TWI636559B - 光學元件 - Google Patents

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TWI636559B
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藤井達也
細田啓次
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豪雅冠得光電股份有限公司
青島豪雅光電子有限公司
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Abstract

本發明提供一種光學元件,此光學元件不使玻璃基板的表面粗面化、形成了邊緣齊整的遮光板(遮光部)。在內裝有固體攝影元件的攝影裝置中使用的光學元件,包括:正反面具備朝向固體攝影元件的光入射的入射面和入射到入射面的光透過而朝向固體攝影元件出射的出射面的透明基板,以被覆入射面及出射面中的至少一面的方式形成的蝕刻阻擋層,形成在透明基板的中心部並透過光的一部分的透光部,以成框狀包圍透光部的外周的方式形成在蝕刻阻擋層上並將光的一部分遮住的遮光部。

Description

光學元件
本發明涉及一種光學元件,是配置在固體攝影元件前面的光學元件,特別是安裝於收納固體攝影元件的包裝的前面、對固體攝影元件進行保護並且用作透光窗的防護玻璃、用於固體攝影元件的可見度修正的近紅外線截止濾光片等光學元件。
近些年,內裝有CCD、CMOS等固體攝影元件的攝影元件被用於手機、可攜式資訊終端機器等。這樣的攝影元件具備收納固體攝影元件的陶瓷製、樹脂製的斗形包裝和被紫外線固化型黏合劑固附在包裝的周緣部並且對固體攝影元件進行密封的防護玻璃。
另外,一般而言,因為固體攝影元件從近紫外線區域到近紅外線區域具有分光靈敏度,所以具備阻斷入射光的近紅外部分並按接近人的可見度的方式進行修正的近紅外線截止濾光片的攝影元件也供實際使用。為了縮小攝影組件整體的尺寸,還提出了將防護玻璃和近紅外線截止濾光片的功能複合化的防護玻璃(例如,專利文獻1)。
另外,如果將這樣的防護玻璃等光學部件配置在固 體攝影元件的前面(即朝向固體攝影組件的光的光程中),則在防護玻璃的側面等反射的光入射到固體攝影元件的攝影面,由此引發出現反射光斑、重影等問題,所以還提出在防護玻璃和固體攝影元件之間設置遮光板,截斷成為重影等的原因的光的光程的構成(例如專利文獻2)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:國際公開第2011-055726號
專利文獻2:日本特開2006-141726號公報
專利文獻2中記載的遮光板將Cr(鉻)等黑色金屬蒸鍍在防護玻璃上,由此與防護玻璃一體形成。作為將Cr蒸鍍在防護玻璃上的方法,可以使用所謂的光刻法,經過(1)在玻璃基板上蒸鍍Cr的製程、(2)抗蝕劑圖案形成製程、(3)Cr的蝕刻製程(圖案化製程)、(4)抗蝕劑剝離製程,可以在玻璃基板上形成所希望的遮光板。
但是,像這樣地通過蝕刻形成遮光板的情況下,如果想要在玻璃基板上無蝕刻殘留物、形成邊緣齊整的遮光板,則上述在(3)Cr的蝕刻製程(圖案化製程)中必須將玻璃基板整體比較長時間地浸漬在蝕刻液中,所以蝕刻液不僅蝕刻Cr,也蝕刻玻璃基板的表面,存在導致粗面化的問題。如果玻璃基板的表面粗面化,則朝向固體攝影元件的光在玻璃基板的表面散亂,出 現透過率降低、產生反射光斑、析像度降低之類問題。
本發明是鑒於這樣的事情而實施的,其目的在於提供不使玻璃基板的表面粗面化、形成了邊緣齊整的遮光板(遮光部)的光學元件。
為了實現上述目的,本發明的光學元件是內裝有固體攝影元件的攝影裝置中使用的光學元件,包括:正反面具備朝向固體攝影元件的光入射的入射面、和入射到入射面的光透過而朝向固體攝影元件出射的出射面的透明基板,以被覆入射面及出射面中的至少一面的方式形成的蝕刻阻擋層,形成在透明基板的中心部、透過光的一部分的透光部,以成框狀包圍透光部的外周的方式形成在蝕刻阻擋層上並將光的一部分遮住的遮光部。
