JPH11160532A - 電磁波シールド付き光学フィルタ - Google Patents
電磁波シールド付き光学フィルタInfo
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- JPH11160532A JPH11160532A JP9328951A JP32895197A JPH11160532A JP H11160532 A JPH11160532 A JP H11160532A JP 9328951 A JP9328951 A JP 9328951A JP 32895197 A JP32895197 A JP 32895197A JP H11160532 A JPH11160532 A JP H11160532A
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透過率が高く、近赤外領域を含めた電磁波シ
ールド性の高い低表面反射率を有する電磁波シールド付
き光学フィルタを提供する。 【解決手段】 ガラス基板１上に有機系近赤外線吸収剤
含有樹脂層２を形成し、その上面にＩＴＯ層３及び金属
メッシュ４を形成し、さらに金属メッシュの上面、及び
ガラス基板の下面に反射防止層５を設ける、またはガラ
ス基板１上に有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層２を形成
し、その上面に金属メッシュ４を形成し、有機系近赤外
線吸収剤含有樹脂層及び金属メッシュの上面にＩＴＯ層
３を設け、ＩＴＯ層の上面、及びガラス基板の下面に反
射防止層を設けることにより有機系近赤外線吸収剤が空
気と反応して近赤外線の吸収率を低下させることがなく
なる。また反射率の異なるＩＴＯ層及び反射防止層を積
層したことにより電磁波の遮断率を向上させることがで
きる。
ールド性の高い低表面反射率を有する電磁波シールド付
き光学フィルタを提供する。 【解決手段】 ガラス基板１上に有機系近赤外線吸収剤
含有樹脂層２を形成し、その上面にＩＴＯ層３及び金属
メッシュ４を形成し、さらに金属メッシュの上面、及び
ガラス基板の下面に反射防止層５を設ける、またはガラ
ス基板１上に有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層２を形成
し、その上面に金属メッシュ４を形成し、有機系近赤外
線吸収剤含有樹脂層及び金属メッシュの上面にＩＴＯ層
３を設け、ＩＴＯ層の上面、及びガラス基板の下面に反
射防止層を設けることにより有機系近赤外線吸収剤が空
気と反応して近赤外線の吸収率を低下させることがなく
なる。また反射率の異なるＩＴＯ層及び反射防止層を積
層したことにより電磁波の遮断率を向上させることがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰにより発生
する近赤外線及び電磁波を遮断することができる電磁波
シールド付き光学フィルタに関する。
する近赤外線及び電磁波を遮断することができる電磁波
シールド付き光学フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパ
ネル）を用いた映像表示装置では、ＰＤＰの表示画面が
平面であるため、外光が差し込んだ場合に広い範囲で反
射した光が同時に目に入り、画面が見にくくなることが
ある。またＰＤＰは青色を発光する蛍光体が青色以外に
僅かではあるが赤色を発光するという特性を有している
ため、青色に表示されるべき部分が紫がかった色で表示
されるという問題がある。
ネル）を用いた映像表示装置では、ＰＤＰの表示画面が
平面であるため、外光が差し込んだ場合に広い範囲で反
射した光が同時に目に入り、画面が見にくくなることが
ある。またＰＤＰは青色を発光する蛍光体が青色以外に
僅かではあるが赤色を発光するという特性を有している
ため、青色に表示されるべき部分が紫がかった色で表示
されるという問題がある。
【０００３】また、ＰＤＰの管内に封入されているキセ
ノンガスの分子が放電によって励起し、紫外領域から近
赤外領域に至る広い波長範囲の線スペクトルを発生す
る。このうちの紫外線により管内に塗布されている蛍光
体を励起して可視領域の光を発生するが、近赤外領域の
線スペクトルの一部は表面ガラスを通って管外へ放出さ
れる。この線スペクトルはリモートコントロール装置あ
るいは光通信機器等で使用する発光ダイオードの発光ス
ペクトルの中心波長に近い波長であるため、装置の近傍
でリモートコントロール装置を使用した場合にこれらの
機器の動作に支障を生じる恐れがある。
ノンガスの分子が放電によって励起し、紫外領域から近
赤外領域に至る広い波長範囲の線スペクトルを発生す
る。このうちの紫外線により管内に塗布されている蛍光
