JP2007201437A - 半導体装置 - Google Patents

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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010050456A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Intel Corp プログラマブル・リード・オンリ・メモリ
JP2011129891A (ja) * 2009-11-20 2011-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012129512A (ja) * 2010-11-24 2012-07-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
JP2014017500A (ja) * 2009-10-30 2014-01-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8822996B2 (en) 2008-09-19 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014207472A (ja) * 2010-05-21 2014-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016007075A (ja) * 2011-04-28 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 コンパレータ
KR20160023544A (ko) * 2014-08-22 2016-03-03 이노럭스 코포레이션 디스플레이 패널의 어레이 기판
JP2016149557A (ja) * 2010-01-15 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016164976A (ja) * 2011-06-08 2016-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019062241A (ja) * 2011-03-10 2019-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリ装置
JP2023155274A (ja) * 2009-10-21 2023-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、メモリ素子
JP2024036319A (ja) * 2011-06-08 2024-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194357A (ja) * 1984-09-28 1986-05-13 エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド プログラム可能な半導体装置及びその使用方法
JP2002298594A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Fujitsu Ltd アドレス発生回路
JP2003151294A (ja) * 2001-08-29 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd プログラム値判定回路、それを有する半導体集積回路装置、およびプログラム値判定方法
JP2003157693A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Fujitsu Ltd ヒューズ回路
WO2004023385A1 (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Renesas Technology Corp. 半導体処理装置及びｉｃカード
JP2005182551A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜集積回路、半導体回路、及び半導体装置
JP2005251183A (ja) * 2004-02-06 2005-09-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、ｉｃカード、ｉｃタグ、ｒｆｉｄ、トランスポンダ、紙幣、有価証券、パスポート、電子機器、バッグ及び衣類
JP2005259121A (ja) * 2004-02-12 2005-09-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、ｉｃカード、ｉｃタグ、ｒｆｉｄ、トランスポンダ、紙幣、有価証券、パスポート、電子機器、バッグ及び衣類
JP2007538296A (ja) * 2004-04-14 2007-12-27 松下電器産業株式会社 非接触カード

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194357A (ja) * 1984-09-28 1986-05-13 エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド プログラム可能な半導体装置及びその使用方法
JP2002298594A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Fujitsu Ltd アドレス発生回路
JP2003151294A (ja) * 2001-08-29 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd プログラム値判定回路、それを有する半導体集積回路装置、およびプログラム値判定方法
JP2003157693A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Fujitsu Ltd ヒューズ回路
WO2004023385A1 (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Renesas Technology Corp. 半導体処理装置及びｉｃカード
JP2005182551A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜集積回路、半導体回路、及び半導体装置
JP2005251183A (ja) * 2004-02-06 2005-09-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、ｉｃカード、ｉｃタグ、ｒｆｉｄ、トランスポンダ、紙幣、有価証券、パスポート、電子機器、バッグ及び衣類
JP2005259121A (ja) * 2004-02-12 2005-09-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、ｉｃカード、ｉｃタグ、ｒｆｉｄ、トランスポンダ、紙幣、有価証券、パスポート、電子機器、バッグ及び衣類
JP2007538296A (ja) * 2004-04-14 2007-12-27 松下電器産業株式会社 非接触カード

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010050456A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Intel Corp プログラマブル・リード・オンリ・メモリ
US9735163B2 (en) 2008-09-19 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8822996B2 (en) 2008-09-19 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2023155274A (ja) * 2009-10-21 2023-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、メモリ素子
US9722086B2 (en) 2009-10-30 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
JP2014017500A (ja) * 2009-10-30 2014-01-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2015164212A (ja) * 2009-10-30 2015-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017175137A (ja) * 2009-10-30 2017-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9741867B2 (en) 2009-11-20 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8892158B2 (en) 2009-11-20 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011129891A (ja) * 2009-11-20 2011-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR101708607B1 (ko) 2009-11-20 2017-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9373643B2 (en) 2009-11-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10121904B2 (en) 2009-11-20 2018-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20160116057A (ko) * 2009-11-20 2016-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016149557A (ja) * 2010-01-15 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014207472A (ja) * 2010-05-21 2014-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9299723B2 (en) 2010-05-21 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with light-blocking layers
US9786670B2 (en) 2010-11-24 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP2012129512A (ja) * 2010-11-24 2012-07-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
JP2019062241A (ja) * 2011-03-10 2019-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリ装置
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
JP2016007075A (ja) * 2011-04-28 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 コンパレータ
US9875381B2 (en) 2011-06-08 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Communication method and communication system
JP2016164976A (ja) * 2011-06-08 2016-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2024036319A (ja) * 2011-06-08 2024-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7611352B2 (ja) 2011-06-08 2025-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12252775B2 (en) 2011-06-08 2025-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film
US9728554B2 (en) 2014-08-22 2017-08-08 Innolux Corporation Array substrate of display panel
KR101701599B1 (ko) 2014-08-22 2017-02-01 이노럭스 코포레이션 디스플레이 패널의 어레이 기판
JP2016045486A (ja) * 2014-08-22 2016-04-04 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 表示パネルのアレイ基板
US10644034B2 (en) 2014-08-22 2020-05-05 Innolux Corporation Array substrate of display panel
KR20160023544A (ko) * 2014-08-22 2016-03-03 이노럭스 코포레이션 디스플레이 패널의 어레이 기판

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