記透明樹脂フィルムとしては、透明熱可塑性樹脂フィルムが好ましく用いられ、より好ましくは、軟化温度が２００℃以下の樹脂からなる全可視光透過率が７０％以上の透明熱可塑性樹脂フィルムが用いられる。尚、軟化温度は動的粘弾性の測定により確認することができる。具体的には、粘弾性測定装置において試験片に引張応力を与え、その応答によって測定される損失正接（ｔａｎδ）を測定したときにｔａｎδがピークを示す温度である。

前記透明熱可塑性樹脂フィルムの具体例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート系樹脂，ポリエチレンナフタレート系樹脂，ポリブチレンテレフタレート系樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂，ポリプロピレン系樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリメチレンメタクリレート系樹脂等の（メタ）アクリル系樹脂等の樹脂からなるフィルムであって、全可視光透過率が７０％以上のフィルムが挙げられる。これらの中では、透明性及び金属箔との密着性の点から、ポリエチレンテレフタレート系樹脂，ポリカーボネート系樹脂、及びポリエチレンテレフタレート系樹脂とポリカーボネート系樹脂とを含有する樹脂からなるフィルムが好ましい。

また、前記ポリエチレンテレフタレート系樹脂の中では、非晶性のポリエチレンテレフタレート系樹脂が、透明熱可塑性樹脂フィルムに導電性メッシュを熱圧着により被着する際に、圧着強度が高く、また、熱圧着後に除冷しても結晶性ポリエチレンテレフタレート系樹脂のような白化が起こらず透明性を維持することができる点で、特に好ましい。

このような非晶性のポリエチレンテレフタレート系樹脂とは、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンテレフタレートのエチレングリコール単位の一部を１，４−シクロヘキサンジメタノール等のシクロヘキサンジメタノール単位で置換した分子構造を有する非晶性の共重合ポリエステルである。

上記非晶性のポリエチレンテレフタレートの具体例としては、例えば、大倉工業（株）製のオースター（登録商標）、リケンテクノス（株）製のRIVESTAR（登録商標）、三菱樹脂（株）製のペテルス（登録商標），ディアフィクス（登録商標）、筒中プラスチック工業（株）製のペットエース（登録商標）、タマポリ（株）製のハイトロンPG、太平化学製品（株）製のPETGフィルムシート、等が挙げられる。

一方、本発明における導電性メッシュとは、金属箔や導電性繊維等の導電材料から形成される所定の開口部と線幅を有する幾何学形状の導電性のメッシュである。

例えば金属箔からなる導電性メッシュは、透明熱可塑性樹脂フィルム等の透明支持体に金属箔を熱圧着もしくは接着したのちに、公知のマイクロリソグラフィの手法等を用いて、ケミカルエッチングすることにより形成することができる。

前記金属箔としては、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、銀、ステンレス、タングステン、クロム、チタンなどの金属、又はこれらを含有する合金からなる、厚さ０．１〜４０μｍ、好ましくは５〜１８μｍの金属箔が挙げられる。これらの中では、電磁波シールド性に優れている点や導電性メッシュを形成するためのエッチング加工が容易な点及び透明支持体との密着性の点から銅箔、アルミニウム箔またはニッケル箔が好ましい。

形成される導電性メッシュの開口部の形状としては、例えば、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは正の整数）、円、楕円、星型などを組み合わせた模様があり、これらの単位の単独の繰り返し、あるいは２種類以上の組み合わせが挙げられる。

導電性メッシュの配線幅は、４０μｍ以下、さらには、２５μｍ以下が好ましい。また、前記配線幅が細すぎる場合には表面抵抗が大きくなって電磁波シールド性が低下するために１μｍ以上であることが好ましい。

配線厚みは４０μｍ以下が好ましい。また、薄すぎる場合には表面抵抗が大きくなって電磁波シールド性が低下するために、０．５μｍ以上が好ましく、さらに１μｍ以上、とくには５μｍ以上が好ましい。

配線間の間隔は大きいほど可視光の透過率が向上するが、前記間隔が大きくなり過ぎると、電磁波シールド性が低下する。従って、前記間隔は１００μｍ以上で、１０００μｍ（１ｍｍ）以下とするのが好ましい。

また、導電性メッシュの開口率としては、５０％以上、更には６０％以上であることが可視光の透過率が優れる点から好ましい。前記開口率とは、電磁波シールド性フィルムの有効面積に対する前記有効面積から導電性メッシュ部分の面積を引いた面積の割合（百分率）である。

