JP2007226632A - マイクロコンピュータ - Google Patents

マイクロコンピュータ Download PDF

Info

Publication number
JP2007226632A
JP2007226632A JP2006048468A JP2006048468A JP2007226632A JP 2007226632 A JP2007226632 A JP 2007226632A JP 2006048468 A JP2006048468 A JP 2006048468A JP 2006048468 A JP2006048468 A JP 2006048468A JP 2007226632 A JP2007226632 A JP 2007226632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
block
data
microcomputer
power consumption
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006048468A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Yamada
健二 山田
Chikayoshi Kobayashi
千佳良 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2006048468A priority Critical patent/JP2007226632A/ja
Priority to US11/709,277 priority patent/US7482689B2/en
Publication of JP2007226632A publication Critical patent/JP2007226632A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32Means for saving power
    • G06F1/3203Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32Means for saving power
    • G06F1/3203Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • G06F1/3234Power saving characterised by the action undertaken
    • G06F1/3243Power saving in microcontroller unit
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32Means for saving power
    • G06F1/3203Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • G06F1/3234Power saving characterised by the action undertaken
    • G06F1/3293Power saving characterised by the action undertaken by switching to a less power-consuming processor, e.g. sub-CPU
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32Means for saving power
    • G06F1/3203Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • G06F1/3234Power saving characterised by the action undertaken
    • G06F1/3296Power saving characterised by the action undertaken by lowering the supply or operating voltage
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/148Details of power up or power down circuits, standby circuits or recovery circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/50Reducing energy consumption in communication networks in wire-line communication networks, e.g. low power modes or reduced link rate

Abstract

【課題】アナログ回路を極力再設計することなく、低消費電力モードが設定されている期間における消費電力の低減を図ることができるマイクロコンピュータを提供する。
【解決手段】マイコン1を、スリープモードが設定されている期間に電源が供給されて動作するチップ2と、電源が遮断されて動作を停止するチップ3とを、夫々異なる製造プロセスによりチップ化してマルチチップ構成とし、チップ2は、チップ3よりもリーク電流量を低減可能な製造プロセスで作成する。そして、チップ3は、スリープ信号がアクティブになると、電源が遮断されるまでの間にデータ保持部10のデータをチップ2側に転送し、チップ2は転送されたデータをSRAM6に記憶させて保持する。
【選択図】図1