根據這樣的構成,在透明基板上形成蝕刻阻擋層,所以在透過光刻法形成遮光部的情況下,由蝕刻阻擋層阻止蝕刻,透明基板的表面不會被蝕刻液蝕刻。因此,透明基板的表面不會粗面化,能夠防止入射到透明基板表面的光的散亂,能夠由固體攝影元件得到析像度高的圖像。另外,因為能夠透過蝕刻阻擋層確實地阻止蝕刻,所以能夠將光學元件整體比較長時間地浸漬在蝕刻液中,能夠形成無蝕刻殘留、邊緣齊整的遮光部。
另外,光學元件可以進一步具有至少覆蓋透光部的功能膜。在該情況下,優選功能膜是具備防反射、切斷紅外線、切斷紫外線中的至少一種以上功能的光學薄膜。
另外,功能膜優選為順次層疊了Al2O3、ZrO2、MgF2 的防反射膜。根據這樣的構成,能夠抑制入射到光學元件的表面的光的反射,所以在固體攝影元件中光的導入效率升高。
另外,蝕刻阻擋層優選由SiO2、Al2O3或ZrO2的薄膜形成。
另外,在將光的中心波長設定為λ時,優選蝕刻阻擋層的光學膜厚大致為λ/2。根據這樣的構成,蝕刻阻擋層不會影響光學元件的光學性能,另外在光學元件的表面形成功能膜的情況下,容易進行膜設計。
另外,可以構成為蝕刻阻擋層的物理膜厚相對於透明基板的板厚為0.3~200.0ppm。根據這樣的構成,能夠抑制蝕刻阻擋層的膜應力導致透明基板翹曲。
另外,優選透明基板的板厚為0.1~1.0mm,蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~20.0nm。
另外,遮光部優選由至少包含Cr的薄膜形成。
另外,遮光部優選通過使用光刻法的蝕刻而形成。
另外,優選透光部的面積比固體攝影元件的受光面的面積大。
另外,光學元件優選為安裝在收納固體攝影元件的包裝的前面的防護玻璃。
另外,透明基板優選為吸收近紅外線區域的波長的光的近紅外線吸收玻璃。另外,在該情況下,優選近紅外線吸收玻璃是由含有Cu2+的氟磷酸鹽系玻璃、或含有Cu2+的磷酸鹽系 玻璃構成的。根據這樣的構成,能夠按固體攝影元件的分光靈敏度接近人的可見度的方式進行修正。
如上所述,根據本發明,實現不使玻璃基板的表面粗面化、形成了邊緣齊整的遮光部的光學元件。
1‧‧‧固體攝影設備
100、100A、100B‧‧‧防護玻璃
101‧‧‧玻璃基材
101a‧‧‧入射面
101b‧‧‧出射面
103‧‧‧蝕刻阻擋層
105‧‧‧遮光膜
110‧‧‧防反射膜
200‧‧‧固體攝影元件
300‧‧‧包裝
S‧‧‧遮光部
T‧‧‧透光部
第1圖是本發明的實施方式所涉及的防護玻璃的構成的說明圖。
第2圖是說明搭載了本發明的實施方式所涉及的防護玻璃的固體攝影設備的構成的縱截面圖。
第3圖是表示本發明的實施方式所涉及的防護玻璃的製造方法的流程圖。
第4圖是本發明的實施方式所涉及的防護玻璃的第一變形例的構成的說明圖。
第5圖是本發明的實施方式所涉及的防護玻璃的第二變形例的構成的說明圖。
以下參照附圖,對本發明的實施方式進行詳細說明。應予說明,圖中,相同或相應的部分帶有相同的符號,不重複說明。
第1圖是本發明的實施方式所涉及的防護玻璃100(光學元件)的構成的說明圖,第1(a)圖是防護玻璃100的平面圖,第1(b)圖是縱截面圖。另外,第2圖是說明固體攝影元 件200的包裝300的開口部被本實施方式的防護玻璃100密封的固體攝影設備1的構成的縱截面圖。本實施方式的防護玻璃100是安裝在收納固體攝影元件200的包裝300的前面(即開口部)(第2圖),對固體攝影元件200進行保護,並且用作透光窗的光學元件。
如第1圖所示,本實施方式的防護玻璃100呈矩形板狀外觀,由玻璃基材101(透明基板)、形成在玻璃基材101上的蝕刻阻擋層103、形成在蝕刻阻擋層103上的遮光膜105(遮光部)構成。應予說明,在本實施方式中,形成了蝕刻阻擋層103及遮光膜105的玻璃基材101的一面(第1(b)圖中上側的表面)側在防護玻璃100被安裝於包裝300時,成為朝向固體攝影元件200的光入射的入射面101a,玻璃基材101的另一面(第1(b)圖中下側的表面)側成為入射到入射面101a的光出射的出射面101b。應予說明,防護玻璃100的尺寸根據安裝防護玻璃100的包裝300的尺寸而適當設定,在本實施方式中設定成6mm(橫向)×5mm(縱向)。
