JP2007243549A - プリディストータ - Google Patents

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Abstract

【課題】メモリ効果を有する複雑な非線形歪を簡易な構成で補償する。
【解決手段】複数の増幅素子の出力を合成する増幅器で発生する歪を補償するに際し、それぞれの増幅素子で発生する歪を補償する信号に、瞬時振幅の関数である合成係数を乗じて合成した信号を用いて、前記入力信号に予歪を付加する。具体的には、入力信号の瞬時振幅等を検出し、xとして時系列に出力する電力検出部(301)と、現在及び過去のxに応じて、履歴特性若しくは周波数特性を有する非線形歪を生成しする複数の履歴付非線形歪発生部(328〜333)と、現在のxに応じて非線形の重みを発生し、その重み用いて前記履歴付非線形歪発生部が発生した歪を合成する非線形重み付合成部(327,334〜336)と、前記非線形重み付合成部の出力に基づき予歪を付与する歪付与部(325〜326)と、を有する。
【選択図】 図5

Description

本発明は、増幅器の入力信号に、増幅器で発生する歪の逆特性を持つ歪を与えて歪補償を行うプリディストータに関し、例えばドハティ増幅器においてメモリ効果によって発生する歪を補償するのに好適なプリディストータに関する。
例えばW−CDMA(Wide-band Code Division Multiple Access:広帯域符号分割多元接続)方式における基地局装置では、物理的に遠く離れた移動局装置の所まで無線信号を到達させる必要があるため、信号電力を電力増幅器(PA)で大幅に増幅することが必要となる。一般的に電力増幅器は入力のレベルが低い領域では出力は線形に変化するが、ある入力レベルを超えると出力は非線形となり、やがて飽和する。
通常、電力増幅器の電力効率を良くするため、飽和点に近い動作点で使用するので増幅器の非線形性により非線形歪が発生する。増幅前の送信信号は希望信号帯域外の信号成分が帯域制限フィルタにより除去されるので低レベルに抑えられられているが、電力増幅器通過後の信号は発生する非線形歪により、希望信号帯域外(隣接チャネル)へ不要な信号成分が漏洩する。例えば基地局装置では上記したように送信電力が高いため、このような隣接チャネルへの漏洩電力の大きさは厳しく規定されており、こうしたことから、このような隣接チャネル漏洩電力をいかにして低減するかが大きな問題となっている。
この電力増幅器の非線形歪を補償する歪補償方式の一つにプリディストーション方式がある。プリディストーション方式は電力増幅器の非線形特性であるAM/AM特性、AM/PM特性の逆特性を増幅器入力信号に予め与えることにより、電力増幅器で発生する歪を補償する方式である。
図1は、従来のプリディストーション歪補償増幅器の機能ブロック図である。
電力検出部11は、入力信号を入力され、瞬時電力または瞬時振幅(エンベロープ)を検出する。
歪補償テーブル12は、プリディストーション方式で歪補償を行うためのテーブルを格納する。テーブルは、補償対象となる増幅器の非線形特性の逆特性を表しており、AM/AM特性(振幅)、AM/PM特性(位相)を、電力検出部11で検出された電力等に対応付けて記憶している。
歪付与部13は、電力検出部11で検出された電力等を参照引数として歪補償テーブル12から読み出された補償値に従って、入力信号の振幅、位相を補償する。
プリディストーション方式で予め電力増幅器歪特性の逆特性の歪を与えられた信号は、増幅部4で増幅され、電力増幅器で発生する歪と相殺されるため出力信号は歪の補償された信号となる。
制御部5は温度変化および経年変化などに適応するために歪補償テーブル12を更新する。
図2は従来のプリディストータの構成図である。図2は図1の一部を具体的に示した例であり、以下図2を参照して説明する。
本例のプリディストータは、Envelope detector21と、LUT(Look Up Table)22と、複素乗算器23とから構成される。
Envelope detector21は、電力検出部11に相当し、I(In-phase)成分及びQ(Quadrature-phase)成分からなるデジタル複素信号を入力し、√(I2+Q2)を演算してエンベロープを検出する。
LUT22は、歪補償テーブル12に相当し、本例では歪補償テーブルが複素ベクトルの形式で格納されている。Envelope detector21の検出結果をLUT22の引数(アドレス)とし、対応する歪補償用複素ベクトルを出力する。
