JP2007158311A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去した直後に、前記結晶性半導体膜上に第２の酸化膜を形成し、
前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、
第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、
前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、
前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去した直後に、前記結晶性半導体膜を純水洗浄せずに、前記結晶性半導体膜上に第２の酸化膜を形成し、
前記第２の酸化膜表面を純水洗浄し、
前記第２の酸化膜表面を乾燥し、
前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、
第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、
前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、
前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１又は請求項２において、
前記第１の酸化膜をフッ酸により除去した直後に、オゾン含有水溶液により前記結晶性半導体膜上に第２の酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のレーザ光を酸素を含む雰囲気下で照射し、
前記第２のレーザ光を窒素雰囲気下または真空中で照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２のレーザ光を照射した前記結晶性半導体膜をエッチングして島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２のレーザ光のショット数は前記第１のレーザ光のショット数よりも少なくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１のレーザ光照射は、前記第１の酸化膜除去から２時間以内に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至７のいずれか一において、
前記結晶化を助長する金属元素として鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、又は金（Ａｕ）のいずれか１つ又は複数の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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