本實施方式的玻璃基材101是含有Cu2+的紅外線吸收玻璃(含有Cu2+的氟磷酸鹽系玻璃或含有Cu2+的磷酸鹽系玻璃)。一般而言,氟磷酸鹽系玻璃具有優異的耐氣候性,透過在玻璃中添加Cu2+,能夠在維持可見光域的高透過率的同時吸收近紅外線。所以,如果玻璃基材101被配置在入射到固體攝影元件200的入射光的光程中,則作為一種低通濾波器起作用,按固體 攝影元件200的分光靈敏度接近人的可見度的方式進行修正。應予說明,本實施方式的玻璃基材101中使用的氟磷酸鹽系玻璃能夠使用公知的玻璃組成,但特別優選為含有Li+、鹼土類金屬離子(例如Ca2+、Ba2+等)、稀土類元素離子(Y3+、La3+等)的組成。另外,本實施方式的玻璃基材101的厚度沒有特別限定,從實現小型輕質化的觀點考慮,優選為0.1~1.0mm的範圍。
蝕刻阻擋層103是作為在後述的圖案化製程中對Cr(鉻)薄膜進行蝕刻時,用於防止玻璃基材101的入射面101a被蝕刻液蝕刻而粗面化的蝕刻阻擋起作用的薄膜。本實施方式中,蝕刻阻擋層103是具有透光性的SiO2的薄膜,如後所述,通過濺射法、真空蒸鍍法等形成在玻璃基材101的入射面101a上。應予說明,作為蝕刻阻擋層103,優選至少在可見光的波長域中光透過率高(即透明)的薄膜,作為材料,例如可以代替SiO2使用Al2O3或ZrO2。另外,蝕刻阻擋層103的膜厚可以在作為蝕刻阻擋起作用的範圍內自由設定,考慮對防護玻璃100的光學性能沒有影響、另外在防護玻璃100上形成功能膜時的設計容易性,在本實施方式中,設定成大致λ/2(λ為中心波長(設計波長))的光學膜厚。
遮光膜105是蒸鍍在蝕刻阻擋層103上的Cr(鉻)的薄膜,具有將入射到入射面101a的入射光的一部分遮住、將成為重影等的原因的不必要的光除去的功能。遮光膜105在俯視防護玻璃100時,沿著玻璃基材101的外形成框狀地形成。即,在 本實施方式的防護玻璃100中,形成有:在中央部成矩形狀地形成,從入射面101a入射的光透過到出射面101b的透光部T,和按成框狀地包圍透光部T的方式形成、將入射到入射面101a的光遮住的遮光部S。應予說明,詳情如後所述,本實施方式的遮光膜105通過所謂的光刻法而形成。
如第2圖所示,防護玻璃100以塞住收納CCD(Charge-Coupled Device)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等固體攝影元件200的斗形包裝300的開口部的方式安裝,被黏合劑(未圖示)固定。如果將防護玻璃100安裝在包裝300上,則被配置在入射到固體攝影元件200的入射光的光程中,但如上所述,在防護玻璃100上形成有遮光部S(即、遮光膜105),所以不會向固體攝影元件200入射不必要的光,不會發生重影、反射光斑。應予說明,透光部T和遮光部S的大小根據配置在固體攝影設備1的外側的透鏡等光學元件、固體攝影元件200的尺寸以及防護玻璃100的尺寸適當決定,但按至少透光部T的面積比固體攝影元件200的受光面的面積大的方式構成。
接下來,對本實施方式的防護玻璃100的製造方法進行說明。第3圖是表示本實施方式所涉及的防護玻璃100的製造方法的流程。第3(a)圖是表示防護玻璃100的製造製程的流程圖,第3(b)圖是對應於各製造製程的防護玻璃100的平面放大圖,第3(c)圖是對應於各製造製程的防護玻璃100的截面放 大圖。應予說明,為了容易理解,在第3(b)圖中,對各構成因素施加濃淡,在第3(c)圖中,強調地示出各構成因素。
(玻璃基板的成型)
玻璃基板的成型製程中,準備由具備所希望的光學特性的玻璃組成構成的玻璃板,按外形尺寸與最終形狀(即、防護玻璃100的形狀)大致相同的方式透過公知的切斷方法進行切斷。切斷方法有透過金剛石刀具刻設切斷線後折斷的方法,透過切割裝置進行切斷的方法。應予說明,該製程中使用的玻璃板可以使用透過研磨等粗研磨而加工成接近最終形狀的板厚尺寸的玻璃板。玻璃板被切斷後,實施清洗,得到玻璃基材101。