複素乗算器23は、歪付与部13に相当し、プリディストータの入力信号と前記複素ベクトルを複素乗算してプリディストーション処理を行う。
ところで増幅器出力信号の非線形歪には、現在の瞬時電力に基づくAM/AM、AM/PM特性によって発生する歪だけでなく、メモリ効果と呼ばれる、過去および未来の信号電力によって現在の出力信号が影響を受けるために発生する歪がある。上記従来の方法では、歪補償テーブルを参照するための指標は瞬時電力だけである。従って、メモリ効果によって発生する非線形歪は補償できない。メモリ効果の発生メカニズムについては種々研究されている。メモリ効果の発生要因の1つとして増幅器の電源電圧変動を取り上げ、それを補償するプリディストータが知られる(例えば特許文献1乃至3、非特許文献1参照。)。
図3は従来のメモリ効果を補償するプリディストータ3の構成図である。以後、メモリ効果を補償の対象とするプリディストータをメモリPD、補償の対象としないプリディストータをメモリレスPDと称す。複素ベクトルのIQデジタルベースバンド信号である入力信号が、メモリレスPD31に入力される。
メモリレスPD31は、例えば図2に示したプリディストータであり、その出力はメモリPD32に入力される。メモリPD32は、エンベロープ検出部321と、LUT322と、遅延部323と、加算器324と、複素乗算器325と、加算器326から構成される。
エンベロープ検出部321は、エンベロープ検出部21と同等であり、入力信号をエンベロープ検出し、その検出結果を参照引数(アドレス)としてLUT322に出力する。
LUT322は、メモリ効果によって発生する歪を補償するための値が格納されており、参照引数に対応した値を遅延部323と加算器324に出力する。
加算器324は、LUT322から直接出力されたテーブル値と、遅延部323で遅延されたテーブル値との差分を計算し、複素乗算器325に出力する。
複素乗算器325は、加算器324が出力した差分と、メモリレスPD31の出力信号とを複素乗算して、加算器326に出力する。この出力は、メモリ効果によって発生した歪の逆特性である。
加算器326は、複素乗算器325の出力をメモリレスPD31の出力信号と加算し、メモリPD出力信号として出力となる。
こうして出力した信号は電力増幅器のAM/AM特性、AM/PM特性、および、メモリ効果によって発生した歪を補償するための特性を予め電力増幅器の入力信号に与えることができ、電力増幅器の出力信号の歪を補償することができる。
上記の他に従来技術として、ドハティ増幅器のために、歪補償特性を区分的に生成し連結するプリディストータが知られる(例えば、特許文献4参照。)。
また、現在の送信信号電力と、現在及び直前の送信信号電力の差分とに基づいて歪補償係数テーブルの参照アドレスを発生する歪補償装置が知られる(例えば、特許文献5参照。)。
また、複数のテーブルに記憶される非線形特性を異なる遅延で合成してフィードバックすることでメモリ効果に対しプリディスト−ションするものが知られる(例えば、特許文献6参照。)。
特開2005−101908号公報 特開2005−117510号公報 特開2005−217690号公報 特開2005−73032号公報 国際公開第01/008320号パンフレット 特開2004−320598号公報 本江直樹、宮谷徹彦、赤岩芳彦、「メモリ効果を有する電力増幅器に対するディジタルプレディストータ」、電子情報通信学会論文誌(B)、平成17年10月、vol.J88-B、No.10、pp.2062-2071
しかし、ドハティ増幅器のように複数の増幅素子の出力を合成する場合、図3のような従来のメモリPDでは、メモリ効果によって発生する歪の補償性能が劣化する。その理由は、電力増幅器全体の出力に対して、それぞれの増幅素子の出力信号の合成係数が入力電力によって変化するためである。ここで合成係数は、合成後の出力信号に含まれる各増幅素子の出力電力の割合と定義され、電力の関数であり、負荷変調特性を示す。以下に補償性能が劣化する理由を詳細に述べる。
