JP2007194617A - 配線基板内蔵用コンデンサ及び配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂材との密着性を向上させることが可能な配線基板内蔵用コンデンサ、及び信
頼性が充分に確保された配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板内蔵用コンデンサ１は、積層された複数の誘電体層３と、互いに異
なる誘電体層３間に配置された内部電極層４，５とを有するコンデンサ本体２等から構成
されている。コンデンサ本体２の側面２ｃ１〜２ｃ３には、コンデンサ本体２の厚さ方向
に延びた凹部２ｄが形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板内蔵用コンデンサ及び配線基板に関する。

近年、集積回路技術の進歩によりますます半導体チップの動作が高速化している。それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこで、半導体チップを搭載する配線基板の上面或いは下面にコンデンサを搭載して、ノイズの除去を図っている。

しかしながら、上記の手法では、配線基板の完成後に、別途コンデンサを搭載する必要があるため、プロセス数が多くなってしまう。また、配線基板にコンデンサを搭載する領域を予め確保する必要があり、他の電子部品の自由度を低下させてしまう。さらに、他の配線等に制限されることによりコンデンサと半導体チップとの配線距離が長くなり、配線抵抗やインダクタンスが大きくなってしまう。

このようなことから、配線基板にコンデンサを内蔵させることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここで、コンデンサは配線基板の中核を成すコア基板の開口に内蔵されることがあり、この場合には、コンデンサをコア基板に固定するために、コア基板とコンデンサとの間の隙間に樹脂充填材を充填している。しかしながら、コンデンサの側面は主にセラミックで構成されているため、コンデンサと樹脂充填材との密着性が低く、信頼性を充分に確保することができない。
特開２００５−３９２４３号公報

本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。即ち、配線基板との密着性を向上させることが可能な配線基板内蔵用コンデンサ、及び信頼性が充分に確保された配線基板を提供することを目的とする。

本発明の一の態様によれば、積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された内部電極層とを有するコンデンサ本体を備える配線基板内蔵用コンデンサであって、前記コンデンサ本体の少なくとも１箇所の側面において、前記コンデンサ本体の第１の主面及びこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面の少なくとも一方から、前記コンデンサ本体の厚さ方向に延在するようにして凹部が形成されていることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサが提供される。

本発明の他の態様によれば、上記配線基板内蔵用コンデンサを内蔵したことを特徴とする配線基板が提供される。

本発明の一の態様の配線基板内蔵用コンデンサによれば、コンデンサ本体の少なくとも１箇所の側面に、少なくとも一方の主面からコンデンサ本体の厚さ方向に延びた凹部が形成されているので、前記配線基板内蔵用コンデンサを実際の配線基板内に内蔵させる際に、コア基板と接着して固定させるための樹脂材との接触面積を、前記凹部内にも前記樹脂材を充填することによって大きくすることができる。これにより、前記コア基板との密着性を向上させることができる。したがって、本発明の他の態様における配線基板の信頼性を充分に確保することができる。

（第１の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施の形態を説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な平面図であり、図２（ａ）及び図２（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な側面図である。図３（ａ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線で切断したときの配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図であり、図３（ｂ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線で切断したときの配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図であり、図４は本実施の形態に係るコンデンサ本体の外周付近の模式的な拡大図である。

図１（ａ）〜図３（ｂ）に示される配線基板内蔵用コンデンサ１（以下、単に「コンデンサ」と称する。）は、直方体状に形成され、反り量が１００μｍ未満の積層コンデンサである。コンデンサ１は、コンデンサ１の中核を成すコンデンサ本体２を備えている。コンデンサ本体２は、上下方向に積層された複数の誘電体層３と、誘電体層３間に配置された複数の内部電極層４（第１の内部電極層）及び内部電極層５（第２の内部電極層）とから構成されている。

誘電体層３は、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウム等の誘電体セラミックから構成されている。その他、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックからも構成することができ、要求特性に応じてアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックからも構成することができる。

内部電極層４，５は、誘電体層３の積層方向において誘電体層３を介して交互に配置されている。内部電極層４と内部電極層５とは誘電体層３により電気的に絶縁されている。内部電極層４，５の総数は約１００層程度となっている。

内部電極層４，５は主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、誘電体層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれ内部電極層４，５に含ませることにより、誘電体層３と内部電極層４，５との密着性を高めることができる。なお、内部電極層４，５にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。内部電極層４，５の厚さは例えば２μｍ以下となっている。

コンデンサ本体２の外観は、コンデンサ本体２の厚さ方向に位置する第１の主面２ａ、第１の主面２ａの反対側に位置する第２の主面２ｂ、及び第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に位置する外周面２ｃ等から構成されている。外周面２ｃは、主に第１の側面２ｃ１、側面２ｃ１の反対側に位置する（対向する）第２の側面２ｃ２、側面２ｃ１及び側面２ｃ２と隣り合った第３の側面２ｃ３、及び側面２ｃ３の反対側に位置し（対向し）、かつ側面２ｃ１及び側面２ｃ２と隣り合った第４の側面２ｃ４等から構成されている。側面２ｃ１〜２ｃ４は誘電体層３のみから構成されている。なお、側面２ｃ１〜２ｃ３おける後述する凹部２ｄ及び切欠き２ｅの側面も誘電体層３のみから構成されている。

側面２ｃ１〜２ｃ３には、それぞれ、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示されるようにコンデンサ本体２の厚さ方向に延びた半円状の凹部２ｄと、コンデンサ本体２の外周方向に延びた切欠き２ｅが形成されている。なお、側面２ｃ１〜２ｃ３には、凹部２ｄの代わりに或いは凹部２ｄとともにコンデンサ本体２の厚さ方向に延びた凸部が形成されていてもよい。また、側面２ｃ４にも凹部２ｄ及び切欠き２ｅが形成されていてもよい。

凹部２ｄは、コンデンサ本体２の外周に沿って所定の間隔をおいて複数形成されている。側面２ｃ１，２ｃ２における凹部２ｄは、第１の主面２ａからコンデンサ本体２の厚さの２０％以上７０％以下の位置まで形成されていることが望ましく、側面２ｃ３における凹部２ｄは、第２の主面２ｂからコンデンサ本体２の厚さの２０％以上７０％以下の位置まで形成されていることが望ましい。このような範囲が望ましいとしたのは、２０％以上とすれば、後述する樹脂充填材４２との密着性を充分に向上させることができるからであり、７０％以下とすれば、コンデンサ１の搬送等において、凹部２ｄでの割れ、或いは欠けを低減することができるからである。

