JP2007251079A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセルMCは、半導体基板1の主面上のゲート絶縁膜5を介して設けられたコントロールゲート電極CGと、コントロールゲート電極CGの側面および半導体基板1の主面に沿って設けられたONO9膜と、ONO膜9を介してコントロールゲート電極CGの側面および半導体基板1の主面上に設けられたメモリゲート電極MGとを有する。コントロールゲート電極CGおよびメモリゲート電極MGの上部には、シリサイド膜15およびシリサイド膜15の表面の酸化によって形成された絶縁膜51が設けられている。
【選択図】図1
Description
2 素子分離部
3 深いn型ウエル
4 p型ウエル
5 ゲート絶縁膜
6 シリコン膜(第1シリコン膜)
7 絶縁膜
8 p型半導体領域
9 ONO膜
9a 酸化膜
9b 窒化膜
9c 酸化膜
10 シリコン膜(第2シリコン膜)
11 n−型拡散層(エクステンション領域)
12 サイドウォール
13 n型拡散層(ソース・ドレイン領域)
14 金属膜
15、15a シリサイド膜
16 層間絶縁膜
17 接続孔
18 コンタクトプラグ
19 配線
20 窒化シリコン膜
51 絶縁膜
115 シリサイド膜
CG コントロールゲート電極
G ゲート電極
MC、MCa、MCb メモリセル
MG メモリゲート電極
Q、Qa 周辺トランジスタ
Claims (17)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜を介して前記半導体基板上に設けられたコントロールゲート電極と、
前記コントロールゲート電極の側面および前記半導体基板の主面に沿って設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜を介して前記コントロールゲート電極の側面および前記半導体基板の主面上に設けられたメモリゲート電極とを有する不揮発性記憶素子を備えた半導体装置であって、
前記コントロールゲート電極の上部、および、前記メモリゲート電極の上部には、シリサイド膜および前記シリサイド膜の表面の酸化によって形成された酸化膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記酸化膜は、前記シリサイド膜の表面を被覆していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記シリサイド膜は、コバルトシリサイド膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- シリコン基板と、
前記シリコン基板の主面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記シリコン基板上に形成されたシリコン膜を含んでなるゲート電極と、
前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールと、
前記サイドウォールに自己整合して前記シリコン基板の主面に形成された拡散層とを有するMISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)前記ゲート電極を覆うように前記シリコン基板の主面上の全面に金属膜を形成する工程と、
(b)第1熱処理によって前記シリコン膜と前記金属膜、および、前記拡散層と前記金属膜を反応させて、前記ゲート電極の上部、および、前記拡散層の上部に、第1シリサイド膜を形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後、未反応の前記金属膜を除去する工程と、
(d)酸素を含む雰囲気中の第2熱処理によって、前記第1シリサイド膜を相変態して第2シリサイド膜を形成すると共に、前記第2シリサイド膜の表面に酸化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1熱処理を窒素雰囲気中で行い、
前記第2熱処理の雰囲気に占める窒素の割合が、前記第1熱処理の雰囲気に占める窒素の割合より低いことを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2熱処理における前記シリコン基板の温度が、前記第1熱処理における前記シリコン基板の温度より高いことを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2熱処理における前記シリコン基板の温度が、680℃〜800℃であることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2熱処理における前記シリコン基板の温度が、680℃〜730℃であることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- (e)前記ゲート絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成した後、前記多結晶シリコン膜にイオン注入する工程と、
(f)前記工程(e)の後、酸素を含む雰囲気中の第3熱処理によって、前記多結晶シリコン膜からなる前記シリコン膜を形成する工程と、
を含み、
前記第2熱処理の雰囲気に占める酸素の割合が、前記第3熱処理の雰囲気に占める酸素の割合より高いことを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2熱処理の雰囲気に占める酸素の割合が、5%〜100%であることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- シリコン基板と、
前記シリコン基板の主面上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜を介して前記シリコン基板上に形成された第1シリコン膜を含んでなるコントロールゲート電極と、
前記コントロールゲート電極の側面および前記シリコン基板の主面に沿って形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜を介して前記コントロールゲート電極の側面および前記シリコン基板の主面上に形成された第2シリコン膜を含んでなるメモリゲート電極とを有する不揮発性記憶素子を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)前記コントロールゲート電極および前記メモリゲート電極を覆うように前記シリコン基板の主面上の全面に金属膜を形成する工程と、
(b)第1熱処理によって前記第1シリコン膜と前記金属膜、および、前記第2シリコン膜と前記金属膜を反応させて、前記コントロールゲート電極の上部、および、前記メモリゲート電極の上部に、第1シリサイド膜を形成する工程と、
(c)前記工程(b)で未反応の前記金属膜を除去する工程と、
(d)酸素を含む雰囲気中の第2熱処理によって、前記第1シリサイド膜を相変態して第2シリサイド膜を形成すると共に、前記第2シリサイド膜の表面に酸化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1熱処理を窒素雰囲気中で行い、
前記第2熱処理の雰囲気に占める窒素の割合が、前記第1熱処理の雰囲気に占める窒素の割合より低いことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2熱処理における前記シリコン基板の温度が、前記第1熱処理における前記シリコン基板の温度より高いことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2熱処理における前記シリコン基板の温度が、680℃〜800℃であることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2熱処理における前記シリコン基板の温度が、680℃〜730℃であることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- (e)前記第1絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成した後、前記多結晶シリコン膜にイオン注入する工程と、
(f)前記工程(e)の後、酸素を含む雰囲気中の第3熱処理によって、前記多結晶シリコン膜からなる前記第1シリコン膜を形成する工程と、
を含み、
前記第2熱処理の雰囲気に占める酸素の割合が、前記第3熱処理の雰囲気に占める酸素の割合より高いことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2熱処理の雰囲気に占める酸素の割合が、5%〜100%であることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011114048A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4601316B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-12-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4205734B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2009-01-07 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4764773B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2011-09-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN103794561A (zh) * | 2012-11-02 | 2014-05-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
