JP2007220722A

JP2007220722A - 半導体パッケージおよびその製造方法並びに半導体パッケージの使用方法

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Publication number: JP2007220722A
Application number: JP2006036483A
Authority: JP
Inventors: Motoi Noguchi; 基野口; Seiji Ito; 誠二伊藤; Kazutaka Takagi; 一考高木
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2006-02-14
Filing date: 2006-02-14
Publication date: 2007-08-30

Abstract

【課題】半導体素子が設置された熱伝導性基板に枠体をろう付けすることにより反りが発生しても半導体パッケージとして、また、半導体パッケージの製造方法として、更にはこの半導体パッケージを使用するにあたって、半導体素子から発生する熱の放熱特性を良好に維持し得る半導体パッケージおよびその製造方法並びに半導体パッケージの使用方法を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１０は、平坦面である上面１２ａおよび凸状面である下面１２ｂを有する金属基板１２と、この金属基板１２の上面１２ａ側に設置された半導体素子１４と、この半導体素子１４を外側から囲うように、金属基板１２の上面１２ａにろう付けされた枠体１５とを備える。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体装置に用いられる半導体パッケージに係り、特に高出力、高周波のパワーＦＥＴ等の半導体素子を収納した半導体パッケージおよびその製造方法に関する。

従来、半導体装置に用いられるこの種の半導体パッケージは、主に半導体素子が設置される熱伝導性基板と、この基板の一面上に半導体素子を囲うように設けられる枠体とから構成されている。

半導体装置としては、枠体内部の熱伝導性基板上に半導体素子およびアルミナ等のセラミックス製の非導電性基板を設け、両基板の間をボンディングワイヤで導電的に接続し、枠体の開放側から蓋を被せて一定の気密度が得られるようにしている。この種の半導体装置に用いられる半導体パッケージは、取扱過程において、半導体素子，非導電性基板および枠体を熱伝導性基板側へろう付け、例えば半田付けにより取り付けられるために、ろう付けの際に生じる高温度がパッケージ全体に加えられる。

一方、熱伝導性基板は通常線膨張係数が高いこと、また、電極接合部等の内部部品にあっては、熱伝導性基板との線膨張係数が相対的に低いため、膨張時の寸法ずれが生じていた。そのため、この電極の外れを防止するために、線膨張係数に差の少ないものが通常用いられている。

一方、熱伝導性基板のろう付けする側の表面には、ろう付け時に高熱が加わることにより、この表面の熱膨張により、この熱膨張する側に向けた反りが発生する。この熱伝導性基板の反りの発生により、非導電性基板と熱伝導性基板との面接触状態が悪くなり、半導体素子の通電時に発する熱の外部への放熱が著しく妨げられる要因となっていた。従って、半導体装置に用いる半導体素子の高出力化に大きな障害となっていた。

このような障害を取り除くために、従来、熱伝導性基板に反りが発生するのを有効に防止する一方で、半導体素子が発生する熱を熱伝導性基板に良好に吸収させることによって、半導体素子を正常且つ安定に作動させることができる半導体パッケージが用いられている。

例えばこの種の半導体パッケージとして、特開平５−２２６５１４号公報（特許文献１参照）に開示されたものがある。特許文献に開示された従来の半導体装置の半導体パッケージを図５および図６を参照して説明する。

図５は半導体パッケージ１の概要を示す斜視図、図６は図５のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。

図５に示す半導体パッケージ１は、半導体素子ｘを設置する熱伝導性基板２と、枠部の一部に外部リード線端子３を接続する端子挿通孔４を設けた熱伝導性の枠体５とから構成される。

熱伝導性基板２は、図６に示すように、モリブデン板６と、このモリブデン板６の上下両面に銅板７および８を重層した３層構成になっている。

枠体５は、熱伝導性基板２の上面に銀ロウ等のロウ材で接合される。

銅板７は、熱伝導性基板２上に枠体５をロウ材を加熱して取着する際、熱伝導性基板２を構成するモリブデン板６と枠体５との間に発生する両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力の一部を吸収する作用をなすように設けられる。

また、銅板８は、熱伝導性基板２を構成するモリブデン板６と枠体５との間に残余する熱応力によって、熱伝導性基板２全体にわたって反りが発生するのを消去する作用が得られるように設けられる。