本発明における透明導電薄膜とは、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）薄膜等の透明性の金属酸化物膜や、透明導電樹脂等からなる薄膜が挙げられる。このような薄膜は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法、スプレー熱分解法、化学めっき法、電気めっき法、コーティング法またはこれらを組み合わせた方法などの方法により形成することができる。

透明導電薄膜の膜厚は、薄過ぎると表面抵抗が大きくなり電磁波シールド性が低下し、厚過ぎると可視光透過性が低下することとなる。本発明においては、透明導電薄膜の表面抵抗は、好ましくは、１０^５Ω／ｓｑ以下であり、さらに好ましくは４０００Ω／ｓｑ以下である。従って、その膜厚は、前記範囲の表面抵抗値を示すような範囲で形成することが好ましい。

本発明における透明導電薄膜は、前記透明支持体表面の前記導電性メッシュが形成する開口部の領域に前記導電性メッシュと接触するように形成される。このように透明導電薄膜を形成することにより、透明導電薄膜と導電性メッシュとが電気的に接続されることになり、幅広い周波数領域で高い電磁波シールド性を示す。なお、前記透明導電薄膜の形成は、前記透明支持体表面の前記開口部の領域のみに限定するものではなく、少なくとも前記透明支持体表面の前記開口部の領域において導電性メッシュと電気的に接続されるように形成されていればよい。

以下に本発明の電磁波シールド性フィルムの製造方法の一例について詳しく説明する。

（透明樹脂フィルムに金属箔を被着する箔被着工程）
透明樹脂フィルムに金属箔を被着させる方法としては、透明樹脂フィルム表面に接着剤を塗布して、金属箔を貼り合わせる方法や、熱可塑性樹脂フィルムに接着剤を使わずに直接圧着する方法が用いられる。

箔被着工程としては、特に、熱可塑性樹脂フィルムに接着剤を使わずに圧着する方法が好ましく用いられる。この場合、熱可塑性樹脂フィルムとして、非晶性ポリエチレンテレフタレート系樹脂からなるフィルムを用い、その表面に金属箔を載置し、熱プレスにより貼り合わせる方法を用いることが好ましい。この方法によれば、熱圧着により透明熱可塑性樹脂フィルムに金属箔を直接貼り合わせることができ、従来の接着剤等を用いた接着方法のように透明熱可塑性樹脂フィルム表面に接着剤層が形成されない。従って、前記接着剤層と前記フィルムとの屈折率の差に起因する可視光透過性の低下を抑制することができる。

前記熱プレスの条件は透明樹脂フィルムの種類によって適宜選ばれる。具体的な一例としては、例えば、透明樹脂フィルムとして、厚み２５〜２５０μｍ程度の非晶質のポリエチレンテレフタレート系樹脂からなる透明樹脂フィルムを用いる場合には、熱プレスの設定温度は８０〜１３０℃程度であって、プレス圧３ＭＰａ程度の圧力で、１５〜９０分間程度プレスする条件が挙げられる。

なお、前記圧着の際には、前記の被圧着面はプラズマ処理又はコロナ放電処理等により表面処理されていることが、金属箔との密着性を高める点から好ましい。また、圧着される金属箔の表面は、粗化された面であることが好ましい。

（導電性メッシュ形成工程）
前記工程において得られた、透明樹脂フィルムに被着された金属箔を例えば、マイクロリソグラフィの方法によりマスクパターンを用いて、所望のパターンの導電性メッシュが形成される。

前記マイクロリソグラフィの種類としては、フォトリソグラフィ、Ｘ線リソグラフィ、電子線リソグラフィ、イオンビームリソグラフィ、スクリーン印刷法などが挙げられる。これらの中でも、加工精度、簡便性及び量産性の点からフォトリソグラフィが好ましく、特に、ケミカルエッチング法を用いたフォトリソグラフィが好ましい。

なお、前記方法により形成された導電性メッシュは、さらに、導電性メッシュが形成された面を平坦化するためのプレス工程によりプレスして、導電性メッシュの上部露出表面と透明樹脂フィルムの表面とが略同一の高さになるように形成することが好ましい。

前記プレスする方法としては、形成された導電性メッシュが位置ずれしない程度の温度、具体的には、透明樹脂フィルムの軟化点と同等か、それよりもやや高い温度で導電性メッシュが形成された透明樹脂フィルムを平滑なプレス面で熱プレス方法が挙げられる。また、前記プレスの方法としてはローラーによる押圧方法を用いてもよい。

