JP2007188921A - 半導体装置、その実装構造およびその実装方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LSI11が搭載されるインターポーザ12は、リジット配線基板1212とフレキシブル配線基板122とを合体したものであり、両配線基板の合体された部分が素子搭載部になされており、その部分にLSI11が搭載される。フレキシブル配線基板122の素子搭載部から突出して延びる部分は折り返されており、その折返された領域にはんだボール15が搭載されている。このはんだボール15を用いて半導体装置100はマザーボード16上に実装される。
【選択図】図1
Description
図7は、特許文献2にて提案された半導体装置の断面図である。この従来の半導体装置は、絶縁性樹脂71と配線パターン72と熱可塑性樹脂73から構成されるフレキシブル基板74とシリコンチップ75と平板76とはんだボール77とからなり、シリコンチップ75と平板76とをフレキシブル基板74で1周に渡って覆っている。この従来例では、マザーボードに搭載された際、フレキシブル基板74とシリコンチップ75との間に挿入された平板76によって熱応力が緩和されるため、アンダーフィルが充填されていなくてもはんだボールが熱疲労破壊することがない、とされる。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、フレキシブルなインターポーザを用いながら多ピンのLSIを実装することができでき、しかもマザーボードに搭載したとき、アンダーフィルなどの補強なしで高い信頼性を確保することのできる半導体装置を提供することにある。
図1は、本発明の一実施の形態の半導体装置の実装構造を示す断面図である。
図1において、本実施の形態に係る半導体装置100は、マザーボード16上に搭載されている。本実施の形態の半導体装置100に用いられるインターポーザ12は、リジット配線基板121とフレキシブル配線基板122とを合体したものである。インターポーザ12のリジット配線基板121とフレキシブル配線基板122との合体部は素子搭載部となされており、その表・裏面にはそれぞれLSI11がフリップチップボンディングされており、LSI11とインターポーザ12との間隙はアンダーフィル13により充填されている。フレキシブル配線基板122のリジット配線基板121と重ならない部分は折り返されており、その折り返された部分の外側にははんだボール15が設けられている。そして、半導体装置100は、はんだボール15でマザーボード16と接続されている。折り返されたフレキシブル配線基板122の先端部は仮止め用の熱可塑性樹脂14により固定されている。リジット配線基板121にはガラスエポキシ基材のような基板材料が用いられており、フレキシブル配線基板122はポリイミドフィルムなどを用いて形成されている。
また、本発明の半導体装置において用いられるインターポーザは、リジットな素子搭載部とそこから突出するフレキシブル配線基板とを備えたものであり、そして素子搭載部は多層化が容易であり且つそこからフレキシブル基板へ配線を分配することが可能であるため、フレキシブル基板の折り曲げ性を損なうことなく、多ピンのLSIの搭載が可能となる。例えば、10mm角サイズの0.8mmピッチCSPを、片面1層のフレキシブル基板に搭載する場合、パッド径を0.5mm、回路幅と回路間隙を0.05mmとすると、配線を引き出せるCSPの電極配列数は3列までとなるため、搭載できるCSPの最大電極数は108ピンとなる。これ以上のピン数のCSPを搭載する場合はフレキシブル基板を多層化する必要があり、多層化するとフレキシブル基板の折り曲げ性が損なわれる。同じ10mm角サイズの0.8mmピッチCSPを、本発明に用いたインターポーザに搭載する場合は、パッド径を0.5mm、回路幅と回路間隙を0.05mmと同じ設計ルールとし、インターポーザを1層のリジット配線基板と片面1層のフレキシブル基板とによって構成し、素子搭載部であるリジット配線基板部から4方向にフレキシブル基板が飛び出しているものとすると、CSPの電極配列数として6列まで配線引き出しが可能となり、搭載できるCSPの最大電極数はフルグリッドである144ピンまで可能で、かつ配線の引き出し層は片面1層のフレキシブル基板のままであるため折り曲げ性が損なわれることがない。
さらに、素子搭載部から飛び出し折り返えされたフレキシブル基板の先端部が、熱可塑性樹脂で仮止めされていることで、半導体装置をマザーボードに搭載するとき、安定して搭載することができ、またリフローでの加熱によって仮止め用の樹脂が軟化し、フリーの状態にすることができる。
12 インターポーザ
121 リジット配線基板
122 フレキシブル配線基板
13 アンダーフィル
14 熱可塑性樹脂
15、63、77 はんだボール
16 マザーボード
17、73 熱可塑性樹脂
71 絶縁性樹脂
72 配線パターン
74 フレキシブル基板
62、75 シリコンチップ
76 平板
61 フィルムキャリア基板
100 半導体装置
Claims (15)
- 素子が搭載される素子搭載部と該素子搭載部から突出して延びる、可撓性を有する突出部とを有するインターポーザと、前記インターポーザの前記素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記インターポーザの前記突出部のランドに形成された外部接続端子と、を有する半導体装置。
- 前記インターポーザの前記素子搭載部がリジッドな構造を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記インターポーザの前記素子搭載部がフレキシブル配線基板上に形成されたビルドアップ多層配線部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記インターポーザが、リジッド配線基板とフレキシブル配線基板とを合体したものであり、前記素子搭載部がリジッド配線基板とフレキシブル配線基板との合体部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ビルドアップ多層配線部または前記リジッド配線基板が、フレキシブル配線基板の両面に存在していることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。
- 前記インターポーザの前記素子搭載部の平面形状は四辺形であって、前記突出部は前記素子搭載部の2辺、3辺または4辺から突出していることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体素子が前記インターポーザの前記素子搭載部の一方の面若しくは両方の面に搭載されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記インターポーザの前記素子搭載部の少なくとも一方の面には複数の半導体素子が搭載されていることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記外部接続端子がはんだボールによって構成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記インターポーザの前記突出部が前記外部接続端子が外側となるように折り曲げられ、前記突出部の先端部同士が結合されていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置。