(SiO2薄膜的形成)
接下來,在SiO2薄膜的形成製程中,在玻璃基材101的入射面101a上,透過濺射法、真空蒸鍍法等形成光學膜厚大致λ/2的SiO2薄膜(即、蝕刻阻擋層103)。應予說明,在本實施方式中,使中心波長λ為480nm、SiO2的折射率為1.45,作為設計值,形成物理膜厚約166nm的SiO2薄膜,但是在實際的製造製程中,在±10%左右的公差範圍記憶體在差異,形成166nm±10%的SiO2薄膜。
(Cr薄膜的形成)
接下來,在Cr薄膜的形成製程中,在蝕刻阻擋層103上,透過濺射法、真空蒸鍍法等,形成作為遮光膜105的基底的、物理膜厚約0.1μm的Cr薄膜。
(抗蝕劑塗布/烘烤)
在抗蝕劑塗布/烘烤製程中,在Cr薄膜的表面塗佈光阻劑,烘烤規定時間。光阻劑只要在紫外波長區域或紅外波長區域的光的作用下溶解性發生變化即可,對材料沒有特別限定。另外,作為光阻劑的塗佈方法,可以適用眾所周知的旋塗法、浸塗法等。
(露光/抗蝕劑顯影)
在曝光/抗蝕劑顯影製程中,首先,隔著將遮光膜105圖案化的光罩對光阻劑照射光。然後,使用對應於光阻劑的顯影液,將光阻劑顯影,形成對應於遮光膜105的圖案的抗蝕劑。
(圖案化)
在圖案化製程中,將玻璃基材101浸漬在Cr蝕刻液中,對沒有形成抗蝕劑的部分的Cr薄膜進行蝕刻。隨著蝕刻的進行,沒有形成抗蝕劑的部分的Cr薄膜溶出到蝕刻液中,但是如上所述,在本實施方式中,在Cr薄膜的下側(即、Cr薄膜和玻璃基材101之間)形成有蝕刻阻擋層103,所以由此阻擋了蝕刻,使得玻璃基材101的入射面101a不會被蝕刻液蝕刻。因此,在本實施方式中,玻璃基材101的入射面101a不會粗面化,入射到玻璃基材101的入射面101a的光不會散亂而是被導入玻璃基材101內,並從出射面101b出射。另外,根據本實施方式的構成,因為能夠通過蝕刻阻擋層103確實地阻止蝕刻,所以能夠將玻璃基材101整體比較長時間地浸漬在蝕刻液中,能夠形成無Cr薄 膜的蝕刻殘留、邊緣齊整的遮光膜105。應予說明,作為Cr蝕刻液,例如使用硝酸鈰鹽:10~20%、高氯酸:5~10%、水:70~85%的混合溶液。
(抗蝕劑剝離)
在抗蝕劑剝離製程中,浸漬在醇等抗蝕劑剝離劑中,將抗蝕劑剝離。由此,在玻璃基材101上形成遮光膜105。
如上所述,根據本實施方式的防護玻璃100的製造方法,在蝕刻阻擋層103上形成遮光膜105,所以能夠形成邊緣齊整的遮光膜105。另外,因為透光部T被蝕刻阻擋層103覆蓋,所以玻璃基材101的入射面101a不會粗面化,入射到玻璃基材101的入射面101a的光散亂也得以抑制。因此,能夠由固體攝影元件200得到析像度更高的圖像。
以上為本發明的實施方式的說明,但本發明不限定於上述實施方式的構成,在其技術構思的範圍內可以進行各種變形。例如,在本實施方式中,玻璃基材101是含有Cu2+的紅外線吸收玻璃(含有Cu2+的氟磷酸鹽系玻璃或含有Cu2+的磷酸鹽系玻璃),也可以從在可見波長區域透明的材料中選擇,例如可以使用硼矽酸玻璃、水晶、聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂等。
另外,在本實施方式中,對遮光膜105是透過濺射法、真空蒸鍍法等形成的Cr薄膜的情況進行了說明,但並不限定於這樣的構成。作為遮光膜105,除了Cr之外,可以使用Ta(鉭)、Mo(鉬)、Ni(鎳)、Ti(鈦)、Cu(銅)、Al(鋁)等金 屬材料。
另外,在本實施方式中,以將固體攝影元件200的包裝300密封的防護玻璃100為例進行了說明,但是本發明同樣地也能夠適用於從入射到固體攝影元件200的光中除去近紅外線的近紅外線截止濾光片、或從入射到固體攝影元件200的光中除去包含高空間頻率的光的光學低通濾波器。應予說明,在適用於近紅外線截止濾光片的情況下,可以使用與本實施方式同樣的玻璃基材101,優選其厚度為0.1~1.0mm的範圍。另外,在適用於光學低通濾波器的情況下,只要使用由水晶、硼矽酸玻璃形成的玻璃基材101即可,優選其厚度為0.1~3.0mm的範圍。