体を励起して可視領域の光を発生するが、近赤外領域の
線スペクトルの一部は表面ガラスを通って管外へ放出さ
れる。この線スペクトルはリモートコントロール装置あ
るいは光通信機器等で使用する発光ダイオードの発光ス
ペクトルの中心波長に近い波長であるため、装置の近傍
でリモートコントロール装置を使用した場合にこれらの
機器の動作に支障を生じる恐れがある。
【０００４】さらにＰＤＰの駆動に伴って電磁波が発生
し、僅かではあるが外部に漏洩する。情報処理装置等に
は装置外部への電磁波の漏洩についての規制値が設けら
れているので電磁波の漏洩レベルを規制値以下に抑える
必要がある。
し、僅かではあるが外部に漏洩する。情報処理装置等に
は装置外部への電磁波の漏洩についての規制値が設けら
れているので電磁波の漏洩レベルを規制値以下に抑える
必要がある。
【０００５】上記のＰＤＰの特性による問題点を解決す
るために、カラーＰＤＰ用光学フィルタに要求される機
能の主なものとして、濃度調整機能、画面反射防止機
能、電磁波シールド機能、近赤外線吸収機能、画面保護
機能等が挙げられる。
るために、カラーＰＤＰ用光学フィルタに要求される機
能の主なものとして、濃度調整機能、画面反射防止機
能、電磁波シールド機能、近赤外線吸収機能、画面保護
機能等が挙げられる。
【０００６】また、電磁波のシールド性の付加と同時に
画質を劣化させずに光の透過率を大きくし、モアレをで
きるだけ発生させないことも必要となる。さらに透明基
板にプラスチック基板を用いた場合、ＰＤＰの発熱によ
りプラスティック基板に熱伸縮とソリが発生する。この
ＰＤＰの発熱に耐えることができる基板も必要となる。
またアースを取りやすくすることも必要である。
画質を劣化させずに光の透過率を大きくし、モアレをで
きるだけ発生させないことも必要となる。さらに透明基
板にプラスチック基板を用いた場合、ＰＤＰの発熱によ
りプラスティック基板に熱伸縮とソリが発生する。この
ＰＤＰの発熱に耐えることができる基板も必要となる。
またアースを取りやすくすることも必要である。
【０００７】光学的フィルタが電磁波シールド機能を果
たすために、従来より提案されてきた方法としては、 基板全面にＩＴＯ層を形成する方法 金属メッシュパターンを基板上に形成する方法 ワイヤーメッシュを基板上に形成する方法 銀の蒸着膜と誘電膜を交互に重ねたものを基板上に
重ねる方法 等がある。
たすために、従来より提案されてきた方法としては、 基板全面にＩＴＯ層を形成する方法 金属メッシュパターンを基板上に形成する方法 ワイヤーメッシュを基板上に形成する方法 銀の蒸着膜と誘電膜を交互に重ねたものを基板上に
重ねる方法 等がある。
【０００８】本発明と技術分野が類似する従来例１とし
ての特開平９−１４５９１８号公報の「フィルタ装置」
は、ＰＤＰの全面にフィルタ装置を設け、外光の反射、
発光色の補正、近赤外線の放出防止、電磁波の漏洩防止
を行うことを目的とし、フィルタの全面に微細な凹凸を
形成して外光の反射方向を散らして反射を目立たなく
し、あるいはＡＲコート層を設けてフィルタ体内に入っ
た光を複雑に屈折させて前方に殆ど戻らないようにし、
これらによって映像のコントラストが下がるのを防止
し、フィルタ基材に選択吸収フィルタ用の顔料を混合し
てＰＤＰの発する赤色成分を適宜に吸収し、青色が紫が
かって見えるのを防止し、赤外線吸収用のフィルタ層を
設けて近赤外領域の線スペクトルが外部に放出されるの
を防止し、電磁波遮断層を設けて情報処理等で規制され
ている電磁波の漏洩量の規制をクリアしやすくすること
を目的としている。
ての特開平９−１４５９１８号公報の「フィルタ装置」
は、ＰＤＰの全面にフィルタ装置を設け、外光の反射、
発光色の補正、近赤外線の放出防止、電磁波の漏洩防止
を行うことを目的とし、フィルタの全面に微細な凹凸を
形成して外光の反射方向を散らして反射を目立たなく
し、あるいはＡＲコート層を設けてフィルタ体内に入っ
た光を複雑に屈折させて前方に殆ど戻らないようにし、
これらによって映像のコントラストが下がるのを防止
し、フィルタ基材に選択吸収フィルタ用の顔料を混合し
てＰＤＰの発する赤色成分を適宜に吸収し、青色が紫が
かって見えるのを防止し、赤外線吸収用のフィルタ層を
設けて近赤外領域の線スペクトルが外部に放出されるの
を防止し、電磁波遮断層を設けて情報処理等で規制され
ている電磁波の漏洩量の規制をクリアしやすくすること
を目的としている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
何れの電磁波シールド方法においても一つの方法だけで
電磁波防止の機能を充分に果たすことができる訳ではな
く、複数の電磁波シールド材料を重ねて用いることが必
要となる。
何れの電磁波シールド方法においても一つの方法だけで