Description

本発明は、低消費電力モードが設定されている期間に、電源が供給されて動作する第1ブロックと、電源が遮断されて動作を停止する第2ブロックとを備えるマイクロコンピュータに関する。
例えばマイクロコンピュータのようなICについては、消費電力を低減する要求から、クロック信号の供給を停止することで殆どのロジック回路の動作を停止させるスリープモード(低消費電力モード)を設定する機能を備えているものがある。一方、ICについては、製造プロセスの微細化技術も進んでいることから、動作電源電圧が低下すると共にトランジスタのしきい値も低下する傾向にある。その結果、回路の動作時,非動作時にかかわらずリーク電流が発生するようになり、スリープモードにおける消費電力が増加する要因となっている。
斯様な問題に対処するため、特許文献1では、スリープモード時にはロジック回路に対する電源供給を遮断し、データを保持するためのSRAMについては基板バイアスを制御することでリーク電流を低減するようにした技術が開示されている。
特開2003−132683号公報(図1,図2,段落(0008)〜(0011)参照)
特許文献1において、基板バイアスを制御するための回路は、チャージポンプなどのアナログ回路によって構成されている。しかしながら、アナログ回路のレイアウト技術はツールの自動化が進んでいないため、製造プロセスを変更する際にはレイアウト設計を手動で行なう必要があるという問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、アナログ回路を極力再設計することなく、低消費電力モードが設定されている期間における消費電力の低減を図ることができるマイクロコンピュータを提供することにある。
請求項1記載のマイクロコンピュータによれば、低消費電力モードが設定されている期間に電源が供給されて動作する第1ブロックと、電源が遮断されて動作を停止する第2ブロックとを、夫々異なる製造プロセスでチップ化してマルチチップ構成にする。その際、第1ブロックは、第2ブロックよりもリーク電流量を低減可能な製造プロセスで作成する。そして、第2ブロックは、低消費電力モードを設定するための信号がアクティブになると、電源が遮断されるまでの間に保持が必要なデータを第1ブロック側に転送し、第1ブロックは、転送されたデータをメモリに記憶させて保持する。
従って、低消費電力モードが設定されている間、第2ブロック側が保持する必要があるデータは、リーク電流量がより少ない第1ブロック側のメモリに記憶保持されるので、データをバックアップするための電力消費を低減することができる。そして、上記作用をなすための回路はデジタルロジック回路により構成することができるので、例えば設計仕様の変更が生じた場合でも自動レイアウトツールによる対応ができる。
請求項2記載のマイクロコンピュータによれば、低消費電力モードが解除されると、第1ブロックはメモリに記憶保持させたデータを読み出して第2ブロック側に転送し、第2ブロックは、転送されたデータを低消費電力モードへの移行以前に保持していた状態に復帰させる。従って、低消費電力モードから通常の動作状態に戻る場合には、第1,第2ブロックの連携動作により、第1ブロックに待避・保持させていたデータを第2ブロック側に戻すことができる。
請求項3記載のマイクロコンピュータによれば、第1ブロック側に、自身と第2ブロックに対して供給する電源を生成する電源回路を備える。即ち、一般に、リーク電流量がより少ない製造プロセスはトランジスタのサイズが大きいプロセスとなるので、第1ブロック側のチップは集積度が相対的に低くなる。そして、電源回路もサイズが大きいトランジスタで構成することが好ましいため、第1ブロック側に配置した電源回路により第2ブロックに供給する電源を生成すれば、第2ブロック側の集積度を更に向上させることができる。
請求項4記載のマイクロコンピュータによれば、第1,第2ブロック間でデータ転送を行なうためのバスが接続されている端子を、通常動作モードで使用される汎用端子と共通に構成する。即ち、通常動作モードと低消費電力モードとの間の移行期間にだけ上記データ転送に使用される端子を、通常動作モード時には、第1,第2ブロック間でその他のデータや信号を送信、又は受信するための端子と共用すれば、各ブロックに配置する端子数を削減してチップサイズを小型化することができ、マイクロコンピュータ全体も小型化することができる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明する。図1は、マイクロコンピュータ(マイコン)1全体の構成を、本発明の要旨にかかる部分のみ概略的に示す機能ブロック図である。マイコン1は、1つのパッケージ1a内に、異なる製造プロセスで形成された2つのチップ2,3を搭載したマルチチップ構成となっている。
尚、チップ2(第1ブロック)は、例えば0.35μmプロセスで形成され、動作電源電圧は3.3Vとなっており、チップ3(第2ブロック)は、例えば0.15μmプロセスで形成され、動作電源電圧は1.5Vとなっている。即ち、チップ2,3が夫々MOSFETを含む場合には、前者に形成されるFETのしきい値電圧が後者に形成されるFETのよりも高くなる。