また、３層構成に設けられた熱伝導性基板２は、モリブデン板６，銅板７および８の板厚の差により、ろう付け時に凹状または凸状に反りが発生するので、３者の板厚を適宜に選択することにより、凹状または凸状の反りが発生しないようにすることができるものである。

従って、従来の半導体パッケージ１によれば、熱伝導性基板２上に設置される半導体素子ｘが通電時に発生する熱は、熱伝導性基板２が直接伝導吸収すると共に大気中に良好に放出して半導体素子ｘを長期間にわたり正常且つ安定に作動させることができるようになっている。
特開平５−２２６５１４号公報

従来の半導体パッケージ１によれば、熱伝導性基板２の反りを防止するために、モリブデン板６，銅板７および８との３層構成にしたものであるから、その製作工程が増加する一方で、３層のそれぞれの板厚のバラツキにより、熱伝導性基板２の反り具合が安定せず、延いては、熱伝導性基板２上に設けられる半導体素子に発生する熱の放熱特性が改善されず半導体パッケージ１を用いた半導体装置としての半導体素子の放熱性について悪影響を及ぼしていた。

本発明は、前記の事情に鑑みてなされたもので、半導体素子が設置された熱伝導性基板に枠体を加熱接合することにより反りが発生しても半導体パッケージとして使用する際に、熱伝導性に影響が生じないようにして、半導体素子から発生する熱の放熱特性を良好に維持し得る半導体パッケージおよびその製造方法並びに半導体パッケージの使用方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明によれば、平坦面である上面および凸状面である下面を有する熱伝導性基板と、この熱伝導性基板の前記上面側に設置された半導体素子と、この半導体素子を外側から囲うように、前記熱伝導性基板の上面にろう付けされた枠体とを具備したことを特徴とする半導体パッケージを提供する。

前記目的を達成するために、本発明によれば、平坦面である上面および凸状面である下面を有する熱伝導性基板の前記平坦面に半導体素子を設置し、当該半導体素子を外側から囲うようにして前記上面側に枠体をろう付けし、このろう付けの際に発生した熱により、前記熱伝導性基板の下面側を湾曲変形させて平坦面にすることを特徴とする半導体パッケージの製造方法を提供する。

前記目的を達成するために、本発明によれば、平坦面である上面および凸状面である下面を有する熱伝導性基板の前記上面に半導体素子を設置し、当該半導体素子を外側から囲うようにして前記上面側に枠体をろう付けし、このろう付けの際に発生した熱により、前記熱伝導性基板の下面側を湾曲変形させて平坦面にし、前記熱が放熱することにより、前記下面側が元の凸状面の状態に復帰できるようにすることを特徴とする半導体パッケージの製造方法を提供する。

前記目的を達成するために、本発明によれば、平坦面である上面および凸状面である下面を有する熱伝導性基板の前記上面に半導体素子を設置し、当該半導体素子を外側から囲うようにして前記上面側に枠体をろう付けし、このろう付けの際に発生した熱により、前記熱伝導性基板の下面側を湾曲変形させて平坦面にし、前記下面を前記熱伝導性基体側の面に接合させた状態で固定具により固定して使用することを特徴とする半導体パッケージの使用方法を提供する。

本発明によれば、半導体素子が設置された熱伝導基板に枠体を過熱接合することにより反りが発生しても半導体パッケージとして使用するに際して熱伝導性に影響が生じないようにして半導体素子から発生する熱の放熱特性を良好に維持し得る半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法並びに半導体パッケージの使用方法を提供することができる。

本発明に係る半導体装置の実施形態について、添付図面を参照して説明する。

図１は、本発明の半導体パッケージ１０が、熱伝導性基体である金属基体１１上に設置された状態を示す斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図３は、図１に示す金属基板１２の拡大断面図で、（Ａ）は、金属基板１２が反っていない状態を示し、（Ｂ）は、金属基板１２が反っている状態を示す図である。

図１に示す半導体パッケージ１０は、半導体パッケージ１０が取り付けられる金属基体（一点鎖線図示）１１の上面に設置されるネジ等の複数の固定具により固定される金属基板１２と、この金属基板１２上面に設けられる導電パターン等の導電パターン１３ａを備えた導電基板１３と、この導電基板１３の上面に設置された複数、例えば４つを縦列に並べられた半導体素子１４と、これらの導電基板１３および半導体素子１４を囲うように金属基板１２の上面に設けられる枠体１５とから構成される。