図4は、ドハティ増幅器の構成図である。ドハティ増幅器はキャリア増幅器41とピーク増幅器42で構成される。一般的にキャリア増幅器41はAB級やB級にバイアスされ、ピーク増幅器42はC級にバイアスされる。入力信号は2分配されて、一方はキャリア増幅器41に入力され、もう一方は1/4波長線路で90°の位相差を与えてピーク増幅器42に入力される。それぞれの増幅器は入力信号を増幅する。キャリア増幅器41の出力側では1/4波長線路で90°の位相差が与えられる。キャリア増幅器41はAB級やB級にバイアスされているので、常に入力信号の増幅が行われる。一方、ピーク増幅器42はC級にバイアスされているので、瞬時電力が小さい時は増幅されないため消費電力が小さく、瞬時電力が大きい時は増幅されてキャリア増幅器41の出力電力と合成される。その結果、消費電力を抑え、かつ、飽和電力を大きくすることができ、高い電力効率を得ることができる。
また、ドハティ増幅器で行われる負荷変調が電力効率の向上に寄与している。
図9にドハティ増幅器の電力対負荷特性の一例を示す。一般的に負荷変調の特性は、入力電力に対し非線形である。
瞬時電力が小さい場合、図4の実線矢印で示すように、ピーク増幅器42はオフ状態なので出力インピーダンスは開放となる。キャリア増幅器41の負荷インピーダンスは、出力負荷R0/2がインピーダンス変換されて2R0となる。この負荷インピーダンスでは電力効率が高くなる。
一方、瞬時電力が大きい場合、キャリア増幅器41とピーク増幅器42も動作する。図4の破線矢印で示すように、出力負荷R0/2はインピーダンス変換されて、それぞれの増幅器の負荷インピーダンスはR0となる。
これらの中間の電力の場合は、それぞれの負荷インピーダンスは入力電力に対し滑らかに遷移する。その遷移は通常単調であるが、非線形である。以上説明したように、負荷変調が起こることによって、ドハティ増幅器全体の出力で見た各増幅素子の合成係数は変化する。
従来のプリディストータ3を図4のドハティ増幅器に適用すると、以下に述べる理由によってメモリ効果によって発生する歪の補償性能が劣化する。従来のメモリPD32を用いる方法として、負荷変調が起こることを予め考慮し、合成係数を含んだドハティ増幅器全体の出力で発生するメモリ効果の逆特性をLUT322に与えておくことが考えられる。
しかし、それぞれの増幅素子において、メモリ効果は独立に発生している。つまり各増幅素子において、後述する電源電圧変動は異なり、発生する歪がドハティ合成出力へ現れる割合も負荷変調に依存して異なる。従って、単に合成係数を用いて合成された逆特性を使って過去の信号との演算を行うと誤差が発生し、メモリ効果によって発生する歪の補償性能が劣化してしまうという問題がある。
すなわち、図3と同じモデルでドハティ増幅器のメモリ効果によって発生する歪を補償するためには、図3のメモリPD32は一例として(式1)のような信号メモリ効果の逆特性Memを付加できることが望ましい。
Figure 2007243549
ただしTはデジタル系のサンプル周期、nはサンプルのインデックス(整数)、P(nT)は時刻nTにおける瞬時電力である。またα(・)、β(・)はそれぞれキャリア増幅器とピーク増幅器の合成係数であり、電力の関数である。MemCa(・)、MemPe(・)はそれぞれキャリア増幅器41とピーク増幅器42のメモリ効果の逆特性に相当する。瞬時電力P(nT)は単にPとも表記する。
しかしながら従来のメモリPD32ではLUTを1つしか備えないため、LUT322の内容LUT(P)は、各増幅素子の合成係数を予め考慮し、(式2)のようにせざるを得ない。
LUT(P) = α(P)・MemCa(P)+β(P)・MemPe(P) (式2)
従って、(式2)のLUT320を用いて付加される信号Mem(P(nT)、P((n-1)T))は、電力P(・)の関数として(式3)のように表される。
Figure 2007243549
このように(式3)は(式1)とは異なるものになってしまうので、従来のメモリPD32ではドハティ増幅器で発生するメモリ効果によって発生する歪を完全に補償することができない。
なお、ここで従来のメモリレスPD31についても言及しておく。メモリレスPD31は、AM/AM特性およびAM/PM特性によって発生する歪を補償すれば良い。従って、負荷変調特性が与えられようとも、キャリア増幅器とピーク増幅器の出力を合成した後の信号に着目して、一つの増幅器と考えれば、プリディストーション方式の原理に従って、AM/AM特性およびAM/PM特性によって発生する歪を補償することができる。
また上述のメモリPD32とは他の方法として、特許文献4のように複数の電力値で参照される多次元の歪補償係数テーブルを用いると、歪補償係数テーブルが極めて大規模になり、収束も容易でないという問題がある。
本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、メモリ効果によって発生する歪の補償性能を改善したプリディストータを提供することを目的とする。