図４に示される凹部２ｄの半径ｒは、３０〜７５μｍが好ましい。この範囲が好ましいとしたのは、３０μｍ未満であると、後述の樹脂充填材４２が上手く入り込まず、密着性不足となったり、空隙ができているとその部分の影響で信頼性の低い製品となってしまうからであり、また７５μｍを超えると、内部電極の面積が小さくなってしまい容量低下の一因となるからである。なお、凹部２ｄは半円状でなくともよい。切欠き２ｅは、側面２ｃ１〜２ｃ３のそれぞれの一方の端縁から他方の端縁まで形成されている。例えば、側面２ｃ３の切欠き２ｅについては側面２ｃ１側の端縁から側面２ｃ２側の端縁まで形成されている。つまり、側面２ｃ１側の端縁から側面２ｃ２側の端縁の方向（外周方向）に延びて形成されている。

また、図４に示される凹部２ｄ間の距離ｄ１は、１５０−２×半径ｒ（μｍ）を超え５００−２×半径ｒ（μｍ）未満が好ましい。この範囲が好ましいとしたのは、１５０−２×半径ｒ（μｍ）以下であると、製品外形等の寸法精度がわるくなってしまうからであり、また５００−２×半径ｒ（μｍ）以上であると、精度良くブレイク切断することが困難となってしまうからである。

側面２ｃ１においては、図２（ａ）に示されるように凹部２ｄは第１の主面２ａ側（第１の主面２ａから厚さ方向に延在して）に形成されており、切欠き２ｅは第２の主面２ｂ側に形成されている。側面２ｃ２は、図示されていないが側面２ｃ１と同様となっている。側面２ｃ３においては、図２（ｂ）に示されるように凹部２ｄは第２の主面２ｂ側（第２の主面２ｂから厚さ方向に延在して）に形成されており、切欠き２ｅは第１の主面２ａ側に形成されている。

コンデンサ本体２の外周面２ｃの４箇所の角部には、図１（ａ）に示されるように面取り寸法Ｃ１が０．６ｍｍ以上の平面状の面取り部２ｆが形成されている。面取り寸法Ｃ１とは、図１（ａ）に示される長さである。面取り寸法Ｃ１は、実際に測定してもよいが、Ｃ面長Ｃ２から求めることも可能である。Ｃ面長Ｃ２とは図１（ａ）に示されるような線分の長さであり、Ｃ面長Ｃ２を√２で割った値が面取り寸法Ｃ１である。

面取り寸法Ｃ１は、コンデンサ製作上の観点から０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることが望ましい。なお、面取り部２ｆの代わりに或いは面取り部２ｆとともに、曲率半径が０．６ｍｍ以上の丸み部がコンデンサ本体２の外周面２ｃの少なくとも１箇所の角部に形成されていてもよい。この場合、丸み部の曲率半径は、コンデンサ製作上の観点から０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることが望ましい。

コンデンサ本体２内には、第１の主面２ａから第２の主面２ｂにかけてコンデンサ本体２を貫通した複数のビア導体６（第１のビア導体）及びビア導体７（第２のビア導体）が形成されている。なお、ビア導体６，７は少なくとも１つの誘電体層３を誘電体層３の厚さ方向に貫通していればよく、必ずしもコンデンサ本体２を貫通していなくともよい。

ビア導体６は側面が内部電極層４に接続されており、ビア導体７は側面が内部電極層５に接続されている。ここで、図３（ａ）に示されるように内部電極層５にはビア導体６が貫通する領域にクリアランスホール５ａ（孔部）が形成されており、内部電極層５とビア導体６とは電気的に絶縁されている。また、同様に図３（ｂ）に示されるように内部電極層４にはビア導体７が貫通する領域にクリアランスホール４ａ（孔部）が形成されており、内部電極層４とビア導体７とは電気的に絶縁されている。なお、クリアランスホール４ａ，５ａ内における内部電極層４，５とビア導体６，７との間には、誘電体層３が介在している。

ビア導体６，７は、主にＮｉ，Ｃｕ等の導電性材料から構成されているが、誘電体層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれビア導体６，７に含ませることにより、誘電体層３とビア導体６，７との密着性を高めることができる。なお、ビア導体６，７にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。

第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂ上には、例えば電源供給用端子或いはグランド接続用端子として使用される外部電極層８（第１の外部電極層）及び外部電極層９（第２の外部電極層）がそれぞれ形成されている。なお、外部電極層８，９は、必ずしもコンデンサ本体２の第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂの両方に形成されている必要はなく、第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂのいずれか一方に形成されていてもよい。

第１の主面２ａ側においては、図１（ａ）に示されるように外部電極層８は島状の複数の外部電極層９を取り囲むように形成されており、第２の主面２ｂ側においては、図１（ｂ）に示されるように外部電極層９は島状の複数の外部電極層８を取り囲むように形成されている。

外部電極層８は、ビア導体６上に形成されており、ビア導体６と電気的に接続されている。一方、外部電極層９は、ビア導体７上に形成されており、ビア導体７と電気的に接続されている。

第１の主面２ａ側及び第２の主面２ｂ側のいずれにおいても、外部電極層８と外部電極層９とは離間しており、互いに電気的に絶縁されている。外部電極層８と外部電極層９との間の距離ｄ２は、絶縁性が確保されていれば狭いほどよく、１５０μｍとなっている部分がある。

第１の主面２ａ側において、外部電極層８，９の合計の表面積は、第１の主面２ａの面積の４５％以上９０％以下となっており、第２の主面２ｂ側において、外部電極層８，９の合計の表面積は、第２の主面２ｂの面積の４５％以上９０％以下となっている。第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂの面積に対し外部電極層８，９の合計の表面積をこのような範囲とすることにより、第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂにおける誘電体層３の露出面積を低減させることができる。これにより、コンデンサ１と後述する絶縁層４４，４８との密着性を向上させることができる。

