JP2007258653A - 回路基板装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ベアチップICを回路基板上のチップ電子部品上に直接実装するときに、ベアチップICとチップ電子部品との間に不要な電流リークや、不要な電圧印加が発生するのを防止する。
【解決手段】 回路基板2に実装されたチップ電子部品3上に、ベアチップIC4を直接実装した三次元実装構造を形成する。チップ電子部品3とベアチップIC4を接着部材層5で接着実装し、チップ電子部品3とベアチップIC4を離間させた状態で接着部材層5を硬化させる。
【選択図】図2

Description

本発明は、回路基板上に実装したコンデンサ、インダクタ、抵抗器等のチップ部品の上にベアチップIC(シリコンウェハから切り出したままのICチップ)を重ねた三次元実装構造を有する回路基板装置に関するものである。
ベアチップICを回路基板に実装する方法としては、回路基板上のIC実装エリアに絶縁性接着剤を塗布してICを接着搭載するか、チップとして切り出す前のウェハの段階で、ウェハ裏面に例えばダイボンドフィルム又はダイアタッチフィルムとよばれる接着フィルムを付与し、ダイシング分割後に回路基板に搭載し接着する方法が採られている。なお、ダイボンドフィルム又はダイアタッチフィルムのような接着フィルムは、フィルム層と接着部材層の二層構造になっており、ダイシング分割後はフィルム層と接着部材層が剥離され、ベアチップICには接着部材層のみが付与される。
近年、電子機器の小型化が進んでおり、電子部品のさらなる高密度実装の要求が高まっている。このような高密度実装の要求に応えるため、コンデンサ、インダクタ、抵抗器等の受動部品を実装したその上に、ICを搭載する三次元実装が行われている。このような三次元実装の方法としては、特開2002−246745号公報に示すように、部品を実装した基板にスペーサーを配置してその上に別の基板を積み重ねる方法や、特開2004−247637号公報に示すように、フリップチップ実装の半田バンプをスペーサーとして、チップ部品を実装したその上にフリップチップを実装する方法がある。
特開2004−247637号公報 特開2002−246745号公報
これらの三次元実装方法では、例えばスペーサーを配置する方法では、基板を複数使用するのでコストが高くなるという問題があり、また、樹脂封止をした場合、封止樹脂の中に空間があるとリフローの際に膨張して基板接合部の剥離が起こったり、空間が無い様に充填すると再溶解した半田による電極間の短絡が起こるなどの問題があった。また、半田バンプを利用する方法では、フリップチップの端子ピッチが狭くなると、バンプの大きさ(高さ)が小さくなり、フリップチップ下に部品を実装することが困難になるなどの問題があった。
このような問題に対して、半導体チップを回路基板上のチップ部品上に接着部材を用いて直接実装する方法が考えられた。しかしながら、半導体チップがベアチップICの場合、チップ部品の端子電極が接着部材を貫通してベアチップICの半導体裏面と接触し、不要な電流リークや、不要な電圧印加が起こり、不具合が生じるという問題があった。
本発明では、このような問題を解決して、ベアチップICをチップ部品上に直接実装することが可能な回路基板装置を提案するもので、三次元実装を低コストで実現できるものである。
本発明は、回路基板上に実装されたチップ電子部品上にベアチップICを実装する三次元実装構造を有する回路基板装置において、前記ベアチップICは前記チップ電子部品から離間するように接着部材層を介して実装されていることを特徴とする回路基板装置を提案する。
このような構造の回路基板装置を製造する方法としては、例えば、ベアチップICの裏面に接着部材層を付与する工程と、チップ電子部品が実装された回路基板を用意する工程と、前記ベアチップICを、前記回路基板の前記チップ電子部品から離間するように接着して実装する工程と、前記接着部材層を硬化させる工程と、を有する方法で製造される。