電磁波防止の機能を充分に果たすことができる訳ではな
く、複数の電磁波シールド材料を重ねて用いることが必
要となる。
【００１０】また上記の従来例１の光学的フィルタにお
いては、有機系近赤外線吸収材料を基板表面に施してい
るが、有機系近赤外線吸収材料を基板表面に施すと、空
気中の酸素と反応して吸収機能が低下し、適度な吸収効
果を長期間持続させることができないでいた。
いては、有機系近赤外線吸収材料を基板表面に施してい
るが、有機系近赤外線吸収材料を基板表面に施すと、空
気中の酸素と反応して吸収機能が低下し、適度な吸収効
果を長期間持続させることができないでいた。
【００１１】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、透過率が高く、近赤外領域を含め電磁波シ
ールド性の高い低表面反射率を有する電磁波シールド付
き光学フィルタを提供することを目的とする。
ものであり、透過率が高く、近赤外領域を含め電磁波シ
ールド性の高い低表面反射率を有する電磁波シールド付
き光学フィルタを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明の電磁波シールド付き光学フィルタは、ガラ
ス基板上に有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層を形成し、
その上面にＩＴＯ層及び金属メッシュを形成し、さらに
金属メッシュの上面、及びガラス基板の下面に反射防止
層を設ける、またはガラス基板上に有機系近赤外線吸収
剤含有樹脂層を形成し、その上面に金属メッシュを形成
し、有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層及び金属メッシュ
の上面にＩＴＯ層を形成し、さらにＩＴＯ層の上面、及
びガラス基板の下面に反射防止層を設けたことを特徴と
している。
めに本発明の電磁波シールド付き光学フィルタは、ガラ
ス基板上に有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層を形成し、
その上面にＩＴＯ層及び金属メッシュを形成し、さらに
金属メッシュの上面、及びガラス基板の下面に反射防止
層を設ける、またはガラス基板上に有機系近赤外線吸収
剤含有樹脂層を形成し、その上面に金属メッシュを形成
し、有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層及び金属メッシュ
の上面にＩＴＯ層を形成し、さらにＩＴＯ層の上面、及
びガラス基板の下面に反射防止層を設けたことを特徴と
している。
【００１３】上記の有機系近赤外線吸収剤含有樹脂は、
構造式
構造式
【００１４】
【化１】
【００１５】で表される有機系近赤外線吸収剤を含んだ
樹脂であるとよい。
樹脂であるとよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明の
電磁波シールド付き光学フィルタの実施の形態を詳細に
説明する。図１〜図３を参照すると本発明の電磁波シー
ルド付き光学フィルタの実施形態が示されている。尚、
図１は本発明の電磁波シールド付き光学フィルタの第１
の実施形態の構成を表す断面構成図、図２は本発明の電
磁波シールド付き光学フィルタの第２の実施形態を表す
断面構成図、図３は製造工程を説明するためのフローチ
ャートである。
電磁波シールド付き光学フィルタの実施の形態を詳細に
説明する。図１〜図３を参照すると本発明の電磁波シー
ルド付き光学フィルタの実施形態が示されている。尚、
図１は本発明の電磁波シールド付き光学フィルタの第１
の実施形態の構成を表す断面構成図、図２は本発明の電
磁波シールド付き光学フィルタの第２の実施形態を表す
断面構成図、図３は製造工程を説明するためのフローチ
ャートである。
【００１７】まず、図１を用いて本発明の電磁波シール
ド付き光学フィルタの第１の実施形態の構成を説明す
る。図１において、１はＰＤＰをカバーするためのガラ
ス基板、２はガラス基板１上に塗布される有機系近赤外
線吸収剤含有樹脂、３はＰＤＰにより発生する電磁波の
漏洩を防止するために塗布されるＩＴＯ層〔酸化インジ
ウム（In2O3)と二酸化錫（SnO2) の固溶体〕、４も３と
同様にＰＤＰにより発生する電磁波の漏洩を防止するた
めに設けられる金属メッシュ、５は屈折率の異なる膜を
複数重ねて表面反射率を低下させる働き、及びフィルタ
に入射した光を複雑に屈折させて前方に戻りにくくして
外光の反射による映像のコントラストの低下を防止する
働きをする反射防止層である。尚、反射防止層の形成方
法にはフィルムを貼る方法と反射防止剤を塗布する方法
等があり、それらいずれの方法で形成してもよい。