第１の主面２ａ側においては、外部電極層８は側面２ｃ１側の端から側面２ｃ２側の端まで形成されている。外部電極層８には、側面２ｃ１，２ｃ２の凹部２ｄに連通した凹部８ａが形成されている。凹部８ａは、凹部２ｄの半径ｒと同じ半径となっており、かつ凹部２ｄと同心円状となっている。また、第２の主面２ｂ側においては、外部電極層９は側面２ｃ３側の端から側面２ｃ４側の端まで形成されている。外部電極層９には、側面２ｃ３の凹部２ｄに連通した凹部９ａが形成されている。凹部９ａは、凹部２ｄの半径ｒと同じ半径となっており、かつ凹部２ｄと同心円状となっている。

一方、第１の主面２ａ側において、外部電極層８は側面２ｃ３側の端から側面２ｃ４側の端まで形成されていてもよい。この場合、第１の主面２ａが平坦となり、後述する絶縁層４４，４８等との密着性向上や安定したビア導体６１，６２等の形成をもたらすことができきる。同様に、第２の主面２ｂ側においては、外部電極層９は側面２ｃ１側の端から側面２ｃ２側の端まで形成されていてもよい。

外部電極層８，９は、主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、外部電極層８，９は誘電体層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれ外部電極層８，９に含ませることにより、誘電体層３と外部電極層８，９との密着性を高めることができる。なお、外部電極層８，９にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。

外部電極層８，９の表面上には、後述する絶縁層４４，４８やビア導体６１，６２等との密着性を向上させるための第１のめっき膜（図示せず）が形成されている。第１のめっき膜は、外部電極層８，９の酸化防止という機能をも有している。第１のめっき膜は電解めっきにより形成されたものである。なお、第１のめっき膜は、無電解めっきにより形成されていてもよい。第１のめっき膜は例えばＡｕ、或いはＣｕ等の導電性材料から構成されていることが好ましいが、更に好ましくは後述する絶縁層４４との密着性を向上させるために、最表面はＣｕで構成されていることが好ましい。

外部電極層８，９と第１のめっき膜との間には、外部電極層８，９と第１のめっき膜との密着性の低下を抑制するための第２のめっき膜（図示せず）が形成されている。詳細に説明すると、上記のように外部電極層８，９にセラミック材料を含有させると、セラミック材料が外部電極層８，９の表面に露出してしまい、外部電極層８，９と第１のめっき膜との密着性が低下するおそれがある。このようなことを抑制するために第２のめっき膜が形成されている。第２のめっき膜は電解めっきにより形成されたものである。なお、第２のめっき膜は、めっき法により形成されていれば、無電解めっきにより形成されていてもよい。

第２のめっき膜は、例えば、外部電極層８，９の主成分である導電性材料と同一の導電性材料から構成されていることが好ましい。なお、セラミック材料を添加した外部電極層８，９に直接めっき処理ができ、密着強度も高い場合には、第２のめっき膜を形成させなくてもよい。

コンデンサ１は、例えば、以下の手順により作製することが可能である。図５（ａ）及び図５（ｂ）は本実施の形態に係る内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの模式的な平面図であり、図６（ａ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）、図８（ｂ）、図９（ｂ）、図１０（ｂ）は本実施の形態に係る積層体の模式的な縦断面図である。図７（ａ）、図８（ａ）、図９（ａ）、図１０（ａ）、図１１は本実施の形態に係る積層体の模式的な平面図である。

まず、内部電極パターン２１が形成されたセラミックグリーンシート２２と、内部電極パターン２３が形成されたセラミックグリーンシート２４とを複数枚用意する（図５（ａ）及び図５（ｂ））。なお、内部電極パターン２１，２３は内部電極層４，５の焼成前のものであり、セラミックグリーンシート２２，２４は誘電体層３の焼成前のものである。

内部電極パターン２１，２３は、それぞれコンデンサ形成領域Ｒ内に形成されている。コンデンサ形成領域Ｒとは、コンデンサ１を形成するための領域であり、セラミックグリーンシート２２，２４に複数存在している。なお、図面においては、コンデンサ形成領域Ｒの境界は二点鎖線で示されている。内部電極パターン２１，２３は例えば導体ペースト等から構成されている。

内部電極パターン２１，２３は、例えばスクリーン印刷によりコンデンサ形成領域Ｒ内に形成される。また、内部電極パターン２１，２３は、焼成後クリアランスホール４ａ，５ａとなるクリアランスホール２１ａ，２３ａ（孔部）を有するものである。

また、図６（ａ）に示される２つのカバー層２５を用意する。カバー層２５は、内部電極パターン２１，２３等が形成されていない所定枚の誘電体層を積層して、作製される。

セラミックグリーンシート２２，２４とカバー層２５を用意した後、カバー層２５上にセラミックグリーンシート２２とセラミックグリーンシート２４とを交互に積層し、さらにその上にカバー層２５を積層する。その後、これらを加圧して、積層体２６を形成する（図６（ａ））。

積層体２６を形成した後、積層体２６の主面２６ａから主面２６ｂにかけて貫通するビアホールを形成し、ビアホールに導電性ペーストを圧入して、ビア導体ペースト２７，２８を形成する（図６（ｂ））。なお、ビア導体ペースト２７，２８はビア導体６，７の焼成前のものである。

次いで、ビア導体ペースト２７，２８が形成された積層体２６上に、同様の手順により形成された積層体２６をビア導体ペースト２７同士及びビア導体ペースト２８同士が連通するように重ねて、加圧して、積層体２９を形成する（図７（ａ）及び図７（ｂ））。

その後、積層体２９の主面２９ａ及び主面２９ａと反対側の主面２９ｂに、例えばスクリーン印刷等により、コンデンサ形成領域Ｒ内においてビア導体ペースト２７に接続された外部電極パターン３０と、コンデンサ形成領域Ｒ内においてビア導体ペースト２８に接続された外部電極パターン３１とをそれぞれ形成する（図８（ａ）及び図８（ｂ））。なお、外部電極パターン３０，３１は外部電極層８，９の焼成前のものである。