前記プレス工程について図２の模式説明図に基づいてさらに具体的に説明する。

図２（ａ）において、４は透明樹脂フィルム、１は透明樹脂フィルムに被着された導電性メッシュを示す。

図２（ａ）において、透明樹脂フィルム４の導電性メッシュ１が被着された側の表面全体を覆うように、離型フィルムを載置する。そして、前記離型フィルムを介して、前記表面全体に均等に圧力が掛かるようにして加熱・加圧プレスする。このような、加熱・加圧プレスにより図２（ｂ）のように、透明樹脂フィルム４に被着された導電性メッシュ１は、透明樹脂フィルム４に導電性メッシュ１の上部露出表面と透明樹脂フィルム４の表面とが略同一の高さになるように埋め込まれて、表面が平坦化される。

（透明導電薄膜形成工程）
透明導電薄膜を形成する方法としては、ＩＴＯ等の導電性材料を用いて、従来から知られた各種薄膜形成方法、具体的には、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法、スプレー熱分解法、化学めっき法、電気めっき法、コーティング法またはこれらを組み合わせた方法等が挙げられる。これらの中では、膜厚を容易に制御でき、また膜厚を均一にすることができる点から、スパッタリング法、化学蒸着法、真空蒸着法が好ましい。

上記説明したような方法により、本発明の電磁波シールド性フィルムを製造することができる。

なお、前記説明した製造方法においては、透明樹脂フィルム表面に予め導電性メッシュを形成させた後、透明導電薄膜形成工程において、透明樹脂フィルム表面に被着された前記導電性メッシュの開口部の透明支持体表面に前記導電性メッシュと接触するように透明導電薄膜を形成させる例を説明したが、この各工程の順序は特に限定されない。

すなわち、透明樹脂フィルム表面に前記透明導電薄膜形成工程における薄膜形成法を用いて前記透明導電薄膜を形成した後、前記透明導電薄膜表面に箔被着工程と同様の方法により金属箔を被着させ、さらに、前記導電性メッシュ形成工程と同様の方法を用いて導電性メッシュを形成させてもよい。

また、本発明の電磁波シールド性フィルムを得る別の方法としては、更に、以下のような方法を用いても良い。

すなわち、表面に透明導電薄膜が形成された透明基板を、前記透明基板表面に形成された透明導電薄膜を予め透明樹脂フィルム表面に形成された導電性メッシュと接触するように対向させて貼り合わせる方法（貼合わせ工程）によってもよい。

前記透明基板としては、厚み０．１〜５ｍｍ程度の透明樹脂基板やガラス基板が用いられる。

前記貼り合わせ工程による貼り合わせる方法としては、接着剤を用いた接着や、熱プレスにより圧着する方法が挙げられる。

前記貼合わせ工程による製造方法を図３の模式説明図を用いて具体的に説明する。

図３（ａ）において、４は透明樹脂フィルム、１は透明樹脂フィルムに被着された導電性メッシュを示す。

また、図３（ｂ）において、５１は透明基板５の表面に透明導電薄膜２が形成されてなる薄膜形成透明基板である。

図３（ｂ）に示すように、透明樹脂フィルム４の導電性メッシュ１が被着された側の表面に、薄膜形成透明基板５１を載置する。そして、前記薄膜形成透明基板５１の貼合わせ面の裏側から、前記貼合わせ面全体に均等に圧力が掛かるようにして熱プレスする。なお、熱プレスして、圧着する代わりに接着剤により貼合わせてもよい。

熱プレスの方法を用いた場合には、図３（ｃ）のように、透明樹脂フィルム４に被着された導電性メッシュ１の上部露出表面と透明樹脂フィルム４の表面とが略同一の高さになるように埋め込まれて、表面が平坦化される。そして、導電性メッシュ本体２と透明導電薄膜２とは接触するように形成されている。

（電磁波シールド性フィルムの構成例）
本発明の電磁波シールド性フィルムの構成例を以下に説明する。

図４は電磁波シールド性フィルムの構成の一形態を示す模式図である。３１は電磁波シールド性フィルム、１は導電性メッシュ、２は透明導電薄膜、４は透明樹脂フィルム、１１は導電性メッシュにより形成される開口部を示す。そして、導電性メッシュ１は透明樹脂フィルム４の表面に被着されており、また、開口部１１における透明樹脂フィルム４の表面及び導電性メッシュ１の表面には透明導電薄膜２が形成されている。そして、導電性メッシュ１と透明導電薄膜２とは接触するように形成されている。