複数の増幅素子の出力を合成する増幅器で発生する歪を補償するプリディストータであって、
それぞれの増幅素子で発生する歪を補償する信号に合成係数を乗じて合成した信号を用いて、前記プリディストータの入力信号に予歪を付加するプリディストータ。
前記増幅器はドハティ増幅器であって、前記複数の増幅素子はそれぞれ異なる入出力特性を有し、前記複数の増幅素子から発せられ合成された歪を補償する予歪を付加することを特徴とする前記のプリディストータ。
前記合成係数が、負荷変調の影響を受けた前記増幅素子のそれぞれのインピーダンスと関連付けられる特性を有することを特徴とする前記のプリディストータ。
入力信号の電力(または振幅)を検出する電力検出部と、
前記検出された電力を引数として参照される歪補償特性を格納する第1及び第2のテーブルと、
前記第1のテーブルから出力されたテーブル値を遅延させる第1の遅延部と、
前記第1のテーブルから出力されたテーブル値から前記遅延したテーブル値を減算する第1の加算器と、
前記第2のテーブルから出力されたテーブル値を遅延させる第2の遅延部と、
前記第2のテーブルから出力されたテーブル値から前記遅延したテーブル値を減算する第2の加算器と、
前記第1及び第2のテーブルに対応する、前記検出された電力を引数として参照される非線形な合成係数が格納された第3のテーブルと、
前記検出された電力を引数として前記第3のテーブル部から出力された、前記第1のテーブルに対応するテーブル値と、前記第1の加算器の出力信号とを乗算する第3の乗算器と、
前記検出された電力を引数として前記第3のテーブル部から出力された、前記第2のテーブルに対応するテーブル値と、前記第2の加算器の出力信号とを乗算する第4の乗算器と、
前記第3及び第4の乗算器から出力された信号を加算する第3の加算器と、
前記第3の出力信号をプリディストータの入力信号に乗算する複素乗算器と、
を備えるプリディストータ。
入力信号の瞬時値もしくは瞬時振幅もしくは瞬時電力を検出値として出力する電力検出部と、
現在及び過去の前記検出値に応じて、履歴特性若しくは周波数特性を有する非線形歪を生成する複数の履歴付非線形歪発生部と、
現在の前記検出値に応じて非線形の重みを発生し、その重み用いて前記履歴付非線形歪発生部が発生した歪を合成し、歪補償値として出力する非線形重み付合成部と、
前記非線形重み付合成部の出力に従い、前記入力信号に予歪を付与する歪付与部と、を有するプリディストータ。
メモリ効果を補償しない第2のプリディストータを前記プリディストータの前段に新たに設け、前記プリディストータと直列接続したことを特徴とする前記のプリディストータ。
また、前記複数の増幅素子のメモリ効果による非線形歪が、履歴性関数と非履歴性関数の積として近似できる場合に、前記増幅器で発生する歪を補償することを特徴とする。
本発明によれば、メモリ効果によって発生する歪を精度良く補償することができる。例えば複数の増幅素子の出力信号を合成する増幅器で、特にそれらの増幅素子の特性が異なる場合であっても、正確な歪の逆特性を付加することができる。
以下実施例を通じて、図面を参照しながら説明するが、実施例で説明する構成の全ての組み合わせが本発明に必須であるとは限らない。また各実施例の特徴の任意の組み合わせや、引用した従来技術との組み合わせも本発明に含まれうる。
本実施例を概説すると、合成する増幅素子と同じ数だけLUTを備え、各LUTには対応する各増幅素子のメモリ効果の逆特性を記憶させる。また各増幅素子の合成係数を格納しておくLUTを設け、それぞれの増幅素子の逆特性に合成係数を乗じてから加算したものをメモリPDの出力とする。
図5は、本実施例のメモリPD33の構成図である。従来と同等の構成は、同一の符号を付してその説明を省略する。デジタル複素信号である入力信号は、エンベロープ検出部301と遅延器337に入力される。
エンベロープ検出部301は、その検出結果をLUT327、328、329へアドレス値として出力する。
LUT327は、キャリア増幅器とピーク増幅器のそれぞれの合成係数を、エンベロープ検出部301の検出値に対応付けるテーブルを格納する。合成係数は複素数であり、通常はキャリア増幅器とピーク増幅器とで異なる値を持ち、その和は任意の電力に於いてモデル上では1となるが、実装上は1からずれることもある。