ド付き光学フィルタの第１の実施形態の構成を説明す
る。図１において、１はＰＤＰをカバーするためのガラ
ス基板、２はガラス基板１上に塗布される有機系近赤外
線吸収剤含有樹脂、３はＰＤＰにより発生する電磁波の
漏洩を防止するために塗布されるＩＴＯ層〔酸化インジ
ウム（In2O3)と二酸化錫（SnO2) の固溶体〕、４も３と
同様にＰＤＰにより発生する電磁波の漏洩を防止するた
めに設けられる金属メッシュ、５は屈折率の異なる膜を
複数重ねて表面反射率を低下させる働き、及びフィルタ
に入射した光を複雑に屈折させて前方に戻りにくくして
外光の反射による映像のコントラストの低下を防止する
働きをする反射防止層である。尚、反射防止層の形成方
法にはフィルムを貼る方法と反射防止剤を塗布する方法
等があり、それらいずれの方法で形成してもよい。
【００１８】本第１の実施形態は、ガラス基板１上に有
機系近赤外線吸収剤含有樹脂を塗布し、さらにその樹脂
を覆うようにＩＴＯ層を形成する。そしてＩＴＯ層の上
部に電磁波の漏洩を防ぐための金属メッシュを形成し、
上部の金属メッシュ及びＩＴＯ層と下部のガラス基板を
覆うように反射防止層を形成している。
機系近赤外線吸収剤含有樹脂を塗布し、さらにその樹脂
を覆うようにＩＴＯ層を形成する。そしてＩＴＯ層の上
部に電磁波の漏洩を防ぐための金属メッシュを形成し、
上部の金属メッシュ及びＩＴＯ層と下部のガラス基板を
覆うように反射防止層を形成している。
【００１９】これによりＰＤＰの画面に差し込んだ外光
は反射防止層により複雑に屈折され、前方に戻る率が下
がるので外光の反射による映像のコントラストの低下を
防ぐことができる。またＰＤＰにより放出される近赤外
線領域の線スペクトルは有機系近赤外線含有樹脂により
吸収され、ＰＤＰの近傍でリモートコントロール装置ま
たは光通信機器等を使用しても動作に支障をきたすこと
がなくなる。さらにＰＤＰにより漏洩される電磁波は金
属メッシュ及びＩＴＯ層により遮断することができる。
は反射防止層により複雑に屈折され、前方に戻る率が下
がるので外光の反射による映像のコントラストの低下を
防ぐことができる。またＰＤＰにより放出される近赤外
線領域の線スペクトルは有機系近赤外線含有樹脂により
吸収され、ＰＤＰの近傍でリモートコントロール装置ま
たは光通信機器等を使用しても動作に支障をきたすこと
がなくなる。さらにＰＤＰにより漏洩される電磁波は金
属メッシュ及びＩＴＯ層により遮断することができる。
【００２０】次に本実施形態に適用される有機系近赤外
線吸収剤について説明する。以下に本実施形態に適用さ
れる有機系近赤外線吸収剤の構造式を示す。
線吸収剤について説明する。以下に本実施形態に適用さ
れる有機系近赤外線吸収剤の構造式を示す。
【００２１】
【化２】
【００２２】上記の有機系近赤外線吸収剤は、一般的な
有機系近赤外線吸収材料と同じく空気中では酸素と反応
して近赤外線の吸収率を低下させるという特性を有して
いる。しかしこの有機系近赤外線吸収剤は（株）日本感
光性色素研究所の研究結果により酸素遮断下ではＰＤＰ
により放出される近赤外線領域の線スペクトルを最もよ
く吸収することが知られている。またＸは、
有機系近赤外線吸収材料と同じく空気中では酸素と反応
して近赤外線の吸収率を低下させるという特性を有して
いる。しかしこの有機系近赤外線吸収剤は（株）日本感
光性色素研究所の研究結果により酸素遮断下ではＰＤＰ
により放出される近赤外線領域の線スペクトルを最もよ
く吸収することが知られている。またＸは、
【００２３】
【化３】
【００２４】で表され、ｎは１〜７の値が好ましい。
【００２５】そこで本実施形態では、酸素遮断性の高い
ＩＴＯ層によりこの有機系近赤外線吸収剤含有樹脂を被
覆して空気と触れないようにした。これにより有機系近
赤外線吸収剤が酸素と反応して近赤外線吸収率を低下さ
せるという不具合を防止することができる。尚、有機系
近赤外線吸収剤は上記のものに限定されるものではな
く、その他一般的な有機系近赤外線吸収剤を用いても良
い。
ＩＴＯ層によりこの有機系近赤外線吸収剤含有樹脂を被
覆して空気と触れないようにした。これにより有機系近
赤外線吸収剤が酸素と反応して近赤外線吸収率を低下さ
せるという不具合を防止することができる。尚、有機系
近赤外線吸収剤は上記のものに限定されるものではな
く、その他一般的な有機系近赤外線吸収剤を用いても良
い。
【００２６】また、有機系近赤外線吸収材料を覆うＩＴ
Ｏ層の屈折率は１．８から１．９と大きいので、その上
に屈折率１．３５から１．４５の反射防止層を形成する
ことによりフィルタ内部に入射した光を複雑に屈折させ
て入射方向に戻りにくくすることができる。よって外光
の反射による映像のコントラストの低下を防止すること
ができる。
Ｏ層の屈折率は１．８から１．９と大きいので、その上
