JP2006148088A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の導電層間に有機化合物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。また、不揮発性であり、作製が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。絶縁層上に設けられた複数の電界効果トランジスタと、複数の電界効果トランジスタ上に設けられた複数の記憶素子とを有する。複数の電界効果トランジスタは、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタである。複数の記憶素子の各々は、第1の導電層と、有機化合物層と、第2の導電層が順に積層された素子である。
【選択図】 図2
Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
(実施の形態3)
(実施の形態4)
(実施の形態5)
Claims (27)
- 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子を有することを特徴とする半導体装置。 - 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子を複数個有し、
前記複数の記憶素子の各々が含む前記一対の導電層の一方は、前記複数の記憶素子で共通して用いられ、かつ前記電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタを複数個と、
前記複数の電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子を複数個有し、
前記複数の記憶素子の各々が含む前記一対の導電層の一方は、前記複数の電界効果トランジスタから選択された1つの電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記複数の記憶素子の各々は、互いに異なる前記電界効果トランジスタに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子とアンテナとして機能する導電層を有し、
前記一対の導電層の一方と、前記アンテナとして機能する導電層は、同じ層に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子を複数個と、アンテナとして機能する導電層を有し、
前記複数の記憶素子の各々が含む前記一対の導電層のうちの一方は、前記複数の記憶素子で共通して用いられ、かつ前記電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記一対の導電層の一方と、前記アンテナとして機能する導電層は、同じ層に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタを複数個と、
前記電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子を複数個と、アンテナとして機能する導電層を有し、
前記複数の記憶素子の各々が含む前記一対の導電層の一方は、前記複数の電界効果トランジスタから選択された1つの電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記複数の記憶素子の各々は、互いに異なる前記電界効果トランジスタに電気的に接続され、
前記一対の導電層の一方と、前記アンテナとして機能する導電層は、同じ層に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子と、
前記記憶素子上に設けられ、アンテナとして機能する導電層が設けられた基板とを有し、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした第1の電界効果トランジスタ及び第2の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタ及び前記第2の電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子を複数個と、
前記複数の記憶素子上に設けられ、アンテナとして機能する導電層が設けられた基板とを有し、
前記複数の記憶素子の各々が含む前記一対の導電層のうちの一方は、前記複数の記憶素子で共通して用いられ、かつ前記第1の電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記第2の電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタを複数個と、
前記電界効果トランジスタ上に設けられ、一対の導電層と、該一対の導電層間に有機化合物層を含む記憶素子を複数個と、
前記複数の記憶素子上に設けられ、アンテナとして機能する導電層が設けられた基板とを有し、
前記複数の記憶素子の各々が含む前記一対の導電層の一方は、前記複数の電界効果トランジスタから選択された1つの電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記複数の記憶素子の各々は、互いに異なる前記電界効果トランジスタに電気的に接続され、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを覆う第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続された第1の導電層と、
前記第2の絶縁層と前記第1の導電層上に設けられた第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第1の導電層に接続された第2の導電層と、
前記第2の導電層に接する有機化合物層と、
前記有機化合物層に接する第3の導電層と、を有し、
前記第2の導電層、前記有機化合物層及び前記第3の導電層の積層体は、記憶素子であることを特徴とする半導体装置。 - 第1の絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを覆う第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続された第1の導電層と、
前記第2の絶縁層と前記第1の導電層上に設けられた第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第1の導電層に接続された第2の導電層及び第3の導電層と、
前記第2の導電層に接する有機化合物層と、
前記有機化合物層に接する第4の導電層と、を有し、
前記第2の導電層、前記有機化合物層及び前記第4の導電層の積層体は、記憶素子であり、
前記第3の導電層は、アンテナであることを特徴とする半導体装置。 - 第1の絶縁層上に設けられ、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを覆う第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記電界効果トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続された第1の導電層と、
前記第2の絶縁層と前記第1の導電層上に設けられた第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第1の導電層に接続された第2の導電層と、
前記第2の導電層に接する有機化合物層と、
前記有機化合物層に接する第3の導電層と、
前記第1の導電層と電気的に接続された第4の導電層と、
前記第4の導電層上に設けられた基板と、を有し、
前記第2の導電層、前記有機化合物層及び前記第3の導電層の積層体は、記憶素子であり、
前記第4の導電層は、アンテナであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、前記絶縁層は、酸化珪素層であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10乃至請求項12のいずれか一項において、前記第1の絶縁層は、酸化珪素層であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記記憶素子は、光学的作用により導電性が変化することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記記憶素子は、光学的作用により抵抗値が変化することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記記憶素子は、電気的作用により抵抗値が変化することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、前記記憶素子は、電気的作用により前記一対の導電層の距離が変化する素子であることを特徴とする表示装置。
- 請求項10又は請求項12において、前記記憶素子は、電気的作用により前記第2の導電層と前記第3の導電層の間の距離が変化する素子であることを特徴とする表示装置。
- 請求項11において、前記記憶素子は、電気的作用により前記第2の導電層と前記第4の導電層の間の距離が変化する素子であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記有機化合物層は、キャリア輸送性材料を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記有機化合物層は、キャリア輸送性材料を有し、
前記有機化合物層の導電率は、1.0×10−15〜1.0×10−3S・cmであることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記有機化合物層の厚さは、5nm〜60nmであることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記有機化合物層の厚さは、10nm〜20nmであることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記有機化合物層は、光酸発生剤がドーピングされた共役高分子材料を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記有機化合物層は、電子輸送材料又はホール輸送材料を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、電源回路、クロック発生回路、データ復調/変調回路及びインターフェイス回路から選択された1つ又は複数を有することを特徴とする半導体装置。
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