主面２９ａ側における外部電極パターン３０は、複数のコンデンサ形成領域Ｒに跨るように形成され、主面２９ｂ側における外部電極パターン３１は、複数のコンデンサ形成領域Ｒに跨るように形成される。本実施の形態では、主面２９ａ側における外部電極パターン３０は、主面２９ａの長手方向に並んだ複数のコンデンサ形成領域Ｒに跨るように形成され、主面２９ｂ側における外部電極パターン３１は、主面２９ｂの短手方向に並んだ複数のコンデンサ形成領域Ｒに跨るように形成される。

主面２９ａ，２９ｂに外部電極パターン３０，３１を形成した後、積層体２９に、例えばレーザ等により、コンデンサ形成領域Ｒの境界に沿って、外部電極パターン３０，３１を貫通するミシン目状のブレイク溝２９ｃ（第１のブレイク溝）及び連続線状のブレイク溝２９ｄ（第２のブレイク溝）をそれぞれ形成する（図９（ａ）及び図９（ｂ））。

主面２９ａ側においては、ブレイク溝２９ｃはコンデンサ形成領域Ｒにおける主面２９ａの短手方向に沿った境界に形成され、ブレイク溝２９ｄはコンデンサ形成領域Ｒにおける主面２９ａの長手方向に沿った境界に形成される。

主面２９ｂ側においては、ブレイク溝２９ｃはコンデンサ形成領域Ｒにおける主面２９ｂの長手方向に沿った境界に形成され、ブレイク溝２９ｄはコンデンサ形成領域Ｒにおける主面２９ｂの短手方向に沿った境界に形成される。

図９（ｂ）に示すように、ミシン目状のブレイク溝２９Ｃの製品厚みに対する深さａは製品全体の厚さの２０〜７０％とすることができる。また、この場合、連続線状のブレイク溝２９ｄの深さｂは、ａ／ｂ＝０．２５〜３５とすることができる。具体的には、表1に示すような割合に設定することができる。本実施形態では、深さａは製品全体の厚さの６３％とし、連続線状のブレイク溝２９ｄの深さｂは、製品全体の厚さの２５％としている。

ブレイク溝２９ｄは、それぞれの主面２９ａ，２９ｂ側において、ブレイク溝２９ｃに対して直交するように形成される。ここで、主面２９ｂ側に形成されるブレイク溝２９ｃは主面２９ａ側に形成されるブレイク溝２９ｄと対応する位置にかつ主面２９ａ側に形成されるブレイク溝２９ｄに沿って形成される。また、主面２９ｂ側に形成されるブレイク溝２９ｄは主面２９ｂ側に形成されるブレイク溝２９ｃと対応する位置に主面２９ｂ側に形成されるブレイク溝２９ｃに沿って形成される。

積層体２９にブレイク溝２９ｃ，２９ｄを形成した後、例えばレーザ等により、コンデンサ形成領域Ｒの角部に、積層体２９を厚さ方向に貫通する孔部２９ｅ及び厚さ方向に沿って延びた溝２９ｆを形成する（図１０（ａ））。これにより、積層体２９に面取り部２ｆとなる部分が形成される。

積層体２９に孔部２９ｅ及び溝２９ｆを形成した後、外部電極層８，９が形成された積層体２９を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成する。この焼成により、内部電極パターン２１，２３、セラミックグリーンシート２２，２４、ビア導体ペースト２７，２８、外部電極パターン３０，３１が焼結して、内部電極層４，５、誘電体層３、ビア導体６，７、外部電極層８，９が形成される（図１０（ｂ））。

その後、焼成により外部電極層８，９の表面に形成された酸化膜を例えばジェットブラスト等の研磨により取り除いた後、外部電極層８，９に電流を流し、外部電極層８，９上に電解めっきにより第１及び第２のめっき膜を形成する。ここで、主面２９ａ側にはブレイク溝２９ｃが形成されているが、ブレイク溝２９ｃはミシン目状に形成されているので、主面２９ａの長手方向においては外部電極層８は互いに電気的に繋がっている。これにより、主面２９ａの長手方向の一端に位置するコンデンサ形成領域Ｒの外部電極層８から他端に位置するコンデンサ形成領域Ｒの外部電極層８にかけて電流が流れ、主面２９ａの長手方向において一括して外部電極層８上に電解めっきにより第１のめっき膜等を形成することができる。それ故、外部電極層８上に効率良く第１のめっき膜等を形成することができる。また、主面２９ｂ側においても同様であるが、主面２９ｂ側においては、主面２９ｂの短手方向の一端に位置するコンデンサ形成領域Ｒの外部電極層８から他端に位置するコンデンサ形成領域Ｒの外部電極層８にかけて電流が流れる。

そして、最後に、ブレイク溝２９ｃ，２９ｄに沿って、コンデンサ形成領域Ｒ毎に積層体２９を分割して、図１に示されるコンデンサ１等を作製する（図１１）。ここで、積層体２９の厚さ方向には、ブレイク溝２９ｃと対応する位置にブレイク溝２９ｄが形成されているが、積層体２９は、ブレイク溝２９ｃ付近の部分がブレイク溝２９ｄ付近の部分よりも先に切り離されるように分割されることが望ましい。これは、ブレイク溝２９ｃ間には外部電極層８等が存在しているため、ブレイク溝２９ｄ付近の部分がブレイク溝２９ｃ付近の部分よりも先に切り離されると、ブレイク溝２９ｃ付近の外部電極層８等がブレイク溝２９ｃに沿って切断されないおそれがあるからである。

図１２及び図１３は、上述したコンデンサ１の作製方法における変形例を示す図である。なお、図１２及び図１３は、本変形例における作製方法の、上記作製方法と異なる工程部分のみを示すようにしている。なお、図１２（ａ）は、本変形例に係る積層体の模式的な平面図であり、図１２（ｂ）は前記積層体の模式的な縦断面図である。

図１２に示すように、本例では、ミシン目状のブレイク溝２９ｃ（第１のブレイク溝）及び連続線状のブレイク溝２９ｄ（第２のブレイク溝）が、上記同様に、主面２９ａ側において、互いに直交するように形成されるとともに、ブレイク溝２９ｄは積層体２９の裏面側でブレイク溝２９ｃと略平行に形成されている。さらに、ブレイク溝２９ｃは積層体２９を厚さ方向に貫通するようにして形成されている。