に屈折率１．３５から１．４５の反射防止層を形成する
ことによりフィルタ内部に入射した光を複雑に屈折させ
て入射方向に戻りにくくすることができる。よって外光
の反射による映像のコントラストの低下を防止すること
ができる。
【００２７】さらにＰＤＰの駆動等により発生する電磁
波を金属メッシュ及び有機系近赤外線吸収材料を覆った
ＩＴＯ層により吸収して外部への漏洩を防ぐことができ
る。
波を金属メッシュ及び有機系近赤外線吸収材料を覆った
ＩＴＯ層により吸収して外部への漏洩を防ぐことができ
る。
【００２８】次に図２を用いて本発明の電磁波シールド
付き光学フィルタの第２の実施形態の構成を説明する。
図２に示された本第２の実施形態はガラス基板１上に有
機系近赤外線吸収剤含有樹脂２を塗布し、有機系近赤外
線吸収剤含有樹脂の上部にまず金属メッシュ４を形成し
てから、それらをＩＴＯ層３により被覆し、基板両面に
反射防止層を形成している。
付き光学フィルタの第２の実施形態の構成を説明する。
図２に示された本第２の実施形態はガラス基板１上に有
機系近赤外線吸収剤含有樹脂２を塗布し、有機系近赤外
線吸収剤含有樹脂の上部にまず金属メッシュ４を形成し
てから、それらをＩＴＯ層３により被覆し、基板両面に
反射防止層を形成している。
【００２９】上記構成においても有機系近赤外線吸収剤
含有樹脂をＩＴＯ層によりコートして空気との接触を絶
つことができ、近赤外線の高吸収率を長期間に渡って維
持することができる。また屈折率の異なる材料を屈折率
の高い順に積層することにより外光の表面での反射率を
低下させることができる。
含有樹脂をＩＴＯ層によりコートして空気との接触を絶
つことができ、近赤外線の高吸収率を長期間に渡って維
持することができる。また屈折率の異なる材料を屈折率
の高い順に積層することにより外光の表面での反射率を
低下させることができる。
【００３０】次に図３を用いて上記の第１の実施形態の
電磁波シールド付き光学フィルタの製造工程を説明す
る。まずガラス基板上に（ＳＰ−９７０：メチルセロソ
ルプ：ＮＫ−２０１４＝２０：４０：０．３）を塗布す
る（ステップＳ１）。尚、ＮＫ−２０１４は（株）日本
感光性色素研究所の商品名である。本実施例ではスピン
ナー上に固定されたガラス基板に上記の有機系近赤外線
吸収材料を滴下後、８００ｒｐｍで１０秒間、回転させ
る。
電磁波シールド付き光学フィルタの製造工程を説明す
る。まずガラス基板上に（ＳＰ−９７０：メチルセロソ
ルプ：ＮＫ−２０１４＝２０：４０：０．３）を塗布す
る（ステップＳ１）。尚、ＮＫ−２０１４は（株）日本
感光性色素研究所の商品名である。本実施例ではスピン
ナー上に固定されたガラス基板に上記の有機系近赤外線
吸収材料を滴下後、８００ｒｐｍで１０秒間、回転させ
る。
【００３１】次に有機系近赤外線吸収材料を塗布された
ガラス基板にＩＴＯ層を形成する（ステップＳ２）。本
実施例ではＩＴＯ層〔酸化インジウム（In2O3)と二酸化
錫（SnO2) の固溶体〕をスパッタリングにより形成す
る。次にこのＩＴＯ層を形成したガラス基板を浸漬脱脂
する（ステップＳ３）。本実施例では脱脂剤として
（株）メルテックスのメルクリーナ１７０を適用してい
る。メルクリーナ１７０、１５ｇ／ｌにガラス基板を７
５℃で５分間浸漬させる。
ガラス基板にＩＴＯ層を形成する（ステップＳ２）。本
実施例ではＩＴＯ層〔酸化インジウム（In2O3)と二酸化
錫（SnO2) の固溶体〕をスパッタリングにより形成す
る。次にこのＩＴＯ層を形成したガラス基板を浸漬脱脂
する（ステップＳ３）。本実施例では脱脂剤として
（株）メルテックスのメルクリーナ１７０を適用してい
る。メルクリーナ１７０、１５ｇ／ｌにガラス基板を７
５℃で５分間浸漬させる。
【００３２】次にステップＳ３にて浸漬脱脂されたガラ
ス基板を水洗いし（ステップＳ４）、ガラス表面のコン
ディショニングを行う（ステップＳ５）。本実施例にお
いては、（株）メルテックスのメルプレートコンディシ
ョナー４８０を適用している。メルプレートコンディシ
ョナー４８０を用いて２５℃で５分間、ガラス基板のコ
ンディショニングを行う。
ス基板を水洗いし（ステップＳ４）、ガラス表面のコン
ディショニングを行う（ステップＳ５）。本実施例にお
いては、（株）メルテックスのメルプレートコンディシ
ョナー４８０を適用している。メルプレートコンディシ
ョナー４８０を用いて２５℃で５分間、ガラス基板のコ
ンディショニングを行う。
【００３３】次に表面のコンディショニングをしたガラ
ス基板を水洗いし（ステップＳ６）、ガラス表面にアク
チベイティングを行う（ステップ７）。本実施例では
（株）メルテックスのエンプレートアクチベータ４４０
を適用している。エンプレートアクチベータ４４０を用
いて２５℃で５分間アクチベーティング処理を行う。
