JP2007208073A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】相補型のTLPMのPchTLPMの第2トレンチ12の深さよりNchTLPMの第1トレンチの深さを浅くすることで、NchTLPMのチャネル長の最適化を図りオン抵抗を小さくすることができる。また第1トレンチと第1nドレイン領域を形成するマスクを同一とし、第2トレンチと第1pドレイン領域を形成するマスクを同一とすることで、フォト工程を減らして低コスト化を図ることができる。また、セルフアラインにより第1nドレイン領域を高精度に形成できる。
【選択図】 図1
Description
半導体層の表面から内部に向って形成した第2トレンチと、該第2トレンチの少なくとも一方の側壁にゲート絶縁膜を介して形成した第2ゲート電極と、前記第2トレンチの底部の前記半導体層に形成した第2導電型の第2ドレイン領域と、前記第2トレンチの前記第2ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第1導電型の第2ベース領域と、該第2ベース領域の表面層に前記第2トレンチの前記側壁と接して形成した第2導電型の第2ソース領域とを備える第2トレンチ横型MOSFETと、を有する半導体装置において、
前記第1トレンチ横型MOSFETの第1トレンチの深さと前記第2トレンチ横型MOSFETの第2トレンチ深さが異なる構成とする。
前記半導体層の表面から内部に向って形成した第4トレンチと、該第4トレンチの少なくとも一方の側壁に前記ゲート絶縁膜を介して形成した第4ゲート電極と、前記第4トレンチの底部の前記半導体層に形成した第1導電型の第4ドレイン領域と、前記第4トレンチの前記第4ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第2導電型の第4ベース領域と、該第4ベース領域の表面層に前記第4トレンチの前記側壁と接して形成した第1導電型の第4ソース領域とを備える第4トレンチ横型MOSFETと、を有する半導体装置において、
前記第3トレンチ横型MOSFETの第3トレンチの深さと前記第4トレンチ横型MOSFETの第4トレンチ深さが異なる構成とする。
半導体層の表面から内部に向って形成した第2トレンチと、該第2トレンチの少なくとも一方の側壁にゲート絶縁膜を介して形成した第2ゲート電極と、前記第2トレンチの底部の前記半導体層に形成した第2導電型の第2ドレイン領域と、前記第2トレンチの前記第2ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第1導電型の第2ベース領域と、該第2ベース領域の表面層に前記第2トレンチの前記側壁と接して形成した第2導電型の第2ソース領域とを備える第2トレンチ横型MOSFETと、を有する半導体装置の製造方法において、
第1マスクを用いて前記第1トレンチを形成する工程と、
前記第1マスクを用いて前記第1ドレイン領域を形成する工程と、
第2マスクを用いて前記第2トレンチを形成する工程と、
前記第2マスクを用いて前記第2ドレイン領域を形成する工程と、
を有する製造方法とする。
前記半導体層の表面から内部に向って形成した第4トレンチと、該第4トレンチの少なくとも一方の側壁に前記ゲート絶縁膜を介して形成した第4ゲート電極と、前記第4トレンチの底部の前記半導体層に形成した第1導電型の第4ドレイン領域と、前記第4トレンチの前記第4ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第2導電型の第4ベース領域と、該第4ベース領域の表面層に前記第4トレンチの前記側壁と接して形成した第1導電型の第4ソース領域とを備える第4トレンチ横型MOSFETと、を有する半導体装置の製造方法において、
第3マスクを用いて前記第3トレンチを形成する工程と、
前記第3マスクを用いて前記第3ドレイン領域を形成する工程と、
第4マスクを用いて前記第4トレンチを形成する工程と、
前記第4マスクを用いて前記第4ドレイン領域を形成する工程と、
を有する製造方法とする。
つぎに、第3トレンチ34の個所を開口し、第1トレンチ11の個所を塞いだ第1レジストマスク35を形成し、図4と同様にリン9のイオン注入8を行う(図11)。
2、42 nウェル領域
3、43、44 pベース領域
3a p領域
4 nベース領域
4a n領域
5 第1マスク酸化膜
6 開口部
7、47 第1トレンチ
8 イオン注入
9 リン
10 第2マスク酸化膜
11 開口部
12、52 第2トレンチ
13 イオン注入
14 ボロン
15、55 LOCOS酸化膜
16、56,57 第1nドレイン領域
17 第1pドレイン領域
18、58,59 第2nドレイン領域
19 第2pドレイン領域
20、60、62 nソース領域
21、61、63 nコンタクト領域
22 pソース領域
23 pコンタクト領域
24、64 ゲート絶縁膜
25、65 第1ゲート電極
26、66 第2ゲート電極
27、67 プラグ
28、68、70 ソース電極
29、69、71 ドレイン電極
30 ソース電極
31 ドレイン電極
32 第1マスク酸化膜
33 開口部
34 第3トレンチ
35 第2マスク酸化膜
36 第3マスク酸化膜
41 p基板
42 nウェル領域
43 pベース領域
44 pベース領域
47 第1トレンチ
52 第2トレンチ
55 LOCOS酸化膜
56 第1nドレイン領域
57 第1nドレイン領域
58 第2nドレイン領域
59 第2nドレイン領域
60 nソース領域
61 nコンタクト領域
62 nソース領域
63 nコンタクト領域
64 ゲート絶縁膜
65 第1ゲート電極
66 第2ゲート電極
67 プラグ
68 ソース電極
69 ドレイン電極
70 ソース電極
71 ドレイン電極
Claims (9)
- 同一の半導体基板にトレンチゲート型素子を複数有する半導体装置において、トレンチ深さが異なることを特徴とする半導体装置。
- 半導体層の表面から内部に向って形成した第1トレンチと、該第1トレンチの少なくとも一方の側壁にゲート絶縁膜を介して形成した第1ゲート電極と、前記第1トレンチの底部の前記半導体層に形成した第1導電型の第1ドレイン領域と、前記第1トレンチの前記第1ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第2導電型の第1ベース領域と、該第1ベース領域の表面層に前記第1トレンチの前記側壁と接して形成した第1導電型の第1ソース領域とを備える第1トレンチ横型MOSFETと、