図５は電磁波シールド性フィルムの構成の別の一形態を示す図である。図５中、３２は電磁波シールド性フィルム、１は導電性メッシュ、２は透明導電薄膜、４は透明樹脂フィルム、１１は導電性メッシュの開口部を示す。そして、透明樹脂フィルム４に被着された導電性メッシュ１は、透明樹脂フィルム４に導電性メッシュ１の上部露出表面と透明樹脂フィルム４の表面とが略同一の高さになるように埋め込まれて、表面が平坦化されている。そして、開口部１１における透明樹脂フィルム４の表面及び導電性メッシュ１の表面に透明導電薄膜２が形成されている。そして、導電性メッシュ２と透明導電薄膜２とは接触するように形成されている。

図６は電磁波シールド性フィルムの構成のさらに、別の一形態を示す図である。図６中、３３は電磁波シールド性フィルム、１は導電性メッシュ、２は透明導電薄膜、４は透明樹脂フィルム、１１は開口部を示す。そして、透明樹脂フィルム４の表面には透明導電薄膜２が形成されている。そして、その表面に、導電性メッシュ１が被着されている。そして、導電性メッシュ１と透明導電薄膜２とは接触するように形成されている。

（本発明の電磁波シールド性フィルムの用途）
本発明の電磁波シールド性フィルムは、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）等のディスプレイデバイス前面の表示面に配設することにより、表示面の可視光透過率を低下させずに、表示面から放射される電磁波を効果的に遮蔽することができる。

前記表示面に配設する手段としては、ＰＤＰ表面に直接接着剤や粘着剤を用いて貼り合わせるか、各種光学フィルム等と組み合わせて光学フィルター等の電磁波シールド用ディスプレイ構成体を形成し、前記構成体を貼り合わせてもよい。

以下に、本発明を実施例により更に詳しく説明する。なお、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。

（実施例１）
透明樹脂フィルムである、厚さ１００μｍで1辺１ｍの正方形の非晶性ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（大倉工業（株）製「オースター」、軟化温度１２０℃、屈折率１．５６７）の表面に、厚さ１２μmの電解銅箔（古河電気工業（株）製ＢＨ−ＷＳ）をその粗化面（Ｒａ０．２４μｍ）が前記フィルムと対向するように載置した後、１３０℃、３ＭＰａ、１０分間の条件で熱プレスすることにより圧着し、銅箔付透明樹脂フィルムを得た。

次に、前記銅箔付透明樹脂フィルムの銅箔表面にパターンが形成されたガラスマスクを配して、フォトリソグラフィプロセスにより、配線幅２５μｍ、格子間隔３００μｍの正方形格子のパターンの導電性メッシュを形成し、導電性メッシュが被着された透明樹脂フィルムを得た。

次に、この導電性メッシュが被着された透明樹脂フィルムの上下面に離型フィルムを配設し、１３０℃、３ＭＰａで１０分間、熱プレスすることにより、前記導電性メッシュが形成された面を平坦化した。

次に、前記透明樹脂フィルムの導電性メッシュが被着された側の表面にＩＴＯのスパッタリングを施し、厚さ約５００ÅのＩＴＯ導電薄膜を形成した。形成されたＩＴＯ薄膜の表面抵抗値は、前記透明樹脂フィルム上に厚さ約５００ÅのＩＴＯ導電薄膜のみを形成し、四探針法に従い表面抵抗値測定計（三菱化学（株）製のロレスター）により測定した。その結果、表面抵抗値は３００Ωであった。

なお、前記ＩＴＯ導電薄膜は前記表面をほぼ均質に被覆しているため、ＩＴＯ導電薄膜と導電性メッシュとは接触している。

得られた電磁波シールド性フィルムについて、以下の方法により、電磁波シールド性と可視光透過率を評価した。結果を表１に示す。
＜電磁波シールド性＞
ＫＥＣ（Kansai Electronic Industry Development Center）法に準じて、周波数範囲１ＭＨｚ〜１ＧＨｚ（１０００ＭＨｚ）の間の電磁波シールド性を測定した。結果を図７に示す。
＜可視光透過率＞
日本電色工業（株）製のヘイズメーターＮＤＨ２０００を用いて、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１（ＩＳＯ １３４６８−１に対応）の「プラスチック透明材料の全光線透過率の試験方法」に準じて、透過率を測定した。