ス基板を水洗いし（ステップＳ６）、ガラス表面にアク
チベイティングを行う（ステップ７）。本実施例では
（株）メルテックスのエンプレートアクチベータ４４０
を適用している。エンプレートアクチベータ４４０を用
いて２５℃で５分間アクチベーティング処理を行う。
【００３４】次にアクチベーティング処理したガラス基
板を水洗いし（ステップＳ８）、ニッケルめっきを塗布
する（ステップＳ９）。本実施例では（株）メルテック
スのメルプレート Ｎｉ−１４０２を適用している。メ
ルプレート Ｎｉ−１４０２を用いて７０℃で５分間、
ガラス基板上にニッケルのめっきを施す。
板を水洗いし（ステップＳ８）、ニッケルめっきを塗布
する（ステップＳ９）。本実施例では（株）メルテック
スのメルプレート Ｎｉ−１４０２を適用している。メ
ルプレート Ｎｉ−１４０２を用いて７０℃で５分間、
ガラス基板上にニッケルのめっきを施す。
【００３５】次にニッケルのめっきを施したガラス基板
を水洗いし（ステップＳ１０）、さらに乾燥させる（ス
テップＳ１１）。
を水洗いし（ステップＳ１０）、さらに乾燥させる（ス
テップＳ１１）。
【００３６】次にガラス基板の表面にレジストを塗布す
る（ステップＳ１２）。本実施例ではレジスト剤として
（株）東京応化工業のＴＬＣＲ−Ｐ８００８を適用して
いる。スピンナー上に固定された基板にレジスト剤を滴
下し、１５００ｒｐｍで１分間、回転させる。これによ
りガラス基板上にμｍオーダの薄いレジスト膜ができ
る。
る（ステップＳ１２）。本実施例ではレジスト剤として
（株）東京応化工業のＴＬＣＲ−Ｐ８００８を適用して
いる。スピンナー上に固定された基板にレジスト剤を滴
下し、１５００ｒｐｍで１分間、回転させる。これによ
りガラス基板上にμｍオーダの薄いレジスト膜ができ
る。
【００３７】そして レジスト剤を塗布したガラス基板
をプレベークする（ステップＳ１３）。このプレベーク
は１１０℃で２分間行う。ベークされたガラス基板は露
光（ステップＳ１４）、現像され（ステップＳ１５）、
水洗いされる（ステップＳ１６）。尚、本実施例では露
光は１００ｍｊ／cm2 で、また現像は０．８％濃度のＫ
ＯＨに２５℃で１分間、浸漬することにより行う。
をプレベークする（ステップＳ１３）。このプレベーク
は１１０℃で２分間行う。ベークされたガラス基板は露
光（ステップＳ１４）、現像され（ステップＳ１５）、
水洗いされる（ステップＳ１６）。尚、本実施例では露
光は１００ｍｊ／cm2 で、また現像は０．８％濃度のＫ
ＯＨに２５℃で１分間、浸漬することにより行う。
【００３８】水洗いされたガラス基板はエッチング液に
よりエッチングを行う（ステップＳ１７）。本実施例で
は（株）メルテックスのメリルストリープＭＮ−９５７
を適用している。４０℃のエッチング液にガラス基板を
１５０秒間浸漬する。
よりエッチングを行う（ステップＳ１７）。本実施例で
は（株）メルテックスのメリルストリープＭＮ−９５７
を適用している。４０℃のエッチング液にガラス基板を
１５０秒間浸漬する。
【００３９】次にエッチングされたガラス基板上に設け
られたレジスト膜を剥離する（ステップＳ１８）。本実
施例では（株）長瀬産業のＮ３０３を適用している。ガ
ラス基板をＮ３０３に６０秒間浸漬する。
られたレジスト膜を剥離する（ステップＳ１８）。本実
施例では（株）長瀬産業のＮ３０３を適用している。ガ
ラス基板をＮ３０３に６０秒間浸漬する。
【００４０】レジストを剥離したガラス基板を水洗いし
（ステップＳ１９）、乾燥させる（ステップＳ２０）。
そして反射防止フィルムをガラス基板両面にラミネート
する（ステップＳ２１）。本実施例では（株）旭硝子の
ＡＲＣＴＯＰ−ＵＲ２０１を用いている。これにより、
ガラス基板上に有機系近赤外線吸収剤含有樹脂が塗布さ
れその上部にＩＴＯ層と金属メッシュとが設けられ、反
射防止フィルムにて両面をラミネートした電磁波シール
ド板が完成する。
（ステップＳ１９）、乾燥させる（ステップＳ２０）。
そして反射防止フィルムをガラス基板両面にラミネート
する（ステップＳ２１）。本実施例では（株）旭硝子の
ＡＲＣＴＯＰ−ＵＲ２０１を用いている。これにより、
ガラス基板上に有機系近赤外線吸収剤含有樹脂が塗布さ
れその上部にＩＴＯ層と金属メッシュとが設けられ、反
射防止フィルムにて両面をラミネートした電磁波シール
ド板が完成する。
【００４１】上記の第１の実施形態及び第２の実施形態
の構成によりＰＤＰの画面に差し込んだ外光は反射防止
フィルムにより複雑に屈折され、前方に戻る率が下がる
ので外光の反射による映像のコントラストの低下を防ぐ
ことができ、さらにＰＤＰにより放出される近赤外領域
の線スペクトルは有機系近赤外線吸収剤含有樹脂により
吸収され、この装置の近傍でリモートコントロール装置