したがって、ブレイク溝２９ｃの形状は、例えばブレイク溝２９ｃ及び２９ｄに沿って切断し、コンデンサ１とした場合に、図１３（ａ）に示すように、その表面側では略半円径の形状を呈するようになるが、図１３（ｂ）に示すように、その裏面側ではブレイク溝２９ｄによってブレイク溝２９ｃの孔形状がならされるようになるため、略半径形部分の直径部分を含む中心部分が欠けたような円弧状を呈するようになる。

本例においては、上述した作製方法において、ブレイク溝２９ｃが積層体２９を貫通するとともに、ブレイク溝２９ｃに沿って、積層体２９の裏面側にブレイク溝２９ｄをも形成するようにしている。したがって、積層体２９の、コンデンサ形成領域Ｒ毎の分割をより簡易に行うことができる。また、積層体２９において、ブレイク溝２９ｃ付近の部分をブレイク溝２９ｄ付近の部分よりも先に切り離されるように容易に分割することができるようになる。したがって、ブレイク溝２９ｄ付近の部分がブレイク溝２９ｃ付近の部分よりも先に切り離されることによる、ブレイク溝２９ｃ付近の外部電極層８等がブレイク溝２９ｃに沿って切断されなくなるおそれを払拭することができる。

図１４及び図１５は、上述したコンデンサ１の作製方法における他の変形例を示す図である。なお、図１４及び図１５は、本変形例における作製方法の、上記作製方法と異なる工程部分のみを示すようにしている。なお、図１４（ａ）は、本変形例に係る積層体の模式的な平面図であり、図１４（ｂ）は、上記同様に、前記積層体の模式的な縦断面図である。

図１４に示すように、本例では、ミシン目状のブレイク溝２９ｃ（第１のブレイク溝）及び連続線状のブレイク溝２９ｄ（第２のブレイク溝）が、主面２９ａ側において、互いに直交するように形成されるとともに、ブレイク溝２９ｄは積層体２９の裏面側でブレイク溝２９ｃと略平行に形成されている。また、ブレイク溝２９ｃは積層体２９を厚さ方向に貫通するようにして形成されている。さらに、本例では、主面２９ａ側において、ブレイク溝２９ｃは単独で存在するものではなく、その一部が追加の線状（具体的には矩形状）のブレイク溝２９ｈで置換されたような構成を呈している。

したがって、図１４に示す積層体を、ブレイク溝２９ｃ、２９ｄ及び２９ｈに沿って切断し、コンデンサ１とした場合に、図１５に示すように、主面２９ａ側では、ブレイク溝２９ｃに起因した略半円径形状の部分と、ブレイク溝２９ｈに起因した矩形状の部分とが混在するようになる。

本例においては、上述した作製方法において、ブレイク溝２９ｃが積層体２９を貫通するとともに、ブレイク溝２９ｃに沿って、積層体２９の裏面側にブレイク溝２９ｄをも形成するようにしている。さらに、主面２９ａ側において、ブレイク溝２９ｃの一部をブレイク溝２９ｄ同様の線状（矩形状）のブレイク溝２９ｈで置換するようにしている。したがって、積層体２９の、コンデンサ形成領域Ｒ毎の分割をより簡易に行うことができる。また、積層体２９において、ブレイク溝２９ｃ付近の部分をブレイク溝２９ｄ付近の部分よりも先に切り離されるように容易に分割することができるようになる。したがって、ブレイク溝２９ｄ付近の部分がブレイク溝２９ｃ付近の部分よりも先に切り離されることによる、ブレイク溝２９ｃ付近の外部電極層８等がブレイク溝２９ｃに沿って切断されなくなるおそれを払拭することができる。

コンデンサ１は、配線基板に内蔵されて使用される。以下、コンデンサ１を内蔵した配線基板について説明する。図１６は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。

図１６に示される配線基板４０は、直方体状に形成されたオーガニック基板である。配線基板４０は、例えばセラミック粒子或いは繊維をフィラーとして強化された高分子材料を主体に構成されている。

配線基板４０は、配線基板４０の中核を成す配線基板本体としての例えばコア基板４１を備えている。コア基板４１は、例えばガラス−エポキシ樹脂複合材料等から形成されたコア材４１ａ、及びコア材４１ａの両面に形成され、所望のパターンを有する例えばＣｕ等の配線層４１ｂ等から構成されている。

コア基板４１には、コア基板４１の上下方向に貫通した複数のスルーホールが形成されており、スルーホールには配線層４１ｂに電気的に接続されたスルーホール導体４１ｃが形成されている。

コア基板４１の中央部には、コンデンサ１を収容するためのコンデンサ収容部としての例えば開口４１ｄが形成されている。開口４１ｄは、コンデンサ１より大きな例えば直方体状に形成されており、開口４１ｄ内にはコンデンサ１が収容されている。なお、コア基板４１のコンデンサ収容部は、開口４１ｄに限らず、凹部であってもよい。

コア基板４１の内側面４箇所の隅部には、曲率半径が０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下の丸み部或いは面取り寸法が０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下の面取り部が形成されている。

コア基板４１とコンデンサ１との間の隙間には、充填材としての例えば高分子材料等からなる樹脂充填材４２が充填されており、この樹脂充填材４２を介してコンデンサ１がコア基板４１に対して固定されている。ここで、凹部２ｄ内には樹脂充填材４２が入り込んでいる。

コア基板４１とコンデンサ１との間の隙間への樹脂充填材４２の充填は、例えば、コア基板４１の裏面に粘着テープを貼り付けるとともに、コンデンサ１の裏面が粘着テープに貼り付けられるようにコア基板４１の開口４１ｄ内にコンデンサ１を配置して、粘着テープによりコア基板４１に対するコンデンサ１の位置を固定した状態で、行われる。なお、樹脂充填材４２は、コア基板４１とコンデンサ１との面内方向及び厚さ方向の熱膨張差を自身の弾性変形により吸収する作用をも有する。

コア基板４１及びコンデンサ１の主面１ａの上方、及びコア基板４１及びコンデンサ１の主面１ｂの下方には、ビルドアップ配線層４３が形成されている。ビルドアップ配線層４３は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から構成された絶縁層４４〜５０を備えている。絶縁層４４，４５間等には、例えばＣｕ等の導電性材料から構成された配線層５１〜５６が形成されている。