金属基板１２は、所望の熱伝導率を有し、上面に設置された半導体素子１４からの発熱を効率的に放熱するための放熱板としての役割をもなすものである。

具体的には、図３（Ａ）に示すように、周囲温度が常温下において、平坦面である上面１２ａと、凸状面である下面１２ｂが形成される周辺部には、相対向する端部に複数の固定具用穴１２ｃが複数個設けられる。

この金属基板１２は、その上面１２ａ側の中央部が、例えば８００℃程度まで加熱されることにより、図３（Ａ）の矢印ｙで示すように、上面１２ａ側が主として平面方向に熱膨張し、図３（Ｂ）の矢印Ｐ方向に湾曲すると同時に下面１２ｂが同じＰ方向に湾曲し、結果的に下面１２ｂ側が平坦面に形成される。

金属基板１２の上面１２ａには、図１および図２に示すように、導電基板１３が熱伝導的に接合される。更にこの導電基板１３の上面には複数個の半導体素子１４が熱伝導的に設置される。

また、金属基板１２の上面１２ａ側には、導電基板１３および半導体素子１４の外側から囲うように熱伝導性の枠体１５が設置される。この枠体１５は、金属基板１２の上面１２ａにろう付け、例えば半田付け１７して一体的に接合される。

半導体素子１４は、半導体パッケージ１０の作動時において通電され、この通電により、自己発熱し、金属基板１２側に熱影響を与える。金属基板１２は、この熱の影響を受けて上面１２ａ側が図３（Ａ）に示すように、中央部が矢印Ｐ方向に湾曲するものである。

また、この湾曲の結果、上述したように、上面１２ａの中央部が上方へ隆起するように変形する。また、この変形に合わせて、下面１２ｂ側が逆に湾曲状態から平坦な状態になるように変形するものである。

導電基板１３は、図１に示すように、所望の導電パターン１３ａが設けられた薄板状のものである。

半導体素子１４は、具体的には、ガリ砒素（ＧａＨｓ）等の材料にて形成されたもので、図１および図２に示すように、導電基板１３上面に、例えば４つを縦列に並べて配置されたものが正負電極間を流れる電流により自己発熱するものである。

枠体１５は、半導体素子１４における外部からの衝撃力に対する保護や、枠体１５内の高熱を外部へ放散させることができるように設けられたもので、金属基板１２の上面１２ａ側へ、半田付け１７により熱伝導的に接合される。このように接合された枠体１５上の開口側は、図２の想像線で示すように熱伝導性の蓋体１６にて覆い被せられるようになっている。また、蓋体１６にて覆い被せられることにより、枠体１５と協働して半導体素子１４や導電基板１３の導電パターン１３ａが、外部からの衝撃に対して保護されるようになっている。

次に、半導体パッケージ１０の製造方法および使用形態について説明する。

図４は、半導体パッケージ１０の製造方法および半導体パッケージ１０の使用形態を示す断面図で、（Ａ）〜（Ｃ）は、その製造工程から使用形態までのステップを示す図である。

具体的には、図４（Ａ）に示すように、金属基板１２の上面１２ａ上に、先ず導電基板１３を設置し、この導電基板１３上面の所定位置に、４つの半導体素子１４が縦列に設置される。

一方、図４（Ｂ）には、下面１２ｂ側が上面１２ａ側に枠体１５を設置し、半田付け１７した状態を示す。そして、半田付け１７の際発生する熱により、金属基板１２の下面１２ｂ側が逆方向に変形し、上面１２ａ側が矢印Ｐ方向に湾曲した状態が示される。この湾曲現象は、金属基板１２の下面１２ｂ側が、金属基板１２上に設けられる枠体１５の金属基板１２に対して半田付け１７する際に発生する熱が金属基板１２の中央部上面に対して、ろう付け時の熱伝導により加熱され、この金属基板１２の中央部上方へ湾曲するものである。