- 素子が搭載される素子搭載部と該素子搭載部から突出して延びる、可撓性を有する突出部とを有するインターポーザと、前記インターポーザの前記素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記インターポーザの前記突出部のランドに形成された外部接続端子と、を有する半導体装置の実装構造であって、前記突出部が外部接続端子が外側となるように折り曲げられ、前記外部接続端子が実装基板の電極パッドに接続されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 素子が搭載される素子搭載部と該素子搭載部から突出して延びる、可撓性を有する突出部とを有するインターポーザと、前記インターポーザの前記素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記インターポーザの前記突出部のランドに形成された外部接続端子と、を有する半導体装置が多段に積層されている実装構造であって、前記突出部が外部接続端子が外側となるように折り曲げられ、最下層の半導体装置の前記外部接続端子が実装基板の電極パッドに接続され、最下層以外の半導体装置の前記外部接続端子が他の半導体装置のインターポーザに形成された電極パッドに接続されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 前記外部接続端子は、アンダーフィルによって包囲されておらずその表面は露出されていることを特徴とする請求項11または12に記載の半導体装置の実装構造。
- 素子が搭載される素子搭載部と該素子搭載部から突出して延びる、可撓性を有する突出部とを有するインターポーザと、前記インターポーザの前記素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記インターポーザの前記突出部のランドに形成された外部接続端子と、を有する半導体装置の実装方法であって、前記突出部を前記外部接続端子が外側となるように折り曲げ、前記突出部の先端部同士を仮止めする工程と、前記外部接続端子を実装基板の電極パッドに接続する工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
- 前記突出部の先端部同士の仮止めを熱可塑性樹脂を用いて行うことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の実装方法。
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Cited By (2)
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US8338940B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-12-25 | Nec Corporation | Semiconductor device |
JP2014192449A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Nec Platforms Ltd | 半導体装置、LSI(LargeScaleIntegration)及び電子機器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897312A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
JP2000012606A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001250909A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-09-14 | Fujitsu Ltd | 電気部品搭載基板のための応力低減インターポーザ |
JP2003086761A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004172323A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Nec Corp | 半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ |
JP2005079303A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 半導体パッケージ、電子機器および半導体パッケージの製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897312A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
JP2000012606A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001250909A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-09-14 | Fujitsu Ltd | 電気部品搭載基板のための応力低減インターポーザ |
JP2003086761A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004172323A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Nec Corp | 半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ |
JP2005079303A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 半導体パッケージ、電子機器および半導体パッケージの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8338940B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-12-25 | Nec Corporation | Semiconductor device |
US8956915B2 (en) | 2008-03-28 | 2015-02-17 | Nec Corporation | Method of manufacturing a three-dimensional packaging semiconductor device |
JP2014192449A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Nec Platforms Ltd | 半導体装置、LSI(LargeScaleIntegration)及び電子機器 |
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