JP2002237453A5 - - Google Patents
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- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
Claims (10)
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の一部の領域に結晶化を助長する触媒元素をロール式処理法により添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の全面に結晶化を助長する触媒元素をロール式処理法により添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の全面に結晶化を助長する触媒元素をディップ式処理法により添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の全面に結晶化を助長する触媒元素をスプレー式処理法により添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の全面に結晶化を助長する触媒元素をシャワー式処理法により添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜上にマスク絶縁膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の一部の領域が露出するように前記マスク絶縁膜の一部の領域に開口領域を形成し、前記マスク絶縁膜上からロール式処理法により結晶化を助長する触媒元素を添加することによって、前記非晶質半導体膜の露出した一部の領域に前記触媒元素を添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜上にマスク絶縁膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の一部の領域が露出するように前記マスク絶縁膜の一部の領域に開口領域を形成し、前記マスク絶縁膜上からデッィプ式処理法により結晶化を助長する触媒元素を添加することによって、前記非晶質半導体膜の露出した一部の領域に前記触媒元素を添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜上にマスク絶縁膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の一部の領域が露出するように前記マスク絶縁膜の一部の領域に開口領域を形成し、前記マスク絶縁膜上からスプレー式処理法により結晶化を助長する触媒元素を添加することによって、前記非晶質半導体膜の露出した一部の領域に前記触媒元素を添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積し、前記非晶質半導体膜上にマスク絶縁膜を堆積し、前記非晶質半導体膜の一部の領域が露出するように前記マスク絶縁膜の一部の領域に開口領域を形成し、前記マスク絶縁膜上からシャワー式処理法により結晶化を助長する触媒元素を添加することによって、前記非晶質半導体膜の露出した一部の領域に前記触媒元素を添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
- 請求項１乃至９のいずれか一項に於いて、前記触媒元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選択された一種または複数種類の元素を含んだ溶液を使用して添加することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001031767A JP2002237453A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 結晶質半導体膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001031767A JP2002237453A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 結晶質半導体膜の作製方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237453A JP2002237453A (ja) | 2002-08-23 |
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Family
ID=18895799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001031767A Withdrawn JP2002237453A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 結晶質半導体膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002237453A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101041147B1 (ko) | 2010-04-07 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 액티브층의 제조 방법 및 표시 장치 |
| CN116809348A (zh) * | 2023-06-28 | 2023-09-29 | 鸿星科技(集团)股份有限公司 | 一种使晶振晶片悬空的点胶方法、石英晶体振荡器 |
-
2001
- 2001-02-08 JP JP2001031767A patent/JP2002237453A/ja not_active Withdrawn
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