または光通信機器等を使用しても動作支障を生じること
がなく、さらにＰＤＰにより漏洩される電磁波は金属メ
ッシュ及びＩＴＯ層により遮断されることとなる。
の構成によりＰＤＰの画面に差し込んだ外光は反射防止
フィルムにより複雑に屈折され、前方に戻る率が下がる
ので外光の反射による映像のコントラストの低下を防ぐ
ことができ、さらにＰＤＰにより放出される近赤外領域
の線スペクトルは有機系近赤外線吸収剤含有樹脂により
吸収され、この装置の近傍でリモートコントロール装置
または光通信機器等を使用しても動作支障を生じること
がなく、さらにＰＤＰにより漏洩される電磁波は金属メ
ッシュ及びＩＴＯ層により遮断されることとなる。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように本発明の
電磁波シールド付き光学フィルタによれば、ガラス基板
上に有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層を形成し、その上
面にＩＴＯ層を形成し、ＩＴＯ層の上面に金属メッシュ
を形成し、金属メッシュ上面及びガラス基板の下面に反
射防止層を形成する、またはガラス基板上に有機系近赤
外線吸収剤含有樹脂層を形成し、その上面に金属メッシ
ュを形成し、有機系近赤外線吸収剤及び金属メッシュを
ＩＴＯ層により被覆し、基板の上下両面に反射防止層を
形成したことにより、ＰＤＰの画面に差し込んだ外光は
反射防止層により複雑に屈折され、前方に戻る率が下が
るので外光の反射による映像のコントラストの低下を防
ぐことができ、さらにＰＤＰにより放出される近赤外領
域の線スペクトルは有機系近赤外線吸収剤含有樹脂によ
り吸収され、ＰＤＰの近傍でリモートコントロール装置
または光通信機器等を使用しても動作支障を生じること
がなく、さらにＰＤＰにより漏洩される電磁波は金属メ
ッシュ及びＩＴＯ層により遮断することができる。
電磁波シールド付き光学フィルタによれば、ガラス基板
上に有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層を形成し、その上
面にＩＴＯ層を形成し、ＩＴＯ層の上面に金属メッシュ
を形成し、金属メッシュ上面及びガラス基板の下面に反
射防止層を形成する、またはガラス基板上に有機系近赤
外線吸収剤含有樹脂層を形成し、その上面に金属メッシ
ュを形成し、有機系近赤外線吸収剤及び金属メッシュを
ＩＴＯ層により被覆し、基板の上下両面に反射防止層を
形成したことにより、ＰＤＰの画面に差し込んだ外光は
反射防止層により複雑に屈折され、前方に戻る率が下が
るので外光の反射による映像のコントラストの低下を防
ぐことができ、さらにＰＤＰにより放出される近赤外領
域の線スペクトルは有機系近赤外線吸収剤含有樹脂によ
り吸収され、ＰＤＰの近傍でリモートコントロール装置
または光通信機器等を使用しても動作支障を生じること
がなく、さらにＰＤＰにより漏洩される電磁波は金属メ
ッシュ及びＩＴＯ層により遮断することができる。
【００４３】また有機系近赤外線吸収剤含有樹脂をＩＴ
Ｏ層で被覆して有機系近赤外線吸収剤が空気と触れない
ようにしたことにより有機系近赤外線吸収剤が酸素と反
応して近赤外線吸収率を低下させるという不具合を防止
することができる。
Ｏ層で被覆して有機系近赤外線吸収剤が空気と触れない
ようにしたことにより有機系近赤外線吸収剤が酸素と反
応して近赤外線吸収率を低下させるという不具合を防止
することができる。
【００４４】さらに有機系近赤外線吸収剤含有樹脂を覆
うＩＴＯ層の上部にＩＴＯ層よりも屈折率の低い反射防
止層を形成したことによりフィルタ内部に入射した光を
複雑に屈折させて入射方向に戻りにくくし、外光の反射
による映像のコントラストの低下を防止することができ
る。
うＩＴＯ層の上部にＩＴＯ層よりも屈折率の低い反射防
止層を形成したことによりフィルタ内部に入射した光を
複雑に屈折させて入射方向に戻りにくくし、外光の反射
による映像のコントラストの低下を防止することができ
る。
【図１】本発明の電磁波シールド付き光学フィルタの第
１の実施形態の構成を表す断面構成図である。
１の実施形態の構成を表す断面構成図である。
【図２】本発明の電磁波シールド付き光学的フィルタの
第２の実施形態の構成を表す断面構成図である。
第２の実施形態の構成を表す断面構成図である。
【図３】製造方法を説明するためのフローチャートであ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層 ３ ＩＴＯ層 ４ 金属メッシュ ５ 反射防止層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 17/49 Ｃ０９Ｂ 23/00 Ｌ Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ // Ｃ０９Ｂ 23/00 Ｚ
