JP2007193942A - 半導体記憶装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、コアセルと、コアセルを目標閾値電圧にプログラミングする手段と、を具備し、前記手段は、コアセルをプログラム条件でプログラミングするプログラム手段と、コアセルの電圧レベルがプログラム検証条件を満足するかによりプログラミングが成功したかを検証する検証手段と、検証手段におけるコアセルの電圧レベルに応じて、プログラミング条件とプログラム検証条件とを調整する調整手段と、プログラミングに失敗したと検証した場合はプログラム手段にプログラミングさせ、プログラミングに成功したと検証した場合は調整手段にプログラミング条件とプログラム検証条件とを調整させ、電圧レベルが目標閾値電圧に達するまで、プログラム、検証及び調整を繰り返す制御手段と、を有する半導体記憶装置及びその制御方法である。
【選択図】図3
Description
I=a(Vg−Vt)
I(ref)=a(Vg(ref)−Vt(ref))
に従って、4ボルトになるように設定される。
204 1番目のプログラム検証段階
206 2番目のプログラミング段階
208 2番目のプログラム検証段階
210 3番目のプログラミング段階
212 3番目のプログラム検証段階
Claims (7)
- コアセルと、
前記コアセルを目標閾値電圧にプログラミングする手段と、を具備し、
前記手段は、
前記コアセルをプログラム条件でプログラミングするプログラム手段と、
前記コアセルの電圧レベルがプログラム検証条件を満足するかにより前記コアセルのプログラミングが成功したかを検証する検証手段と、
前記検証手段における前記コアセルの前記電圧レベルに応じて、前記プログラミング条件と前記プログラム検証条件とを調整する調整手段と、
前記検証手段が前記プログラミングに失敗したと検証した場合は、前記プログラム手段にプログラミングさせ、前記検証手段が前記プログラミングに成功したと検証した場合は、前記調整手段に前記プログラミング条件と前記プログラム検証条件とを調整させ、前記電圧レベルが前記目標閾値電圧に達するまで、繰り返し、前記プログラム手段にプログラミングさせ、前記検証手段に検証させ、及び前記調整手段に前記プログラム条件及び前記プログラム検証条件を調整させる制御手段と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記検証手段は、前記コアセルの電圧レベルが前記プログラム検証条件である検証電圧レベルに達したかで前記コアセルの前記プログラミングが成功したかを検証することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記調整手段は、前記プログラム条件のうち、プログラミングのパルス振幅及びパルスの幅の少なくとも一方を調整することを特徴とする請求項1または2記載の半導体記憶装置。
- 前記調整手段は、選択された回数のプログラミングの間は、前記プログラム検証条件である検証電圧レベルの変動幅と前記プログラミング条件とを変更せず、前記選択された回数のプログラミングの後は、前記検証電圧レベルの変動幅を減少させ、かつ前記パルス振幅を低減またはパルスの幅を短縮することを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。
- 前記調整手段は、前記コアセルの電圧レベルが前記目標閾値電圧に近づくときに、前記プログラム検証条件である検証電圧レベルの変動幅を小さくし、かつ、前記プログラム条件の前記パルス振幅を低減または前記パルス幅を短縮することを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。
- 前記プログラミングのパルス振幅は、前記コアセルのゲート電圧及びドレイン電圧の少なくとも一方に印加されるパルスの振幅であることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項記載の半導体記憶装置。
- コアセルを目標閾値電圧にプログラミングする半導体記憶装置の制御方法であって、
前記コアセルをプログラム条件でプログラミングするプログラム手順と、
前記コアセルの電圧レベルがプログラム検証条件を満足するかにより前記コアセルのプログラミングが成功したかを検証する検証手順と、
前記検証手段における前記コアセルの前記電圧レベルに応じて、前記プログラミング条件と前記プログラム検証条件とを調整する調整手順と、を有し、
前記検証手順において、前記プログラミングに失敗したと検証した場合は、前記プログラム手順を行い、前記検証手順において前記プログラミングに成功したと検証した場合は、前記調整ステップにおいて、前記プログラミング条件と前記プログラム検証条件とを調整し、前記電圧レベルが前記目標閾値電圧に達するまで、前記プログラム手順、前記検証手順、及び前記調整手順を繰り返し行うことを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
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