更に、図４（Ｃ）には、前記のプロセスにより製造された、上記図４（Ｂ）のままの状態の半導体パッケージ１０を、取付け側の金属基体１１の上面に設置し、複数の固定具用穴１２ｃを介して金属基体１１側に固定具ｋにより螺合固定した状態が示される。この状態にあっては、金属基板１２からの放熱が進み常温状態になると、金属基板１２は図３（Ｂ）の状態から図３（Ａ）の状態に戻ろうとするが、固定具ｋにより、金属基体１１側に固定されているので、上方への湾曲が生じない。

なお、図４（Ｃ）に示す状態において、金属基板１２の上面に設置された半導体素子１４は、金属基板１２の上面１２ａ側へ微少に湾曲した状態になるが、半導体素子１４自体は、短尺側を湾曲方向に向けて取り付けてあるので、熱伝導面での剥がれなどの悪影響はほとんどない。なお、半導体素子１４の長尺側が湾曲方向に向いていた場合であっても、僅かに影響は受けるが、熱伝導面性についての影響はほとんどない。

次に、半導体パッケージ１０の製造方法について図３および図４を参照して更に詳細に説明する。

金属基板１２の上面１２ａ上に導電基板１３が設置され、この導電基板１３の上面に複数の半導体素子１４が所定の位置に設置されるまでの製造プロセスの説明は省略する。

金属基板１２の上面１２ａ上において、図４（Ａ）に示すように、導電基板１３および半導体素子１４の外側を覆うようにして枠体１５を設置する。次に、金属基板１２の上面１２ａと枠体１５の接続部において、図４（Ｂ）に示すように、枠体１５の周縁部全体に半田等の結合材を用いてろう付け１７を行う。このろう付け１７には約８００℃程度の高温の下で、例えば半田を融解して行う。すると、約８００℃程度の温度が金属基板１２に熱伝導的に作用して金属基板１２の上面１２ａ側を高温で加熱されるようになる。

この加熱の影響を受けた金属基板１２は、図４（Ｂ）の矢印Ｐに示す方向に湾曲するようになる。この高熱による湾曲の程度は、金属基板１２の下面１２ｂ側が平坦面になるように所望の熱膨張率を有するものである。

次に、このような状態にある半導体パッケージ１０の使用方法について更に詳細に説明する。

図４（Ｃ）には、半導体パッケージ１０の使用方法が示される。図４（Ｃ）に示すように、半導体パッケージ１０の金属基板１２を金属基体１１の上面に位置決めし、この金属基板１２の固定具用穴１２ｃに複数の固定具ｋにて金属基体１１側に固定する。この半導体パッケージ１０が金属基体１１側に固定されたことにより、半田付け１７による高温状態から放熱した際に、平坦状態にあった下面１２ｂが元の湾曲面に戻ろうとするけれども、固定具ｋにより固定されていることから矢印Ｐ１方向に湾曲しようとする力が働きつつも図４（Ｃ）に示す状態に維持された状態となる。

そして、この維持された状態にて、半導体素子１４に通電して使用を開始すると、半導体素子１４が自己発熱する。この自己発熱は、例えば３００℃程度まで上昇し、この熱の影響で半導体素子１４側から金属基板１２の先ず中央部側へ熱伝導により伝わる。すると、金属基板１２は、前記３００℃程度の温度上昇に伴い、ろう付け１７時の熱の影響と同様に熱の影響で図４（Ｃ）の矢印Ｐ１にて示すように、中央部が上方向へ湾曲する現象が生じる。

すなわち、金属基板１２は、下面１２ｂ側の平坦面が矢印Ｐ１方向へ湾曲しようとする力が発生する。金属基板１２には、Ｐ１方向へ湾曲しようとしても、固定具ｋにて金属基板１２を固定しているので、湾曲が抑止され、外形上の変化は伴わない。

次に、半導体パッケージ１０を金属基体１１に設置して使用した場合の作用について説明する。

半導体パッケージ１０を使用するにあたり、半導体素子１４へ通電すると、当該半導体素子１４の自己発熱により、この発熱が金属基板１２に熱伝導して温度上昇する。すると、金属基板１２が図４（Ｂ）に示すように、矢印Ｐ方向に湾曲する。