絶縁層４７の上面及び絶縁層５０の下面は、例えば感光性樹脂組成物等からなるソルダーレジスト５７，５８により覆われている。ソルダーレジスト５７，５８には開口が形成されており、開口から半導体チップ（図示せず）に電気的に接続するための端子５９及び例えば主基板（図示せず）等に接続するための端子６０が露出している。端子５９にはビア導体６１等を介して外部電極層８，９及び配線層４１ｂ等が電気的に接続されており、端子６０にはビア導体６２を介して外部電極層８，９及び配線層４１ｂ等が電気的に接続されている。

本実施の形態では、側面２ｃ１等にコンデンサ本体２の厚さ方向に延びた凹部２ｄが形成されているので、凹部２ｄ内にも樹脂充填材４２を充填させることができ、コンデンサ１と樹脂充填材４２との接触面積を大きくすることができる。これにより、樹脂充填材４２とコンデンサ１との密着性を向上させることができ、さらに樹脂充填材４２とコア基板４１との密着性を向上させることができる。この結果、コア基板４１とコンデンサ１との固定を確実に行うことができ、信頼性の高い配線基板４０を提供することができる。なお、側面２ｃ１等に、凹部２ｄの代わりに或いは凹部２ｄとともにコンデンサ本体２の厚さ方向に延びた凸部を形成した場合においても、上記と同様の効果が得られる。

また、上記凹部２ｄは、コンデンサ１の強度を劣化させない範囲でその数が多いほど樹脂充填材４２の充填量を増大させることができ、結果として、コア基板４１とコンデンサ１との固定をより確実に行うことができ、信頼性の高い配線基板４０を提供することができる。

本実施の形態では、側面２ｃ１，２ｃ２においては凹部２ｄが第１の主面２ａ側に形成されており、側面２ｃ３においては凹部２ｄが第２の主面２ｂ側に形成されているので、コア基板４１に対するコンデンサ１の上下方向の移動を抑制することができる。即ち、コンデンサ１が配線基板４０に内蔵されている状態おいては、側面２ｃ１，２ｃ２には第１の主面２ａ側に形成されており、この凹部２ｄ内には樹脂充填材４２が入り込んでいるので、第２の主面２ｂから第１の主面２ａに向かう方向の力が加わった場合であっても、コンデンサ１が上方に移動し難い。また、側面２ｃ３には第２の主面２ｂ側に凹部２ｄが形成されており、この凹部２ｄ内には樹脂充填材４２が入り込んでいるので、第１の主面２ａから第２の主面２ｂに向かう方向の力が加わった場合であっても、コンデンサ１が下方に移動し難い。それ故、コア基板４１に対するコンデンサ１の上下方向の移動を抑制することができる。

本実施の形態のように、側面２ｃ１等が、誘電体層３のみから構成されていると、ブレイク溝２９ｃ，２９ｄを形成する際に排出される外部電極パターン３０，３１の削りカスが側面２ｃ１等に付着した場合であっても、第１の主面２ａ側の外部電極層８と第２の主面２ｂ側の外部電極層９とが電気的に短絡し難い。

反り量が１００μｍ以上のコンデンサを配線基板４０に内蔵しようとすると、配線基板４０への内蔵が困難であるとともに、コンデンサを構成している誘電体層にクラックが生じるおそれがある。これに対し、本実施の形態では、コンデンサ１の反り量が１００μｍ未満となっているので、配線基板４０への内蔵が容易であるとともにコンデンサ１を配線基板４０に内蔵する際に誘電体層３にクラックが生じ難い。

本実施の形態では、コンデンサ本体２の外周面２ｃの角部に面取り寸法Ｃ１が０．６ｍｍ以上の面取り部２ｆが形成されているので、樹脂充填材４２のコンデンサ１側の隅部に熱応力が集中し難く、樹脂充填材４２のコンデンサ１側の隅部におけるクラックの発生を抑制することができる。なお、コンデンサ本体２の外周面２ｃの角部に曲率半径が０．６ｍｍ以上の丸み部が形成されている場合であっても、面取り部２ｆと同様の効果が得られる。

本実施の形態では、コンデンサ本体２の外周面２ｃの角部に面取り部２ｆや丸み部が形成されているので、面取り部２ｆや丸み部が形成されていない場合に比べて、コンデンサ１の角部付近に存在する信号線から誘電体層３までの距離が大きくなる。これにより、コンデンサ１の角部付近に存在する信号線の信号遅延を低減させることができる。

なお、配線基板の端部に凹部を形成し、この凹部内に端子電極を形成する、いわゆるキャスタレーションなる技術が存在するが、キャスタレーションでは、凹部内に樹脂材ではなく端子電極を形成する。したがって、かかる具体的な構成及び凹部の使用態様において、本願発明は、キャスタレーションなる技術とは異なる。

（第２の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第２の実施の形態を説明する。本実施の形態では、コンデンサ本体に、内部電極層より誘電体層の外周側にダミー電極層を形成した例について説明する。なお、第２〜第４の実施の形態においては、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号が付してあるとともに、第１の実施の形態で説明した内容と重複する内容は省略することがある。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な側面図である。図１８は配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。

図１７（ａ）〜図１８に示されるように、コンデンサ本体２内には、電極としては機能しないダミー電極層１０，１１が配置されている。具体的には、ダミー電極層１０，１１は、誘電体層３間にかつ内部電極層４，５より誘電体層３の外周側（つまり外周面２ｃより）に、内部電極層４，５と所定の間隔をおいて配置されている。

ダミー電極層１０（第１のダミー電極層）は内部電極層４とほぼ同一平面に配置されており、ダミー電極層１１（第２のダミー電極層）は内部電極５とほぼ同一平面に形成されている。具体的には、ダミー電極層１０は内部電極層４が配置された誘電体層３間と同一の層間に配置されており、ダミー電極層１１は内部電極層５が配置された誘電体層３間と同一の層間に配置されている。なお、ダミー電極層１０，１１は、内部電極層４，５が配置された誘電体層３間とは異なる層間に形成されていてもよい。