JP6026914B2 (ja) | 2013-02-12 | 2016-11-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR3009130B1 (fr) * | 2013-07-26 | 2016-11-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un espaceur pour cellule memoire electronique a double grille et cellule memoire electronique associee |
US8895397B1 (en) * | 2013-10-15 | 2014-11-25 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Methods for forming thin film storage memory cells |
JP6434841B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-12-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6696865B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-05-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6298642A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPS62217668A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH02283035A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0346323A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JPH0443635A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001007220A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001203352A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005129562A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006041101A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11283935A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6297148B1 (en) * | 1999-08-19 | 2001-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a silicon bottom anti-reflective coating with reduced junction leakage during salicidation |
JP2001308027A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6417078B1 (en) * | 2000-05-03 | 2002-07-09 | Ibis Technology Corporation | Implantation process using sub-stoichiometric, oxygen doses at different energies |
US20020031909A1 (en) * | 2000-05-11 | 2002-03-14 | Cyril Cabral | Self-aligned silicone process for low resistivity contacts to thin film silicon-on-insulator mosfets |
KR100342306B1 (ko) * | 2000-09-05 | 2002-07-02 | 윤종용 | 트랜지스터 및 이의 형성 방법 |
JP3922341B2 (ja) * | 2001-01-11 | 2007-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 不揮発性メモリトランジスタを有する半導体装置の製造方法 |
JP2002231829A (ja) | 2001-01-22 | 2002-08-16 | Halo Lsi Design & Device Technol Inc | 不揮発性半導体メモリおよびその製造方法 |
JP2004186452A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP3878545B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2007-02-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP4746835B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2011-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4477422B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2010-06-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-03-20 JP JP2006075948A patent/JP5022614B2/ja active Active
-
2007
- 2007-01-31 CN CN2007100069401A patent/CN101043037B/zh active Active
- 2007-02-01 US US11/700,865 patent/US7759209B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6298642A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPS62217668A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH02283035A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0346323A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JPH0443635A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001007220A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001203352A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005129562A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006041101A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011114048A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8395203B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-03-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a manufacturing method thereof |
US8507340B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-08-13 | Renesas Electronics Corporation | Method of fabricating a nonvolatile memory |
US8809934B2 (en) | 2009-11-25 | 2014-08-19 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a manufacturing method thereof |
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Publication number | Publication date |
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