ここで、図6には、横軸に半導体チップの製造プロセス(nm)を、縦軸に製造プロセスが500nmの場合を基準とする相対電力密度をとり、各製造プロセスで形成された半導体についてリーク電流が存在する場合,存在しない場合の電力密度の変化を示したものである。この図において、製造プロセスが350nmの場合、その電力密度はリーク電流の存否にかかわらず略同一であり、実質的にリーク電流が殆ど発生していないことを示している。一方、製造プロセスが130nmの場合、電力密度はリーク電流が存在する場合に上昇しており、リーク電流がある程度発生していることを示している。そして、製造プロセスが150nm(0.15μm)の場合も略同様にリーク電流が発生している。
再び図1を参照する。チップ2側に配置される電源回路4は、パッケージ1aに設けられた電源端子1bを介して外部より電源(例えば12〜14V)が供給され、チップ2側の電源電圧は3.3V並びにチップ3側の電源電圧1.5Vを生成出力する。そして、チップ3に対しては、スイッチ5を介して電源を供給するようになっている。
また、チップ2は、SRAM(メモリ)6,制御切替回路7を備えている。制御切替回路7は、チップ3側のロジック部8を構成する制御切替回路9と連携して動作するロジック回路であり、SRAM6とチップ3側のデータ保持部10との間で行うデータ転送を制御する。そして、少なくともチップ2には図示しないCPUが搭載されており、そのCPUは、マイコン1の処理状況などに応じて、マイコン1をスリープモード(低消費電力モード)にするためのスリープ信号を出力する。そのスリープ信号は、制御切替回路7及び9などに与えられると共に、チップ2側の遅延回路11を介して、スイッチ5の開閉制御を行う信号として出力される。また、チップ2側で発生出力されるリセット信号も、制御切替回路7及び9に出力されている。
そして、マイコン1がスリープモードになる場合、チップ2は動作し続けるが、チップ3は電源供給が断たれて動作を停止するようになっている。その際に、詳細は後述するが、チップ3のデータ保持部10が保持しているデータは、制御切替回路9及び7を介してSRAM6側に転送される。
図2は、チップ2のより詳細な構成を示すものである。制御切替回路7は、ステートマシン12,デコーダ13,マルチプレクサ14及び15,ANDゲート16などで構成されている。SRAM6に対しては、マイコン1がノーマルモード(通常動作モード)で動作している場合に、上記のCPUにより内部バスを介してデータの書込みや読み出しが行われる。この時、制御切替回路7はダイナミックに動作することはない。
一方、スリープ信号がアクティブとなることでスリープモードに移行しようとする場合には制御切替回路7が動作することで、上記のようにチップ3との間でデータ転送処理を行なう。そのため、SRAM6に対しては、入力データ,アドレス,リード/ライト用の制御フラグ(書込み,読出し用の制御信号)を、何れもマルチプレクサ17a,17b,17cを介すことで、制御切替回路7側からも選択的に出力可能となっている。
即ち、マルチプレクサ17aの他方の入力端子には、チップ3側より転送されたデータが双方向端子18を経由して与えられており、マルチプレクサ17b,17cの他方の入力端子には、デコーダ13によって出力されるアドレス,制御フラグが与えられている。そして、マルチプレクサ17a〜17cの切替え制御もデコーダ13によって行われる。また、双方向端子18を介して入力されたデータは、スリープモードにおいてはバスを0値に固定するように、ANDゲート16を介してデコーダ13による出力制御が行われる。そのため、ANDゲート16の負論理入力端子にはデコーダ13からの制御信号が与えられている。
そして、SRAM6より読み出された出力データも、制御切替回路7及び双方向端子18を介してチップ3側に転送するためのパスが形成されている。即ち、制御切替回路7内部のマルチプレクサ14には、SRAM6より読み出された出力データと、ノーマルモード時に内部バスを介してCPUなどより出力されるデータとが与えられており、マルチプレクサ14の出力端子は、双方向端子18の出力バッファ18aの入力端子に接続されている。
出力バッファ18aのイネーブル制御についても、ノーマルモード時はCPUにより制御し、スリープモードへの移行時,ノーマルモードへの復帰時にはデコーダ13により制御するため、マルチプレクサ15を介して選択するようになっている。マルチプレクサ14及び15の切替え制御は、ANDゲート16の出力制御と共通の信号によって行なわれる。
尚、図中に実線で示しているのはノーマルモード時のパスであり、破線で示しているのはスリープモードへの移行時,ノーマルモードへの復帰時に使用されるパスである。また、デコーダ13が出力する制御信号を破線で示しているのは、上記移行時,復帰時に制御信号の出力状態を変化させることを意味している。
図3は、チップ3のより詳細な構成を示すものである。制御切替回路9は、制御切替回路7と同様に、ステートマシン21,デコーダ22,マルチプレクサ23〜25,ANDゲート26などで構成されている。また、データ保持部10は、例えば2個のフリップフロップ(F/F)27a,27bと、RAM(SRAM)28とを備えている。そして、データ保持部10に対しては、ノーマルモードにおいてはチップ3側のCPUにより内部バスを介してデータの書込みや読み出しが行われる。