内部電極層４とダミー電極層１０、及び内部電極層５とダミー電極層１１は、それぞれ電気的に絶縁されている。なお、内部電極層４，５とダミー電極層１０，１１との間の隙間ｓ１，ｓ２にはそれぞれ誘電体層３が入り込んでおり、内部電極層４，５とダミー電極層１０，１１とは確実に電気的に絶縁されている。

内部電極層４とダミー電極層１０との間の隙間ｓ１と、内部電極層５とダミー電極層１１との間の隙間ｓ２とは、コンデンサ本体２の厚さ方向においてずれた位置関係にあり、重なり合っていない。なお、内部電極層４とダミー電極層１０との間の隙間ｓ１同士はそれぞれコンデンサ本体２の厚さ方向において揃っており、内部電極層５とダミー電極層１１との間の隙間ｓ２同士はそれぞれコンデンサ本体２の厚さ方向において揃っている。

ダミー電極層１０，１１は内部電極層４，５を取り囲むように形成されている。また、ダミー電極層１０，１１の外周面１０ａ，１１ａは誘電体層３間から露出している。従って、側面２ｃ１〜２ｃ４は誘電体層３とダミー電極層１０，１１から構成されている。なお、側面２ｃ１〜２ｃ３おける凹部２ｄ及び切欠き２ｅの側面も誘電体層３とダミー電極層１０，１１から構成されている。

また、コンデンサ１の端部付近に形成される段差の緩和を考慮すると、ダミー電極層１０，１１における全ての外周面１０ａ，１１ａが誘電体層３間から露出していることが好ましいが、一部の外周面１０ａ，１１ａのみ露出していてもよい。

ダミー電極層１０，１１の総数は、コンデンサ１の端部付近に形成される段差の緩和を考慮すると、内部電極層４，５の総数の半分（約５０層程度）以上であることが好ましく、内部電極層４，５の総数とほぼ同数（約１００層程度）であることがより好ましい。

ダミー電極層１０，１１は導電性材料から構成されているが、ダミー電極層１０，１１を構成する導電性材料は、セラミックグリーンシート２２，２４等の焼成時の影響や形成工程を考慮すると、内部電極層４，５を構成する導電性材料と同じ材料であることが好ましい。また、同様の理由からダミー電極層１０，１１の厚さは内部電極層４，５の厚さとほぼ同じ厚さ（例えば２μｍ以下）となっていることが好ましい。

本実施の形態においても、側面２ｃ１等にコンデンサ本体２の厚さ方向に延びた凹部２ｄが形成されているので、第１の実施の形態とほぼ同様の効果が得られる。なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、側面２ｃ１等に凹部２ｄの代わりに或いは凹部２ｄとともにコンデンサ本体２の厚さ方向に延びた凸部が形成されていてもよく、この場合においても、上記と同様の効果が得られる。

本実施の形態では、内部電極層４，５より誘電体層３の外周側にダミー電極層１０，１１を形成しているので、コンデンサ本体２の端部の厚さを厚くすることができ、コンデンサの端部付近に形成される段差が緩和されたコンデンサ１を提供することができる。これにより、樹脂充填材４２をコア基板４１とコンデンサ１との隙間に充填する際に、樹脂充填材４２がコンデンサ１の裏面側（第２の主面２ｂ側）へ潜り込み難くなる。その結果、その後のビルドアップ工程での不良を低減することが可能となる。

内部電極層４とダミー電極層１０との間の隙間ｓ１と、内部電極層５とダミー電極層１１との間の隙間ｓ２とがコンデンサ本体２の厚さ方向において重なり合っている場合には、コンデンサ本体２の厚さ方向において内部電極層４，５及びダミー電極層１０，１１の両方が存在しない部分が存在してしまう。このような部分は、内部電極層４，５及びダミー電極層１０，１１が存在しないので、他の部分より厚さが薄くなってしまい、局部的に凹んだ形状となる。この凹みがコンデンサ１の外周から比較的近い箇所に形成された場合には、樹脂充填材４２がコンデンサ１の裏面側へ潜り込んでしまうおそれがある。これに対し、本実施の形態では、内部電極層４とダミー電極層１０との間の隙間ｓ１と、内部電極層５とダミー電極層１１との間の隙間ｓ２とが誘電体層３の積層方向において重なり合っていないので、このような局所的な凹みが形成され難くなり、樹脂充填材４２の潜り込みを抑制することができる。

第２の実施の形態において、ダミー電極層１０，１１を形成する代わりに、内部電極層４，５の少なくともいずれかをコンデンサ本体２の側面２ｃ１〜２ｃ４に至るまで、形成してもよい。内部電極層４，５が側面２ｃ１〜２ｃ４に露出している場合、外部電極パターン３０，３１の削りカスが側面２ｃ１〜２ｃ４に付着した場合、短絡等を起こす可能性があるが、容易にコンデンサ本体２の端部の厚さを厚く形成することができる。これにより、コンデンサ１の端部付近に形成される段差が緩和される。削りカスが側面２ｃ１〜２ｃ４に付着した場合は、削りカスを除去する工程等を追加することも可能である。

（第３の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第３の実施の形態を説明する。本実施の形態では、コンデンサ本体の側面に一方の主面から他方の主面まで延びた凹部を形成した例について説明する。図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な側面図である。

図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示されるように、側面２ｃ１〜２ｃ３に設けられた凹部２ｄは、コンデンサ本体２の第１の主面２ａから第２の主面２ｂまで形成されている。なお、側面２ｃ１〜２ｃ３に凹部２ｄの代わりに或いは凹部２ｄとともにコンデンサ本体２の第１の主面２ａから第２の主面２ｂまで延びた凸部が形成されていてもよい。また、本実施の形態においては、切欠き２ｅは形成されていない。さらに、本実施の形態では、ダミー電極層１０，１１が配置されていないが、ダミー電極層１０，１１を配置してもよい。

本実施の形態においても、側面２ｃ１等にコンデンサ本体２の第１の主面２ａから第２の主面２ｂまで延びた凹部２ｄが形成されているので、第１の実施の形態とほぼ同様の効果が得られる。なお、側面２ｃ１等に凹部２ｄの代わりに或いは凹部２ｄとともにコンデンサ本体２の第１の主面２ａから第２の主面２ｂまで延びた凸部が形成された場合においても、上記と同様の効果が得られる。

