JP2007221136A - 不揮発性メモリ装置及びその動作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一実施形態において、不揮発性メモリ装置は基板に形成された第1導電型ウエルと前記ウエルに形成されるビットラインに直列に接続する複数個の第1メモリセルトランジスタを含む。バッファは前記ウエルの外部の前記基板に形成され、前記ビットラインに接続される。少なくとも1つのディカップリングトランジスタはビットラインからバッファを分離するように形成され、前記ディカップリングトランジスタは前記ウエルに形成される。
【選択図】図6
Description
150 ページバッファ
Claims (43)
- 基板に形成された第1導電型ウエルと、
ビットラインに直列に接続され、ウエルに形成される複数個の第1メモリセルと、
前記ウエルの外部の基板に形成され、前記ビットラインに接続されるバッファと、
ビットラインからバッファを分離するように構成された少なくとも1つのディカップリングトランジスタとを含み、
前記ディカップリングトランジスタはウエルに形成されることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記ディカップリングトランジスタは複数個のメモリセルなしに前記複数個の第1メモリセルと前記バッファとの間に形成されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ディカップリングトランジスタに接続され、前記ウエルの外部に形成され、前記ビットラインで前記バッファを選択的に遮断するように構成される遮断トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 遮断トランジスタの大きさはディカップリングトランジスタの大きさより大きいことを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ウエルがP型ウエルであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記基板はP型基板であり、前記P型ウエルはP型基板内に属するN型ウエルに形成されることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。
- 基板に形成される第1導電型ウエルと、
前記ウエルに形成され、同一のビットラインに直列に接続された複数個の第1メモリセルと、
前記ビットラインに接続され、前記ウエルの外部の基板に形成されるバッファと、
前記ウエルに形成され、ビットラインにプリチャージ電圧を選択的に印加するように構成された少なくとも1つのプリチャージトランジスタとを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記プリチャージトランジスタは複数個のメモリセルなしに前記複数個の第1メモリセルと前記バッファとの間に形成されることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ウエルの外部に形成され、ビットラインからバッファを選択的に遮断するように構成された遮断トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ウエルに形成され、ビットラインに直列に接続される複数個の第2メモリセルをさらに含み、
前記プリチャージトランジスタは前記複数の第1及び第2メモリセルの間に第1方向に形成されることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ウエルの外部に形成され、ビットラインから前記バッファを選択的に遮断するように構成される遮断トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ウエルはP型ウエルであることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記基板はP型基板であり、前記P型ウエルは前記P型基板に属するN型ウエルに形成されることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性メモリ装置。
- 基板に形成される第1導電型ウエルと、
前記ウエルに形成され、ビットラインに直列に接続される複数個の第1メモリセルと、
ビットラインに接続され、前記ウエルの外部の前記基板内に形成されるバッファと、
前記ウエルに形成され、ビットラインから前記バッファをディカップリングするように構成された少なくとも1つのディカップリングトランジスタと、
前記ウエルに形成され、前記ビットラインにプリチャージ電圧を選択的に印加するように構成された少なくとも1つのプリチャージトランジスタを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記ウエルの外部に形成され、前記ディカップリングトランジスタに接続され、前記ビットラインから前記バッファを選択的に遮断するように形成された遮断トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 遮断トランジスタの大きさはディカップリングトランジスタの大きさより大きいことを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ディカップリングトランジスタ及び前記プリチャージトランジスタは複数個のメモリセルなしに前記複数個の第1メモリセルと前記バッファとの間に形成されることを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ウエルの外部に形成され、前記ディカップリングトランジスタに接続され、前記ビットラインから前記バッファを選択的に遮断するように構成された遮断トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ウエルに形成され、前記ビットラインに直列に接続される複数個の第2メモリセルをさらに含み、
前記ディカップリングトランジスタは第1方向に前記複数の第1及び第2メモリセルの次に配置され、前記プリチャージトランジスタは前記第1方向に前記複数個の第1及び第2メモリセルの間に配置されることを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ウエルの外部に形成され、前記ディカップリングトランジスタに接続され、前記ビットラインから前記バッファを選択的に遮断するように構成された遮断トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ウエルはP型ウエルであることを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記基板はP型基板であり、前記P型ウエルは前記P型基板のN型ウエル内に形成されることを特徴とする請求項21に記載の不揮発性メモリ装置。
- ビットラインに直列に接続される複数個の第1メモリセルトランジスタと、
前記ビットラインに直列に接続される複数個の第2メモリセルトランジスタと、
前記ビットラインに接続されたバッファと、