LUT328は、従来のメモリPDでキャリア増幅器のメモリ効果によって発生する歪の補償を行う場合に相当するテーブルを格納する。一方LUT329は、従来のメモリPDでピーク増幅器のメモリ効果によって発生する歪の補償を行う場合に相当するテーブルを格納する。LUT328、329は、エンベロープ検出部321により指定されたアドレスのテーブル値をそれぞれ出力する。
加算器332は、LUT328から直接出力されたテーブル値と、遅延部330で1サンプル遅延されたテーブル値、つまり直前のテーブル値との差分を計算し、乗算器334に出力する。加算器333も同様に、LUT329から直接出力されたテーブル値と、遅延部331で1サンプル遅延されたテーブル値との差分を計算し、乗算器335に出力する。
乗算器334は、LUT327から出力されたキャリア増幅器の合成係数と、加算器332の出力とを乗算する。乗算器335も同様に、LUT327から出力されたピーク増幅器の合成係数と、加算器333の出力とを乗算する。
加算器336は、乗算器334の出力と乗算器335の出力を加算して、複素乗算器325に出力する。
遅延器337は、メモリPDへの入力信号を、信号がエンベロープ検出器301から複素乗算器325までを通過する遅延と同じ時間だけ遅延させて、複素乗算器325と加算器326へ出力する。
複素乗算器325は、加算器336の出力と、遅延器337の出力とを複素乗算して、加算器乗326に出力する。
加算器326は、複素乗算器325の出力と、遅延器337の出力とを加算して、メモリPDの出力とする。
図10は、LUT327が格納する合成係数の一例を説明する図である。合成係数は、負荷変調がある場合のドハティ増幅器出力側から見た、それぞれの増幅器の影響度を表し、動作クラスが異なれば各増幅器の利得も異なるため、それらの影響も含んだ特性となる。上述したように負荷変調の特性は非線形な特性となるため、LUT327のデータも非線形な特性となる。図10の縦軸には合成係数の大きさを示したが、合成係数は、一般には位相情報も有する複素数である。
入力電力が小さい時、ピーク増幅器は信号を増幅しない。そのときの負荷インピーダンスは、キャリア増幅器が2R0、ピーク増幅器は開放となる。従って、入力電力が小さい場合にドハティ増幅器全体の出力は、キャリア増幅器のみの出力と等しくなる。この時のキャリア増幅器の合成係数を1.0に正規化する。ピーク増幅器の合成係数は0.0となる。
入力電力が大きい時の負荷インピーダンスは、キャリア増幅器、ピーク増幅器ともに約R0となる。また、飽和付近ではゲインもほぼ等しくなるため等利得合成される。従って、キャリア増幅器とピーク増幅器の合成係数はほぼ等しくなり、このときの合成係数は双方とも0.5となる。これらの中間の電力での合成係数は、負荷インピーダンスと同様に非線形に遷移する。
なお、LUT327、328、329が格納するテーブル値は、適応アルゴリズムを用いれば最適値に更新される。
以下において、本実施例の歪補償の妥当性を簡単な増幅器モデルを想定して検証する。なお、本実施例の効果は、このようなモデルの増幅器に限定されるものではない。また、メモリ効果を伴わない非線形歪は、メモリレスPDにより既に補償されているものとする。
非特許文献1のように、偶数次歪が増幅素子の電源電圧(バイアス電圧)を変動させ、基本波成分を再変調するモデルを想定すると、電源電圧VDDの変動ΔVは(式4)のように表される。
ΔV = L・{I(|PAin(nT)|)−I(|PAin((n−1)T)|)} (式4)
ただし、PAin(・)は電力増幅器への入力信号、|PAin(・)|はその入力信号の包絡線(振幅)、I(・)はドレイン電流、Lは電源電圧変動を引き起こすインダクタンス(定数)である。
ΔVは明らかに、過去の状態の影響を受ける履歴特性を有する。
また、キャリア増幅器、ピーク増幅器のメモリ効果歪Mem1、Mem2は、メモリ効果の原因ΔVと、そのときの入力レベルの関数であるので、次のように再定義する。
Mem1 (ΔV, |PAin(nT)|) :キャリア増幅器のメモリ効果歪
Mem2 (ΔV, |PAin(nT)|) :ピーク増幅器のメモリ効果歪 (式5)
これ以降は時間や電力の関数であることの表記を省略する(PAin(nT)を単にPAinと表記する)。
このとき、ドハティ増幅器出力PAoutは、次の(式6)のように表現できる。
Figure 2007243549
ただし、A(|PAin|)は、キャリア増幅器の負荷変調および単体のゲインを含むPAoutへの寄与度を示す値であり、B(|PAin|)は、キャリア増幅器の負荷変調および単体のゲインを含んだPAoutへの寄与度を示す値であり、それぞれ電力(および時間)の関数である。またA+B=Gainは定数である。