また、別の方法としては、例えば、ベアチップICの裏面に第一の接着部材層を付与する工程と、前記第一の接着部材層を硬化させる工程と、前記ベアチップICの前記第一の接着部材層上に第二の接着部材層を付与する工程と、チップ電子部品が実装された回路基板を用意する工程と、前記回路基板の前記チップ電子部品上に前記ベアチップICを実装する工程と、前記第二の接着部材層を硬化させる工程と、を有する方法で製造される。
また、回路基板装置の別の構造として、回路基板上に実装されたチップ電子部品上にベアチップICを実装する三次元実装構造を有する回路基板装置において、前記ベアチップICが絶縁粒子を分散した接着部材層を介して前記チップ電子部品上に実装されていることを特徴とする回路基板装置を提案する。
このような構造の回路基板装置を製造する方法としては、例えば、ベアチップICの裏面に、絶縁粒子を分散させた接着部材層を付与する工程と、チップ電子部品が実装された回路基板を用意する工程と、前記回路基板の前記チップ電子部品上に前記ベアチップICを実装する工程と、前記接着部材層を硬化させる工程と、を有する方法で製造される。
また、別の方法としては、例えば、ベアチップICの裏面に、接着部材層を付与する工程と、前記接着部材層に絶縁粒子を加圧転写する工程と、チップ電子部品が実装された回路基板を用意する工程と、前記回路基板の前記チップ電子部品上に前記ベアチップICを実装する工程と、前記接着部材層を硬化させる工程と、を有する方法で製造される。
本発明によれば、ベアチップICとチップ電子部品との絶縁性を確保することができるようになるため、ベアチップICをチップ電子部品上に直接実装した三次元実装構造の回路基板装置を容易に形成することができる。また、ベアチップICを直接チップ電子部品上に実装するので、別の基板を用意する必要が無く、低コストで三次元実装が可能になる。
本発明に係る回路基板装置の実施形態について説明する。図1は、回路基板装置1の製造方法を示す概念図である。まず、図1(a)のように、チップ電子部品3を実装した回路基板2を用意する。次に図1(b)のように、接着部材層5を裏面に付与したベアチップIC4を用意して、回路基板2のチップ電子部品3上に接着実装する。次に図1(c)のように、Auワイヤー6を用いたワイヤボンディングにてベアチップIC4と回路基板2の配線を電気的に接続する。必要に応じてエポキシ樹脂等の外装樹脂(図示せず)で封止する。なお、接着部材層5を付与したベアチップIC4は、作業効率の観点から、分割前のウェハの状態でダイボンドフィルムを貼り付けて、個別チップに分割して取り出すときにフィルムから接着部材層を剥離することによって得ることが好ましい。
このような三次元実装構造の回路基板装置1について、第一の実施形態を図2に示す。図2によれば、ベアチップIC4はチップ電子部品3から離間して実装されている。ベアチップIC4とチップ電子部品3の間には、接着部材層5が介在しており、この接着部材層5によって絶縁性を確保することができる。
このような三次元実装構造を形成する方法を説明する。まず、接着部材層5を付与したベアチップIC4を用意する。次にチップ電子部品3が実装された回路基板2を用意する。次に、ベアチップIC4の裏面とチップ電子部品3の端子電極が接触しないようにマウンターの押し込み量を調節してベアチップIC4を実装する。次に接着部材層5を硬化させる。このようにして本発明の三次元実装構造が形成される。なお、押し込み量の調節方法としては、回路基板2からの距離を検出して、設定値に合わせて調節する等の方法で可能である。離間させる距離は10〜30μmが好ましい。この範囲であれば電流リークや不要な電圧印加を防止することができる。
また、別の方法としては、図3に示すように、先に硬化させた第一の接着部材層5aによってベアチップIC4とチップ電子部品3を離間させ、第二の接着部材層5bによってベアチップIC4をチップ電子部品3上に接着実装する。このような構造を得るには次のようにする。すなわち、ベアチップIC4の裏面に第一の接着部材層5aを付与し、硬化させる。次に前記第一の接着部材層5a上に第二の接着部材層5bを貼りつける。こうして得られたベアチップIC4をチップ電子部品3上に接着実装して前記第二の接着部材層5bを硬化させる。先に硬化させた第一の接着部材層の厚み分だけベアチップIC4とチップ電子部品3を離間させることができる。この方法では、マウンターの押し込み量の調節にかかる手間を省くことができるので、工程を簡便にすることができる。また、離間させる距離は第一の接着部材層の厚みの設定により制御することが可能である。この場合、第一の接着部材層の厚みは10〜30μmが好ましい。