另外,說明了本實施方式的蝕刻阻擋層103的光學膜厚為大致λ/2(λ為中心波長(設計波長))的情況,但是只要作為蝕刻阻擋起作用即可,可以適用任何膜厚。但是,在將蝕刻阻擋層103成膜的情況下,一般產生±10%左右製造上的差異(誤差)。因此,從壓縮製造上的誤差的觀點考慮,優選蝕刻阻擋層103的膜厚越薄越好。另外,如果蝕刻阻擋層103的膜厚厚,則擔心如下問題:其膜應力導致玻璃基材101翹曲,使得玻璃基材101破損,後續製程(例如功能膜的成膜製程)中的不良率升高。因此,從緩和膜應力的觀點考慮,也優選蝕刻阻擋層103的膜厚薄,相對於玻璃基材101的板厚,優選為0.3~200.0ppm的物理膜厚。更具體而言,例如優選相對於0.1~1.0mm的板厚的玻璃基材101,形成0.3~20.0nm的物理膜厚的蝕刻阻擋層103, 更優選相對於0.1~0.3mm的板厚的玻璃基材101,形成1.0~10.0nm(即、3.3~100.0ppm)的物理膜厚的蝕刻阻擋層103。
第4圖是本發明的實施方式所涉及的防護玻璃100的第一變形例的構成的說明圖。本變形例的防護玻璃100A在玻璃基材101的出射面101b側也形成了蝕刻阻擋層103,這一點與本實施方式的防護玻璃100不同。根據這樣的構成,在上述的圖案化製程中,也防止了玻璃基材101的出射面101b的粗面化,還防止了出射面101b側的散亂,所以能夠由固體攝影元件200得到析像度更高的圖像。另外,進而作為其他變形例,可以在出射面101b側的蝕刻阻擋層103上進一步形成遮光膜105。
第5圖是本發明的實施方式所涉及的防護玻璃100的第二變形例的構成的說明圖。本變形例的防護玻璃100B以覆蓋入射面101a側的方式形成有防反射膜110,在這方面區別於本實施方式的防護玻璃100。本變形例的防反射膜110由光學膜厚λ/4的Al2O3薄膜、光學膜厚λ/2的ZrO2薄膜、光學膜厚λ/4的MgF2薄膜構成,它們在上述抗蝕劑剝離製程後透過濺射法、真空蒸鍍法等順次層疊而形成。由此,如果在防護玻璃100B上設置防反射膜110,則入射到防護玻璃100B的入射面101a的光的反射被抑制,所以在固體攝影元件200中光的導入效率升高。應予說明,在本變形例中,以覆蓋防護玻璃100B的入射面101a側整體的方式形成防反射膜110,但是並不限定於這樣的構成,只要以至少覆蓋透光部T的方式形成防反射膜110即可。另外, 作為設置在防護玻璃100B上的功能膜,並不限定於3層防反射膜110,另外不限定於防反射膜。可以形成具有防反射膜、紅外線切斷膜、紫外線切斷膜中的至少1種以上功能的光學薄膜。
應予說明,在本變形例中,以在防護玻璃100B上有光學膜厚λ/2的蝕刻阻擋層103為前提,但是在蝕刻阻擋層103的膜厚不同於此的情況下,只要考慮蝕刻阻擋層103(即、SiO2薄膜)的實際膜厚,改變防反射膜110的膜構成即可。
應予說明,應當認為本次公開的實施方案的所有點均為舉例,並非限定。本發明的範圍不是由上述說明、而是由權利要求書給出,旨在包含與權利要求書等同含義以及範圍內的全部變更。

Claims (21)

  1. 一種光學元件,用於內裝有一固體攝影元件的攝影裝置中,包括:一透明基板,正反面具備朝向該固體攝影元件的一光入射的一入射面和入射到該入射面的該光透過而朝向該固體攝影元件出射的一出射面;一蝕刻阻擋層,以被覆該入射面及該出射面中的至少一面的方式形成;一透光部,形成在該透明基板的中心部並透過該光的一部分且與該固體攝影元件在位置上相對應;以及一遮光部,以成框狀包圍該透光部的外周的方式形成在該蝕刻阻擋層上並將該光的一部分遮住。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光學元件,還具備至少覆蓋該透光部的一功能膜。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的光學元件,其中該功能膜是具備防反射、切斷紅外線、切斷紫外線中的至少一種以上功能的光學薄膜。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的光學元件,其中該功能膜是Al2O3、ZrO2、MgF2順次層疊而成的防反射膜。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中該蝕刻阻擋層係由SiO2、Al2O3或ZrO2的薄膜形成。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中在將該光的中心波長設定為λ時,該蝕刻阻擋層的光學膜厚為λ/2。