以上のモデルに対し、キャリア増幅器用のLUT328のテーブル値LUT1と、ピーク増幅器用のLUT329テーブル値LUT2を、
LUT1(|PDin(nT)|)−LUT1(|PDin((n-1)T)|)=−Mem1
LUT2(|PDin(nT)|)−LUT2(|PDin((n-1)T)|)=−Mem2 (式7)
を満たすように設定する。
以後PDin(nT)をxと表記する。またα及びβを、LUT327が記憶するキャリア増幅器及びピーク増幅器の合成係数と定義する。
すると、図5のメモリPDの出力PDoutは、
Figure 2007243549
と表せる。さらにα+β=1を仮定すれば、
PDout=x−α・x・Mem1+β・x・Mem2 (式9)
となる。
メモリPDの出力信号がPAの入力信号となるので、PDout=PAinを使って(式6)に(式8)を代入すると、以下の式が得られる。
Figure 2007243549
ただし(式10)は、α=AK、β=BK(ただしKは固定定数)の関係を用いている。
ここで、メモリPDで付加する信号の振幅はメモリ効果による変動分のため、基本波と比べて極めて小さく、
−Mem1<<1 、 −Mem2<<1 (式14)
I(|PDout(nT)|) ≒I(|PDin(nT)|)
(式15)
が成り立つので、(式13)の右辺第1項以外は非常に小さい値となり、次のようになる。
PAout ≒ (A+B)・(α+β)・x = Gain・K・PDin (式16)
以上により、メモリ効果が補償できることが示された。なお、従来の(式3)を
PDout=x−x・Mem
に代入しても(式16)は得られず、無視できない誤差項が残るのは明らかである。
ところで、(式7)の右辺のMem1は元々、(式5)のようにΔVと|PAin(nT)|の関数であった。しかし、実際の個々のデバイスにおいて電源電圧を変化させたとき、AM/AM及びAM/PM特性は、非特許文献1の図3乃至図5のように、形をほぼ保ったまま上下或いは左右に移動するような比較的単純な挙動を示す。特に、AM/AM特性及びAM/PM特性を複素座標上でのベクトル表記に書き直したときの軌跡は、LD-MOSのほかGaAs FETであってもΔVに対して単調に変化する。したがって近似的に、ΔVの(比例)関数と|PAin(nT)|の関数の積の形に変数分離できる。
非特許文献1ではこの性質を利用して、メモリ効果を補償する歪みを発生させている。しかし、特性の異なる増幅器の出力を合成した場合、合成されたメモリ効果歪のΔVに対する挙動は単調ではなくなり、この近似を利用することができない。そのため本例では、各増幅器毎に個別にメモリ効果歪を発生させるようにしている。さらにLUT327の合成係数α等を微調整することで、(式7)のLUT1等の近似誤差を補正できる場合もある。
本実施例によれば、異なる動作クラスや異なる特性を持つ増幅器を合成する場合であっても、メモリ効果によって発生する歪を小規模のLUTで補償できる。
なお、増幅部4としてドハティ増幅器を例に挙げたが、増幅素子の出力を合成する構成について、その種類は問わない。
また、キャリア増幅器とピーク増幅器の2合成の場合を例としたが、2以上の合成の場合も、各増幅器に対応するLUTと負荷変調用のLUTとからなる(増幅器数+1)個のLUTを備えればよい。ただし同じ特性を持つ増幅器を合成係数が同じになるように用いた場合、LUTを共通化して減らすことは可能である。
また、増幅器の数が1個であっても、327と328の2個のLUTを用いることで、歪補償の精度を向上させることができる場合がある。
図6は実施例2のプリディストータの構成図である。実施例1と異なるのは、加算器336の出力が直接メモリPDの入力信号に複素乗算される点である。
実施例1の加算器336で行われる演算は、次式のようになる。
(メモリPD出力) = (メモリPD入力) + (メモリPD入力)×(逆特性1)
= (メモリPD入力)×{1+(逆特性1)}
本実施例2の乗算器336で行われる演算は、次式のようになる。
(メモリPD出力) = (メモリPD入力)×(逆特性2)
従って、(逆特性2)={1+(逆特性1)}とすれば、本例と実施例1とは等価であり、同じ効果が得られることは容易に理解できる。或いは、本例の加算器336の出力に1.0を定数として加える構成とすれば、実施例1と実施例2のLUT327、328、329の内容は等しくなる。