前記ビットラインにプリチャージ電圧を選択的に印加するように形成され、前記第1方向に前記複数個の第1メモリセルと複数個の第2メモリセルとの間に形成される少なくとも1つのプリチャージトランジスタを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記バッファから前記ビットラインを分離するように構成され、前記第1方向に前記複数個の第1及び第2メモリセルトランジスタの次に配置されるディカップリングトランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の不揮発性メモリ装置。
- ディカップリングトランジスタと前記バッファとの間の前記ディカップリングトランジスタに接続され、前記ビットラインから前記バッファを選択的に分離するように構成される遮断トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項24に記載の不揮発性メモリ装置。
- ビットラインに直列に接続される複数個のメモリセルトランジスタを含む基板の第1領域と、
前記ビットラインに接続されるバッファを含む前記基板の第2領域と、
前記第1領域に形成され、前記ビットラインから前記バッファを分離するように構成される少なくとも1つのディカップリングトランジスタと、
前記第1及び第2領域のうちの1つを定義する前記基板に少なくとも1つのウエルを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1領域と第2領域との間に配置される第3領域をさらに含み、前記第3領域は遮断トランジスタを含み、前記遮断トランジスタは前記ディカップリングトランジスタと前記バッファとの間のディカップリングトランジスタに接続され、前記遮断トランジスタは前記ビットラインで前記バッファを選択的に遮断するように構成されることを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ装置。
- ビットラインに直列に接続される複数個のメモリセルトランジスタを含む基板の第1領域と、
前記ビットラインに接続されるバッファを含む前記基板の第2領域と、
前記第1領域に形成され、前記ビットラインにプリチャージ電圧を選択的に印加するように構成される少なくとも1つのプリチャージトランジスタと、
前記第1及び第2領域のうちの1つを定義する前記基板の少なくとも1つのウエルとを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1領域及び第2領域の間に配置され、遮断トランジスタを含む第3領域をさらに含み、前記遮断トランジスタは前記ビットラインで前記バッファを選択的に遮断するように構成されることを特徴とする請求項28に記載の不揮発性メモリ装置。
- ビットラインに直列に接続される複数個のメモリセルトランジスタを含む基板の第1領域と、
前記ビットラインに接続されるバッファを含む前記基板の第2領域と、
前記第1領域に形成され、前記ビットラインで前記バッファを分離するように構成される少なくとも1つのディカップリングトランジスタと、
前記第1領域に形成され、前記ビットラインにプリチャージ電圧を選択的に印加するように構成される少なくとも1つのプリチャージトランジスタと、
第1及び第2領域のうちの1つを定義する前記基板の少なくとも1つのウエルを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1領域及び第2領域の間に配置され、遮断トランジスタを含む第3領域をさらに含み、前記遮断トランジスタは前記ディカップリングトランジスタと前記バッファとの間のディカップリングトランジスタに接続され、前記遮断トランジスタは前記ビットラインで前記バッファを選択的に遮断するように構成されることを特徴とする請求項30に記載の不揮発性メモリ装置。
- 不揮発性メモリ装置の一部分を消去する方法において、
基板に形成され、ビットラインに直列に接続される複数個のメモリセルトランジスタを含むウエルに消去電圧を印加する段階と、
少なくとも1つのディカップリングトランジスタのゲートをフローティングさせる段階とを含み、
前記ディカップリングトランジスタは前記ウエル内に形成され、前記ウエルの外部の基板に形成されるバッファから前記ビットラインを選択的に分離するように構成されることを特徴とする方法。 - 遮断トランジスタのゲートにターンオフ電圧を印加して前記遮断トランジスタをターンオフさせる段階をさらに含み、
前記遮断トランジスタはウエルの外部に形成され、ディカップリングトランジスタに接続され、前記ビットラインから前記バッファを選択的に遮断するように構成されることを特徴とする請求項32に記載の方法。 - 前記ターンオフ電圧は接地電圧であることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記ターンオフ電圧は電源供給電圧であることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 不揮発性メモリ装置の一部分を消去する方法において、
ビットラインに直列に接続される複数個のメモリセルトランジスタを含み、基板に形成されるウエルに消去電圧を印加する段階と、
少なくとも1つのプリチャージトランジスタのゲートをフローティングさせる段階とを含み、
前記プリチャージトランジスタは前記ウエルに形成され、前記ビットラインにプリチャージ電圧を選択的に印加するように構成する段階とを含むことを特徴とする方法。 - 遮断トランジスタをターンオフさせるために前記遮断トランジスタのゲートにターンオフ電圧を印加する段階をさらに含み、
前記遮断トランジスタは前記ウエルの外部に形成され、前記ビットラインから前記バッファを選択的に遮断するように構成されることを特徴とする請求項36に記載の方法。 - 前記ターンオフ電圧は接地電圧であることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記ターンオフは電源供給電圧であることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 不揮発性メモリ装置の一部分を消去する方法において、
ウエルはビットラインに直列に接続される複数個のメモリセルトランジスタを含み、基板に形成されるウエルに消去電圧を印加する段階と、
少なくとも1つのディカップリングトランジスタのゲートをフローティングさせる段階と、
前記ディカップリングトランジスタは前記ウエルに形成され、前記ウエルの外部の基板に形成されるバッファから前記ビットラインを選択的に分離するように構成する段階と、
少なくとも1つのプリチャージトランジスタゲートをフローティングさせる段階とを含み、
前記プリチャージトランジスタは前記ウエルに形成され、前記ビットラインにプリチャージ電圧を印加するように構成されることを特徴とする方法。 - 遮断トランジスタをターンオフさせるために前記遮断トランジスタのゲートにターンオフ電圧を印加する段階をさらに含み、
前記遮断トランジスタは前記ウエルの外部に形成され、前記ディカップリングトランジスタに接続され、前記ビットラインから前記バッファを選択的に遮断するように構成されることを特徴とする請求項40に記載の方法。 - 前記ターンオフ電圧は接地電圧であることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 前記ターンオフ電圧は電源供給電圧であることを特徴とする請求項41に記載の方法。
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