半導体層の表面から内部に向って形成した第2トレンチと、該第2トレンチの少なくとも一方の側壁にゲート絶縁膜を介して形成した第2ゲート電極と、前記第2トレンチの底部の前記半導体層に形成した第2導電型の第2ドレイン領域と、前記第2トレンチの前記第2ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第1導電型の第2ベース領域と、該第2ベース領域の表面層に前記第2トレンチの前記側壁と接して形成した第2導電型の第2ソース領域とを備える第2トレンチ横型MOSFETと、を有する半導体装置において、
前記第1トレンチ横型MOSFETの第1トレンチの深さと前記第2トレンチ横型MOSFETの第2トレンチ深さが異なることを特徴とする半導体装置。 - 半導体層の表面から内部に向って形成した第3トレンチと、該第3トレンチの少なくとも一方の側壁にゲート絶縁膜を介して形成した第3ゲート電極と、前記第3トレンチの底部の前記半導体層に形成した第1導電型の第3ドレイン領域と、前記第3トレンチの前記第3ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第2導電型の第3ベース領域と、該第3ベース領域の表面層に前記第3トレンチの前記側壁と接して形成した第1導電型の第3ソース領域とを備える第3トレンチ横型MOSFETと、
前記半導体層の表面から内部に向って形成した第4トレンチと、該第4トレンチの少なくとも一方の側壁に前記ゲート絶縁膜を介して形成した第4ゲート電極と、前記第4トレンチの底部の前記半導体層に形成した第1導電型の第4ドレイン領域と、前記第4トレンチの前記第4ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第2導電型の第4ベース領域と、該第4ベース領域の表面層に前記第4トレンチの前記側壁と接して形成した第1導電型の第4ソース領域とを備える第4トレンチ横型MOSFETと、を有する半導体装置において、
前記第3トレンチ横型MOSFETの第3トレンチの深さと前記第4トレンチ横型MOSFETの第4トレンチ深さが異なることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1トレンチ横型MOSFETが前記第2トレンチ横型MOSFETより素子耐圧が高く、前記第1トレンチの深さが前記第2トレンチの深さより深いことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第3トレンチ横型MOSFETがpチャネルMOSFETであり、前記第4トレンチ横型MOSFETがnチャネルMOSFETであり、前記第3トレンチの深さが前記第4トレンチの深さより深いことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 複数のトレンチと、該トレンチのそれぞれの底部に形成されるドレイン領域を有する半導体装置の製造方法において、前記トレンチを形成するマスクを前記ドレイン領域を形成するマスクとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体層の表面から内部に向って形成した第1トレンチと、該第1トレンチの少なくとも一方の側壁にゲート絶縁膜を介して形成した第1ゲート電極と、前記第1トレンチの底部の前記半導体層に形成した第1導電型の第1ドレイン領域と、前記第1トレンチの前記第1ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第2導電型の第1ベース領域と、該第1ベース領域の表面層に前記第1トレンチの前記側壁と接して形成した第1導電型の第1ソース領域とを備える第1トレンチ横型MOSFETと、
半導体層の表面から内部に向って形成した第2トレンチと、該第2トレンチの少なくとも一方の側壁にゲート絶縁膜を介して形成した第2ゲート電極と、前記第2トレンチの底部の前記半導体層に形成した第2導電型の第2ドレイン領域と、前記第2トレンチの前記第2ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第1導電型の第2ベース領域と、該第2ベース領域の表面層に前記第2トレンチの前記側壁と接して形成した第2導電型の第2ソース領域とを備える第2トレンチ横型MOSFETと、を有する半導体装置の製造方法において、
第1マスクを用いて前記第1トレンチを形成する工程と、
前記第1マスクを用いて前記第1ドレイン領域を形成する工程と、
第2マスクを用いて前記第2トレンチを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体層の表面から内部に向って形成した第3トレンチと、該第3トレンチの少なくとも一方の側壁にゲート絶縁膜を介して形成した第3ゲート電極と、前記第3トレンチの底部の前記半導体層に形成した第1導電型の第3ドレイン領域と、前記第3トレンチの前記第3ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第2導電型の第3ベース領域と、該第3ベース領域の表面層に前記第3トレンチの前記側壁と接して形成した第1導電型の第3ソース領域とを備える第3トレンチ横型MOSFETと、
前記半導体層の表面から内部に向って形成した第4トレンチと、該第4トレンチの少なくとも一方の側壁に前記ゲート絶縁膜を介して形成した第4ゲート電極と、前記第4トレンチの底部の前記半導体層に形成した第1導電型の第4ドレイン領域と、前記第4トレンチの前記第4ゲート電極が形成された前記側壁に接し、前記半導体層の表面層に形成した第2導電型の第4ベース領域と、該第4ベース領域の表面層に前記第4トレンチの前記側壁と接して形成した第1導電型の第4ソース領域とを備える第4トレンチ横型MOSFETと、を有する半導体装置の製造方法において
第3マスクを用いて前記第3トレンチを形成する工程と、
前記第3マスクを用いて前記第3ドレイン領域を形成する工程と、
第4マスクを用いて前記第4トレンチを形成する工程と、
前記第3マスクを用いて前記第3ドレイン領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 開口幅の異なる複数の開口部を有するマスクを用いて、深さの異なるトレンチを同時に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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