（実施例２）
ＩＴＯ導電薄膜として、厚さ約８０ÅのＩＴＯ導電薄膜（表面抵抗値２０００Ω）を形成した以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド性フィルムを製造し、評価した。結果を表1及び図８に示す。

（実施例３）
厚み１００μｍの結晶性ＰＥＴフィルム表面に、ＩＴＯ導電薄膜として、表面抵抗値７０Ωになるように、厚さ約１１００ÅのＩＴＯ導電薄膜を形成し、導電薄膜形成透明フィルムを得た。そして、前記導電薄膜形成フィルムと実施例１で形成したのと同様の導電性メッシュが被着された透明樹脂フィルムとを、ＩＴＯ導電薄膜と導電性メッシュとが接触するように貼り合わせた。

具体的には、前記導電薄膜形成フィルム及び前記導電性メッシュが被着された透明樹脂フィルムを、前記ＩＴＯ導電薄膜が形成された面と前記導電性メッシュが形成された面とが対向するように貼り合わせ面を重ねた。そして、１３０℃、３ＭＰａの条件で１０分間熱プレスすることにより圧着した。なお、この熱プレスにより、前記ＩＴＯ導電薄膜と導電性メッシュとが接触した。結果を表1及び図９に示す。

（比較例１）
ＩＴＯ薄膜を形成しなかった以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド性フィルムを製造し、評価した。結果を表1及び図１０に示す。
（比較例２）
導電性メッシュを形成せずに、透明樹脂フィルムにＩＴＯ導電薄膜として、厚さ約１１００ÅのＩＴＯ導電薄膜（表面抵抗値７０Ω）のみを形成した以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド性フィルムを製造し、評価した。結果を表1及び図１０に示す。

（比較例３）
ＩＴＯ薄膜を形成せず、格子間隔３００μｍの正方形格子のパターンの導電性メッシュに代えて、格子間隔６００μｍの正方形格子のパターンの導電性メッシュを形成した以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド性フィルムを製造し、評価した。結果を表1に示す。
（比較例４）
ＩＴＯ薄膜を形成せず、格子間隔３００μｍの正方形格子のパターンの導電性メッシュに代えて、格子間隔９００μｍの正方形格子のパターンの導電性メッシュを形成した以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド性フィルムを製造し、評価した。結果を表1に示す。

実施例1〜実施例３で得られた電磁波シールド性フィルムは、表1及び図７〜図９に示される通り、１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの幅広い周波数領域において、高い電磁波シールド性と高い可視光透過率を実現している。

特に、表面抵抗値が３００ΩのＩＴＯ導電薄膜（厚さ約５００Å）とこの導電薄膜に接触するように形成した導電性メッシュとを備えた実施例１では、高い可視光透過率（７５％）を維持しながら２３０ＭＨｚ迄の低周波領域に加えて２３０〜１０００ＭＨｚの高周波領域においても高い電磁波シールド性を示している（図７）。すなわち、図７に示されたシールドレベルは、周波数１〜２３０ＭＨｚの領域において５５ｄＢ以上であり、ピーク値は１０ＭＨｚにおける９０ｄＢであって、また２３０〜６００ＭＨｚの領域では５０ｄＢ以上であり、６００ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの領域においても４１ｄＢ以上である。

一方、一般的なプラズマディスプレイから輻射されるノイズ特性を示す図１２によれば、２３０〜１０００ＭＨｚの領域において必要とされるシールド特性は、概略４０ｄＢ以上であるが、実施例１ではこの領域におけるシールド特性の最小値は前記４１ｄＢであるので、要求特性を充分満たしている。

また、表面抵抗値が２０００ΩのＩＴＯ導電薄膜を形成した実施例２の電磁波シールド性フィルムでは、シールドレベルは実施例１よりは低下しているが、３０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの全範囲で４０ｄＢ以上であり、また、可視光透過率は７６％であり、高い電磁波シールド性と可視光透過率を維持していることがわかる。

また、実施例１及び実施例２とは異なる製法で得られた実施例３の電磁波シールド性フイルムにおいても、高い電磁波シールド性と可視光透過率を維持していることがわかる。

一方、図１０より、導電性メッシュが形成されたのみの構成の比較例１の電磁波シールド性フィルムは、３００ＭＨｚ付近までのシールド効果が低い。また、図１０より、ＩＴＯ導電薄膜を形成したのみの構成の比較例２の電磁波シールド性フィルムは、高周波数領域でのシールド効果が非常に低いことがわかる。