一方、スリープ信号がアクティブとなることでスリープモードに移行しようとする場合には制御切替回路9が動作して、データ保持部10に保持されているデータをチップ2側に転送する。そのため、フリップフロップ27a,27bの出力データとRAM28の出力データとは、3入力のマルチプレクサ23の入力端子に夫々与えられている。マルチプレクサ23の出力端子は、マルチプレクサ24を介して双方向端子29を構成する出力バッファ29aの入力端子に接続されている。マルチプレクサ24の他方の入力端子には、チップ3のCPUなどがデータを出力するための内部バスが接続されている。そして、マルチプレクサ23,24の切替え制御は、デコーダ22によって行われる。
また、双方向端子29を介して入力されたデータは、スリープモードにおいてはバスを0値に固定するように、ANDゲート25を介してデコーダ22による出力制御が行われる。そのため、ANDゲート25の負論理入力端子にはデコーダ22からの制御信号が与えられている。
出力バッファ29aのイネーブル制御についても、ノーマルモード時はCPUにより制御し、スリープモードへの移行時,ノーマルモードへの復帰時にはデコーダ22により制御するため、マルチプレクサ26を介して選択するようになっている。マルチプレクサ24及び26の切替え制御は、ANDゲート25の出力制御と共通の信号によって行なわれる。
また、デコーダ22は、スリープモードからノーマルモードへの復帰時には、チップ2側より転送されたデータをデータ保持部10に書き込むようになっている。そのため、フリップフロップ27a,27bとRAM28に入力されるデータは、マルチプレクサ30a及び30b,31a〜31cを介して入力される。そして、マルチプレクサ30a及び30b,31aの入力端子の一方には双方向端子29を介して入力されるデータが与えられており、マルチプレクサ31b,31cの入力端子の一方にはデコーダ22によって出力されるアドレス,制御フラグが与えられている。これらのマルチプレクサ30及び31の切替え制御は何れもデコーダ22によって行われるが、マルチプレクサ30a,30bは夫々独立に制御され、マルチプレクサ31a〜31cについては共通に制御される。
尚、チップ2,3の電源電圧は異なっているため、それに応じて両者のデータレベルも異なっている。従って、チップ2,3間でデータ転送を行う場合には、双方向端子18,29間でレベル変換を行なうようになっている。
次に、本実施例の作用について図4及び図5も参照して説明する。図4は、マイコン1がスリープモードに移行する場合の処理手順を示すフローチャートである。初期状態のノーマルモードから、チップ2側でスリープ信号がアクティブになると(ステップA1)チップ2,3のステートマシン12,21が動作を開始し、チップ2,3間でデータ転送を行うためのステートを遷移させる。そして、以降は夫々のデコーダ13,22が各ステートに応じた制御を行うようになる。
最初に、チップ2側では、出力バッファ18aをディスエーブルにして双方向端子18を入力方向に制御し、チップ3側では、出力バッファ29aをイネーブルにして双方向端子29を出力方向に制御する(ステップA2)。次に、チップ3側は、デコーダ22がマルチプレクサ23,24を制御してフリップフロップ27a,27bが保持しているデータをチップ2側に出力する(即ち、デコーダ22は、チップ2側のデコーダ13と協働してDMAコントローラと同様の機能をなすように構成されている)。更に、デコーダ22は、RAM28に保持されているデータを読み出してチップ2側に出力する。一方、チップ2側では、チップ3側より転送されたデータを、デコーダ13がSRAM6内の所定の記憶領域に順次書き込んで記憶させる(ステップA3)。
チップ2の遅延回路11は、スリープ信号がアクティブになった時点から、ステップA3におけるデータ転送処理が全て完了するまでに十分な遅延時間を付与するようになっている(ステップA4)。そして、上記遅延時間が経過すると、スイッチ5が開くことでチップ3側への電源供給が遮断される(ステップA5)。すると、データ保持部10のフリップフロップ27並びにRAM28により保持されていたデータは消失する。
また、デコーダ13は、ステップA5において出力バッファ18aをイネーブルにすることで双方向端子18を出力方向に制御する。以上により、チップ3側のデータ保持部10が保持しているデータがチップ2側のSRAM6に転送されると、スリープモードに移行する(ステップA6)。そして、スリープモードの間は、チップ2には電源回路4により電源が供給され続けるので、SRAM6に書き込まれたデータはバックアップされる。尚、スリープモード期間におけるチップ2の機能が専らSRAM6のデータをバックアップすることである場合には、CPUに対する動作クロックの供給を停止させても良い。
図5は、マイコン1がスリープモードからノーマルモードに復帰する場合の処理手順を示すフローチャートである。チップ2側でスリープ信号がインアクティブになると(ステップB1)、遅延回路11を介してスイッチ5が再び閉路し、チップ3に対する電源供給が再開される(ステップB2)。またこの場合、チップ2側で生成されるリセット信号によりチップ3のリセットが解除される(ステップB3)。
