JP2014192449A - 半導体装置、LSI(LargeScaleIntegration)及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】貫通穴を有する可撓性回路基板3と、貫通穴に埋め込まれたシリコンインターポーザ4と、可撓性回路基板3の第1の面6側に位置し、可撓性回路基板3及びシリコンインターポーザ4と電気的に接続している第1のデバイス1と、可撓性回路基板3の第2の面7側に位置し、可撓性回路基板3及びシリコンインターポーザ4と電気的に接続している第2のデバイス2と、を有し、可撓性回路基板3の端部は一方の面側に折り曲げられており、第2のデバイス2は可撓性回路基板3により内包されている半導体装置。
【選択図】図1
Description
貫通穴を有する可撓性回路基板と、
前記貫通穴に埋め込まれたシリコンインターポーザと、
前記可撓性回路基板の第1の面側に位置し、前記可撓性回路基板及び前記シリコンインターポーザ両方と電気的に接続している第1のデバイスと、
前記第1の面と表裏の関係にある前記可撓性回路基板の第2の面側に位置し、前記可撓性回路基板及び前記シリコンインターポーザ両方と電気的に接続している第2のデバイスと、を有し、
前記可撓性回路基板の端部は一方の面側に折り曲げられており、前記第2のデバイスは前記可撓性回路基板により内包されている半導体装置が提供される。
本実施形態の半導体装置は、貫通穴を有する可撓性回路基板と、貫通穴に埋め込まれたシリコンインターポーザと、可撓性回路基板の第1の面側に位置し、可撓性回路基板及びシリコンインターポーザ両方と電気的に接続している第1のデバイスと、第1の面と表裏の関係にある可撓性回路基板の第2の面側に位置し、可撓性回路基板及びシリコンインターポーザ両方と電気的に接続している第2のデバイスと、を有する。そして、可撓性回路基板の端部は一方の面側に折り曲げられており、第2のデバイスは可撓性回路基板により内包されている。なお、可撓性回路基板は、さらに、支持体を内包し、支持体により形状を支持されている。
本実施形態の半導体装置は、第1のデバイス1と第2のデバイス2を対向させて通信を行うNetwork−on−Chip(以下NoC)構造となっている。その他の構成は第1の実施形態と同様である。
図12に本実施形態の半導体装置の断面図の一例を示す。
図13に本実施形態の半導体装置の断面図の一例を示す。
図14に本実施形態の半導体装置の断面図の一例を示す。
図15に本実施形態の半導体装置の断面図の一例を示す。
図16に本実施形態の半導体装置の断面図の一例を示す。
第5乃至7の実施形態では、同様の構造の半導体装置同士を積層したが、本実施形態では、異なる構造の半導体装置同士を積層することができる。例えば、第1及び第2の実施形態で説明した構造の半導体装置と、第3又は第4の実施形態で説明した構造の半導体装置を積層してもよい。この積層における上下位置関係は特段制限されない。すなわち、第1及び第2の実施形態で説明した構造の半導体装置が上側に位置し、第3又は第4の実施形態で説明した構造の半導体装置が下側に位置してもよいし、その逆であってもよい。また、第3の実施形態で説明した半導体装置と、第4の実施形態で説明した構造の半導体装置を積層してもよい。この積層における上下位置関係も特段制限されない。また、3段以上に積層する場合、任意の組み合わせの半導体装置を、任意の上下関係で積層することができる。
1. 貫通穴を有する可撓性回路基板と、
前記貫通穴に埋め込まれたシリコンインターポーザと、
前記可撓性回路基板の第1の面側に位置し、前記可撓性回路基板及び前記シリコンインターポーザ両方と電気的に接続している第1のデバイスと、
前記第1の面と表裏の関係にある前記可撓性回路基板の第2の面側に位置し、前記可撓性回路基板及び前記シリコンインターポーザ両方と電気的に接続している第2のデバイスと、を有し、
前記可撓性回路基板の端部は一方の面側に折り曲げられており、前記第2のデバイスは前記可撓性回路基板により内包されている半導体装置。
2. 1に記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板上における最小ランドピッチ間隔よりも、前記シリコンインターポーザ上における最小ランドピッチ間隔の方が小さい半導体装置。
3. 1または2に記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板と前記シリコンインターポーザは面一となっている半導体装置。
4. 1から3のいずれか1つに記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板は、さらに、支持体を内包し、前記支持体により形状を支持されている半導体装置。
5. 4に記載の半導体装置において、
前記支持体は、Fe、NiとFeを含んだ合金、Al、Alを含んだ合金、Cu、NiとCrを含んだ合金、Crを含んだ合金、Si、樹脂材料、雲母の中のいずれか1種以上の材料で構成される半導体装置。
6. 1から5のいずれか1つに記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板の前記第1の面に、受動部品が搭載されている半導体装置。
7. 1から6のいずれか1つに記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板の前記第1の面は、前記貫通穴を有する第1の領域と、前記第1の領域が向く方向に対して略180°反対方向を向く第2の領域とを有し、
前記第2の領域を介して第3のデバイスと接続されている半導体装置。
8. 7に記載の半導体装置に置いて、
前記第3のデバイスは、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置である半導体装置。
9. 1から8のいずれか1つに記載の半導体装置を搭載したLSI。
10. 1から8のいずれか1つに記載の半導体装置を搭載した電子機器。
2 第2のデバイス
3 可撓性回路基板
4 シリコンインターポーザ
5 支持体
6 可撓性回路基板の第1の面
7 可撓性回路基板の第2の面
8 可撓性回路基板の第2の外部電極
9 可撓性回路基板の第1の外部電極
10 シリコンインターポーザの第1の面
11 シリコンインターポーザの第1の外部電極
12 シリコンインターポーザの第2の面
13 シリコンインターポーザの第2の外部電極
14 可撓性回路基板の第3の外部電極
15 外部端子
16 第1の絶縁層
17 第2の絶縁層
18 第3の絶縁層
19 接着シート
20 実装基板
21 受動部品
Claims (10)
- 貫通穴を有する可撓性回路基板と、
前記貫通穴に埋め込まれたシリコンインターポーザと、
前記可撓性回路基板の第1の面側に位置し、前記可撓性回路基板及び前記シリコンインターポーザ両方と電気的に接続している第1のデバイスと、
前記第1の面と表裏の関係にある前記可撓性回路基板の第2の面側に位置し、前記可撓性回路基板及び前記シリコンインターポーザ両方と電気的に接続している第2のデバイスと、を有し、
前記可撓性回路基板の端部は一方の面側に折り曲げられており、前記第2のデバイスは前記可撓性回路基板により内包されている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板上における最小ランドピッチ間隔よりも、前記シリコンインターポーザ上における最小ランドピッチ間隔の方が小さい半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板と前記シリコンインターポーザは面一となっている半導体装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板は、さらに、支持体を内包し、前記支持体により形状を支持されている半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記支持体は、Fe、NiとFeを含んだ合金、Al、Alを含んだ合金、Cu、NiとCrを含んだ合金、Crを含んだ合金、Si、樹脂材料、雲母の中のいずれか1種以上の材料で構成される半導体装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板の前記第1の面に、受動部品が搭載されている半導体装置。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記可撓性回路基板の前記第1の面は、前記貫通穴を有する第1の領域と、前記第1の領域が向く方向に対して略180°反対方向を向く第2の領域とを有し、
前記第2の領域を介して第3のデバイスと接続されている半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記第3のデバイスは、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置である半導体装置。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置を搭載したLSI(Large Scale Integration)。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置を搭載した電子機器。
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