また表１より、比較例１に比べて導電性メッシュの格子間隔が広く、開口率が高い比較例３の電磁波シールド性フィルムは、シールド特性が低く、この傾向は、さらに格子間隔が広く開口率が高い比較例４の電磁波シールド性フィルムでより顕著であった。

本発明の導電薄膜付導電性メッシュの模式的構成の説明図である。 本発明の電磁波シールド性フィルムの製造方法に関する模式的説明図である。 本発明の電磁波シールド性フィルムの別の製造方法に関する模式的説明図である。 本発明の電磁波シールド性フィルムの一形態を示す模式的断面図である。 本発明の電磁波シールド性フィルムの別の一形態を示す模式的断面図である。 本発明の電磁波シールド性フィルムのさらに別の一形態を示す模式的断面図である。 実施例１の電磁波シールド性フィルムのシールド特性を示す図である。 実施例２の電磁波シールド性フィルムのシールド特性を示す図である。 実施例３の電磁波シールド性フィルムのシールド特性を示す図である。 比較例１及び比較例２の電磁波シールド性フィルムのシールド特性を示す図である。 プラズマディスプレイから輻射されるノイズ特性を示す図である。

符号の説明

１ 導電性メッシュ
２ 透明導電薄膜
３ 透明導電薄膜付導電性メッシュ
４ 透明支持体（透明熱可塑性樹脂フィルム）
５ 透明基板
１１ 導電性メッシュの開口部
３１、３２、３３ 電磁波シールド性フィルム
５１ 薄膜形成透明基板

Claims (11)

1. 透明導電薄膜と、前記透明導電薄膜に接触するように被着された導電性メッシュとを備えることを特徴とする導電薄膜付導電性メッシュ。
2. 前記透明導電薄膜の表面抵抗が１０^５Ω／ｓｑ以下である請求項１に記載の導電薄膜付導電性メッシュ。
3. 電磁波シールド性フィルムにおいて、
   透明支持体と、前記透明支持体に被着された導電性メッシュと、前記透明支持体表面の前記導電性メッシュが形成する開口部の領域に前記導電性メッシュと接触するように形成された透明導電薄膜とを備えることを特徴とする電磁波シールド性フィルム。
4. 前記透明支持体が透明熱可塑性樹脂フィルムである請求項３に記載の電磁波シールド性フィルム。
5. 透明樹脂フィルムに金属箔を被着する箔被着工程と、前記箔被着工程で被着された金属箔を所定の形状パターンでエッチングすることにより導電性メッシュを形成する導電性メッシュ形成工程と、及び前記導電性メッシュが形成された側の透明樹脂フィルムの表面に前記導電性メッシュと接触するように透明導電薄膜を形成させる透明導電薄膜形成工程とを備えることを特徴とする電磁波シールド性フィルムの製造方法。
6. 前記透明導電薄膜形成工程における透明導電薄膜の形成が、スパッタリング法、蒸着法及びコーティング法から選ばれる少なくとも１種の薄膜形成方法により形成するものである請求項５に記載の電磁波シールド性フィルムの製造方法。
7. 前記箔被着工程が透明熱可塑性樹脂フィルムに金属箔を圧着することによるものである請求項５または請求項６に記載の電磁波シールド性フィルムの製造方法。
8. 前記透明熱可塑性樹脂フィルムが非晶性ポリエチレンテレフタレート系樹脂である請求項７に記載の電磁波シールド性フィルムの製造方法。
9. 前記導電性メッシュ形成工程において導電性メッシュが形成された面を平坦化するためのプレス工程を備える請求項５〜８の何れか１項に記載の電磁波シールド性フィルムの製造方法。
10. 透明樹脂フィルムに金属箔を被着する箔被着工程と、前記箔被着工程で被着した前記金属箔を所定の形状パターンでエッチングして導電性メッシュを形成する導電性メッシュ形成工程と、及び透明基板表面に形成した透明導電薄膜を前記導電性メッシュと接触するように対向させて貼り合わせる透明導電薄膜の貼合わせ工程とを備えることを特徴とする電磁波シールド性フィルムの製造方法。
11. 前記貼合わせ工程で貼合わせる面の少なくとも何れか一面がプラズマ処理又はコロナ放電処理が施されたものである請求項１０に記載の電磁波シールド性フィルムの製造方法。

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