続いて、チップ2側では、出力バッファ18aをイネーブルにして双方向端子18を出力方向に制御する(ステップB4)。また、チップ3側では、リセット信号により双方向端子29は入力方向に制御されている(ステップB5)。そして、リセット信号の解除からチップ3側の起動に要する時間待ちを行なうと(ステップB6)、チップ2のデコーダ13は、ステップA3でSRAM6に記憶させたデータを読出し、チップ3側に転送する。一方、チップ3側では、チップ2側より転送されたデータをデコーダ22がフリップフロップ27a,27bやRAM28に順次書き込む(ステップB7)。
ステップB7におけるデータ書込みが終了し、データ保持部10におけるデータがスリープモードに移行する前と同様の状態に復帰すると、チップ2,3のデコーダ13,22は、夫々の双方向端子18,29に関連するデータパスを、マルチプレクサによりノーマルモードに対応するように制御する(ステップB8)。以上により、マイコン1はノーマルモードに復帰する(ステップB9)。
以上のように本実施例によれば、マイコン1を、スリープモードが設定されている期間に電源が供給されて動作するチップ2と、電源が遮断されて動作を停止するチップ3とを、夫々異なる製造プロセスによりチップ化してマルチチップ構成にする。その際、チップ2は、チップ3よりもリーク電流量を低減可能な製造プロセスで作成する。そして、チップ3は、スリープ信号がアクティブになると、電源が遮断されるまでの間にデータ保持部10のデータをチップ2側に転送し、チップ2は転送されたデータをSRAM6に記憶させて保持するようにした。
具体的には、チップ2側にステートマシン12及びデコーダ13を備える制御切替回路7を配置し、チップ3に側にステートマシン21及びデコーダ22を備える制御切替回路7を配置して、両者のステートマシン12,21をスリープ信号がアクティブになった場合に動作させ、双方の制御ステートを同期させて上記の処理を行なうように構成した。
従って、スリープモードが設定されている間、チップ3側が保持する必要があるデータは、リーク電流量がより少ないチップ2側のSRAM6に記憶保持されるので、データをバックアップするための電力消費を低減することができる。そして、上記作用をなすための制御切替回路7,9はデジタルロジック回路で容易に構成できるので、例えば設計仕様の変更が生じた場合でも自動レイアウトツールによる対応ができる。
また、スリープモードが解除されると、チップ2は制御切替回路7によりSRAM6に記憶保持させたデータを読み出してチップ3側に転送し、チップ3は、制御切替回路9により転送されたデータをデータ保持部10にセットして、スリープモードへの移行以前に保持していた状態に復帰させるので、チップ2,3の連携動作により、チップ2に待避・保持させていたデータをチップ3側に戻すことができる。
また、集積度が相対的に低くなるチップ2側に、自身とチップ3に対して供給する電源を生成する電源回路4を備えたので、チップ3側の集積度を更に向上させることができる。そして、チップ2,3間でデータ転送を行なうための双方向端子18,29を、通常動作モードで使用される汎用端子と共通に構成したので、各チップ2,3に配置する端子数を削減してチップサイズを、並びにマイコン1全体を小型化することができる。
尚、一般にアナログ回路は、チップ3側のように微細化された製造プロセスで作成してもサイズ減少の効果を得にくく、電源回路4等と共にA/Dコンバータなどもチップ2側に配置するようにしてレイアウト変更は極力チップ3側のみで行うようにすれば、レイアウトの再設計に要する工程をより削減することができる。
本発明は上記し又は図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形が可能である。
チップ2,3夫々の製造プロセスは0.35μm,0.15μmに限ることなく、前者が後者よりもリーク電流が少なくなる関係を有していれば、具体的な数値設定は任意である。
チップ3のデータ保持部10で保持するデータは、フリップフロップ27,RAM28の何れか一方だけでも良い。
チップ2側に遅延回路11を設ける替わりに、制御切替回路7がスイッチ5の開閉制御を行っても良い。
チップ3側に、例えばチップ2を経由して供給される電源に基づいて自身の動作電源を生成する電源回路を配置しても良い。
本発明の一実施例であり、マイクロコンピュータ全体の構成を、本発明の要旨にかかる部分のみ概略的に示す機能ブロック図 第1ブロックに相当するチップのより詳細な構成を示す機能ブロック図 第2ブロックに相当するチップの図2相当図 スリープモードに移行する場合の処理手順を示すフローチャート スリープモードからノーマルモードに復帰する場合の図4相当図 横軸に半導体の製造プロセスを、縦軸に相対電力密度をとり、各製造プロセスで形成された半導体についてリーク電流の有無に応じた電力密度の変化を示す図
符号の説明
図面中、1はマイクロコンピュータ、2はチップ(第1ブロック)、3はチップ(第2ブロック)、4は電源回路、6はSRAM(メモリ)、7,9は制御切替回路、10はデータ保持部、12はステートマシン、13はデコーダ、18は双方向端子、21はステートマシン、22はデコーダ、29は双方向端子を示す。