  7. 如申請專利範圍第5所述的光學元件,其中在將該光的中心波長設定為λ時,該蝕刻阻擋層的光學膜厚為λ/2。
  8. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中相對於該透明基板的板厚,該蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~200.0ppm。
  9. 如申請專利範圍第5所述的光學元件,其中相對於該透明基板的板厚,該蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~200.0ppm。
  10. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中該透明基板的板厚為0.1~1.0mm,該蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~20.0nm。
  11. 如申請專利範圍第5所述的光學元件,其中該透明基板的板厚為0.1~1.0mm,該蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~20.0nm。
  12. 如申請專利範圍第6所述的光學元件,其中該透明基板的板厚為0.1~1.0mm,該蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~20.0nm。
  13. 如申請專利範圍第7所述的光學元件,其中該透明基板的板厚為0.1~1.0mm,該蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~20.0nm。
  14. 如申請專利範圍第8所述的光學元件,其中該透明基板的板厚為0.1~1.0mm,該蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~20.0nm。
  15. 如申請專利範圍第9所述的光學元件,其中該透明基板的板厚為0.1~1.0mm,該蝕刻阻擋層的物理膜厚為0.3~ 20.0nm。
  16. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中該遮光部由至少包含Cr的薄膜形成。
  17. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中該遮光部透過使用光刻法的蝕刻而形成。
  18. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中該透光部的面積比該固體攝影元件的受光面的面積大。
  19. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中該光學元件是安裝在收納該固體攝影元件的包裝的前面的防護玻璃。
  20. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所述的光學元件,其中該透明基板為吸收近紅外線區域的波長的光的一近紅外線吸收玻璃。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的光學元件,其中該近紅外線吸收玻璃是由含有Cu2+的氟磷酸鹽系玻璃或含有Cu2+的磷酸鹽系玻璃構成的。
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