本発明の回路基板装置にかかる三次元実装構造の第二の実施形態を図4に示す。図4(a)には、裏面に接着部材層5が付与されたベアチップIC4が示されている。この接着部材層5には、絶縁粒子7が分散している。絶縁粒子7には、例えばアルミナ等の絶縁性セラミックスや、絶縁性樹脂等が用いられる。このようなベアチップIC4を実装した三次元実装構造を図4(b)に示す。これによれば、ベアチップIC4をチップ電子部品3上に実装すると、接着部材層5中の絶縁粒子7がベアチップIC4とチップ電子部品3との間に挟まれた状態となり、絶縁粒子7の粒子径の分だけ離間させることができ、絶縁性を確保することができる。離間させる距離は絶縁粒子7の粒子径によって任意に設定することが可能である。この場合、絶縁粒子の粒子径は10〜30μmが好ましい。
このような構造の回路基板装置は次のようにして得られる。まず、絶縁粒子7をフィラーとして内包した接着部材層5を、ベアチップIC4の裏面に貼りつける。次にチップ電子部品3が実装された回路基板2を用意する。次に、マウンターによってベアチップIC4を実装する。このとき、絶縁粒子7がチップ電子部品3もしくはベアチップIC4に突き当たるまで押し込む。次に接着部材層5を硬化させる。このようにして本発明の三次元実装構造が形成される。この方法では、マウンターの押し込み量の調節の必要がなく、さらに接着部材層5を薄くすることができるので、簡便な工程で低背の回路基板装置を得ることが可能となる。
また、この三次元実装構造を形成するその他の方法として、図5に示す方法が挙げられる。まず、図5(a)に示すように、接着部材層5(フィラーなし)に絶縁粒子7を加圧転写する。この場合、図5(a)に示すようにベアチップIC4に接着部材層5を付与してから転写しても良いし、ベアチップIC4に貼りつける前に接着部材層に絶縁粒子7を転写しても良い。このようにして、図5(b)に示すように、接着部材層5の表面付近に絶縁粒子7が内包される。次にチップ電子部品3が実装された回路基板2を用意して、図5(c)に示すように、マウンターによってベアチップIC4を実装する。このとき、絶縁粒子7がチップ電子部品3及びベアチップIC4に突き当たるまで押し込む。次に接着部材層5を硬化させる。このようにして、本発明の三次元実装構造を形成することができる。
以上のように、本発明の実施形態を説明したが、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。
本発明の回路基板装置を形成する工程を示す図である。 本発明の第一の実施形態の三次元構造を示す図である。 本発明の第一の実施形態の三次元構造の別方法による構造を示す図である。 本発明の第二の実施形態の三次元実装構造を示す図である。 本発明の第二の実施形態の三次元実装構造の別方法による形成工程を示す図である。
符号の説明
1 回路基板装置
2 回路基板
3 チップ電子部品
4 ベアチップIC
5 接着部材層
6 ワイヤー
7 絶縁粒子

Claims (2)

  1. 回路基板上に実装されたチップ電子部品上にベアチップICを実装する三次元実装構造を有する回路基板装置において、
    前記ベアチップICは前記チップ電子部品から離間するように接着部材層を介して実装されていることを特徴とする回路基板装置。
  2. 回路基板上に実装されたチップ電子部品上にベアチップICを実装する三次元実装構造を有する回路基板装置において、
    前記ベアチップICは絶縁粒子を分散した接着部材層を介して前記チップ電子部品上に実装されていることを特徴とする回路基板装置。
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