図7は、本実施例3のプリディストータの構成図である。本例は、先の実施例のメモリPD33等を多項式で表したものである。従来と同等の構成は、同一の符号を付してその説明を省略する。
電力検出部11は、入力信号の瞬時振幅x=|PDin(nT)|をサンプル毎(T周期毎)に時系列に検出し、履歴付き非線形歪発生部14、15および非線形重み付き合成部16へ出力する。
履歴付非線形歪発生部14、15は、入力されたxに応じて、それぞれ異なる履歴特性若しくは周波数特性を有する非線形歪を生成し、非線形重み付合成部16に出力する。履歴付非線形歪発生部14は、実施例1のLUT328、遅延部330、加算器332に相当し、履歴付非線形歪発生部15は、LUT329、遅延部331、加算器333に相当する。
履歴付非線形歪発生部14が発生する非線形歪D14は、複数のサンプルのxの関数としてLUTや多項式若しくはそれらの組み合わせを用いて生成され、一例として(式17)で表される。
Figure 2007243549
ここで、Cijはべき級数の各次数の複素係数である。またN1、M1は1以上の任意の整数であり、特許文献6のようなIIR型で構成すると無限大となりうるが、通常は10程度で打ち切っても問題ない。メモリPD32や33は、(式17)のN1が1で、C0,j=−C1,j、C-1,j=0の場合に相当する。なお、xとしてPDin(nT)や|PDin(nT)|2を用いる場合もある。
非線形重み付合成部16は、入力されたxに応じた非線形の重みを用いて、履歴付非線形歪発生部14及び15が発生した歪D14及びD15を合成し、歪補償値Dcmpとして歪付与部13に出力する。歪D14に対する重みW14は、xの瞬時値のみの関数として、LUTや多項式を用いて生成され、一例として以下の(式18)で表される。ただしM2は1以上の任意の整数であり、wiは複素係数である。
Figure 2007243549
非線形重み付合成部16は、実施例1或いは2のLUT327、乗算器334、335、加算器336に相当し、(式18)の多項式は、図10に示される合成係数の曲線に相当する。本例では、歪補償値Dcmp=D14・W14+D15・W15である。ただし、重みの和が1になる必要はない。
歪付与部16は、実施例1の複素乗算器325、加算器326、若しくは実施例2の複素乗算器325に相当し、非線形重み付合成部の出力に従い、プリディストータの入力信号に予歪を付与する。
本実施例では、重み付け合成の際に、履歴付非線形歪発生部が発生する歪D14等とW14等が乗算されるので、歪補償値Dcmpは時刻の異なるx同士の積で表される、従来に無い成分を含む。つまり、従来は歪付与部にて入力信号と乗算される際に、時刻の異なるx同士の積に相当する成分が生じてはいたが、メモリ効果や周波数特性等と連動しており、制御の自由度が無かった。それに対し本例の重みは自由に設定でき、例えば初期値は定数の1とし、適応アルゴリズムで最適値に収束させることができる。
また本実施例によれば、履歴付きの歪発生部と、履歴なしの重み合成部の2段構成としたことで、半分以下のハードウェア規模で同等の歪補償を行うことができる。
図8は、本実施例4の歪補償増幅器の構成図である。本例は、先の実施例のプリディストータに、各LUTを適応アルゴリズムを用いて自動収束させる構成を新たに備えた点で異なる。
プリディストータ300は、従来同様のメモリレスPD31と、実施例1同様のメモリPD32を、プリディストータ3同様に直列に接続したものである。
D/A変換器62は、プリディストータ300の出力信号をアナログ信号に変換する。
アップコンバータ63は、D/A変換器62の出力信号をRF周波数に変換し、増幅部4に出力する。
方向性結合器65は、増幅部4の出力信号の一部を抽出し、フィードバック信号としてミキサ66に出力する。
ミキサ66は、フィードバック信号をダウンコンバートする。
BPF(Band Pass Filter)67は、ダウンコンバートされたフィードバック信号から不要波を除去し、A/D変換器68に出力する。
A/D変換器68は、BPF67からの信号をデジタル信号に変換し、制御部50に出力する。
制御部50は、フィードバックされた信号、及び必要に応じて入力信号を入力され、歪電力を測定する方法や、増幅器入力前の信号と比較して誤差を求める方法を用いて、温度変化、経年変化などに追従してLUT327、328、329等を適応更新する。詳細な構成は、非特許文献1或いは特許文献4、5に記載のものと同様でよい。