Claims (4)

  1. 低消費電力モードが設定されている期間に、電源が供給されて動作する第1ブロックと、電源が遮断されて動作を停止する第2ブロックとを備えて構成されるマイクロコンピュータにおいて、
    前記第1,第2ブロックを、夫々異なる製造プロセスによりチップ化することでマルチチップ構成にすると共に、前記第1ブロックは、前記第2ブロックよりもリーク電流量を低減可能な製造プロセスで作成し、
    前記第2ブロックは、前記低消費電力モードを設定するための信号がアクティブになると、電源が遮断されるまでの間に保持が必要なデータを前記第1ブロック側に転送し、
    前記第1ブロックは、前記第2ブロックより転送されたデータをメモリに記憶させて保持することを特徴とするマイクロコンピュータ。
  2. 前記低消費電力モードが解除されると、
    前記第1ブロックは、前記メモリに記憶保持させたデータを読み出して前記第2ブロック側に転送し、
    前記第2ブロックは、前記第1ブロックより転送されたデータを、前記低消費電力モードに移行する以前に保持していた状態に復帰させることを特徴とする請求項1記載のマイクロコンピュータ。
  3. 前記第1ブロックに、自身及び前記第2ブロックに対して供給する電源を生成する電源回路を備えることを特徴とする請求項1又は2記載のマイクロコンピュータ。
  4. 前記第1,第2ブロック間で前記データ転送を行なうためのバスが接続されている端子は、通常動作モードにおいて使用される汎用端子と共通に構成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のマイクロコンピュータ。
JP2006048468A 2006-02-24 2006-02-24 マイクロコンピュータ Pending JP2007226632A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006048468A JP2007226632A (ja) 2006-02-24 2006-02-24 マイクロコンピュータ
US11/709,277 US7482689B2 (en) 2006-02-24 2007-02-22 Microcomputer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006048468A JP2007226632A (ja) 2006-02-24 2006-02-24 マイクロコンピュータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007226632A true JP2007226632A (ja) 2007-09-06