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上に有機系近赤外線吸収剤含
有樹脂層を形成し、その上面にＩＴＯ層及び金属メッシ
ュを形成し、さらに前記金属メッシュの上面、及び前記
ガラス基板の下面に反射防止層を設ける、または前記ガ
ラス基板上に前記有機系近赤外線吸収剤含有樹脂層を形
成し、その上面に前記金属メッシュを形成し、前記有機
系近赤外線吸収剤含有樹脂層及び前記金属メッシュの上
面に前記ＩＴＯ層を形成し、さらに前記ＩＴＯ層の上
面、及び前記ガラス基板の下面に反射防止層を設けたこ
とを特徴とする電磁波シールド付き光学フィルタ。 - 【請求項２】 前記有機系近赤外線吸収剤含有樹脂は、
構造式 【化１】 で表される有機系近赤外線吸収剤を含んだ樹脂であるこ
とを特徴とする請求項１記載の電磁波シールド付き光学
フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9328951A JPH11160532A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 電磁波シールド付き光学フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9328951A JPH11160532A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 電磁波シールド付き光学フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160532A true JPH11160532A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18215937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9328951A Pending JPH11160532A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 電磁波シールド付き光学フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11160532A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266312A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 導電薄膜付導電性メッシュ、電磁波シールド性フィルム及びその製造方法 |
| KR100946559B1 (ko) | 2006-08-02 | 2010-03-12 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 기능성 디스플레이용 필름 조성물 |
| JP2011095773A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-12 | Kyodo Printing Co Ltd | シールド材 |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP9328951A patent/JPH11160532A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266312A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 導電薄膜付導電性メッシュ、電磁波シールド性フィルム及びその製造方法 |
| KR100946559B1 (ko) | 2006-08-02 | 2010-03-12 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 기능성 디스플레이용 필름 조성물 |
| JP2011095773A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-12 | Kyodo Printing Co Ltd | シールド材 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040715 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061128 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070424 |