本例ではデジタルプリディストータの例を示したが、 IF帯やRF帯で同様の動作を行うプリディストータでも良い。
従来のプリディストーション歪補償増幅器の機能ブロック図 従来のプリディストータの構成図 従来のメモリ効果を補償するプリディストータ(メモリPD)の構成図 ドハティ増幅器の構成図 実施例1のプリディストータの構成図 実施例2のプリディストータの構成図 実施例3のプリディストータの構成図 実施例4の歪補償増幅器の構成図 ドハティ増幅器の電力対負荷特性の一例 LUT327が格納する合成係数の一例を説明する図
符号の説明
11…電力検出部
12…歪補償テーブル
13…歪付与部
14…履歴付非線形歪発生部
15…履歴付非線形歪発生部
16…非線形重み付合成部
17…遅延部
21…Envelope detector
22…LUT(Look Up Table)
23…複素乗算器
3、300…プリディストータ
31…メモリレスPD
32…メモリPD(従来)
321…Envelope detector
322…LUT
323…遅延器
324…加算器
325…複素乗算器
326…加算器
327、328、329…LUT
33…メモリPD
330、331、337…遅延部
332、333、336…加算器
334、335…乗算器
4…増幅部
41…キャリア増幅器
42…ピーク増幅器
5、50…制御部
62…D/A変換器
63…アップコンバータ
65…方向性結合器
66…ミキサ
67…BPF
68…A/D変換器

Claims (6)

  1. 複数の増幅素子の出力を合成する増幅器で発生する歪を補償するプリディストータであって、
    それぞれの増幅素子で発生する歪を補償する信号に、プリディストータの入力信号の関数である合成係数を乗じて合成した信号を用いて、前記入力信号に予歪を付加するプリディストータ。
  2. 前記増幅器はドハティ増幅器であって、前記複数の増幅素子はそれぞれ異なる入出力特性を有し、前記複数の増幅素子から発せられ合成された歪を補償する予歪を付加することを特徴とする。
  3. 前記合成係数が、負荷変調の影響を受けた前記増幅素子のそれぞれのインピーダンスと関連付けられる特性を有することを特徴とする請求項1又は2記載のプリディストータ。
  4. 入力信号の電力(または振幅)を検出する電力検出部と、
    前記検出された電力を引数として参照される歪補償特性を格納する第1及び第2のテーブルと、
    前記第1のテーブルから出力されたテーブル値を遅延させる第1の遅延部と、
    前記第1のテーブルから出力されたテーブル値から前記遅延したテーブル値を減算する第1の加算器と、
    前記第2のテーブルから出力されたテーブル値を遅延させる第2の遅延部と、
    前記第2のテーブルから出力されたテーブル値から前記遅延したテーブル値を減算する第2の加算器と、
    前記第1及び第2のテーブルに対応する、前記検出された電力を引数として参照される合成係数が格納された第3のテーブルと、
    前記検出された電力を引数として前記第3のテーブル部から出力された、前記第1のテーブルに対応するテーブル値と、前記第1の加算器の出力信号とを乗算する第3の乗算器と、
    前記検出された電力を引数として前記第3のテーブル部から出力された、前記第2のテーブルに対応するテーブル値と、前記第2の加算器の出力信号とを乗算する第4の乗算器と、
    前記第3及び第4の乗算器から出力された信号を加算する第3の加算器と、
    前記第3の出力信号をプリディストータの入力信号に乗算する複素乗算器と、
    を備えるプリディストータ。
  5. 入力信号の瞬時値もしくは瞬時振幅もしくは瞬時電力を検出値として出力する電力検出部と、
    現在及び過去の前記検出値に応じて、履歴特性若しくは周波数特性を有する非線形歪を生成する複数の履歴付非線形歪発生部と、
    現在の前記検出値に応じて非線形の重みを発生し、その重み用いて前記履歴付非線形歪発生部が発生した歪を合成し、歪補償値として出力する非線形重み付合成部と、
    前記非線形重み付合成部の出力に従い、前記入力信号に予歪を付与する歪付与部と、を有するプリディストータ。
  6. 第2のプリディストータを前記プリディストータの前段に新たに設け、前記プリディストータと直列接続したことを特徴とする請求項1乃至5記載のプリディストータ。
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