Family

ID=38472738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006048468A Pending JP2007226632A (ja) 2006-02-24 2006-02-24 マイクロコンピュータ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7482689B2 (ja)
JP (1) JP2007226632A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008198187A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Samsung Electronics Co Ltd 電力を効率的に管理できるシステム・イン・パッケージ半導体装置及びそれによる電力管理方法
JP2015215684A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及び情報処理プログラム
JP2020087232A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 株式会社デンソーテン 情報処理装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8339626B2 (en) 2009-09-08 2012-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Image forming apparatus and controlling method thereof
CN102012736B (zh) * 2009-09-08 2015-06-17 三星电子株式会社 图像形成装置及其功率控制方法
US20120295673A1 (en) * 2011-05-17 2012-11-22 Sang-Jung Yang Wireless system and method for controlling wireless system
EP2811367A1 (en) 2013-06-04 2014-12-10 Ericsson Modems SA A method for controlling powering of a mobile platform

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63181017A (ja) * 1987-01-22 1988-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd デ−タバツクアツプ装置
JPH11259376A (ja) * 1998-03-06 1999-09-24 Sharp Corp バックアップ装置
JP2000047764A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源システム
JP2002132397A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JP2002288150A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
WO2003085501A1 (fr) * 2002-04-04 2003-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit integre semi-conducteur a sources de puissance multiples
JP2003323417A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JP2006048304A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Renesas Technology Corp マイクロコンピュータ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003132683A (ja) 2001-10-23 2003-05-09 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2004021574A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Hitachi Ltd 半導体装置
US7173875B2 (en) * 2002-11-29 2007-02-06 International Business Machines Corporation SRAM array with improved cell stability
JP2004362695A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置
FR2878068A1 (fr) * 2004-11-15 2006-05-19 St Microelectronics Sa Memoire a cellule de memorisation polarisee par groupe

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63181017A (ja) * 1987-01-22 1988-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd デ−タバツクアツプ装置
JPH11259376A (ja) * 1998-03-06 1999-09-24 Sharp Corp バックアップ装置
JP2000047764A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源システム
JP2002132397A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JP2002288150A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
WO2003085501A1 (fr) * 2002-04-04 2003-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit integre semi-conducteur a sources de puissance multiples
JP2003323417A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JP2006048304A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Renesas Technology Corp マイクロコンピュータ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008198187A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Samsung Electronics Co Ltd 電力を効率的に管理できるシステム・イン・パッケージ半導体装置及びそれによる電力管理方法
JP2015215684A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及び情報処理プログラム
JP2020087232A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 株式会社デンソーテン 情報処理装置
JP7203582B2 (ja) 2018-11-30 2023-01-13 株式会社デンソーテン 情報処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7482689B2 (en) 2009-01-27
US20070208960A1 (en) 2007-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4974202B2 (ja) 半導体集積回路
JP4621113B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP4297159B2 (ja) フリップフロップおよび半導体集積回路
US8055924B2 (en) Semiconductor integrated circuit and electric power supply controlling method thereof
US7904838B2 (en) Circuits with transient isolation operable in a low power state
JP2007226632A (ja) マイクロコンピュータ
US7477564B2 (en) Method and apparatus for redundant memory configuration in voltage island
JP5098367B2 (ja) 電源電圧調整回路およびマイクロコンピュータ
JP2007102994A (ja) 電流消耗を減少させる内部電源電圧発生回路を有するマルチチップ半導体メモリ装置
US7023757B2 (en) Semiconductor device
JP2002196846A (ja) Lsiのリーク電流低減方法
JP2006268827A (ja) マルチチップパッケージデバイス
JP2005157620A (ja) 半導体集積回路
JP4551474B2 (ja) 半導体集積回路
JP4896974B2 (ja) 多電源集積回路を有する電子機器システム
JP2007012128A (ja) 半導体記憶装置
JP4623494B2 (ja) マイクロコンピュータ
JP2004063004A (ja) 複合記憶回路構造及び同複合記憶回路構造を有する半導体装置
JP2011107749A (ja) マイクロコンピュータ
JP2002341976A (ja) 多電源半導体装置及び該装置の電源制御方法
JP5574461B2 (ja) 半導体集積回路
JP2007034508A (ja) リセット回路及びそのリセット回路の動作方法
JP5408743B2 (ja) 携帯電話
JPH10254590A (ja) 集積回路および情報処理装置
JP4684575B2 (ja) 半導体装置及びその制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080303

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100309

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110125

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110712