この湾曲により、金属基板１２の上面１２ａ側は、上方へ変形して湾曲する。一方、下面１２ｂ側は、上面１２ａの上方への湾曲に伴い上方へ変形して、逆に平坦面が形成される。上面１２ａ側が平坦になることにより、この平坦面を利用して金属基体１１側に面接触させて用いることにより熱伝導の良好な状態が得られるようになる。

すなわち、前記のように形成された半導体パッケージ１０を、例えば図示しない半導体装置に使用するにあたって、図４（Ｃ）に示すように、金属基体１１側に対して、平坦面状になっている下面（凸状面）１２ｂ側を金属基体１１の上面に面接触状態に仮置きすると共に、金属基板１２の両端の固定具用穴１２ｃを介して固定具ｋにより固定させることによって、図４（Ｂ）に示す形状のままにて保持させることができる。

従って、金属基板１２の平坦面となつた下面１２ｂが、金属基体１１の表面に対する熱伝導特性が最適となり、半導体素子１４からの発熱が良好に放熱されるようになる。

また、図４（Ｃ）に示す状態では、金属基板１２からの放熱が進むにつれ、金属基板１２は、図４（Ａ）に示す状態に戻ろうとするので、金属基板１２の端部を固定していた固定具ｋには、強い引っ張り応力が減少状態となり、固定具ｋ自体の緩みを防止する作用が得られるようになる。

なお、金属基板１２の下面１２ｂ側が、全体として平坦面が得られるようにするにあたって、半導体素子１４からの発熱温度や発熱量、金属基板１２の熱伝導率や反り強度（特性）等による金属基板１２の反り具合の諸条件を勘案して適宜のものを採用することができる。

本発明の半導体パッケージ１０によれば、平坦面である上面１２ａおよび凸状面である下面１２ｂを有する金属性基板１２と、この金属基板１２の上面１２ａ側に設置された半導体素子１４と、この半導体素子１４を外側から囲うように、金属基板１２の上面１２ａにろう付け１７された枠体１５とを具備した構成であるから、半導体素子１４が設置された金属基板１２に枠体１５を半田付け１７することにより金属基板１２に反りが発生しても、金属基板１２の下面１２ｂ側において平坦面が得られるので、この半導体パッケージ１０の使用に際して半導体素子１４からの発熱を金属基板１２を介して効果的に放熱させることが可能となる。

また、本発明の半導体パッケージ１０の製造方法によれば、平坦面である上面１２ａおよび凸状面である下面１２ｂに形成された金属基板１２の上面１２ａに半導体素子１４を設置し、この半導体素子１４を外側から囲うようにして前記上面１２ａ側に枠体１５を半田付け１７し、この半田付け１７する際に発生した熱により、金属基板１２の下面１２ｂ側を湾曲変形させて平坦面にすることを特徴とする半導体パッケージの製造方法であるから、半導体素子１４が設置された金属基板１２に枠体１５を半田付け１７するに際して、金属基板１２に反りが発生しても、金属基板１２の下面１２ｂ側において平坦面が得られるので、この半導体パッケージ１０の使用に際して半導体素子１４からの発熱を金属基板１２を介して効果的に放熱させることが可能となる。

更に、本発明の半導体パッケージ１０の製造方法によれば、平坦面である上面１２ａおよび凸状面である下面１２ｂを有する金属基板１２の上面１２ａに半導体素子１４を設置し、この半導体素子１４を外側から囲うようにして上面１２ａ側に枠体１５を半田付け１７し、この半田付け１７の際に発生した熱により、金属基板１２の下面１２ｂ側を湾曲変形させて平坦面にし、上記熱が放熱することにより、下面１２ｂ側が元の凸状面の状態に復帰できるようにすることを特徴とする半導体パッケージの製造方法であるから、半導体素子１４が設置された金属基板１２に枠体１５を半田付け１７することにより金属基板１２に反りが発生しても、金属基板１２の下面１２ｂ側において平坦面が得られるので、この半導体パッケージ１０の使用に際して半導体素子１４からの発熱を金属基板１２を介して効果的に放熱させることが可能となる。

また、金属基板１２の反りの復元作用を有することにより、半導体パッケージ１０の使用、不使用時毎に反りを発生させたり、戻したりする復元作用が繰り返し得られるので、半導体パッケージ１０を繰り返し使用しても半導体素子１４の放熱特性を良好に維持することができる。

