JP2007188977A - 共鳴トンネル素子及びその製造方法並びに記憶素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の共鳴トンネル素子6は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。エネルギー障壁は熱酸化膜2であり、かつ量子井戸は金属ナノ粒子3である。負イオン注入によって、熱酸化膜2中に金属ナノ粒子3を形成する。
【選択図】図1
Description
本発明の一実施形態について図1ないし図3に基づいて説明すると以下の通りである。
本発明の他の実施の形態について図4ないし図11に基づいて説明すると以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、上記実施の形態1と同じである。
本発明の他の実施の形態について図12ないし図13に基づいて説明すると以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、上記実施の形態1および実施の形態2と同じである。また、説明の便宜上、上記の実施の形態1および実施の形態2の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
2 熱酸化膜(半導体酸化膜、エネルギー障壁)
3 金属ナノ粒子(量子井戸)
4 半導体基板(電極)
5 量子準位
6 共鳴トンネル素子
7 共鳴トンネル素子
8 突起部(ゲート電極)
11 半導体基板
12 シリコン窒化膜
13 熱酸化膜(半導体酸化膜、エネルギー障壁)
16 ソース電極
18 ドレイン電極
19 電極
20 金属ナノ粒子(量子井戸)
21 エネルギー帯
L 熱酸化する前の突起部の上部の長さ(熱酸化膜における、突起部上でかつ、ソース電極およびドレイン電極に挟まれた部分の長さ)
d 熱酸化膜の厚さ
Claims (12)
- 量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有する共鳴トンネル素子において、
上記量子井戸は金属ナノ粒子であることを特徴とする共鳴トンネル素子。 - 上記共鳴トンネル素子は、シリコン基板上に形成されるものであり、上記エネルギー障壁は、半導体絶縁膜であることを特徴とする請求項1に記載の共鳴トンネル素子。
- 上記共鳴トンネル素子の半導体絶縁膜はシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項2に記載の共鳴トンネル素子。
- 上記金属ナノ粒子は、上記エネルギー障壁中において二次元平面状に配列されていることを特徴とする請求項1ないし3の何れかに記載の共鳴トンネル素子。
- 二つの電極をさらに備え、
両電極は、上記多重障壁構造の両端にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の共鳴トンネル素子。 - 上記両電極は、ソース電極およびドレイン電極であり、
金属ナノ粒子を介してソース電極からドレイン電極に流れる電流値を制御するゲート電極をさらに備えていることを特徴とする請求項5に記載の共鳴トンネル素子。 - 上記共鳴トンネル素子は、シリコン基板上に形成されるものであり、上記エネルギー障壁は、上記シリコン基板表面を酸化させた半導体酸化膜であると共に、
上記ゲート電極は、半導体酸化膜とシリコン基板との間に形成されるものであり、
ソース電極及びドレイン電極は、半導体酸化膜の側面に配されており、
半導体酸化膜における、ゲート電極上でかつ、ソース電極およびドレイン電極に挟まれた部分の長さをL、半導体酸化膜の膜厚をdとすると、L>2×dを満足することを特徴とする請求項6に記載の共鳴トンネル素子。 - 上記ソース電極およびドレイン電極は半導体または金属からなっていることを特徴とする請求項6又は7に記載の共鳴トンネル素子。
- 上記ゲート電極に印加されるゲート電圧の変調により、ソース/ドレイン電極間に存在する金属ナノ粒子を直接トンネルする電流値が制御されることを特徴とする請求項6に記載の共鳴トンネル素子。
- 上記ソース電極およびドレイン電極の間に印加されるソース/ドレイン電圧の変調により、ソース/ドレイン電極間に存在する金属ナノ粒子を直接トンネルする電流値が制御されることを特徴とする請求項6に記載の共鳴トンネル素子。
- 請求項6ないし10のいずれかに記載の共鳴トンネル素子を備え、
ゲート電極から金属ナノ粒子にキャリヤがトンネルすることによって、又は、金属ナノ粒子からゲート電極にキャリヤがトンネルすることによって、ソース電極からドレイン電極に流れる電流値が変調するようになっていることを特徴とする記憶素子。 - 量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有する共鳴トンネル素子の製造方法において、
半導体基板上に上記エネルギー障壁となる半導体酸化膜を形成した後、半導体酸化膜中に負イオン注入によって、上記量子井戸となる金属ナノ粒子を形成することを特徴とする共鳴トンネル素子の製造方法。
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