（第４の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第４の実施の形態を説明する。本実施の形態では、コンデンサをコア基板上の絶縁層の層間に配置させた例について説明する。図２０は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。

図２０に示されるように、コア基板４１には開口４１ｄが形成されておらず、コンデンサ１はコア基板４１上の絶縁層４４，４５の層間に配置されている。本実施の形態のコンデンサ１は内部電極層４，５の総数が約１０層程度となっており、第１の実施の形態で説明したコンデンサ１の厚さより薄くなっている。

コンデンサ１は、例えば以下の手順により、絶縁層４４，４５の層間に配置することが可能である。まず、コア基板４１上に形成された絶縁層４４上に、外部電極層８，９上にめっき膜１０，１１が形成されたコンデンサ本体２を配置する。その後、コンデンサ本体２上に絶縁層４５を載置し、これらを加熱しながら加圧する。これにより、コンデンサ本２上の絶縁層４５がコンデンサ本体２の側方に流動して、絶縁層４４，４５の層間にコンデンサ本体２が配置される。さらにその後、絶縁層４４，４５及びコンデンサ本体２を貫通したビアホールを形成し、このビアホール内に配線層４１ｂに接続されたビア導体６，７を形成して、コンデンサ１を完成させる。

本実施の形態では、コア基板４１上に形成された絶縁層４４，４５の層間にコンデンサ１を配置しているので、コンデンサ１と半導体チップとの距離をより短くすることができる。これにより、配線抵抗やインダクタンスをより低減させることができる。

本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な側面図である。 （ａ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線で切断したときの配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図であり、（ｂ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線で切断したときの配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。 第１の実施の形態に係るコンデンサ本体の外周付近の模式的な拡大図である。 （ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの模式的な平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な縦断面図である。 （ａ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な平面図であり、（ｂ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な縦断面図である。 （ａ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な平面図であり、（ｂ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な縦断面図である。 （ａ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な平面図であり、（ｂ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な縦断面図である。 （ａ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な平面図であり、（ｂ）は第１の実施の形態に係る積層体の模式的な縦断面図である。 第１の実施の形態に係る積層体の模式的な平面図である。 （ａ）は第１の実施の形態の変形例に係る積層体の模式的な平面図であり、（ｂ）は第１の実施の形態の変形例に係る積層体の模式的な縦断面図である。 （ａ）は、上記変形例において積層体を切断してコンデンサとした後の、ミシン目状ブレイク溝の表面側から見た場合の概観図であり、（ｂ）は、上記変形例において積層体を切断してコンデンサとした後の、ミシン目状ブレイク溝の裏面側から見た場合の概観図である。 （ａ）は第１の実施の形態の他の変形例に係る積層体の模式的な平面図であり、（ｂ）は第１の実施の形態の他の変形例に係わる積層体の模式的な縦断面図である。 上記変形例において積層体を切断してコンデンサとした後の、ミシン目状ブレイク溝の表面側から見た場合の概観図である。 第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は第２の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な側面図である。 第２の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は第３の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な側面図である。 第４の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。

符号の説明

１…コンデンサ、２…コンデンサ本体、２ａ…第１の主面、２ｂ…第２の主面、２ｃ１〜２ｃ４…側面、２ｄ…凹部、２ｅ…切欠き、３…誘電体層、４，５…内部電極層、８，９…外部電極層、１０，１１…ダミー電極層、２１，２３…内部電極パターン、２２，２４…セラミックグリーンシート、２７，２８…ビア導体ペースト、２６，２９…積層体、２９ａ，２９ｂ…主面、２９ｃ，２９ｄ…ブレイク溝、３０，３１…外部電極パターン、４０…配線基板、４１…コア基板、４２…樹脂充填材、４３…ビルドアップ層。

Claims (12)

1. 積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された内部電極層とを有するコンデンサ本体を備える配線基板内蔵用コンデンサであって、
   前記コンデンサ本体の少なくとも１箇所の側面において、前記コンデンサ本体の第１の主面及びこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面の少なくとも一方から、前記コンデンサ本体の厚さ方向に延在するようにして凹部が形成されていることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
2. 前記凹部が形成された前記コンデンサ本体の前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方において、その外周面に沿うようにして形成された切欠きを含むことを特徴とする請求項１記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
3. 前記凹部は、少なくとも前記コンデンサ本体の第１の側面及び前記第１の側面と隣り合う第３の側面に形成され、前記第１の側面に形成された前記凹部は前記コンデンサ本体の第１の主面側に形成され、前記第３の側面に形成された前記凹部は前記コンデンサ本体の前記第２の主面側に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
4. 前記凹部は、前記第１の側面と対向する第２の側面及び、前記第３の側面と対向する第４の側面に形成され、前記第２の側面に形成された前記凹部は前記コンデンサ本体の第１の主面側に形成され、前記第４の側面に形成された前記凹部は前記コンデンサ本体の前記第１の主面と反対の第２の主面側に形成されていることを特徴とする請求項３記記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
5. 前記凹部は、前記コンデンサ本体の前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方の端面側から、前記コンデンサ本体の厚さの２０％以上７０％以下の位置まで形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
6. 前記凹部は、前記コンデンサ本体の前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方の端面から、前記コンデンサ本体を厚さ方向に貫通するようにして形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
7. 前記誘電体層は、セラミックを主体としてなり、前記凹部は、前記コンデンサ本体の側面において前記誘電体層を構成するセラミックが露出していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
8. 前記凹部は、前記コンデンサ本体の側面において所定の間隔をおいて複数形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
9. 前記コンデンサ本体は、前記内部電極層より前記誘電体層の外周側に、前記内部電極層と所定の間隔をおいて配置されたダミー電極層をさらに備えていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
10. 前記内部電極層の少なくとも一部は、前記コンデンサ本体の側面において露出していることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサを内蔵したことを特徴とする配線基板。
12. コア基板を含み、前記配線基板内蔵用コンデンサは、前記コンデンサ本体に形成された前記凹部内に充填された樹脂材を介して前記コア基板に固定され、内蔵するように構成されたことを特徴とする請求項１１記載の配線基板。

Images