更に、本発明の半導体パッケージ１０の使用方法によれば、平坦面である上面１２ａおよび凸状面である下面１２ｂを有する金属基板１２の上面に半導体素子１４を設置し、この半導体素子１４を外側から囲うようにして上面１２ａ側に枠体１５をろう付け１７し、このろう付け１７の際に発生した熱により、金属基板１２の下面１２ｂを湾曲変形させて平坦面にし、下面１２ｂを金属基体１１側の面に接合させた状態で固定具ｋにより固定して使用することを特徴とする半導体パッケージの使用方法であるから、半導体素子１４が設置された金属基板１２に枠体１５を加熱接合することにより金属基板１２に反りが発生しても、金属基板１２の下面１２ｂ側において平坦面が得られるので、この半導体パッケージ１０の使用に際して半導体素子１４からの発熱を金属基板１２を介して効果的に放熱させることが可能となる。

更にまた、半導体素子１４が設置された金属基板１２に枠体１５を半田付け１７することにより金属基板１２に反りが発生しても、金属基板１２の下面１２ｂ側において平坦面が得られるので、この平坦面が得られた段階で、平坦面を金属基体１１側の面に接合させると共に、金属基板１２を固定具ｋにより金属基体１１側に固定して使用することにより、反りのない状態で継続して使用することができる。従って、半導体パッケージ１０の使用に際して半導体素子１４からの発熱を継続して金属基板１２を介して効果的に放熱させることが可能となる。

なお、半導体パッケージ１０によれば、半導体素子１４を金属基板１２の上面１２ａ側に導電基板１３を介して設置するようにしたが、必ずしも導電基板１３は必要ではなく、半導体素子１４を直接に金属基板１２の上面１２ａ側に設置させたタイプの半導体パッケージであってもよい。

本発明の半導体パッケージが金属基体上に設置した状態を示す斜視図。図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。図１に示す金属基板の拡大断面図で、（Ａ）は、金属基板が反っていない状態で、（Ｂ）は、金属基板が反っている状態を示す図。本発明の半導体パッケージ１０の製造方法および半導体パッケージ１０の使用形態を示す図で、（Ａ）〜（Ｃ）は、その製造工程から使用形態までのステップを示す断面図。従来の半導体パッケージが示す斜視図。図５のＣ−Ｃ線に沿う断面図。

符号の説明

１０半導体パッケージ
１１金属基体（熱伝導基体）
１２金属基板（熱伝導基板）
１２ａ上面（平坦面）
１２ｂ下面（凸状面）
１２ｃ固定具用穴
１３導電基板
１３ａ導電パターン
１４半導体素子
１５枠体
１６蓋体
１７ろう付け
ｃ中央部
ｄ２凸部
ｋ固定具
Ｐ１，Ｐ２作用力
Ｑ中心点

Claims

平坦面である上面および凸状面である下面を有する熱伝導性基板と、この熱伝導性基板の前記上面側に設置された半導体素子と、この半導体素子を外側から囲うように、前記熱伝導性基板の上面にろう付けされた枠体とを具備したことを特徴とする半導体パッケージ。
平坦面である上面および凸状面である下面を有する熱伝導性基板の前記平坦面に半導体素子を設置し、当該半導体素子を外側から囲うようにして前記上面側に枠体をろう付けし、このろう付けの際に発生した熱により、前記熱伝導性基板の下面側を湾曲変形させて平坦面にすることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
平坦面である上面および凸状面である下面を有する熱伝導性基板の前記上面に半導体素子を設置し、当該半導体素子を外側から囲うようにして前記上面側に枠体をろう付けし、このろう付けの際に発生した熱により、前記熱伝導性基板の下面側を湾曲変形させて平坦面にし、前記熱が放熱することにより、前記下面側が元の凸状面の状態に復帰できるようにすることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
平坦面である上面および凸状面である下面を有する熱伝導性基板の前記上面に半導体素子を設置し、当該半導体素子を外側から囲うようにして前記上面側に枠体をろう付けし、このろう付けの際に発生した熱により、前記熱伝導性基板の下面側を湾曲変形させて平坦面にし、前記下面を前記熱伝導性基体側の面に接合させた状態で固定具により固定して使用することを特徴とする半導体パッケージの使用方法。